JP2014198664A - 半導体装置用シリコン部材及び半導体装置用シリコン部材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】るつぼ底部に単結晶シリコン板からなる複数個の種結晶を配置し、るつぼ内の溶融シリコンを一方向凝固させることにより複数個の種結晶それぞれから単結晶を成長させて得られた柱状晶シリコンインゴットから切り出して作製した。
【選択図】図3
Description
また、種結晶の結晶方位面を任意に選択することにより、各種結晶それぞれから所望の面方位を持って単結晶を成長させた柱状晶シリコンインゴットを得ることができ、これにより、所望の面方位の半導体装置用シリコン部材を得ることができる。
また、上記半導体装置用シリコン部材は、450mmφより大きいことが好ましく、500mmφ以上であることがより好ましく、530mmφ以上であることがより一層好ましい。
また、上記半導体装置用シリコン部材は、ドライエッチング用シリコン部材として用いられることが好ましい。
この場合、各種結晶が同じ結晶方位で配列しているので、それら種結晶から成長する単結晶は同じ結晶方位となり、あたかも単結晶のシリコンインゴットが得られる。この結果、このようなあたかも単結晶のシリコンインゴットから切り出して得られる半導体装置用シリコン部材をプラズマエッチング用の電極板として用いる場合、エッチングの均一性をより高めることができる。また、パーティクルの発生、結晶粒界へ偏析した不純物やSiO2などの降下によるデバイス不良を低減できる。
この場合、種結晶を密着して配置するので、種結晶の間で結晶が個々に成長する現象を回避することができ、結晶粒界のより少ない一方向凝固シリコンインゴットを得ることできる。この結果、このような結晶粒界のより少ない一方向凝固シリコンインゴットから切り出して得られるドライエッチング用シリコン部材をプラズマエッチング用の電極板として用いる場合、エッチングの均一性をより高めることができる。また、パーティクルの発生、結晶粒界へ偏析した不純物やSiO2などの降下によるデバイス不良を低減できる。
従前の柱状晶シリコンインゴットから切り出して得られる半導体装置用シリコン部材では、通常、使用部位表面において1つの結晶粒で占められる面積が使用部位表面全体の1/3に満たない。このような従前の半導体装置用シリコン部材に比べ、本願発明の半導体装置用シリコン部材ものは、結晶粒界が非常に少ない。このため、上記半導体装置用シリコン部材を例えばプラズマエッチング用の電極板に用いる場合には、均一性の高いエッチングが可能となる。
この場合、単結晶のシリコンインゴットから切り出して得られる半導体装置用シリコン部材とほぼ同等の性能を発揮することができる。
この構成の半導体装置用シリコン部材においては、上述の結晶密度Pが0.24以下と結晶粒界が少なくされているので、上記半導体装置用シリコン部材を例えばプラズマエッチング用の電極板に用いる場合には、均一性の高いエッチングが可能となる。
この構成の半導体装置用シリコン部材においては、結晶中の酸素濃度が4.0×1017atoms/ml以下であることから、エッチング速度を遅くすることが可能となる。
この構成の半導体装置用シリコン部材においては、窒素濃度が7.5×1014atoms/ml以上3.1×1015atoms/ml以下の範囲内とされていることから、エッチング速度を遅くすることが可能となる。
上記構成の半導体装置用シリコン部材の製造方法によれば、従前の柱状晶シリコンインゴットから切り出して得られるものに比べて、結晶粒界が非常に少ないかあるいは全くない半導体装置用シリコン部材を得ることができる。
本実施形態である半導体装置用シリコン部材は、ドライエッチング用シリコン部材として用いられるものである。この半導体装置用シリコン部材(ドライエッチング用シリコン部材)は、多結晶シリコンインゴットから得られるものであり、より具体的には、特殊な工程を得て一方向凝固によって製造される柱状晶シリコンインゴットから切り出して得られるものである。
このように本実施形態の擬単結晶シリコンインゴットは、種結晶から成長させた単結晶部位を複数もつシリコンインゴットであり、種結晶の配置によっては、シリコンインゴット全体をほぼ単結晶にすることも可能である。
