CN108305895B - 半导体装置及其制造方法 - Google Patents
半导体装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108305895B CN108305895B CN201810335239.2A CN201810335239A CN108305895B CN 108305895 B CN108305895 B CN 108305895B CN 201810335239 A CN201810335239 A CN 201810335239A CN 108305895 B CN108305895 B CN 108305895B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- semiconductor layer
- layer
- insulating layer
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 586
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 666
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 77
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract description 29
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 175
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 60
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 30
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 29
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 27
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000000180 cavity ring-down spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- -1 moisture Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000001307 laser spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
Landscapes
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本申请提供一种半导体装置及其制造方法。实施方式涉及显示稳定的电特性的高可靠性半导体装置。实施方式涉及制造高可靠性半导体装置。其包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层，与氧化物半导体叠层接触的源电极层以及漏电极层，与氧化物半导体层重叠的栅电极层(在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间设置有栅极绝缘层)，以及第一氧化物绝缘层及第二氧化物绝缘层(在所述第一氧化物绝缘层及所述第二氧化物绝缘层之间夹有氧化物半导体叠层)。第一至第三氧化物半导体层中的每个包含铟、镓及锌。第二氧化物半导体层中的铟的比例比第一及第三氧化物半导体层中的每个的铟的比例多。第一氧化物半导体层是非晶的。第二及第三氧化物半导体层都具有晶体结构。
Description
本分案申请是基于申请号为201380043764.2，申请日为2013年8月1日，发明名称为“半导体装置及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及半导体装置及制造该半导体装置的方法。
注意，在本说明书中的半导体装置指的是能够通过利用半导体特性工作的所有装置，并且，电光装置、半导体电路以及电子设备都是半导体装置。
背景技术
形成包括形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜的晶体管(也称为薄膜晶体管)的技术受到关注。该晶体管适用于诸如集成电路(IC)或图像显示装置(显示装置)等范围广泛的电子设备。硅类半导体材料众所周知地作为适用于晶体管的半导体薄膜的材料。对于其他材料，氧化物半导体受到关注。
例如，专利文献1已公开了具有包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体的晶体管。
可以通过诸如溅射法等的用于形成薄膜的技术来形成氧化物半导体膜。另外，与硅半导体等相比，可以在相对较低的温度下形成氧化物半导体膜。因此，氧化物半导体膜可以被形成为与其他晶体管重叠。例如，专利文献2公开了在其中通过将包括作为沟道形成区域的氧化物半导体层的晶体管设置在包括硅的晶体管上，来缩小单元面积(cell area)的半导体装置。
[参考文献]
[专利文献1]日本专利申请公开2006-165528号公报
[专利文献2]日本专利申请公开2012-15500号公报
发明内容
在包括作为沟道形成区域的氧化物半导体层的晶体管中，因氧从氧化物半导体层释放而产生氧空位(氧缺陷)，以及由于该氧空位产生载流子。另外，诸如氢等杂质进入到氧化物半导体层内而引起载流子的产生。
产生在氧化物半导体层内的载流子增大晶体管的关态电流(off-state current)以及阈值电压的变化。因此，发生晶体管的电特性变动，而造成半导体装置的可靠性下降。
鉴于上述问题，本发明的一个实施方式的目的是提供表现稳定电特性的高可靠性半导体装置。本发明的一个实施方式的另一个目的是制造高可靠性半导体装置。
本发明的一个实施方式的半导体装置包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层，以及在第一氧化物绝缘层和第二氧化物绝缘层之间夹有氧化物半导体叠层。在该半导体装置中，第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层都至少包含铟，第二氧化物半导体层中铟的比例高于第一氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层中的每个中铟的比例，第一氧化物半导体层是非晶的，并且，第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层都具有晶体结构。
由于第二氧化物半导体层中铟的比例高于第一氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层中的每个中铟的比例，所以第二氧化物半导体层具有高载流子迁移率且用作载流子路径。因此，载流子在远离设置在氧化物半导体叠层的下方或上方的氧化物绝缘层的区域中流过。由此，可以降低从氧化物绝缘层进入杂质等的影响。
适当地选择氧化物半导体叠层的材料，以便形成阱形结构(well–shapedstructure)(也称为阱结构)，该阱结构中第二氧化物半导体层的导带(conduction band)底部位于最深能级。具体而言，也可以适当地选择材料，使得第二氧化物半导体层的导带底部与第一及第三氧化物半导体层的导带底部相比离真空能级更深。
另外，当第14族元素之一的硅或碳作为杂质包含在氧化物半导体层中时，它可以作为施主且形成n型区域。所以，包含在氧化物半导体层中的硅浓度低于或等于3×1018atoms/cm3，优选低于或等于3×1017atoms/cm3。此外，氧化物半导体层中的碳浓度低于或等于3×1018atoms/cm3，优选低于或等于3×1017atoms/cm3。尤其优选的是，采用以第一及第三氧化物半导体层夹着或包围用作载流子路径的第二氧化物半导体层的结构，使得大量第14族元素不进入第二氧化物半导体层。也就是说，第一及第三氧化物半导体层也可以被称为阻挡层，该阻挡层防止诸如硅等第14族元素进入第二氧化物半导体层中。
当氢或水分作为杂质被包含在氧化物半导体叠层中时，它可以作为施主且形成n型区域。所以，从获得阱形结构的观点来看，在氧化物半导体叠层的上方或下方设置防止氢或水分从外部进入的保护膜(例如，氮化硅膜)是有利的。
通过使用具有上述叠层结构的氧化物半导体层，形成沟道的区域可以具有低于或等于3×10-3/cm(当换算成态密度时，低于或等于3×1013/cm3)的通过恒定光电流法(CPM:Constant Photocurrent Method)测定的局部态的吸收系数。
本发明的一个实施方式的半导体装置包括形成在半导体衬底上的第一氧化物绝缘层，第一氧化物绝缘层上的层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层，氧化物半导体叠层上的第二氧化物绝缘层，以及与氧化物半导体叠层重叠的第一栅电极层(在第一栅电极层和氧化物半导体叠层之间设置有第二氧化物绝缘层)。在该半导体装置中，第一至第三氧化物半导体层都至少包含铟，第二氧化物半导体层中铟的比例高于第一氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层中的每个中铟的比例，第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层都具有晶体结构，并且，第一氧化物半导体层是非晶的。
除了上述结构以外，可以在第一氧化物半导体层的下方设置第一氮化物绝缘层，并且可以在第二氧化物绝缘层的上方设置第二氮化物绝缘层。第一及第二氮化物绝缘层防止氢或水分等进入氧化物半导体叠层中。
第一氧化物绝缘层以及第二氧化物绝缘层可以包含超过化学计量组成的氧。当这样包含超过化学计量组成的氧，可以将氧供应给氧化物半导体叠层，使得可以用氧填充氧空位。
在第一氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层中，至少铟浓度可以高于或等于1×1019atoms/cm3。另外，在氧化物半导体叠层中，由局部态的吸收系数可以小于或等于3×10-3/cm。
半导体装置可以包括与氧化物半导体叠层重叠的第二栅电极层，在第二栅电极层和氧化物半导体叠层中间设置有第一氧化物绝缘层。
第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层可以包括其c轴在大致垂直于表面的方向取向的晶体。
第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层可以包含铟、锌及镓。尤其是，当使用相同的元素形成第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层时，可以降低第一和第二氧化物半导体层之间的界面处以及第二和第三氧化物半导体层之间的界面处的散射。
第一氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层中的硅浓度可以低于或等于3×1018atoms/cm3。第一氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层中的每个的碳浓度可以低于或等于3×1018atoms/cm3。
本发明的另一个实施方式是一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成第一氧化物绝缘层；在第一氧化物绝缘层上形成非晶的第一氧化物半导体层以及具有晶体结构的第二氧化物半导体层；在氧及氮的气氛中进行第一加热处理；在第二氧化物半导体层上形成具有晶体结构的第三氧化物半导体层；在第三氧化物半导体层上形成第二氧化物绝缘层；以及在氧及氮的气氛中进行第二加热处理。
本发明的另一个实施方式是一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成第一氧化物绝缘层；在第一氧化物绝缘层上层叠非晶的第一氧化物半导体层以及具有晶体结构的第二氧化物半导体层；以及在第二氧化物半导体层上形成第三氧化物半导体层。第三氧化物半导体层的晶体生长使用第二氧化物半导体层中的晶体作为晶种而进行。
注意，可以使用设置有晶体管的半导体衬底作为半导体衬底。
根据本发明的一个实施方式，可以提供包括氧化物半导体且表现稳定的电特性的高可靠性半导体装置。可以制造高可靠性半导体装置。
附图说明
图1是示出根据本发明的一个实施方式的半导体装置的截面图。
图2A和2B是示出根据本发明的一个实施方式的制造半导体装置的方法的图。
图3A和3B是示出根据本发明的一个实施方式的制造半导体装置的方法的图。
图4A和4B是示出根据本发明的一个实施方式的半导体装置的截面图。
图5A至5C是示出根据本发明的一个实施方式的半导体装置的截面图。
图6A和6B是示出根据本发明的一个实施方式的半导体装置的电路图。
图7A至7C是根据本发明的一个实施方式的半导体装置的电路图及示意图。
图8是根据本发明的一个实施方式的半导体装置的框图。
图9是根据本发明的一个实施方式的半导体装置的框图。
图10是根据本发明的一个实施方式的半导体装置的框图。
图11A和11B示出可以使用根据本发明的一个实施方式的半导体装置的电子设备。
图12A是示出根据本发明的一个实施方式的半导体装置中所包括的氧化物半导体叠层的图，图12B是该氧化物半导体叠层的能带图，以及图12C是根据本发明的另一个实施方式的半导体装置所包括的氧化物半导体叠层的能带图。
图13是示出用于制造半导体装置的装置的例子的顶视图。
图14A示出氧化物半导体叠层的从真空能级到导带底部的能级的能量，图14B是其能带图。
具体实施方式
下面，将参照附图详细说明本发明的实施方式。但是，本发明不限于以下的说明，并且，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解：可以以不同的方式对其模式和细节进行修改。由此，本发明不应该被解释为受限于对这些实施方式的说明。
进一步，在以下所说明的实施方式中，遍及所述附图使用相同的参考符号来表示相同的部分。注意，为了实施方式的说明的清楚起见，有时夸大附图所示的部件(即，层和区域等)的厚度、宽度以及相对位置关系等。
注意，在本说明书等中诸如“之上”等术语不一定意味着一个部件“直接”被放置在另一部件“上”。例如，表述“绝缘层上的栅电极层”不排除在绝缘层和栅电极层之间存在附加部件的情况。同样适用于术语“之下”。
在本说明书等中，术语“电极层”或“布线层”不限制部件的功能。例如，“电极层”可以用作“布线层”的一部分，而“布线层”可以用作“电极层”的一部分。再者，术语“电极层”或“布线层”例如还可以意味着多个“电极层”及“布线层”的组合。
“源极”和“漏极”的功能有时被互换，例如，当使用极性相反的晶体管时或者当电路操作中的电流方向变化时。因此，在本说明书中术语“源极”和“漏极”可以被互换。
注意，在本说明书等中，术语“电连接”包括其中通过具有任何电功能的元件将部件连接的情况。只要在通过该元件连接的部件之间可以传输和接收电信号，对具有任何电功能的元件就没有特别的限制。
“具有任何电功能的元件”的例子是电极和布线。
实施方式1
在本实施方式中，将参照附图详细地说明根据本发明的一个实施方式的半导体装置。图1示出本发明的一个实施方式的半导体装置。
半导体装置包括具有第一半导体材料的晶体管160、以及形成在晶体管160上的具有第二半导体材料的晶体管162。
在此，包括在晶体管160和晶体管162中的半导体材料优选具有不同的带隙。例如，硅类半导体(单晶硅、多晶硅等)可以被用于第一半导体材料，并且，氧化物半导体可以被用于第二半导体材料。包括硅类半导体的晶体管可以容易进行高速操作。另一方面，包括氧化物半导体的晶体管由于其特征而具有低的关态电流。
