JP6438727B2 - 半導体装置および半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置について図面を用いて説明する。
以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。
まずは、CAAC−OS膜について説明する。なお、CAAC−OSを、CANC(C−Axis Aligned nanocrystals)を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
次に、微結晶酸化物半導体膜について説明する。
次に、非晶質酸化物半導体膜について説明する。
なお、酸化物半導体膜は、nc−OS膜と非晶質酸化物半導体膜との間の構造を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体膜を、特に非晶質ライク酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like Oxide Semiconductor)膜と呼ぶ。
以下では、CAAC−OS膜およびnc−OS膜の成膜モデルの一例について説明する。
また、図7(A)に示すトランジスタのように酸化物半導体膜404a、酸化物半導体膜404bをエッチングする際に、下地絶縁膜424の表面がエッチングされてもよい。なお、そのほかの構成については、図1に示したトランジスタについての記載を参照する。
また、本実施の形態では、酸化物半導体膜404bを酸化物半導体膜404aおよび酸化物半導体膜404cで挟んでいる構成を説明したがこれに限られず、酸化物半導体膜404aまたは/および酸化物半導体膜404cを設けない構成としてもよい。または、さらに別の酸化物半導体膜を追加して設けてもよい。例えば、図7(B)に示すトランジスタのように酸化物半導体膜404bおよび酸化物半導体膜404cのみの構成としてもよい。なお、そのほかの構成については、図1に示したトランジスタについての記載を参照する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明したトランジスタ450と同時に作製することができる容量素子550を含む半導体装置について説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した半導体装置とは異なる構造の半導体装置について説明する。
また、図22(A)に示すトランジスタのように酸化物半導体膜404a、酸化物半導体膜404bをエッチングする際に、下地絶縁膜424の表面がエッチングされてもよい。なお、そのほかの構成については、図16に示したトランジスタについての記載を参照する。
また、本実施の形態では、酸化物半導体膜404bを酸化物半導体膜404aおよび酸化物半導体膜404cで挟んでいる構成を説明したがこれに限られず、酸化物半導体膜404aまたは/および酸化物半導体膜404cを設けない構成としてもよい。または、さらに別の酸化物半導体膜を追加して設けてもよい。例えば、図22(B)に示すトランジスタのように酸化物半導体膜404bおよび酸化物半導体膜404cのみの構成としてもよい。なお、そのほかの構成については、図16に示したトランジスタについての記載を参照する。
本実施の形態では、実施の形態3で説明したトランジスタ460と同時に作製することができる容量素子560を含む半導体装置について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを利用した回路の一例について図面を参照して説明する。
図40(A)に本発明の一態様の半導体装置の断面図を示す。図40(A)に示す半導体装置は、下部に第1の半導体材料を用いたトランジスタ2200を有し、上部に第2の半導体材料を用いたトランジスタ2100を有している。図40(A)では、第2の半導体材料を用いたトランジスタ2100として、先の実施の形態で例示したトランジスタを適用した例を示している。
上記構成において、トランジスタ2100やトランジスタ2200の電極の接続構成を異ならせることにより、様々な回路を構成することができる。以下では、本発明の一態様の半導体装置を用いることにより実現できる回路構成の例を説明する。
図40(B)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、且つそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOS回路の構成を示している。
また、図40(C)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるアナログスイッチとして機能させることができる。
本発明の一態様であるトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図41に示す。
本実施の形態では、先の実施の形態で説明したトランジスタ、または記憶装置を含むRFタグについて、図42を参照して説明する。
本実施の形態では、少なくとも先の実施の形態で説明したトランジスタを用いることができ、先の実施の形態で説明した記憶装置を含むCPUについて説明する。
(実施の形態8)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
図45(A)は、本発明の一態様の表示装置の上面図であり、図45(B)は、本発明の一態様の表示装置の画素に液晶素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。また、図45(C)は、本発明の一態様の表示装置の画素に有機EL素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。
また、画素の回路構成の一例を図45(B)に示す。ここでは、VA型液晶表示装置の画素に適用することができる画素回路を示す。
画素の回路構成の他の一例を図45(C)に示す。ここでは、有機EL素子を用いた表示装置の画素構造を示す。
(実施の形態9)
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を適用した表示モジュールについて、図46を用いて説明を行う。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図47に示す。
本実施の形態では、本発明の一態様に係るRFデバイスの使用例について図48を用いながら説明する。RFデバイスの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図48(A)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図48(C)参照)、記録媒体(DVDやビデオテープ等、図48(B)参照)、乗り物類(自転車等、図48(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図48(E)、図48(F)参照)等に設けて使用することができる。
401 導電膜
402 絶縁膜
404 多層膜
404a 酸化物半導体膜
404b 酸化物半導体膜
404c 酸化物半導体膜
405 導電膜
405a 導電膜
405b 導電膜
406 導電膜
406a ソース電極
406b ドレイン電極
408 ゲート絶縁膜
410 ゲート電極
412 ブロック膜
417 絶縁膜
418 絶縁膜
418a 絶縁膜
418b 絶縁膜
418c 絶縁膜
422 ブロック膜
423 下地絶縁膜
424 下地絶縁膜
425 絶縁膜
426 絶縁膜
