JP7392524B2 - プラズマ処理装置用内壁部材及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1では、チャンバの周壁は、アルミニウム材料又はアルマイト加工されたアルミニウム材料が用いられており、パーティクル発生の防止のため、チャンバ内面を定期的にクリーニングすることが記載されている。
特許文献3では、チャンバの周壁の内側に円筒状のライナを設けて、プラズマがチャンバの周壁と接触することを防いでいる。ライナはステンレス鋼、シリコン等の本体を、酸化エルビウム等でコーティングしたものが用いられている。
なお、それぞれの結晶粒において、内壁部材の長さ方向に沿う径が周方向に沿う径より長ければ、その結晶粒は、軸と略平行な方向に延びていると判断する。
これらの長さの比X/Yの平均値(平均アスペクト比)が1.5未満では、軸と略平行な方向に延びる粒界の比率が少なくなり、上記した効果が得られにくい。
結晶粒の平均粒径が5.0mm未満であると、粒界が多くなることから、処理ガスの流れに対する抵抗が増大し、パーティクルの発生を防止する効果が乏しくなる。
プラズマ発生領域に晒される内周面に角部がない円筒面であると、処理ガスの流れに対する抵抗が生じにくく、パーティクルの発生をより確実に防止できる。
まず、プラズマ処理装置の例としてプラズマエッチング装置1について説明する。
このプラズマエッチング装置1は、図1の概略断面図に示されるように、チャンバ2内の上部に平板状の上部電極3が設けられるとともに、下部に上下動可能な下部電極4が上部電極3と相互間隔をおいて平行に設けられている。この場合、上部電極3は絶縁体5によりチャンバ2の壁に対して絶縁状態に支持されているとともに、下部電極4の上には、静電チャック6と、その周りを囲むフォーカスリング7とが設けられており、静電チャック6の上に、フォーカスリング7により周縁部を支持した状態でシリコンウエハ(被処理基板)8を載置するようになっている。
この内壁部材21は、図2に模式的に示したように、複数の結晶粒21aが円筒の軸Cと略平行に延びる柱状晶シリコンにより構成されている。この内壁部材21を構成する柱状晶シリコンは、一方向凝固等の手法により、複数の結晶粒21aを軸Cと略平行な方向に成長させた、異方性を有する柱状の結晶組織を有するシリコンである。図1に示すように、内壁部材21は、プラズマエッチング装置1において、電極3,4の対向方向、つまり上下方向に軸Cを配置させた状態で取り付けられる。したがって、その軸Cの方向は、上部電極3のガス通過孔11から矢印で示すように流出するエッチングガスの流れ方向と略平行になる。
この内壁部材21は、円筒面に形成された外周面によりチャンバ2の内周面を緊密に覆い、円筒面に形成された内周面を上部電極3と下部電極4との間の空間に臨ませて配置され、その内周面でプラズマ発生領域Pを囲んだ状態としている。
このプラズマエッチング装置1を用いることにより、パーティクルの発生が少なく、したがって汚染が少なく、高品質のエッチング処理を行うことができる。
上記実施形態では、内壁部材21をチャンバ2の周壁2aの内側にチャンバ2の周壁2aから間隔をあけて同心的に配置したが、チャンバ2の周壁2aの内周面を覆うライナ部材として内壁部材を配置してもよい。あるいは、チャンバ2の周壁2a自体を内壁部材により構成してもよい。これらチャンバ2の周壁2a自体あるいは周壁2aを覆うライナ部材として内壁部材を設ける場合でも、一方向凝固により形成された柱状晶シリコンからなるので、単結晶シリコンの場合とは異なり、大径のものにも適用することが容易である。
また、本発明は実施形態のプラズマエッチング装置1の他、プラズマCVD装置等のプラズマ処理装置一般に適用できる。
円筒形状の鋳型により円柱状のキャビティを形成し、そのキャビティ内にシリコン溶湯を注湯し、下方から冷却することで一方向凝固させ、結晶粒を軸方向と略平行に成長させた柱状晶のシリコンインゴットを得た。ここで、冷却スピードを変化させることで、結晶粒の平均アスペクト比と平均粒径を調整した。次に、シリコンインゴットの中心部をコアリングで抜き取った後、機械加工を施し、厚さ15mm、高さ100mm、径410mmの円筒形状の内壁部材を得た。最後に、内壁部材の内周面を研磨した。
円筒形状の鋳型により円柱状のキャビティを形成し、そのキャビティ内にシリコン溶湯を注湯し、鋳型全周から冷却することで結晶粒の成長方向が不規則な多結晶のシリコンインゴットを得た。ここで、冷却スピードを変化させることで、結晶粒の平均アスペクト比と平均粒径を調整した。次に、シリコンインゴットの中心部をコアリングで抜き取った後、機械加工を施し、厚さ15mm、高さ100mm、径410mmの円筒形状の内壁部材を得た。最後に、内壁部材の内周面を研磨した。
なお、得られた内壁部材の組成をICPを用いて測定したところ、不純物量は10質量ppm以下であって、純度99.999質量%以上であった。
結晶粒の平均アスペクト比は、SEM(走査型電子顕微鏡:Scanning Electron Microscope)により観察し、内壁部材の軸方向に沿う結晶粒の最大長さX、軸方向に直交する方向の最大長さYを測定し、Y/Xを算出した。1個の内壁部材について100個の結晶粒の平均値を求めた。