图1所示的晶体管160包括衬底100上的栅极绝缘层108以及栅极绝缘层108上的栅电极层110。注意，衬底100设置有沟道形成区域、源极区域及漏极区域。元件分离绝缘层102被设置为围绕晶体管160。将与晶体管160电连接的布线层112设置在元件分离绝缘层102上。
注意，侧壁绝缘层可以被设置为与晶体管160的栅电极层110的侧表面接触。当如图1所示，没有设置侧壁绝缘层时，可以实现高集成化。
在晶体管160、元件分离绝缘层102以及布线层112上形成绝缘层104。在绝缘层104中形成到达布线层112的开口。在该开口中形成布线层114。布线层114可以利用以下方法来形成，在绝缘层104中形成开口后，在该开口中形成导电膜，以及通过化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing:CMP)等使绝缘层104以及导电膜平坦化。
在绝缘层104上形成布线层115。布线层115具有布线层115a、布线层115b以及布线层115c的层叠结构。但是，布线层115并不限于该结构，并可以根据所需要的特性来设置布线层。在布线层115上设置绝缘层120。绝缘层120的顶表面是平坦的；由此，减少起因于晶体管160和布线层115的不均匀性。
在绝缘层120上设置绝缘层135。使用具有阻挡特性的膜形成绝缘层135，以抑制因氢等从晶体管162释放而引起的晶体管160的特性的降低，并且防止起因于晶体管160的杂质进入到晶体管162中。在此，进入到晶体管162中的杂质的例子包括氢、水分及氮。所以，不使这些杂质透过的膜优选用于绝缘层135。
在绝缘层135以及绝缘层120中形成的开口中，布线层116形成为与布线层115接触。在绝缘层135上形成与布线层116接触的布线层117。在布线层117上形成绝缘层140。
绝缘层140可以为包含超过化学计量组成的氧的膜。通过使用包含超过化学计量组成的氧的绝缘层140，可以将氧供应给与绝缘层140接触的氧化物半导体叠层144。因此，可以减少氧化物半导体叠层144的氧空位。
绝缘层140的顶表面受到通过化学机械抛光等的平坦化处理，因此，减少晶体管160、布线层115以及布线层117等所引起的不均匀性。通过提高绝缘层140顶表面的平坦性，可以使氧化物半导体叠层144的厚度分布均匀，并且可以提高晶体管162的特性。
在绝缘层140上形成晶体管162。晶体管162包括氧化物半导体叠层144，与氧化物半导体叠层144接触的源电极层142a及漏电极层142b，在氧化物半导体叠层144、源电极层142a以及漏电极层142b上的栅极绝缘层147，栅极绝缘层147上的栅电极层148，栅电极层148上的绝缘层150，以及绝缘层155。
在氧化物半导体叠层144中，层叠有第一氧化物半导体层144a、第二氧化物半导体层144b以及第三氧化物半导体层144c。使用具有大于第一氧化物半导体层144a及第三氧化物半导体层144c的载流子密度的氧化物半导体来形成第二氧化物半导体层144b。由此，在具有大载流子密度的第二氧化物半导体层144b中形成沟道，并且，形成沟道的区域可以远离氧化物半导体叠层144和绝缘层之间的界面。
另外，第一氧化物半导体层144a是非晶的，以及第二氧化物半导体层144b和第三氧化物半导体层144c都具有晶体结构。具有晶体结构的半导体膜用于第二氧化物半导体层144b，由此可以减少沟道形成区域中的氧空位的影响。
使用第二氧化物半导体层144b中的晶体作为晶种而进行第三氧化物半导体层144c的晶体生长。因此，有时，第三氧化物半导体层144c的与第二氧化物半导体层144b重叠的区域具有晶体结构，以及第三氧化物半导体层144c的与第二氧化物半导体层144b不重叠的区域(与第一氧化物半导体层144a的侧表面及绝缘层140接触的区域)具有非晶结构。所以，在附图中，第三氧化物半导体层144c的与第二氧化物半导体层144b重叠的区域和第三氧化物半导体层144c的其他区域的填充图案彼此不同。
注意，第二氧化物半导体层144b和第三氧化物半导体层144c都具有晶体结构，而且有时不能明确观察第二氧化物半导体层144b和第三氧化物半导体层144c之间的界面。因此，在附图中用虚线表示第二氧化物半导体层144b和第三氧化物半导体层144c之间的界面。
接下来，说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法。首先，在衬底100上形成成为栅极绝缘层108的绝缘膜。
硅、碳化硅等的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底，或者硅锗的化合物半导体衬底等可以用作衬底100。替代地，可以使用其上设置有半导体元件的半导体衬底，SOI衬底等。
进一步替代地，可以使用通过溅射法、诸如等离子体CVD法等的气相生长法等在其上形成有半导体层的硼硅酸钡玻璃或硼硅酸铝玻璃的玻璃衬底、陶瓷衬底、石英衬底、蓝宝石衬底等。对于半导体层，可以采用如下任一种：非晶硅；通过激光退火法等使非晶硅结晶化而得到的多晶硅；在将氢离子等注入到硅晶圆中之后，分离单晶硅晶圆的表面部分，以这种方式而得到的单晶硅；等。可以通过光刻工序将任何这些半导体层加工为岛状。
形成成为用来形成元件分离绝缘层的掩模的保护层，使用该保护层作为掩模进行蚀刻，来去除衬底100的不由保护层覆盖的部分。由此，在衬底100的上部形成多个被分离的半导体区域。在绝缘层被形成为覆盖被分离的半导体区域后，选择性地去除与该半导体区域重叠的绝缘层。通过该方式，形成元件分离绝缘层102。
接下来，层叠栅极绝缘层108和栅电极层110。可以适当地通过溅射法、分子束外延(Molecular Beam Epitaxy:MBE)法、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition:CVD)法、脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition:PLD)法、原子层沉积(Atomic LayerDeposition:ALD)法等来形成栅极绝缘层108。当通过溅射法形成栅极绝缘层108时，可以减少诸如氢等的杂质元素。
可以使用无机绝缘膜形成栅极绝缘层108。优选使用，例如，氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜、氧氮化铝膜、氧化铪膜、氧化镓膜、氮化硅膜、氮化铝膜、氮氧化硅膜或氮氧化铝膜等。进一步，可以以单层结构或包含两层或更多层的叠层结构使用这些化合物来形成栅极绝缘层108。
可以通过等离子体CVD法或溅射法等使用诸如钼、钛、钽、钨、铝、铜、铬、钕或钪等金属材料或包含任何这些材料作为其主要成分的合金材料而形成栅电极层110(以及使用与栅电极层110相同的导电膜来形成的布线层112等)。也可以使用以掺杂有诸如磷等杂质元素的多晶硅膜为代表的半导体膜、或镍硅化物等的硅化物膜形成栅电极层110。进一步，也可以使用诸如铟锡氧化物、包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钨的铟锌氧化物、包含氧化钛的铟氧化物、包含氧化钛的铟锡氧化物、铟锌氧化物、或添加有氧化硅的铟锡氧化物的导电材料来形成栅电极层110。栅电极层110也可以具有上述导电材料和上述金属材料的叠层结构。
在此，通过将栅电极层110使用为掩模，将具有n型导电性的杂质元素或p型导电性的杂质元素引入衬底100。由此，形成源区域和漏区域。对于引入杂质元素的方法，可以使用离子注入法、离子掺杂法、等离子体浸没离子注入法等。
磷、硼、氮、砷、氩、铝，包含任何这些元素的分子离子等可以用作引入的杂质元素。这些元素的剂量优选为1×1013ions/cm2至5×1016ions/cm2。当引入磷作为杂质元素时，加速电压优选为0.5kV至80kV。
注意，可以进行多次引入杂质元素的处理。在进行多次引入杂质元素的处理的情况下，杂质元素的种类可以在多次处理中相同，或可以在每次处理中彼此不同。
通过上述步骤，能够制造晶体管160。
接下来，形成绝缘层104，以覆盖栅电极层110、栅极绝缘层108、元件分离绝缘层102以及布线层112。可以使用与栅极绝缘层108相似的材料及方法来形成绝缘层104。
进一步，在绝缘层104中形成开口，以及在该开口中形成布线层114(参见图2A)。可以使用与布线层112相似的材料及方法来形成布线层114。
接着，在绝缘层104上形成布线层115。可以使用与布线层112相似的材料及方法来形成布线层115。
在此，为了降低布线层115的电阻以及允许布线层115具有耐热性，布线层115具有三层结构。在该三层结构中，具有低电阻率的铝膜用作布线层115b，以及在该铝膜上方和下方形成有作为布线层115a及布线层115c的具有高熔点的钛膜。
注意，在形成成为布线层115的导电膜后，蚀刻该导电膜。在蚀刻该导电膜的工序中，有时绝缘层104也同时被蚀刻以及其厚度减少。因此，绝缘层104的与布线层115重叠的区域有时具有厚于其他区域的厚度。所以，绝缘层104的表面有时具有不均匀性。
接下来，在绝缘层104以及布线层115上形成绝缘层120。可以使用与栅极绝缘层108相似的无机材料，或如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或苯并环丁烯类树脂等的有机材料形成绝缘层120，以便减少起因于晶体管160、绝缘层104以及布线层115的不均匀性。除了这些有机材料之外，也可以使用低介电常数材料(低-k材料)等。替代地，可以通过层叠多个使用任何这些材料形成的绝缘膜来形成绝缘层120。
接着，在绝缘层120上形成绝缘层135。
优选使用具有阻挡特性的膜形成绝缘层135，以便起因于晶体管160的杂质不进入晶体管162中。例如，可以使用含有氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化镓、氧氮化镓、氧化钇、氧氮化钇、氧化铪、氧氮化铪等的膜形成绝缘层135。
进一步，在其中绝缘层135包括具有低密度的部分或没有形成膜的部分(以下将这些部分也被总称为“空洞”)的情况下，有时杂质通过空洞进入到晶体管中。
可以预先提高绝缘层120的平坦性，使得在绝缘层135中不形成空洞。例如，在形成绝缘层135之前，可以在绝缘层120的表面上进行如化学机械抛光处理或等离子体处理等的平坦化处理。
在形成绝缘层135后，在绝缘层135以及绝缘层120中形成到达布线层115的开口。在该开口中形成布线层116。在绝缘层135上形成与布线层116接触的布线层117。可以使用与栅电极层110相似的材料和方法来形成布线层116以及布线层117。
接下来，在布线层117上形成绝缘层140(参见图2B)。可以使用包含氮的氧化物绝缘层或如氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜、氧氮化铝膜、氧化铪膜或氧化镓膜等的氧化物绝缘层来形成绝缘层140。进一步，可以以单层结构或包括两层或更多层的叠层结构使用这些化合物来形成绝缘层140。包含超过化学计量组成的氧的膜可以用于绝缘层140，以便对后面形成的氧化物半导体叠层144供应氧。
进一步，可以通过化学机械抛光处理等平坦化绝缘层140，以使后面形成的氧化物半导体叠层144的膜厚度分布均匀以及提高其结晶性。
接着，在绝缘层140上形成氧化物半导体叠层144。
使用至少包含铟(In)以及允许通过AC溅射法或DC溅射法进行膜形成的溅射靶材来形成第一至第三氧化物半导体层144a至144c中的每个。通过包含铟，溅射靶材可以具有增强的导电性。通过使用这种溅射靶材，更容易地通过AC溅射法或DC溅射法进行膜形成。该靶材可以为使用该靶材而形成的膜至少在膜形成后包含高于或等于1×1019atoms/cm3的浓度的铟的靶材。使用可以由InM1XZnYOZ(X≥1、Y>1、Z>0以及M1为Ga、Hf等)表示的材料形成第一氧化物半导体层144a以及第三氧化物半导体层144c。注意，在其中使用包含Ga的材料形成第一氧化物半导体层144a以及第三氧化物半导体层144c的情况下，包含大比例的Ga的材料或者特别是可以由InM1XZnYOZ(其中X大于10)表示的材料是不合适的，因为在此情况下有可能在膜形成时产生尘屑，以及通过AC溅射法或DC溅射法进行膜形成变得困难。
使用可以由InM2XZnYOZ(X≥1、Y≥X、Z>0、M2＝Ga、Sn等)表示的材料形成第二氧化物半导体层144b。
尤其是，在其中第二氧化物半导体层144b是In-M2-Zn氧化物(M2是Ga或Sn等)，并且将具有In:M2:Zn＝x1:y1:z1的金属元素的原子数比的靶材用于形成第二氧化物半导体层144b的情况下，x1/y1优选大于或等于1/3且小于或等于6，进一步优选大于或等于1且小于或等于6，以及z1/y1优选大于或等于1/3且小于或等于6，进一步优选大于或等于1且小于或等于6。注意，当z1/y1大于或等于1且小于或等于6时，容易形成后面说明的作为第二氧化物半导体层144b的CAAC-OS膜。靶材的金属元素的原子数比的典型例子是In:M2:Zn＝1:1:1及In:M2:Zn＝3:1:2。
进一步，特别是，在第一氧化物半导体层144a以及第三氧化物半导体层144c中的每个为In-M1-Zn氧化物(M1是Ga或Hf等)，并且将具有In:M1:Zn＝x2:y2:z2的金属元素的原子数比的靶材用于形成第一氧化物半导体层144a以及第三氧化物半导体层144c中的每个的情况下，优选的是，x2/y2<x1/y1，并且z2/y2大于或等于1/3且小于或等于6，进一步优选大于或等于1且小于或等于6。注意，当z2/y2大于或等于1且小于或等于6时，容易形成后面说明的作为第一氧化物半导体层144a以及第三氧化物半导体层144c的CAAC-OS膜。靶材的金属元素的原子数比的典型例子是In:M1:Zn＝1:3:2、In:M1:Zn＝1:3:4、In:M1:Zn＝1:3:6及In:M1:Zn＝1:3:8等。
作为第一至第三氧化物半导体层144a至144c，可以使用具有In:Ga:Zn＝1:1:1(＝1/3:1/3:1/3)、In:Ga:Zn＝2:2:1(＝2/5:2/5:1/5)、In:Ga:Zn＝3:1:2(＝1/2:1/6:1/3)、In:Ga:Zn＝1:3:2(＝1/6:1/2:1/3)、In:Ga:Zn＝1:4:3(＝1/8:1/2:3/8)、In:Ga:Zn＝1:5:4(＝1/10:1/2:2/5)或In:Ga:Zn＝1:6:6(＝1/13:6/13:6/13)的原子数比的氧化物等。注意，可以使用铪代替镓来形成第一及第三氧化物半导体层144a及144c。此外，可以使用锡代替镓来形成第二氧化物半导体层144b。
适当地选择第一至第三氧化物半导体层的材料以便形成阱形结构，在该阱形结构中，第二氧化物半导体层144b的导带底部与第一及第三氧化物半导体层144a及144c的导带底部相比离真空能级更深。通过从真空能级与价带顶部之间的能量差(所谓的电离电位)减去导带底部与价带顶部之间的能量差(所谓的带隙)可以获得从真空能级到导带底部的深度(该深度也可以表示为电子亲和势)。
注意，可以通过紫外线光电子能谱(UPS:Ultraviolet PhotoelectronSpectroscopy)等来测定用于获得电子亲和势的氧化物半导体的电离电位。作为典型的UPS的测定装置，使用VersaProbe(由ULVAC-PHI公司制造)。电子亲和势是指真空能级(E∞)与导带端部(Ec)之间的能量差。此外，可以通过全自动光谱椭偏仪UT-300来测定能带隙(Eg)。通过从电离电位值减去能带隙来得到导带底部的能量，由此，可以形成单层或叠层的带结构。通过使用该方法，能够确认使用本说明书中公开的叠层结构是否形成有埋入沟道。图14A和14B示出其例子。