この柱状晶シリコンインゴット製造装置10は、シリコン融液Lが貯留されるるつぼ20と、このるつぼ20が載置されるチルプレート12と、このチルプレート12を下方から支持する下部ヒータ13と、るつぼ20の上方に配設された上部ヒータ14と、を備えている。また、るつぼ20の周囲には、断熱材15が設けられている。
チルプレート12は、中空構造とされており、供給パイプ16を介して内部にArガスが供給される構成とされている。
このるつぼ20は、石英(SiO2)で構成されており、その内面にシリコンナイトライド(Si3N4)がコーティングされている。すなわち、るつぼ20内のシリコン融液Lが石英(SiO2)と直接接触しないように構成されているのである。
擬単結晶シリコンインゴット鋳造時の種結晶Cの配置例を図16に示す。(a)は角型るつぼの底部に同じ結晶方位で隙間を空けて配列した場合、(b)は角型るつぼの底部に同じ結晶方位で隙間を空けずに配列した場合、(c)は丸型るつぼの底部に同じ結晶方位で隙間を空けて配列した場合を示す。また、図中の矢印と記号は種結晶Cの配置時の方位を示す。
そして、それら種結晶Cの上側に11N(純度99.999999999)の高純度ポリシリコンを砕いて得られた「チャンク」と呼ばれる塊状のものを配置する。この塊状のシリコン原料の粒径は、例えば、30mmから100mmとされている。
種結晶Cが完全に溶けてしまうと、液相エピタキシャル成長ができず、多数の結晶核がるつぼ底面で発生し多結晶となり単結晶がうまく成長しない。
この場合、従前の柱状晶シリコンインゴットから切り出して得られる半導体装置用シリコン部材(ドライエッチング用シリコン部材)では、通常、使用部位表面において1つの結晶粒で占められる面積が使用部位表面全体の1/3に満たない。このような従前の半導体装置用シリコン部材(ドライエッチング用シリコン部材)材を例えばプラズマエッチング用の電極板として用いる場合には、前記「発明が解決しようとする課題」で述べた不具合が生じる。
この場合、単結晶のシリコンインゴットから切り出して得られる半導体装置用シリコン部材(ドライエッチング用シリコン部材)とほぼ同等の性能を発揮することができる。
また、本願発明の半導体装置用シリコン部材(ドライエッチング用シリコン部材)は、530mmφ以上の比較的大型のサイズの部材を容易に製作することができる。
尚、結晶粒の大きさは、エッチング速度の結晶方位依存性の高いKOHやNaOHなどのアルカリエッチングをおこない、個々の結晶を判別し画像解析装置を用いてサイズを測定した。
例えば、前記実施形態では、本発明の半導体装置用シリコン部材として、プラズマエッチング用の電極を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、図5に示すように、プラズマエッチング用として用いる、保護リング、シールリング、アースリング等の各種リングR等に用いても良い。なお、ここでは、リングRの一部に、多結晶からなる部位Raが見られる。
また、本発明の半導体装置用シリコン部材は、必ずしも、プラズマエッチング用シリコン部材に限られることなく、プラズマを用いることなく反応ガス中に材料に曝す反応性ガスエッチング用シリコン部材にも適用可能である。
参考例として、ポリシリコン176kgを入れた内径570mmφのるつぼを鋳造炉に入れ溶解し、従前の手法である一方向凝固により、内径570mmφ×300mmHの円柱状の一方向凝固シリコンインゴットを鋳造した。図6はこの柱状晶シリコンインゴットIaの縦断面の模式図、図7はこの柱状晶シリコンインゴットIaの横断面の模式図である。図7中の複数の直線は全て直線近似された粒界Lを示し、後述する総粒界長さLSとは、測定範囲内に存在する粒界Lの総和を意味する。この柱状晶シリコンインゴットIaは平均結晶粒径が5mmであった。
このようにして製造したものが、図8、図9に示す擬単結晶シリコンインゴットIbである。図8は擬単結晶シリコンインゴットIbの縦断面の模式図、図9は擬単結晶シリコンインゴットIbの横断面の模式図である。
また、同様に200mm(縦)×200mm(横)×10mm(厚さ)、結晶面方位[111]の単結晶シリコン板からなる種結晶Cを用いて、上述したものと同様な方法で擬単結晶を鋳造した。この場合でも、ほぼ同様の擬単結晶シリコンインゴットを得ることができた。その際の単結晶部Ibaの結晶面方位は[111]であった。