430 ハードマスク
432a 絶縁膜
432b 絶縁膜
450 トランジスタ
460 トランジスタ
501 導電膜
510 電極
520 開口
550 容量素子
560 容量素子
700 基板
701 画素部
702 走査線駆動回路
703 走査線駆動回路
704 信号線駆動回路
710 容量配線
712 ゲート配線
713 ゲート配線
714 ソース電極層またはドレイン電極層
716 トランジスタ
717 トランジスタ
718 液晶素子
719 液晶素子
720 画素
721 スイッチング用トランジスタ
722 駆動用トランジスタ
723 容量素子
724 発光素子
725 信号線
726 走査線
727 電源線
728 共通電極
800 RFタグ
801 通信器
802 アンテナ
803 無線信号
804 アンテナ
805 整流回路
806 定電圧回路
807 復調回路
808 変調回路
809 論理回路
810 記憶回路
811 ROM
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 接続部
916 操作キー
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 冷蔵室用扉
933 冷凍室用扉
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
2201 絶縁膜
2202 配線
2203 プラグ
2204 絶縁膜
2205 配線
2206 配線
2207 絶縁膜
2208 ブロック膜
2211 半導体基板
2212 絶縁膜
2213 ゲート電極
2214 ゲート絶縁膜
2215 ドレイン領域
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
4000 RFデバイス
5100 ペレット
5100a ペレット
5100b ペレット
5101 イオン
5102 酸化亜鉛層
5103 粒子
5105a ペレット
5105a1 領域
5105a2 ペレット
5105b ペレット
5105c ペレット
5105d ペレット
5105d1 領域
5105e ペレット
5120 基板
5130 ターゲット
5161 領域
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8007 バックライトユニット
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリー
Claims (15)
- 絶縁表面上の第1のブロック膜と、
前記絶縁表面、前記第1のブロック膜上の下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜の側面および前記第2の酸化物半導体膜の側面と接するソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極上の第1の絶縁膜と、
前記ドレイン電極上の第2の絶縁膜と、
前記第2の酸化物半導体膜、前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜上の第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第3の酸化物半導体膜と、
前記第3の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第2の酸化物半導体膜の上面および側面を前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面に埋め込まれた導電膜と、
前記絶縁表面、前記導電膜上の第1のブロック膜と、
前記導電膜および前記第1のブロック膜上の下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜の側面および前記第2の酸化物半導体膜の側面と接するソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極上の第1の絶縁膜と、
前記ドレイン電極上の第2の絶縁膜と、
前記第2の酸化物半導体膜、前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜上の第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第3の酸化物半導体膜と、
前記第3の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第2の酸化物半導体膜の上面および側面を前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面上の第1のブロック膜と、
前記絶縁表面、前記第1のブロック膜上の下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜の側面および前記第2の酸化物半導体膜の側面と接するソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極上の第1の絶縁膜と、
前記ドレイン電極上の第2の絶縁膜と、
前記第2の酸化物半導体膜の側面と接し、かつ前記ソース電極上に形成された第3の絶縁膜および前記ドレイン電極上に形成された第4の絶縁膜と、
前記第2の酸化物半導体膜、前記第3の絶縁膜および前記第4の絶縁膜上の第3の酸化物半導体膜と、
前記第3の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第2の酸化物半導体膜の上面および側面を前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面に埋め込まれた導電膜と、
前記絶縁表面、前記導電膜上の第1のブロック膜と、
前記導電膜および前記第1のブロック膜上の下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜上の第2の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜の側面および前記第2の酸化物半導体膜の側面と接するソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極上の第1の絶縁膜と、
前記ドレイン電極上の第2の絶縁膜と、
前記第2の酸化物半導体膜の側面と接し、かつ前記ソース電極上に形成された第3の絶縁膜および前記ドレイン電極上に形成された第4の絶縁膜と、
前記第2の酸化物半導体膜、前記第3の絶縁膜および前記第4の絶縁膜上の第3の酸化物半導体膜と、
前記第3の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第2の酸化物半導体膜の上面および側面を前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1のブロック膜は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記ゲート電極および前記第1のブロック膜上の第2のブロック膜を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項5において、
前記第2のブロック膜は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項6または請求項7の半導体装置において、
容量素子を有し、
前記容量素子は、
下部電極膜と、
前記下部電極膜を覆う電極間絶縁膜と、