图14A示出从真空能级到导带底部的能量的数据。图14B示出根据该数据形成的带结构。为了获得该数据，以如下方式形成具有叠层结构的样品，在其中氧气比例为100％的气氛中利用具有In:Ga:Zn＝1:1:1[原子数比]的组成的In-Ga-Zn氧化物溅射靶材来形成10nm厚的膜之后，在其中氩气比例为100％的气氛中利用具有In:Ga:Zn＝3:1:2[原子数比]的组成的In-Ga-Zn氧化物溅射靶材来形成10nm厚的膜，然后在其中氧气比例为100％的气氛中利用具有In:Ga:Zn＝1:1:1[原子数比]的组成的In-Ga-Zn氧化物溅射靶材来形成10nm厚的膜。借助于该样品，通过全自动光谱椭偏仪UT-300测出能带隙，以及测出电离电位。通过从电离电位减去能带隙而获得从真空能级到导带底部的能量。从图14B可知，形成有阱形结构，在该阱形结构中，与第一及第三氧化物半导体层的导带底部相比，第二氧化物半导体层的导带底部离真空能级更深。
进一步，在使用In-Ga-Zn氧化物形成第一至第三氧化物半导体层144a至144c的情况下，第一至第三氧化物半导体层144a至144c的构成元素相同。所以，第一氧化物半导体层144a和第二氧化物半导体层144b之间的界面以及第二氧化物半导体层144b和第三氧化物半导体层144c之间的界面处的陷阱能级的数量低。由此，可以降低晶体管随时间的变化以及压力测试所导致的阈值电压的变化。
在Ga中，与在In中相比，氧空位的形成能量大，从而Ga不容易产生氧空位；所以，具有In的比例等于或低于Ga的比例的组成的氧化物与具有In的比例高于Ga的比例的组成的氧化物相比具有更稳定的特性。因此，第一氧化物半导体层144a与硅绝缘层之间的界面以及第三氧化物半导体层144c与硅绝缘层之间的界面可以是稳定的。由此，可以获得高可靠性的半导体装置。
在氧化物半导体中，重金属的s轨道主要有助于载流子传输，并且当氧化物半导体中In的比例增加时，s轨道的重叠容易增加。由此，具有In的比例高于Ga的比例的组成的氧化物与具有In的比例等于或低于Ga的比例的组成的氧化物相比具有高的迁移率。因此，当在包含高比例的铟的第二氧化物半导体层144b中形成载流子时，可以实现高迁移率。
适当地选择第二氧化物半导体层144b的材料，使得第二氧化物半导体层144b的导带(conduction band)底部形成阱形结构。图12B示出阱形结构的例子。图12B是沿着图12A所示的晶体管中的Y1-Y2的能带图。注意，图12A所示的晶体管具有与图4A所示的晶体管163相似的结构；所以，省略其详细说明。
在此，当第14族元素之一的硅或碳作为杂质包含在氧化物半导体层中时，它可以作为施主以及形成n型区域。所以，各个氧化物半导体层中的硅浓度低于或等于3×1018atoms/cm3，优选低于或等于3×1017atoms/cm3。进一步，碳浓度低于或等于3×1018atoms/cm3，优选低于或等于3×1017atoms/cm3。特别是，优选使用第一氧化物半导体层144a以及第三氧化物半导体层144c夹着或包围成为载流子路径的第二氧化物半导体层144b的结构，以便防止在第二氧化物半导体层144b中以高比例包含第14族元素。也就是说，第一及第三氧化物半导体层144a及144c也可以称为阻挡层，该阻挡层防止如硅等的第14族元素进入第二氧化物半导体层144b中。
包含在氧化物半导体叠层144中的氢与键合于金属的氧起反应而产生水，以及在释放氧的晶格(或者从其去除氧的部分)中形成缺陷。此外，氢的一部分与氧的键合引起作为载流子的电子的产生。因此，在形成氧化物半导体叠层144的工序中极力减少包含氢的杂质，由此，可以降低氧化物半导体叠层144中的氢浓度。当尽量去除氢而实现高度纯化的氧化物半导体叠层144用作沟道形成区域时，可以减少阈值电压的负向漂移，以及可以将晶体管的源极与漏极间的泄漏电流(典型为关态电流等)降低到几yA(幺科托安培)/μm至几zA(仄普托安培)/μm。其结果是，可以提高晶体管的电特性。
当成为晶体管的半导体层的氧化物半导体膜具有上述叠层结构时，在其中形成沟道的区域中，通过恒定光电流法(CPM:Constant Photocurrent Method)测定的由于局部态的吸收系数可以低于或等于3×10-3/cm(当换算成态密度时，低于或等于3×1013/cm3)。
上述叠层结构是在其中使用第一至第三氧化物半导体层形成一个阱形结构的例子；但是，本发明不局限于上述叠层结构。可以使用多层结构的第二氧化物半导体层来形成多个阱结构。图12C示出其例子。
作为溅射气体，适当地使用稀有气体(典型为氩)气氛、氧气氛、或者稀有气体以及氧的混合气体。在使用稀有气体和氧的混合气体的情况下，氧的比例优选高于稀有气体的比例。
根据所形成的氧化物半导体层的组成来适当选择用来形成氧化物半导体层的靶材。
作为靶材的例子，以下示出In-Ga-Zn氧化物靶材。
通过以预定的摩尔比率混合InOX粉末、GaOY粉末以及ZnOZ粉末，施加压力，并在高于或等于1000℃且低于或等于1500℃的温度下进行加热处理，来制造多晶的In-Ga-Zn氧化物靶材。注意，X、Y及Z为给定的任意正数。在此，InOX粉末对GaOY粉末以及ZnOZ粉末的预定的摩尔比率例如为2:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3或3:1:2。可以根据期望的靶材适当地决定用于混合粉末的摩尔比率和粉末的种类。
第二氧化物半导体层144b以及第三氧化物半导体层144c可以具有不同的结晶性。即，可以适当地组合单晶氧化物半导体膜、多晶氧化物半导体膜、微晶氧化物半导体膜及CAAC-OS膜。
在此，说明CAAC-OS膜的细节。CAAC-OS膜是具有多个c轴取向的晶体部的氧化物半导体膜之一。在使用透射电子显微镜(TEM:Transmission Electron Microscope)而得到的图像中，无法发现CAAC-OS膜中的晶界(grain boundary)。因此，在CAAC-OS膜中，不容易发生起因于晶界的电子迁移率的降低。
在本说明书中，术语“平行”是指形成在两条直线之间的角度大于或等于-10°且小于或等于10°，以及因此，还包括其中该角度大于或等于-5°且小于或等于5°的情况。另外，术语“垂直”是指形成在两条直线之间的角度大于或等于80°且小于或等于100°，以及因此，包括其中该角度大于或等于85°且小于或等于95°的情况。
在本说明书中，三方晶系和菱方晶系包括在六方晶系中。
根据在基本平行于样品表面的方向上观察的CAAC-OS膜的TEM图像(截面TEM图像)，在晶体部中金属原子排列为层状。各金属原子层具有由CAAC-OS膜的顶表面或在其上形成CAAC-OS膜的表面(以下，在其上形成CAAC-OS膜的表面被称为形成表面)反映的形态(morphology)，且排列为平行于CAAC-OS膜的顶表面或形成表面。
另一方面，根据在基本垂直于样品表面的方向上观察的CAAC-OS膜的TEM图像(平面TEM图像)，在晶体部中金属原子排列为三角形状或六角形状。但是，在不同的晶体部之间金属原子的排列没有规律性。
根据截面TEM图像以及平面TEM图像的结果，在CAAC-OS膜的晶体部中观察到取向性。
CAAC-OS膜中包括的每一晶体部的大部分可以适配于一边小于100nm的立方体内。因此，有包括在CAAC-OS膜中的晶体部可以适配于一边小于10nm、小于5nm或小于3nm的立方体内的情况。注意，当包括在CAAC-OS膜中的多个晶体部彼此连接时，有时形成一个大晶体区。例如，在平面TEM图像中有时观察到具有2500nm2或更大、5μm2或更大、或1000μm2或更大的面积的晶体区。
使用X射线衍射(XRD:X-Ray Diffraction)装置对CAAC-OS膜进行结构分析。例如，当通过异面(out-of-plane)法来分析包括InGaZnO4晶体的CAAC-OS膜时，在衍射角(2θ)为31°附近时频繁地出现峰值。该峰值来源于InGaZnO4晶体的(009)面，这显示CAAC-OS膜中的晶体具有c轴取向性，并且c轴取向在基本垂直于CAAC-OS膜的顶表面或形成表面的方向上。
另一方面，当通过使X线在基本垂直于c轴的方向上入射到样品的共面(in-plane)法分析CAAC-OS膜时，在2θ为56°附近时频繁地出现峰值。该峰值来源于InGaZnO4晶体的(110)面。在此，在2θ固定为56°左右并在以样品表面的法向量为轴(φ轴)旋转样品的条件下进行分析(φ扫描)。在该样品是InGaZnO4的单晶氧化物半导体膜的情况下，出现六个峰值。该六个峰值来源于等效于(110)面的晶面。另一方面，在该样品是CAAC-OS膜的情况下，即使在2θ固定为约56°的状态下进行φ扫描也不能观察到明确的峰值。
根据上述结果，在具有c轴取向的CAAC-OS膜中，虽然a轴及b轴的方向在晶体部之间不同，但c轴取向在与形成表面的法向量或顶表面的法向量平行的方向上。因此，在上述截面TEM图像中观察到的层状排列的各金属原子层对应于与晶体的a-b面平行的面。
注意，晶体部在沉积CAAC-OS膜的同时形成，或者通过诸如加热处理等的晶化处理形成。如上所述，晶体的c轴取向在与形成表面的法向量或顶表面的法向量平行的方向上。由此，例如，在CAAC-OS膜的形状因蚀刻等而变化的情况下，c轴可能不一定与CAAC-OS膜的形成表面的法向量或顶表面的法向量平行。
此外，CAAC-OS膜中的c轴取向的晶体部的分布不一定需要均匀。例如，在形成CAAC-OS膜的晶体部的晶体生长从膜的顶表面附近发生的情况下，在某些情况下，顶表面附近的c轴取向的晶体部的比例高于形成表面附近的比例。进一步，当对CAAC-OS膜添加杂质时，有时添加有杂质的区域被改变，以及CAAC-OS膜中的c轴取向的晶体部的比例根据区域变化。
注意，当通过异面(out-of-plane)法分析包含InGaZnO4晶体的CAAC-OS膜时，除了在31°附近的2θ峰值之外，还可以观察到在36°附近的2θ峰值。36°附近的2θ峰值表明在CAAC-OS膜的一部分中包括不具有c轴取向性的晶体。优选的是，在CAAC-OS膜中，2θ峰值出现于31°附近，以及2θ峰值不出现于36°附近。
CAAC-OS膜是具有低杂质浓度的氧化物半导体膜。杂质是氧化物半导体膜的主要成分以外的元素，诸如氢、碳、硅或过渡金属元素。尤其是，具有比包含在氧化物半导体膜中的金属元素更强的与氧的键合强度的元素(例如，硅)通过夺取氧化物半导体膜的氧，来打乱氧化物半导体膜的原子排列，且导致结晶性下降。另外，如铁或镍等的重金属、氩、二氧化碳等具有大原子半径(分子半径)，所以当包含在氧化物半导体膜内时，打乱氧化物半导体膜的原子排列，导致结晶性下降。注意，包含在氧化物半导体膜中的杂质有可能成为载流子陷阱或载流子产生源。
CAAC-OS膜是具有低缺陷态密度的氧化物半导体膜。有时，氧化物半导体膜中的氧空位作为载流子陷阱，或者当其中俘获氢时作为载流子产生源。
杂质浓度低且缺陷态密度低(氧空位的个数少)的状态称为“高纯度本征”或“基本高纯度本征”状态。高纯度本征或基本高纯度本征的氧化物半导体膜具有很少的载流子产生源，所以可以具有低载流子密度。因此，包括该氧化物半导体膜的晶体管很少具有负阈值电压(很少常开(normally on))。高纯度本征或基本高纯度本征的氧化物半导体膜具有很少的载流子陷阱。因此，包括该氧化物半导体膜的晶体管具有变动小的电特性以及高可靠性。被氧化物半导体膜中的载流子陷阱俘获的电荷到被释放需要长时间，可能行为像固定电荷。所以，包括杂质浓度高且缺陷态密度高的氧化物半导体膜的晶体管有时具有不稳定的电特性。
通过在晶体管中使用CAAC-OS膜，由可见光或紫外光的照射导致的晶体管的电特性变动小。
在如CAAC-OS膜具有晶体部的氧化物半导体中，可以进一步降低块体中的缺陷，以及当提高氧化物半导体的表面的平坦性时，可以得到高于非晶状态的氧化物半导体的迁移率的迁移率。为了提高表面的平坦性，氧化物半导体优选形成在平坦的表面上。
当形成CAAC-OS膜时，例如，通过使用多晶的氧化物半导体溅射靶材的溅射法来形成CAAC-OS膜。离子碰撞该靶材，包括在靶材中的晶体区域可以沿着a-b面与靶材分开；换句话说，具有与a-b面平行的面的溅射粒子(平板状的溅射粒子或片粒状的溅射粒子)可以从靶材分离。在这种情况下，该平板状的溅射粒子保持其晶体状态到达衬底，于是可以形成CAAC-OS膜。
为了形成CAAC-OS膜，优选使用如下条件。
通过减少沉积时进入CAAC-OS膜中的杂质量，可以防止杂质所导致的晶体状态的破坏。例如，可以降低存在于沉积室内的杂质(例如，氢、水、二氧化碳或氮)的浓度。另外，可以降低沉积气体中的杂质浓度。具体而言，使用露点为-80℃或更低，优选为-100℃或更低的沉积气体。
通过增高沉积时的衬底加热温度，在溅射粒子到达衬底表面之后容易发生溅射粒子的迁移(migration)。具体而言，在沉积时的衬底加热温度高于或等于100℃且低于或等于740℃，优选高于或等于200℃且低于或等于500℃。通过增高沉积时的衬底加热温度，当平板状的溅射粒子到达衬底时，在衬底上发生迁移，于是平板状溅射粒子的平坦的面附着到衬底。
另外，优选的是，增高沉积气体中的氧的比例并使功率最优化，以减轻沉积时的等离子体损伤。沉积气体中的氧的比例为30vol％或更高，优选为100vol％。
接下来，将说明微晶氧化物半导体膜。
在使用TEM而得到的图像中，有时无法清楚地发现微晶氧化物半导体膜中的晶体部。在很多情况下，微晶氧化物半导体中的晶体部大于或等于1nm且小于或等于100nm，或大于或等于1nm且小于或等于10nm。具有大于或等于1nm且小于或等于10nm的尺寸或者大于或等于1nm且小于或等于3nm的尺寸的微晶特别被称为纳米晶(nc:nanocrystal)。包含纳米晶的氧化物半导体膜被称为nc-OS(nanocrystalline oxide semiconductor)膜。在使用TEM而得到的图像中，有时在nc-OS膜中无法清楚地发现晶粒。
在nc-OS膜中，微小区域(例如，具有大于或等于1nm且小于或等于10nm，特别是大于或等于1nm且小于或等于3nm的尺寸的区域)具有周期性原子排列。另外，在nc-OS膜的不同晶体部之间没有晶体取向的规律性；因此，观察不到膜整体的取向性。所以，有时，取决于分析方法，nc-OS膜不能与非晶氧化物半导体膜区别。例如，当通过利用使用光束径比晶体部大的X射线的XRD装置的异面(out-of-plane)法对nc-OS膜进行结构分析时，表示晶体面的峰值没有出现。此外，通过使用其探针的直径大于晶体部的电子束(例如，大于或等于50nm)来获得的nc-OS膜的选区电子衍射图案中，出现类似光晕图案(halo-like pattern)。同时，通过使用其探针的直径近于或小于晶体部的电子束(例如，大于或等于1nm且小于或等于30nm)来获得的nc-OS膜的纳米束电子衍射图案中，出现斑点。另外，在nc-OS膜的纳米束电子衍射图案中，有时出现圆圈状(环状)的高亮度区域。而且，在nc-OS膜的纳米束电子衍射图案中，有时在环状的区域内出现多个斑点。
由于nc-OS膜是具有比非晶氧化物半导体膜高的规律性的氧化物半导体膜，所以nc-OS膜有比非晶氧化物半导体膜低的缺陷态密度。但是，在nc-OS膜中的不同晶体部之间没有晶体取向的规律性；所以，nc-OS膜具有比CAAC-OS膜高的缺陷态密度。
注意，氧化物半导体膜可以是包括非晶氧化物半导体膜、微晶氧化物半导体膜和CAAC-OS膜的两种膜或更多种膜的叠层膜。
在此，通过上述方法，层叠第一氧化物半导体层144a和第二氧化物半导体层144b，然后进行加热处理，使用掩模选择性地进行蚀刻。
在本实施方式中，在衬底温度被设定为室温且使用原子数比为In:Ga:Zn＝1:3:2的靶材的条件下，形成具有非晶结构的第一氧化物半导体层144a。具有非晶结构的第一氧化物半导体层144a的厚度被设定为大于或等于10nm且小于或等于40nm，优选大于或等于20nm且小于或等于30nm。具有非晶结构的第一氧化物半导体层144a具有这样大的膜厚度；因此，可以防止硅从基底膜(包含硅的绝缘膜)扩散。另外，在衬底温度被设定为400℃且使用原子数比为In:Ga:Zn＝1:1:1的靶材的条件下形成具有晶体结构的第二氧化物半导体层144b。该第二氧化物半导体层144b是包含其c轴取向为大致垂直于表面的晶体的膜，优选为CAAC-OS膜。第二氧化物半导体层144b具有大于或等于5nm且小于或等于10nm的厚度。
具有晶体结构的第二氧化物半导体层144b层叠在具有非晶结构的第一氧化物半导体层144a上。所以，该叠层也可以被称为异质结构(heterostructure)。