擬単結晶シリコンインゴットIcでは、中央の600mm×600mmの領域Icaに小さな結晶粒が形成されず、この領域は全体が単結晶状になった。この単結晶部位の結晶面方位は[001]であった。また、この擬単結晶シリコンインゴットIcにおいて外周35mmの領域Icbは、平均結晶粒径が5mmの柱状晶であった。
擬単結晶シリコンインゴットIeは、中央の600mm×600mmの領域Ieaに小さな結晶粒が形成されず、この領域は全体が単結晶状になった。この単結晶部位の結晶面方位は[001]であった。また、この擬単結晶シリコンインゴットIeにおいて外周30mmの領域Iebは、平均結晶粒径が5mmの柱状晶であった。
なお、これら擬単結晶を鋳造する場合、200mm(縦)×200mm(横)×10mm(厚さ)、結晶面方位[111]の単結晶シリコン板を種結晶Cとして用い、上述したものと同様の方法で、擬単結晶を鋳造した。この場合でも、ほぼ同様の擬単結晶シリコンインゴットを得ることができた。その際の単結晶部Idaの結晶面方位は[111]であった。
その結果を下記表1に示す。
その結果を下記表2に示す。
その結果を下記表3に示す。
その結果を下記表4に示す。
また、これらの半導体装置用シリコン部材の酸素濃度及び窒素濃度、並びに、エッチング後のパーティクルの個数を測定した。
その結果を下記表5に示す。
Ib 擬単結晶シリコンインゴット
Ic 擬単結晶シリコンインゴット
Ie 擬単結晶シリコンインゴット
Eb 擬単結晶シリコンインゴットから作製した電極板
R 擬単結晶シリコンインゴットから作製したリング
Claims (10)
- るつぼ底部に単結晶シリコン板からなる複数個の種結晶を配置し、るつぼ内の溶融シリコンを一方向凝固させることにより前記複数個の種結晶それぞれから単結晶を成長させて得られた柱状晶シリコンインゴットから作製されることを特徴とする半導体装置用シリコン部材。
- 請求項1に記載の半導体装置用シリコン部材がドライエッチング用シリコン部材として用いられることを特徴とする半導体装置用シリコン部材。
- 前記るつぼ底部に複数個の前記種結晶を配置する際に、各種結晶を同じ結晶方位で配列することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置用シリコン部材。
- 前記るつぼの底部に前記種結晶を配置する際に、互いの種結晶同士の間に隙間を形成することなく密着して配置することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置用シリコン部材。
- 使用部位表面に露出している面積の少なくとも35%以上が1つの結晶粒にみなされる結晶(面方位が同じ)で占められることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置用シリコン部材。
- 使用部位の全体がひとつの結晶粒からなっていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置用シリコン部材。
- 断面における結晶粒の粒界長さの合計LSと断面積Aとから算出される粒界密度P=LS/Aが0.24以下とされていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置用シリコン部材。
- 結晶中の酸素濃度が4.0×1017atoms/ml以下であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置用シリコン部材。
- 結晶中の窒素濃度が7.5×1014atoms/ml以上3.1×1015atoms/ml以下であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の半導体装置用シリコン部材。
- るつぼ底部に単結晶シリコン板からなる複数個の種結晶を配置する単結晶シリコン板配置工程と、
前記単結晶シリコン板が配置されたるつぼ内にシリコン原料を装入し、前記単結晶シリコン板が完全に溶解しない条件で前記シリコン原料を溶融してシリコン融液を得るシリコン原料溶融工程と、
前記シリコン融液を、前記単結晶シリコン板が配置される前記るつぼ底部から上方に向けて一方向凝固させて柱状晶シリコンインゴットを得る一方向凝固工程と、
前記柱状晶シリコンインゴットを加工して半導体装置用シリコン部材とする加工工程と、
を備えていることを特徴とする半導体装置用シリコン部材の製造方法。
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