前記電極間絶縁膜の一部に接する上部電極膜を有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極と前記下部電極膜は同一の組成であり、
前記第2のブロック膜と前記電極間絶縁膜は同一の組成である半導体装置。 - 絶縁表面上に第1のブロック膜を形成し、
前記絶縁表面、前記第1のブロック膜上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜、第2の酸化物半導体膜、ハードマスクの順で形成された積層膜を形成し、
前記下地絶縁膜および前記積層膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の導電膜、前記第1の絶縁膜および前記ハードマスクに除去処理を行い、前記第2の酸化物半導体膜を露出させてソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記除去処理を施した前記第1の導電膜および前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記除去処理を施した前記第1の絶縁膜、前記下地絶縁膜および前記第2の絶縁膜をエッチングして前記第1のブロック膜を露出させ、
前記第1のブロック膜、前記エッチングした前記下地絶縁膜および前記第2の絶縁膜上に第3の酸化物半導体膜を形成し、
前記第3の酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第2の酸化物半導体膜の上面および側面を前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面に埋め込まれた第1の導電膜を形成し、
前記絶縁表面および前記第1の導電膜上に第1のブロック膜を形成し、
前記第1の導電膜および前記第1のブロック膜上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜、第2の酸化物半導体膜、ハードマスクの順で形成された積層膜を形成し、
前記下地絶縁膜および前記積層膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第2の導電膜、前記第1の絶縁膜および前記ハードマスクに除去処理を行い、前記第2の酸化物半導体膜を露出させてソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記除去処理を施した前記第2の導電膜および前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記除去処理を施した前記第1の絶縁膜、前記下地絶縁膜および前記第2の絶縁膜をエッチングして前記第1のブロック膜を露出させ、
前記第1のブロック膜、前記エッチングした前記下地絶縁膜および前記第2の絶縁膜上に第3の酸化物半導体膜を形成し、
前記第3の酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第2の酸化物半導体膜の上面および側面を前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に第1のブロック膜を形成し、
前記絶縁表面、前記第1のブロック膜上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜、第2の酸化物半導体膜、ハードマスクの順で形成された積層膜を形成し、
前記下地絶縁膜および前記積層膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の導電膜および前記第1の絶縁膜に除去処理を行い、前記ハードマスクを露出させ、
前記除去処理を施した前記第1の導電膜の一部および前記ハードマスクをエッチングしてソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記除去処理を施した前記第1の絶縁膜、前記第2の酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜に除去処理を行い、前記第2の酸化物半導体膜を露出させて第3の絶縁膜および第4の絶縁膜を形成し、
前記除去処理を施した前記第1の絶縁膜、および前記下地絶縁膜をエッチングして前記第1のブロック膜を露出させ、
前記第2の酸化物半導体膜、前記第3の絶縁膜および前記第4の絶縁膜、前記第1のブロック膜、前記エッチングした前記下地絶縁膜上に第3の酸化物半導体膜を形成し、
前記第3の酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第2の酸化物半導体膜の上面および側面を前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面に埋め込まれた第1の導電膜を形成し、
前記絶縁表面および前記第1の導電膜上に第1のブロック膜を形成し、
前記第1の導電膜および前記第1のブロック膜上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜、第2の酸化物半導体膜、ハードマスクの順で形成された積層膜を形成し、
前記下地絶縁膜および前記積層膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第2の導電膜および前記第1の絶縁膜に除去処理を行い、前記ハードマスクを露出させ、
前記除去処理を施した前記第2の導電膜の一部および前記ハードマスクをエッチングしてソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記除去処理を施した前記第1の絶縁膜、前記第2の酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜に除去処理を行い、前記第2の酸化物半導体膜を露出させて第3の絶縁膜および第4の絶縁膜を形成し、
前記除去処理を施した前記第1の絶縁膜、および前記下地絶縁膜をエッチングして前記第1のブロック膜を露出させ、
前記第2の酸化物半導体膜、前記第3の絶縁膜および前記第4の絶縁膜、前記第1のブロック膜、前記エッチングした前記下地絶縁膜上に第3の酸化物半導体膜を形成し、
前記第3の酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第2の酸化物半導体膜の上面および側面を前記ゲート絶縁膜を介して覆うゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項9乃至請求項12のいずれか一において、
前記除去処理は、化学的機械研磨により行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項9乃至請求項13のいずれか一において、
前記ゲート電極の形成後、前記ゲート電極および前記第1のブロック膜上に第2のブロック膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 容量素子を有する半導体装置の作製方法であって、
請求項14の半導体装置の作製方法において、
前記ソース電極または前記ドレイン電極と同一層で下部電極膜を形成し、
前記下部電極膜を覆う電極間絶縁膜を形成し、
前記電極間絶縁膜の一部に接する上部電極膜を形成し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極と前記下部電極膜は同一工程で形成しており、
前記第2のブロック膜と前記電極間絶縁膜は同一工程で形成している半導体装置の作製方法。
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