第二氧化物半导体层144b的膜形成温度高于或等于400℃且低于或等于550℃，优选高于或等于450℃且低于或等于500℃。注意，在已形形成的布线层能够承受的温度下进行成膜。
在减压下且氮、氧或氮和氧的气氛中，以高于或等于150℃且低于衬底的应变点，优选以高于或等于300℃且低于或等于500℃，更优选以高于或等于350℃且低于或等于450℃来进行膜形成后的加热处理。通过该加热处理，去除氧化物半导体层中过剩的氢(包括水或羟基)(脱水化或脱氢化)。进一步，在保持加热处理结束之后的加热温度或进行缓冷从加热温度降低温度的同时，可以向相同的炉中引入高纯度的氧气体或超干燥气体(使用光腔衰荡光谱(cavity ring-down laser spectroscopy:CRDS)***的露点仪进行测定，水分量低于或等于20ppm(通过转换成露点为-55℃)，优选低于或等于1ppm，更优选低于或等于10ppb)。通过氧气体的作用，供给在随着通过脱水化或脱氢化的去除杂质工序的同时被减少的氧化物半导体的主要成分的氧。
在形成第二氧化物半导体层144b之后进行加热处理，由此，第二氧化物半导体层144b中的氢浓度可以低于5×1018atoms/cm3，优选低于或等于1×1018atoms/cm3，更优选低于或等于5×1017atoms/cm3，进一步优选低于或等于1×1016atoms/cm3。
在包含氮或如氦、氖、氩、氙或氪等稀有气体的惰性气体气氛中进行该加热处理。此外，可以先在惰性气体气氛中进行加热处理，然后在氧气气氛中进行加热处理。优选的是，上述惰性气体气氛及上述氧气气氛不包含氢、水等。处理时间为3分钟至24小时。对在氧化物半导体层上进行的加热处理的次数没有限制，以及对加热处理的定时没有限制。
注意，可以对设置在氧化物半导体叠层144的上方和/或下方的氧化物绝缘层进行加热，在这种情况下，将氧从氧化物绝缘层供应到氧化物半导体叠层144，以减少氧化物半导体叠层144中的氧缺陷。氧化物半导体叠层144中的氧缺陷的减少导致良好的半导体特性。
接下来，形成第三氧化物半导体层144c，以覆盖第二氧化物半导体层144b的上表面和侧表面以及第一氧化物半导体层144a的侧表面(参见图3A)。也可以在形成第三氧化物半导体层144c后进行氧化物半导体的脱氢化或脱水化的加热处理。
在400℃的衬底温度下，使用具有In:Ga:Zn＝1:3:2的原子数比的靶材来形成第三氧化物半导体层144c。该第三氧化物半导体层144c形成在具有晶体结构的第二氧化物半导体层144b之上，由此，第三氧化物半导体层144c的晶体生长使用第二氧化物半导体层中的晶体作为晶种而进行。因此，第三氧化物半导体层144c容易成为具有晶体结构的膜。由此，有时在截面TEM图像中很难决定第二氧化物半导体层144b与第三氧化物半导体层144c之间的边界。在附图中，通过虚线来表示第二氧化物半导体层144b和第三氧化物半导体层144c之间的界面。
第三氧化物半导体层144c的一部分，即，与绝缘层140接触且不与第二氧化物半导体层144b重叠的第三氧化物半导体层144c的区域容易具有非晶结构。第三氧化物半导体层144c的厚度大于或等于10nm且小于或等于40nm，优选大于或等于20nm且小于或等于30nm。进一步，在第三氧化物半导体层144c中，与第二氧化物半导体层144b重叠的区域具有晶体结构，以及其他区域具有非晶结构。为了在附图中明确地表示该结构，第三氧化物半导体层144c的与第二氧化物半导体层144b重叠的区域的填充图案和第三氧化物半导体层144c的其他区域彼此不同。
注意，第三氧化物半导体层144c具有低于第二氧化物半导体层144b的结晶性。由此，可以说，以结晶性的程度可以决定边界。此外，在将具有晶体结构的氧化物半导体层设置在第二氧化物半导体层144b上作为第三氧化物半导体层144c，并且该第三氧化物半导体层144c具有与第二氧化物半导体层不同的组成的情况下，该叠层也可以被称为具有不同组成的异质结构(heterostructure)。
第三氧化物半导体层144c的晶体生长在第二氧化物半导体层144b的结晶性的影响下进行，使得该第三氧化物半导体层144c具有与第二氧化物半导体层144b相似的晶体结构。由此，降低第二氧化物半导体层144b与第三氧化物半导体层144c之间的界面处的缺陷和态，从而可以获得高可靠性半导体装置。
第二氧化物半导体层144b与第三氧化物半导体层144c之间的界面处的态可以是混合(或合金化)态。界面处的混合态减少第二氧化物半导体层144b与第三氧化物半导体层144c之间的应力差所导致的损坏，由此界面散射降低。
相似地，第一氧化物半导体层144a与第二氧化物半导体层144b之间的界面也可以合金化。
接下来，在氧化物半导体叠层144上形成成为源电极层142a以及漏电极层142b的导电膜。可以使用与栅电极层110相似的材料和方法来形成该导电膜。
注意，有时在形成源电极层142a以及漏电极层142b时的蚀刻中，氧化物半导体叠层144的位于源电极层142a以及漏电极层142b之间的区域也同时被蚀刻，以及其厚度减小。因此，有时氧化物半导体叠层144的不与源电极层142a以及漏电极层142b重叠的区域具有比与源电极层142a以及漏电极层142b重叠的区域薄的厚度。
在氧化物半导体叠层144中，成为沟道形成区域的第二氧化物半导体层144b夹在第一氧化物半导体层144a以及第三氧化物半导体层144c之间。所以，即使当在蚀刻源电极层142a以及漏电极层142b的同时氧化物半导体叠层144被蚀刻时，成为沟道形成区域的第二氧化物半导体层144b也不容易受到蚀刻的影响，由此沟道形成区域被蚀刻而减小其厚度的可能性很低。因此，可以呈现稳定的特性。
接下来，在源电极层142a以及漏电极层142b上形成用作栅极绝缘层147的氧化物绝缘层。在此，栅极绝缘层147具有双层结构，其中，层叠有包括氧化物绝缘层的栅极绝缘层147a和包括氮化物绝缘层的栅极绝缘层147b。
可以使用与绝缘层140相似的材料及方法来形成用作栅极绝缘层147a的氧化物绝缘层。尤其是，可以将引起较小等离子体损伤的膜形成条件用于栅极绝缘层147a的形成，以降低对氧化物半导体叠层144的等离子体损伤。另外，由于栅极绝缘层147a与氧化物半导体叠层144接触，所以可以使用包含超过化学计量组成的氧且通过加热处理容易使氧释放的膜形成栅极绝缘层147a，使得可以将氧提供给氧化物半导体叠层144。
可以使用如氮氧化硅膜或氧氮化硅膜的包含氧和氮的硅膜来形成用作栅极绝缘层147b的绝缘膜。
接下来，在栅极绝缘层147上形成栅电极层148。可以使用与栅电极层110相似的材料及方法来形成栅电极层148。
在栅电极层148上形成绝缘层150。可以使用与绝缘层140相似的材料及方法来形成绝缘层150。绝缘层150优选包含超过化学计量组成的氧，使得可以将氧供应给氧化物半导体叠层144。
可以通过离子注入法、离子掺杂法、等离子体浸没式离子注入法等将氧添加到绝缘层150。通过添加氧，可以在绝缘层150中包含过剩的氧，并且可以将氧从绝缘层150供应给氧化物半导体叠层144。注意，在附图中，在绝缘层150中画虚线来明确表示将氧添加于绝缘层150中，而且氧浓度在绝缘层150中有峰值。
在形成绝缘层150之后，进行加热处理。氧化物半导体叠层144包括因形成氧化物半导体叠层144后的蚀刻或等离子体的受损而形成的氧空位。所以，为了修复在形成氧化物半导体叠层144后造成的损伤，进行加热处理以提供氧，由此，氧缺陷减少。该加热处理的温度典型高于或等于200℃且低于或等于450℃。通过该加热处理，可以释放包含氮的氧化物绝缘层中的氮。注意，通过该加热处理，可以从包含氮的氧化物绝缘层释放水、氢等。
例如，在氮及氧混合的气氛中以350℃进行加热处理1小时。通过该加热处理，从氧化物半导体叠层144或氧化物半导体叠层144与绝缘层(绝缘层140以及栅极绝缘层147)中的每个之间的界面释放氧化物半导体叠层144中的氢原子以及氧原子。在氧化物半导体叠层144中，氧原子从其释放的位置成为氧空位。但是，氧化物绝缘层所含有的超过化学计量组成的氧原子移动到氧空位的位置，并且氧空位被氧原子填充。
以这种方式，通过形成绝缘层150后进行的加热处理，从氧化物半导体膜释放氮、氢或水，从而可以将膜中的氮、氢或水的比例降低到大约十分之一。
在绝缘层150上形成绝缘层155。可以使用与绝缘层135相似的材料及方法来形成绝缘层155。绝缘层155可以抑制杂质从半导体装置顶部进入氧化物半导体叠层144内，或可以抑制氧化物半导体叠层144以及绝缘层150中的氧从半导体装置的顶部释放到外部。
通过上述步骤，可以制造半导体装置(参见图3B)。
在本实施方式所示的半导体装置中，成为沟道形成区域的第二氧化物半导体层144b夹在第一氧化物半导体层144a与第三氧化物半导体层144c之间。因此，沟道形成区域可以远离氧化物半导体叠层144的表面，从而表面散射的影响降低。
进一步，形成包含超过化学计量组成的氧的绝缘层，使得在其之间夹有氧化物半导体叠层144。由此，将氧提供给氧化物半导体叠层144，并且氧化物半导体叠层144中的氧空位被氧填充。由此，可以获得高可靠性半导体装置。
此外，形成具有阻挡氢或氧的作用的氮化绝缘膜，使得在其之间夹有包含过剩的氧的绝缘层。由此，可以抑制如氢或水分等杂质进入氧化物半导体叠层144中，或抑制氧从氧化物半导体层以及包含过剩的氧的绝缘层中释放。
注意，上述结构不一定用于本实施方式中所示的半导体装置的第二晶体管。例如，图4A和图4B以及图5A至图5C中的每个中示出本发明的一个实施方式的半导体装置的另一种模式。注意，在图4A和图4B以及图5A至图5C中，仅示出第二晶体管，以及省略第一晶体管、布线层等。
图4A所示的晶体管163与图1所示的晶体管162的不同之处在于第三氧化物半导体层144c没有覆盖第二氧化物半导体层144b的侧表面以及第一氧化物半导体层144a的侧表面。晶体管163可以通过下述步骤形成，在不暴露于大气的情况下连续形成第一氧化物半导体层144a、第二氧化物半导体层144b及第三氧化物半导体层144c之后，使用掩模进行蚀刻，从而使氧化物半导体叠层144具有岛状。由此，第二氧化物半导体层144b的表面不暴露于大气且不经受蚀刻处理，所以可以提供稳定特性。
另外，由于第三氧化物半导体层144c被蚀刻，所以栅极绝缘层147(栅极绝缘层147a)与绝缘层140彼此接触，由此，可以由氧化物绝缘层包围氧化物半导体叠层144。而且，使用彼此接触的氧化物绝缘层，可以提高粘附性。
在不暴露于大气连续形成三个氧化物半导体层的情况下，可以采用由图13示出其顶视图的制造装置。
图13所示的制造装置是单晶圆多室设备(single wafer multi-chamberequipment)，其包括三个溅射装置10a、10b和10c，设置有三个用于保持处理衬底的盒式端口(cassette port)14的衬底供应室11，装载锁定室12a和12b，传送室13，衬底加热室15和16等。注意，处理衬底在衬底供应室11以及传送室13的每一个中设置用来传送处理衬底的自动传送装置。溅射装置10a、10b和10c，传送室13以及衬底加热室15和16的气氛被优选控制为几乎不包含氢或水分(即，成为惰性气氛、减压气氛、干燥空气气氛等)，例如，优选的气氛是水分的露点为-40℃或更低，优选为-50℃或更低的干燥氮气气氛。使用图13所示的制造装置的制造步骤的过程的例子如下。将处理衬底从衬底供应室11经过装载锁定室12a和传送室13转送到衬底加热室15；在衬底加热室15中通过真空退火等去除附着在处理衬底的水分；将处理衬底经过传送室13转送到溅射装置10c；以及在溅射装置10c内形成第一氧化物半导体层144a。然后，在不暴露于大气的情况下将处理衬底经过传送室13传送到溅射装置10a，以及在溅射装置10a内形成第二氧化物半导体层144b。然后，在不暴露于大气的情况下将处理衬底经过传送室13传送到溅射装置10b，以及在溅射装置10b内形成第三氧化物半导体层144c。如有需要，在不暴露于大气的情况下将处理衬底经过传送室13传送到衬底加热室16，并进行加热处理。如上所述，通过使用图13所示的制造装置，可以在处理衬底不暴露于大气的情况下进行制造工序。另外，通过使用图13中的制造装置中的溅射装置，通过改变溅射靶材可以实现在不暴露于大气的情况下进行的工序。作为图13中的制造装置中的溅射装置，可以使用平行平板溅射装置、离子束溅射装置或对向靶材式溅射装置等。在对向靶材式溅射装置中，对象表面与等离子体分离，由此膜形成中的受损小；所以可以形成具有高晶化度高的CAAC-OS膜。
如氢、水、羟基或氢化物等杂质浓度低的高纯度气体用作在溅射装置10a、10b和10c中用于形成氧化物半导体层的沉积气体。
在衬底加热室16中，在减压、氮气分、氧气分、超干燥空气(在CRDS(cavity ring-down laser spectroscopy:光腔衰荡光谱法)***中使用露点仪的测定中，在其中水分量低于或等于20ppm(转换成露点为-55℃)，优选低于或等于1ppm，更优选低于或等于10ppb的空气)，或者稀有气体(氩、氦等)的气氛下进行加热处理。优选的是，在氮气氛、氧气氛、超干燥空气或稀有气体气氛等中没有包含水、氢等。优选的是，将引入到加热处理装置中的氮、氧或稀有气体的纯度设定为6N(99.9999％)或更高，优选为7N(99.99999％)或更高(即，杂质浓度为1ppm或更低，优选为0.1ppm或更低)。
图4B所示的晶体管164与晶体管162的相似之处在于第三氧化物半导体层144c覆盖着第二氧化物半导体层144b的顶表面和侧表面以及第一氧化物半导体层144a的侧表面。但是，晶体管164与晶体管162的不同之处在于第三氧化物半导体层144c被蚀刻，使得该第三氧化物半导体层144c边缘部与源电极层142a以及漏电极层142b重叠。通过该结构，第二氧化物半导体层144b的侧表面可以被第三氧化物半导体层144c覆盖，而且绝缘层140可以与栅极绝缘层147接触。
此外，第二晶体管可以具有包括两个栅电极层的结构。图5A至5C示出包括两个栅电极层的晶体管。
图5A所示的晶体管172具有对图1所示的晶体管162添加栅电极层149的结构。可以使用与布线层117相同的导电膜形成栅电极层149。通过对栅电极层148和栅电极层149施加不同的电位，可以以优选的方式控制晶体管172的阈值电压，可以抑制阈值电压的负向漂移。替代地，当对栅电极层148和栅电极层149施加相同电位时，可以增加晶体管172的通态电流。
图5B相似地示出具有对晶体管163添加栅电极层149的结构的晶体管173。图5C示出具有对晶体管164添加栅电极层149的结构的晶体管174。
本实施方式的半导体装置可以与其他实施方式中的任何半导体装置适当地组合。
实施方式2
图6A示出为逻辑电路的NOR电路的电路图的例子，作为实施方式1所示的半导体装置的例子。图6B是NAND电路的电路图。
在图6A所示的NOR电路中，p沟道晶体管的晶体管801和802都具有与图1的晶体管160相似的结构：将单晶硅衬底用于沟道形成区域，而n沟道晶体管的晶体管803和804都具有与图1所示的晶体管162、图4A和4B所示的晶体管163和164、图5A至5C所示的晶体管172至174相似的结构：将氧化物半导体膜用于沟道形成区域。
在图6A所示的NOR电路中，在晶体管803和804的每一个中，控制晶体管的电特性的导电层可以被设置为与栅电极层重叠，在所述导电层与所述栅电极层之间设置有氧化物半导体膜。通过将该导电层的电位例如控制为GND，晶体管803和804的阈值电压增加，使得该晶体管可以为常闭型。
在图6B所示的NAND电路中，p沟道晶体管811和814都具有与图1的晶体管160相似的结构，而n沟道晶体管812和813都具有与图1所示的晶体管162、图4A和4B所示的晶体管163和164以及图5A至5C所示的晶体管172至174相似的结构：将氧化物半导体膜用于沟道形成区域构。
在图6B所示的NAND电路中，在晶体管812和813的每一个中，控制晶体管的电特性的导电层可以被设置为与栅电极层重叠，在所述导电层与所述栅电极层之间设置有氧化物半导体膜。通过将该导电层的电位例如控制为GND，晶体管812和813的阈值电压增加，使得该晶体管可以为常闭型。