結晶粒の平均粒径は、SEM(走査型電子顕微鏡)により観察し、結晶粒の投影面積から円相当直径(結晶粒の投影面積と同じ面積を持つ円の直径)を算出して粒径とした。1個の内壁部材について100個の結晶粒の平均値を求めた。
表面粗さ(算術平均粗さ)Raは、JIS-B0601に即した方法で、内壁部材の内周面を軸方向に走査して測定した。1個の内壁部材について4箇所測定し、その平均値を求めた。
各実施例、比較例の内壁部材をプラズマエッチング装置のプラズマ発生領域を囲むようにセットし、下記の条件で直径300mmのシリコンウエハへのプラズマエッチングを実施した。
チャンバ内圧力:10-1Torr、
エッチングガス組成:CHF3+O2 +Heの混合ガスとし、流量を90sccm(CHF3)+4sccm(O2)+150sccm(He)とした。
高周波電力:2kW
周波数:20kHz
これらの結果を表1に示す。
これに対して、比較例1は、長時間経過後のパーティクル発生数が実施例に比べて多くなった。
2 チャンバ
2a 周壁
3 上部電極
4 下部電極
5 絶縁体
6 静電チャック
8 シリコンウエハ(被処理基板)
9 エッチングガス供給管
10 拡散室
11 ガス通過孔
12 排出口
13 高周波電源
14 冷却板
15 貫通孔
21 内壁部材
21a 結晶粒
P プラズマ発生領域
C 軸
Claims (3)
- プラズマ処理装置のチャンバ内で相互に対向する一対の電極の間の空間を囲む筒状の内壁部材であって、複数の結晶粒が当該内壁部材の軸と略平行に延びてなる柱状晶シリコンにより構成されており、
前記結晶粒の平均粒径が円相当径で14.9mm以上であり、
内周面の算術平均粗さRaが5.0μm以下であることを特徴とするプラズマ処理装置用内壁部材。 - 少なくとも内周面が円筒面であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置用内壁部材。
- 請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置用内壁部材が、チャンバ内で相互に対向する一対の電極の間の空間を囲むように配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
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Citations (7)
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JP2005159289A (ja) | 2003-10-30 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | プラズマ処理装置 |
JP2005303045A (ja) | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン部材およびその製造方法 |
JP2009051724A (ja) | 2007-08-01 | 2009-03-12 | Mitsubishi Materials Corp | 高強度柱状晶シリコン並びにこの高強度柱状晶シリコンからなるプラズマエッチング装置用部品 |
WO2011055673A1 (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ハイブリッドシリコンウエハ |
JP2014198664A (ja) | 2013-03-11 | 2014-10-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体装置用シリコン部材及び半導体装置用シリコン部材の製造方法 |
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JP2004043250A (ja) | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Mitsubishi Materials Corp | 中空柱状シリコンインゴット製造用るつぼ及び中空柱状シリコンインゴットの製造方法 |
JP2005159289A (ja) | 2003-10-30 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | プラズマ処理装置 |
JP2005303045A (ja) | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン部材およびその製造方法 |
JP2009051724A (ja) | 2007-08-01 | 2009-03-12 | Mitsubishi Materials Corp | 高強度柱状晶シリコン並びにこの高強度柱状晶シリコンからなるプラズマエッチング装置用部品 |
WO2011055673A1 (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ハイブリッドシリコンウエハ |
JP2014198664A (ja) | 2013-03-11 | 2014-10-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体装置用シリコン部材及び半導体装置用シリコン部材の製造方法 |
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