通过将包括将氧化物半导体用于沟道形成区域以及具有极小关态电流的晶体管应用于本实施方式所示的半导体装置，可以充分降低半导体装置的耗电量。
通过层叠包括不同半导体材料的半导体元件，高度集成微型化的半导体装置，且其具有稳定和优秀的电特性，并且可以提供制造该半导体装置的方法。
通过使用实施方式1所示的半导体装置，可以抑制杂质进入到氧化物半导体层中。而且，通过使用在其中氧化物半导体层的氧空位减少了的半导体装置，可以提供高可靠性且显示稳定特性的NOR电路和NAND电路。
在本实施方式中作为例子示出包括实施方式1所示的晶体管的NOR电路和NAND电路；但是，本发明不局限于上述电路，以及可以使用实施方式1所示的晶体管来形成AND电路或OR电路等。
本实施方式的半导体装置可以与其他实施方式的任何半导体装置适当地组合。
实施方式3
在本实施方式中，参照附图说明半导体装置(存储装置)的例子，该半导体装置(存储装置)包括实施方式1所示的半导体装置，即使在没有电力供应时也能够保持存储数据，并且对写入周期的次数也没有限制。
图7A是本实施方式的半导体装置的电路图。
图7A所示的晶体管260可以具有与图1所示的晶体管160相似的结构，且容易进行高速工作。此外，晶体管262可以具有与图1所示的晶体管162、图4A和4B所示的晶体管163和164以及图5A至5C所示的晶体管172至174相似的结构，且利用其特性而能够长时间地保持电荷。
虽然在此晶体管都是n沟道晶体管，但是可以使用p沟道晶体管作为用于本实施方式所示的半导体装置的晶体管。
在图7A中，第一布线(第1线)与晶体管260的源电极层电连接，以及第二布线(第2线)与晶体管260的漏电极层电连接。第三布线(第3线)与晶体管262的源电极层和漏电极层中的一个电连接，以及第四布线(第4线)与晶体管262的栅电极层电连接。晶体管260的栅电极层以及晶体管262的源电极层和漏电极层中的另一个与电容器264的一个电极电连接。第五布线(第5线)与电容器264的另一个电极彼此电连接。
图7A所示的半导体装置利用可以保持晶体管260的栅电极层的电位的特征，由此，如下所示那样可以进行数据的写入、保持以及读出。
将说明数据的写入及保持。首先，将第四布线的电位设定为开启晶体管262的电位，以便开启晶体管262。由此，将第三布线的电位提供给晶体管260的栅电极层和电容器264。也就是说，将预定的电荷提供给晶体管260的栅电极层(写入)。这里，给出供应两种不同电位电平中的任一种(以下称为低电平电荷和高电平电荷)的电荷。然后，将第四布线的电位设定为关闭晶体管262的电位，来关闭晶体管262。由此，保持提供到晶体管260的栅电极层的电荷(保持)。
因为晶体管262的关态电流极小，所以晶体管260的栅电极层的电荷被长时间地保持。
接着，将说明数据的读出。通过在对第一布线提供预定的电位(恒电位)的同时对第五布线提供适当的电位(读出电位)，第二布线的电位根据保持在晶体管260中的栅电极层的电荷量变化。一般而言，这是因为当晶体管260为n沟道晶体管时，在其中对晶体管260的栅电极层提供高电平电荷的情况下的表观阈值电压Vth_H低于在其中对晶体管260的栅电极提供低电平电荷的情况下的表观阈值电压Vth_L。在此，表观阈值电压是指为了开启晶体管260所需要的第五布线的电位。因此，将第五布线的电位设定为Vth_H和Vth_L之间的电位V0，由此可以决定提供到晶体管260的栅电极层的电荷。例如，在写入中供应高电平电荷的情况下，当第五布线的电位被设置为V0(>Vth_H)时，晶体管260开启。在写入中供应低电平电荷的情况下，即使当将第五布线的电位设置为V0(<Vth_L)时，晶体管260也维持关闭状态。因此，通过测量第二布线的电位可以读出所保持的数据。
注意，在使用配置为阵列状的存储单元的情况下，只需要读出所希望的存储单元的数据。在不进行上述读出的情况下，无论晶体管260的栅电极层的状态如何在该电位下晶体管260都关闭的电位，也就是小于Vth_H的电位可以提供给第五布线。替代地，无论栅电极层的状态如何在该电位下晶体管260都开启的电位，也就是大于Vth_L的电位也可以提供给第五布线。
图7B示出存储装置的结构的一个方式的另一个例子。图7B示出半导体装置的电路配置的例子，而图7C是示出半导体装置的例子的示意图。首先，说明图7B所示的半导体装置，然后说明图7C所示的半导体装置。
在图7B所示的半导体装置中，位线BL与晶体管262的源电极层或漏电极层中的一个电连接，字线WL与晶体管262的栅电极层电连接，并且晶体管262的源电极层或漏电极层中的另一个与电容器254的第一端子电连接。
这里，包括氧化物半导体的晶体管262具有极小的关态电流。因此，通过关闭晶体管262，可以很长时间地保持电容器254的第一端子的电位(或累积在电容器254中的电荷)。
接着，将说明图7B所示的半导体装置(存储单元250)的数据写入及保持。
首先，将字线WL的电位设定为开启晶体管262的电位，以开启晶体管262。由此，将位线BL的电位施加到电容器254的第一端子(写入)。然后，将字线WL的电位设定为关闭晶体管262的电位，以便关闭晶体管262。由此，保持电容器254的第一端子的电位(保持)。
因为晶体管262的关态电流极小，所以可以很长时间地保持电容器254的第一端子的电位(或累积在电容器中的电荷)。
接着，将说明数据的读出。当晶体管262开启时，处于浮动状态的位线BL与电容器254彼此电连接，并且在位线BL与电容器254之间电荷被再次分配。其结果是，位线BL的电位变化。位线BL的电位的变化量根据电容器254的第一端子的电位(或累积在电容器254中的电荷)而变化。
例如，再次分配电荷之后的位线BL的电位由(CB*VB0+C*V)/(CB+C)表示，其中，V为电容器254的第一端子的电位，C为电容器254的电容，CB为位线BL的电容(以下也称为位线电容)，以及VB0为再次分配电荷之前的位线BL的电位。因此，可知，假设存储单元250处于电容器254的第一端子的电位为V1和V0(V1>V0)的两个状态中的任一个时，在保持电位V1情况下的位线BL的电位(＝(CB*VB0+C*V1)/(CB+C))高于在保持电位V0情况下的位线BL的电位(＝(CB*VB0+C*V0)/(CB+C))。
然后，通过将位线BL的电位与预定的电位比较，可以读出数据。
如上所述，图7B所示的半导体装置可以在长期间保持累积在电容器254中的电荷，因为晶体管262的关态电流的量极小。换言之，因为不需要进行刷新操作，或者，刷新操作的频率可以降低到极低，所以可以充分降低功耗。另外，即使当没有电力供给时，也可以在长期间保持存储数据。
接着，将说明图7C所示的半导体装置。
图7C所示的半导体装置在上部包括包含多个图7B所示的存储单元250的存储单元阵列251a及251b作为存储电路，并且在其下部包括用来使存储单元阵列251(存储单元阵列251a及251b)工作的***电路253。另外，***电路253与存储单元阵列251电连接。
在图7C所示的结构中，可以直接在存储单元阵列251(存储单元阵列251a及251b)下设置***电路253。因此，可以减小半导体装置的尺寸。
优选的是，设置在***电路253中的晶体管的半导体材料与晶体管262的不同。例如，可以使用硅、锗、硅锗、碳化硅或砷化镓等，以及优选使用单晶半导体。替代地，可以使用有机半导体材料等。包括这种半导体材料的晶体管能够进行充分的高速操作。由此，通过上述晶体管，能够优选地实现需要高速操作的各种电路(例如，逻辑电路或驱动电路)。
注意，图7C作为示例示出在其中层叠有两个存储单元阵列251(存储单元阵列251a及251b)的半导体装置；但是，所层叠的存储单元阵列的数量不局限于此。可以层叠有三个或更多个存储单元阵列。
当使用在沟道形成区域中包括氧化物半导体的晶体管作为晶体管262时，可以在长期间内保持存储数据。换言之，可以充分降低功耗，因为可以提供不需要进行刷新操作的半导体存储装置，或者，刷新操作的频率极低的半导体存储装置。
此外，本实施方式所示的半导体装置是实施方式1所示的半导体装置，其中，层叠有氧化物半导体层来形成氧化物半导体叠层，并且成为沟道形成区域的第二氧化物半导体层远离该氧化物半导体叠层的表面。由此，可以得到显示稳定的电特性的高可靠性半导体装置。
实施方式4
在本实施方式中，参照图8、图9、图10以及图11A和11B说明将上述实施方式中的任一个所示的半导体装置应用于诸如移动电话、智能手机或电子书等电子设备的例子。
图8是电子设备的方框图。图8所示的电子设备包括RF电路901、模拟基带电路902、数字基带电路903、电池904、电源电路905、应用处理器906、快闪存储器910、显示器控制器911、存储电路912、显示器913、触控感应器919、声频电路917以及键盘918等。显示器913具有显示部914、源极驱动器915以及栅极驱动器916。应用处理器906具有CPU907、DSP908以及接口(IF)909。一般来说，存储电路912包括SRAM或DRAM；通过将上述实施方式中的任一个所说明的半导体装置用于该存储电路912，能够以高速进行数据的写入和读出，能够在长期间保持数据，并且能够充分降低功耗。
图9示出将上述实施方式中的任一个所说明的半导体装置用于显示器中的存储电路950的例子。图9所示的存储电路950包括存储器952、存储器953、开关954、开关955以及存储器控制器951。另外，存储电路连接于读出并控制通过信号线输入的图像数据(输入图像数据)和储存在存储器952及953中的数据(存储图像数据)的显示器控制器956、以及还连接于根据从显示器控制器956输入的信号显示图像的显示器957。
首先，通过应用处理器(未示出)形成图像数据(输入图像数据A)。该输入图像数据A通过开关954被储存在存储器952中。储存在存储器952中的图像数据(存储图像数据A)被通过开关955及显示器控制器956传输到显示器957，并被显示在显示器957上。
在输入图像数据A没有变化的情况下,一般以30Hz至60Hz左右的频率由显示器控制器956通过开关955从存储器952读出存储图像数据A。
接着，例如，当使用者进行改写屏幕的操作时(即，当输入图像数据A有变化时),应用处理器产生新的图像数据(输入图像数据B)。该输入图像数据B通过开关954被储存在存储器953中。在该期间，定期地通过开关955从存储器952读出存储图像数据A。在存储器953中储存新的图像数据(存储图像数据B)完成之后，从显示器957的下一个帧，存储图像数据B被开始读出，通过开关955及显示器控制器956传输到显示器957，并在显示器957上显示。该读出操作一直持续到下一个新的图像数据储存到存储器952中。
如上所述通过交替地向存储器952及存储器953写入图像数据以及从存储器952及存储器953读出图像数据，在显示器957上显示图像。注意,存储器952及存储器953不一定是分离的存储器，以及可以将单个存储器分离并使用。通过将上述实施方式所说明的半导体装置采用于存储器952及存储器953，能够以高速写入和读出数据，以及能够在长期间保持数据，以及能够充分降低功耗。此外，可以提供不容易受到来自外部的水、水分等的进入的影响的以及具有高可靠性的半导体装置。
图10是电子书的方框图。图10的电子书具有电池1001、电源电路1002、微处理器1003、快闪存储器1004、声频电路1005、键盘1006、存储电路1007、触摸面板1008、显示器1009以及显示器控制器1010。
在此，上述实施方式中的任一个所说明的半导体装置可以用于图10的存储电路1007。存储电路1007具有暂时存储书籍内容的功能。例如，当使用者使用高亮功能时，存储电路1007存储并保持由使用者所指定的部分的数据。注意，高亮功能用于在看电子书时区别指定部分和其他部分，例如，通过改变显示颜色，划下划线，将文字改为粗体字，改变文字的字体等来改变指定部分。为了短时间存储数据，该数据可以存储在存储电路1007中。为了长时间存储数据，可以将存储电路1007所保持的数据拷贝到快闪存储器1004中。即使在此情况下，通过采用上述实施方式中的任一个所说明的半导体装置，能够进行高速的数据写入和读出，能够长时间保持数据，以及能够充分地降低功耗。此外，可以提供不容易受到来自外部的水、水分等的进入的影响以及具有高可靠性的半导体装置。
图11A和11B示出电子设备的具体例子。图11A和11B示出可折叠式平板终端。在图11A中平板终端是打开的。平板终端包括壳体9630、显示部9631a、显示部9631b、显示模式开关9034、电源开关9035、省电开关9036、卡子9033以及操作开关9038。
实施方式1所示的半导体装置可以用于显示部9631a及显示部9631b，使得平板终端可以具有高可靠性。此外，上述实施方式所描述的存储装置可以适用于本实施方式的半导体装置。
显示部9631a的一部分可以为触摸面板区域9632a，并且当接触所显示的操作键9638时可以输入数据。虽然示出作为示例的显示部9631a的一半区域只具有显示的功能以及另一半区域也具有触摸面板功能的结构，但是显示部9631a不局限于该结构。例如，显示部9631a可以在成为触摸面板的整个区域中显示键盘按钮，以及显示部9631b可以用作显示屏幕。
如同显示部9631a，显示部9631b一部分可以是触摸面板区域9632b。当使用手指或触屏笔等接触触摸面板上显示的键盘显示切换按钮9639时，可以在显示部9631b上显示键盘按钮。
可以同时在触摸面板区域9632a和触摸面板区域9632b中进行触摸输入。
显示模式开关9034例如能够在纵向模式、横向模式之间以及在黑白显示和彩色显示之间切换显示。省电开关9036可以根据利用平板终端中并入的光传感器来检测的平板终端使用的外光的量来控制显示亮度。除了光传感器以外，可以将包括诸如陀螺仪或加速度传感器等检测倾斜度的传感器等的其他检测装置并入平板终端中。
虽然图11A的显示部9631b与显示部9631a具有相同的显示面积，但是本发明的一个实施方式不局限于该结构。显示部9631b和显示部9631a可以具有不同的面积或不同的显示质量。例如，它们中的一个可以是能够显示比另一个更高清晰度图像的显示面板。
图11B的平板终端是合上的。该平板终端包括壳体9630、太阳能电池9633、充放电控制电路9634、电池9635以及DCDC转换器9636。在图11B中，示出作为充放电控制电路9634的例子的包括电池9635和DCDC转换器9636的结构。
由于上述平板终端是可折叠的，所以不使用平板终端时可以合上壳体9630。结果，可以保护显示部9631a和显示部9631b；因此可以提供从长期使用的观点来看具有优秀的耐久性以及具有优秀的可靠性的平板终端。
此外，图11A和11B所示的平板终端可以具有显示各种各样的数据(例如，静态图像、动态图像、文字图像)的功能，在显示部上显示日历、日期或时刻等的功能，通过触摸输入对显示在显示部上的数据进行操作或编辑的触摸输入功能，以及通过各种各样的软件(程序)控制处理的功能等。
本实施方式所示的结构、方法等可以与其他的实施方式所示的任何结构或方法等适当地组合。
符号说明
100：衬底、102：元件分离绝缘层、104：绝缘层、108：栅极绝缘层、110：栅电极层、112：布线层、114：布线层、115：布线层、115a：布线层、115b：布线层、115c：布线层、116：布线层、117：布线层、120：绝缘层、135：绝缘层、140：绝缘层、142a：源电极层、142b：漏电极层、144：氧化物半导体叠层、144a：氧化物半导体层、144b：氧化物半导体层、144c：氧化物半导体层、147：栅极绝缘层、147a：栅极绝缘层、147b：栅极绝缘层、148：栅电极层、149：栅电极层、150：绝缘层、155：绝缘层、160：晶体管、162：晶体管、163：晶体管、164：晶体管、172：晶体管、173：晶体管、174：晶体管、250：存储单元、251：存储单元阵列、251a：存储单元阵列、251b：存储单元阵列、253：***电路、254：电容器、260：晶体管、262：晶体管、264：电容器、801：晶体管、802：晶体管、803：晶体管、804：晶体管、811：晶体管、812：晶体管、813：晶体管、814：晶体管、901：RF电路、902：模拟基带电路、903：数字基带电路、904：电池、905：电源电路、906：应用处理器、907：CPU、908：DSP、909：接口、910：快闪存储器、911：显示器控制器、912：存储电路、913：显示器、914：显示部、915：源极驱动器、916：栅极驱动器、917：音频电路、918：键盘、919：触摸传感器、950：存储电路、951：存储器控制器、952：存储器、953：存储器、954：开关、955：开关、956：显示器控制器、957：显示器、1001：电池、1002：电源电路、1003：微处理器、1004：快闪存储器、1005：音频电路、1006：键盘、1007：存储电路、1008：触摸面板、1009：显示器、1010：显示器控制器、9033：夹子、9034：开关、9035：电源开关、9036：开关、9038：操作开关、9630：壳体、9631a：显示部、9631b：显示部、9632a：区域、9632b：区域、9633：太阳能电池、9634：充放电控制电路、9635：电池、9636：DCDC转换器、9638：操作键、9639：按钮
本申请基于2012年8月10日向日本专利局提交的日本专利申请第2012-178634号，通过引用将其全部内容并入于此。
Claims (14)
1.一种半导体装置，包括：
衬底之上的第一绝缘层；
所述第一绝缘层之上的第一氧化物半导体层；
所述第一氧化物半导体层之上的第二氧化物半导体层；
所述第二氧化物半导体层之上的第三氧化物半导体层；
所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层之上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极电连接到所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层；
所述第三氧化物半导体层、所述源电极和所述漏电极之上的第二绝缘层；以及
所述第二绝缘层之上的第一栅电极，所述第一栅电极与所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层重叠，
其中，所述第三氧化物半导体层与所述第二氧化物半导体层的侧表面彼此接触，
所述第三氧化物半导体层与所述第一氧化物半导体层的侧表面彼此接触，
所述第二氧化物半导体层中的铟的比例高于所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层的每个中的铟的比例,
所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层均使用由InM1XZnYOZ表示的材料形成，其中X≥1，Y>1，Z>0，M1为Ga或Hf，
并且所述第二氧化物半导体层使用由InM2XZnYOZ表示的材料形成，其中X≥1，Y≥X，Z>0，M2为Ga或Sn。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘层包含超过化学计量组成的氧。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源电极和所述漏电极中的每个与所述第一绝缘层接触。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：在所述第一绝缘层之下且在所述衬底之上的第二栅电极，
其中，所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每个与所述第二栅电极重叠。
5.一种半导体装置，包括：
第一晶体管；
所述第一晶体管之上的第一绝缘层；
所述第一绝缘层之上的第二绝缘层；
所述第二绝缘层之上的第一氧化物半导体层；
所述第一氧化物半导体层之上的第二氧化物半导体层；
所述第二氧化物半导体层之上的第三氧化物半导体层；
所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层之上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极电连接到所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层；
所述第三氧化物半导体层、所述源电极和所述漏电极之上的第三绝缘层；以及
所述第三绝缘层之上的第一栅电极，所述第一栅电极与所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层重叠，
其中，所述第三氧化物半导体层与所述第二氧化物半导体层的侧表面彼此接触，
所述第三氧化物半导体层与所述第一氧化物半导体层的侧表面彼此接触，
所述源电极和所述漏电极中的一个电连接到所述第一晶体管，
所述第二氧化物半导体层中的铟的比例高于所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层的每个中的铟的比例,
所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层均使用由InM1XZnYOZ表示的材料形成，其中X≥1，Y>1，Z>0，M1为Ga或Hf，
并且所述第二氧化物半导体层使用由InM2XZnYOZ表示的材料形成，其中X≥1，Y≥X，Z>0，M2为Ga或Sn。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：在所述第一绝缘层之上且在所述第二绝缘层之下的第二栅电极，
其中，所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每个与所述第二栅电极重叠。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，
其中，所述第一晶体管包括沟道形成区，所述沟道形成区包含硅。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘层包含铝和氧。
9.根据权利要求1或5所述的半导体装置，其中所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每个具有晶体结构。
10.根据权利要求1或5所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体层具有非晶结构。
11.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二绝缘层包含超过化学计量组成的氧。
12.根据权利要求1或5所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每个的硅或碳的浓度为3×1018原子/cm3以下。
13.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述源电极和所述漏电极中的每个与所述第二绝缘层接触。
14.根据权利要求1或5所述的半导体装置，其中所述源电极和所述漏电极位于所述第三氧化物半导体层之上。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012178634 | 2012-08-10 | ||
| JP2012-178634 | 2012-08-10 | ||
| CN201380043764.2A CN104584229B (zh) | 2012-08-10 | 2013-08-01 | 半导体装置及其制造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201380043764.2A Division CN104584229B (zh) | 2012-08-10 | 2013-08-01 | 半导体装置及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108305895A CN108305895A (zh) | 2018-07-20 |
| CN108305895B true CN108305895B (zh) | 2021-08-03 |
Family
ID=50065525
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810335239.2A Expired - Fee Related CN108305895B (zh) | 2012-08-10 | 2013-08-01 | 半导体装置及其制造方法 |
| CN201380043764.2A Expired - Fee Related CN104584229B (zh) | 2012-08-10 | 2013-08-01 | 半导体装置及其制造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201380043764.2A Expired - Fee Related CN104584229B (zh) | 2012-08-10 | 2013-08-01 | 半导体装置及其制造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9240492B2 (zh) |
| JP (1) | JP6211847B2 (zh) |
| KR (1) | KR20150043307A (zh) |
| CN (2) | CN108305895B (zh) |
| TW (2) | TWI626749B (zh) |
| WO (1) | WO2014025002A1 (zh) |
Families Citing this family (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105702741B (zh) * | 2011-09-29 | 2019-01-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| KR102128369B1 (ko) | 2011-09-29 | 2020-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| SG11201504615UA (en) | 2011-10-14 | 2015-07-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
| KR20130040706A (ko) | 2011-10-14 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR102113160B1 (ko) | 2012-06-15 | 2020-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP6134598B2 (ja) | 2012-08-02 | 2017-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9245958B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102171650B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| JP6220597B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102099261B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US9929276B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102211215B1 (ko) | 2012-09-14 | 2021-02-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| TWI746200B (zh) | 2012-09-24 | 2021-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| WO2014046222A1 (en) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR102094568B1 (ko) | 2012-10-17 | 2020-03-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그의 제작 방법 |
| KR102220279B1 (ko) | 2012-10-19 | 2021-02-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| TWI624949B (zh) | 2012-11-30 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6320009B2 (ja) | 2012-12-03 | 2018-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
| DE112013006219T5 (de) | 2012-12-25 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
| KR102495290B1 (ko) | 2012-12-28 | 2023-02-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| TWI614813B (zh) | 2013-01-21 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| US9190527B2 (en) | 2013-02-13 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
| TWI620324B (zh) | 2013-04-12 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| DE102014208859B4 (de) * | 2013-05-20 | 2021-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
| KR20200038333A (ko) | 2013-05-20 | 2020-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| TWI641112B (zh) | 2013-06-13 | 2018-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US20150008428A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9006736B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI646690B (zh) | 2013-09-13 | 2019-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| KR102386362B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2022-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| JP6180908B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-08-16 | 富士フイルム株式会社 | 金属酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びｘ線センサ |
| US9349751B2 (en) | 2013-12-12 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI721409B (zh) | 2013-12-19 | 2021-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP2016027608A (ja) | 2014-03-14 | 2016-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102318728B1 (ko) | 2014-04-18 | 2021-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 이를 가지는 표시 장치 |
| TWI672804B (zh) * | 2014-05-23 | 2019-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI663726B (zh) * | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
| US9722091B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9991393B2 (en) | 2014-10-16 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, module, and electronic device |
| US9954113B2 (en) * | 2015-02-09 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor |
| CN107408579B (zh) * | 2015-03-03 | 2021-04-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置 |
| JP6705663B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2020-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR102582523B1 (ko) * | 2015-03-19 | 2023-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
| US9842938B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including semiconductor device |
| KR20160114511A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| US9806200B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9741400B2 (en) * | 2015-11-05 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device |
| US10714633B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US10014325B2 (en) | 2016-03-10 | 2018-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| KR20180123028A (ko) | 2016-03-11 | 2018-11-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장비, 상기 반도체 장치의 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
| TWI726026B (zh) * | 2016-06-27 | 2021-05-01 | 日商半導體能源硏究所股份有限公司 | 電晶體以及半導體裝置 |
| KR102589754B1 (ko) * | 2016-08-05 | 2023-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20180055701A (ko) | 2016-11-17 | 2018-05-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| US11152513B2 (en) | 2017-09-05 | 2021-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2019067791A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| WO2019175698A1 (ja) | 2018-03-12 | 2019-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 金属酸化物、及び金属酸化物を有するトランジスタ |
| US11804551B2 (en) | 2018-07-27 | 2023-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| CN110010626B (zh) * | 2019-04-11 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| KR20210092074A (ko) | 2020-01-15 | 2021-07-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
| US11696448B2 (en) * | 2020-06-18 | 2023-07-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory device and method of forming the same |
| CN113675276A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | Tft结构及其制备方法、显示面板、显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010287735A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、電気光学装置、並びにセンサー |
| JP2011243745A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、ｘ線センサー及びｘ線デジタル撮影装置 |
Family Cites Families (147)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
| JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
| KR100394896B1 (ko) | 1995-08-03 | 2003-11-28 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 투명스위칭소자를포함하는반도체장치 |
| JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
| JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
| JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
| TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
| JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
| KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
| JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
| JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
| JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
| JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
| WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
| JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法 |
| CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
| JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
| JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
| US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
| US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
| JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
| JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
| US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
| KR20060060696A (ko) * | 2003-08-29 | 2006-06-05 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | Ｉｔｏ박막 및 그 제조방법 |
| US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
| US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
| JP4620046B2 (ja) | 2004-03-12 | 2011-01-26 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
| US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
| JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
| US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
| KR100953596B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-04-21 | 캐논 가부시끼가이샤 | 발광장치 |
| US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
| US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
| KR100911698B1 (ko) | 2004-11-10 | 2009-08-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터 |
| US7601984B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor with amorphous oxide active layer containing microcrystals and gate electrode opposed to active layer through gate insulator |
| JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
| US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
| US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
| US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
| TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法 |
| US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
| US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
| US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
| WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
| US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
| US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
| JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
| KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
| JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
| JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
| EP1998374A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
| JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
| JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
| KR101112655B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
| TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
| US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
| JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法 |
| US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
| US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
| KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ ＴＦＴ |
| US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
| JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
| JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
| JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
| JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
| US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
| JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
| US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
| KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
| US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
| KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
| KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
| US8274078B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
| KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| WO2009034953A1 (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 薄膜トランジスタ |
| US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
| US8586979B2 (en) | 2008-02-01 | 2013-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same |
| JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
| KR100941850B1 (ko) | 2008-04-03 | 2010-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
| KR100963027B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
| KR100963026B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
| JP5345456B2 (ja) * | 2008-08-14 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
| JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
| JP5606682B2 (ja) | 2009-01-29 | 2014-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR101671210B1 (ko) | 2009-03-06 | 2016-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP4415062B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP4571221B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-10-27 | 富士フイルム株式会社 | Ｉｇｚｏ系酸化物材料及びｉｇｚｏ系酸化物材料の製造方法 |
| KR101809759B1 (ko) * | 2009-09-24 | 2018-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| CN105070715B (zh) | 2009-10-21 | 2018-10-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR20240042253A (ko) * | 2009-10-29 | 2024-04-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP5497417B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
| KR101921619B1 (ko) | 2009-12-28 | 2018-11-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP2011138934A (ja) | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
| JP2011187506A (ja) | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
| KR101391964B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2014-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8629438B2 (en) * | 2010-05-21 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8779433B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8759820B2 (en) * | 2010-08-20 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI608486B (zh) * | 2010-09-13 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| KR101778224B1 (ko) * | 2010-10-12 | 2017-09-15 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
| KR101973212B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2019-04-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| TWI525818B (zh) * | 2010-11-30 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 |
| KR101763052B1 (ko) * | 2010-12-03 | 2017-07-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9443984B2 (en) * | 2010-12-28 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2012160679A (ja) | 2011-02-03 | 2012-08-23 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
| KR20130007426A (ko) | 2011-06-17 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR102316107B1 (ko) | 2012-05-31 | 2021-10-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR102119914B1 (ko) | 2012-05-31 | 2020-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR102113160B1 (ko) | 2012-06-15 | 2020-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR102161077B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9190525B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor layer |
| KR20140009023A (ko) | 2012-07-13 | 2014-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US20140027762A1 (en) | 2012-07-27 | 2014-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device |
| JP6134598B2 (ja) * | 2012-08-02 | 2017-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| SG10201700805WA (en) * | 2012-08-03 | 2017-02-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device |
| JP6220597B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9245958B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102171650B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US9929276B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102099261B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
-
2013
- 2013-08-01 CN CN201810335239.2A patent/CN108305895B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-08-01 WO PCT/JP2013/071578 patent/WO2014025002A1/en active Application Filing
- 2013-08-01 CN CN201380043764.2A patent/CN104584229B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-08-01 KR KR20157003024A patent/KR20150043307A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-08-02 TW TW106124606A patent/TWI626749B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-08-02 TW TW102127770A patent/TWI602298B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-08-02 JP JP2013161430A patent/JP6211847B2/ja active Active
- 2013-08-06 US US13/959,854 patent/US9240492B2/en active Active
-
2016
- 2016-01-14 US US14/995,247 patent/US9437749B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010287735A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、電気光学装置、並びにセンサー |
| JP2011243745A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、ｘ線センサー及びｘ線デジタル撮影装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI626749B (zh) | 2018-06-11 |
| TW201411848A (zh) | 2014-03-16 |
| US9240492B2 (en) | 2016-01-19 |
| JP6211847B2 (ja) | 2017-10-11 |
| US20140042433A1 (en) | 2014-02-13 |
| JP2014057051A (ja) | 2014-03-27 |
| US9437749B2 (en) | 2016-09-06 |
| TWI602298B (zh) | 2017-10-11 |
| US20160133756A1 (en) | 2016-05-12 |
| TW201739056A (zh) | 2017-11-01 |
| WO2014025002A1 (en) | 2014-02-13 |
| CN104584229A (zh) | 2015-04-29 |
| CN108305895A (zh) | 2018-07-20 |
| KR20150043307A (ko) | 2015-04-22 |
| CN104584229B (zh) | 2018-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7403619B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN108305895B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| US10256347B2 (en) | Semiconductor device | |
| KR102113427B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| US9660104B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP6016532B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN107068765B (zh) | 半导体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20210803 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |