JP2014121025A - 圧電薄膜共振子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、基板10と、基板10上に設けられ、添加元素を含有する窒化アルミニウム膜からなる第1膜14aと、第1膜14aの上面及び下面に設けられ、第1膜14aよりも添加元素の濃度が低い窒化アルミニウム膜からなる第2膜14bと、を有する圧電膜14と、圧電膜14を挟んで設けられた下部電極12及び上部電極16と、を備える圧電薄膜共振子である。
【選択図】図1
Description
12 下部電極
14 圧電膜
14a 第1膜
14b 第2膜
16 上部電極
18 共振部
20、20a、20b 空隙
22 導入路
24 孔
26 開口
28 犠牲層
30 アルミニウム原子
32 窒素原子
40 温度補償膜
42 音響反射膜
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、添加元素を含有する窒化アルミニウム膜からなる第1膜と、前記第1膜の上面及び下面に設けられ、前記第1膜よりも前記添加元素の濃度が低い窒化アルミニウム膜からなる第2膜と、を有する圧電膜と、
前記圧電膜を挟んで設けられた下部電極及び上部電極と、
を備えることを特徴とする圧電薄膜共振子。 - 前記添加元素は、2価元素と4価元素、又は、2価元素と5価元素であることを特徴とする請求項1記載の圧電薄膜共振子。
- 前記添加元素は2価元素と4価元素であり、前記2価元素は、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウム、及び亜鉛のうちの少なくとも1つを含み、前記4価元素は、チタン、ジルコニウム、及びハフニウムのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項2記載の圧電薄膜共振子。
- 前記添加元素は2価元素と4価元素であり、前記第1膜における前記添加元素と前記窒化アルミニウム膜のアルミニウム原子数との総量を100原子%とした場合に、前記第1膜に含有される前記添加元素の濃度は3原子%以上且つ30原子%以下であることを特徴とする請求項2または3記載の圧電薄膜共振子。
- 前記添加元素は2価元素と5価元素であり、前記2価元素は、マグネシウム及び亜鉛の少なくとも一方を含み、前記5価元素は、タンタル、ニオブ、及びバナジウムのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項2記載の圧電薄膜共振子。
- 前記第2膜は、添加元素を含有しない窒化アルミニウム膜からなることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の圧電薄膜共振子。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018014643A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュプレクサ、及び圧電薄膜共振器の製造方法 |
JP2018023082A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | バルク音響共振器及びこれを含むフィルタ |
JP2018137268A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2018181870A (ja) * | 2017-04-03 | 2018-11-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 発電素子 |
JP2019169612A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 国立大学法人東北大学 | 圧電体薄膜、圧電素子および圧電発電装置 |
JP2019186691A (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
WO2019235080A1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜及び圧電薄膜素子 |
JP2020065160A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタ、及びマルチプレクサ |
JP2020526471A (ja) * | 2017-07-07 | 2020-08-31 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 弾性波フィルタ改善のための置換窒化アルミニウム |
WO2020209152A1 (ja) * | 2019-04-08 | 2020-10-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性波デバイスおよびそれを備えたフィルタ装置 |
WO2021044683A1 (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 窒化物圧電体およびそれを用いたmemsデバイス |
JP2021072316A (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜素子 |
JP2021086982A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜素子 |
US11482662B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-10-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Aluminum nitride film, piezoelectric device, resonator, filter, and multiplexer |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201416140A (zh) * | 2012-10-31 | 2014-05-01 | Ind Tech Res Inst | 可撓式超音波致動裝置 |
US9112432B2 (en) * | 2012-12-14 | 2015-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Piezoelectric generator and method of manufacturing the same |
JP5932168B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2016-06-08 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜及びその製造方法、並びに圧電素子 |
SG11201705362YA (en) * | 2015-01-06 | 2017-08-30 | Murata Manufacturing Co | Piezoelectric thin film and piezoelectric transducer |
GB201517879D0 (en) | 2015-10-09 | 2015-11-25 | Spts Technologies Ltd | Method of deposition |
CN107920313A (zh) * | 2016-08-27 | 2018-04-17 | 深圳市诺维创科技有限公司 | 一种微型压电超声换能器及其制作方法 |
US20180115302A1 (en) * | 2016-10-26 | 2018-04-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonators having doped piezoelectric material and a buffer layer |
CN106338347A (zh) * | 2016-11-02 | 2017-01-18 | 清华大学 | 一种高温声表面波传感器的叉指电极材料及其制备方法 |
GB2555835B (en) * | 2016-11-11 | 2018-11-28 | Novosound Ltd | Ultrasound transducer |
KR102313290B1 (ko) | 2017-03-08 | 2021-10-18 | 삼성전기주식회사 | 박막 벌크 음향 공진기 및 그의 제조 방법 |
US11558031B2 (en) | 2017-03-08 | 2023-01-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Film bulk acoustic resonator and method of manufacturing the same |
US10886887B2 (en) | 2017-06-23 | 2021-01-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Aluminum nitride film, acoustic wave device, filter, and multiplexer |
JP6869831B2 (ja) | 2017-07-03 | 2021-05-12 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器およびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
JP7151096B2 (ja) * | 2018-02-21 | 2022-10-12 | 株式会社デンソー | 圧電膜、その製造方法、圧電膜積層体、その製造方法 |
US10505514B2 (en) * | 2018-04-11 | 2019-12-10 | Qualcomm Incorporated | Piezoelectric thin film and bulk acoustic wave filter |
CN109672420B (zh) * | 2018-12-18 | 2023-03-31 | 北方民族大学 | 设置镁铝合金膜的多层压电基片及其制备方法 |
CN113226982B (zh) * | 2019-02-22 | 2023-08-18 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 氮化物压电体及使用其的mems器件 |
CN110931629A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-03-27 | 重庆大学 | 一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构 |
CN113540338B (zh) * | 2020-04-21 | 2023-11-14 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种压电复合薄膜及其制备方法 |
CN112134542B (zh) * | 2020-06-01 | 2022-07-12 | 诺思(天津)微***有限责任公司 | 体声波谐振器、体声波谐振器组件及制造方法、滤波器及电子设备 |
CN111740004B (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-27 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 氮化铝基薄膜结构、半导体器件及其制备方法 |
US11942919B2 (en) | 2021-01-11 | 2024-03-26 | Raytheon Company | Strain compensated rare earth group III-nitride heterostructures |
CN114664385B (zh) * | 2022-03-18 | 2023-05-05 | 电子科技大学 | 改善saw器件压电薄膜压电系数的设计方法及压电薄膜 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001203558A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-07-27 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子、フィルタ及び電子機器 |
JP2002344279A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Ube Electronics Ltd | 圧電薄膜共振子 |
JP2005159309A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 圧電体膜、圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 |
JP2008211392A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 共振器及びその製造方法 |
JP2009010926A (ja) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電体薄膜、圧電体およびそれらの製造方法、ならびに当該圧電体薄膜を用いた圧電体共振子、アクチュエータ素子および物理センサー |
JP2009100464A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 共振装置およびその製造方法 |
JP2009100465A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 共振装置およびその製造方法 |
JP2010178543A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Doshisha | 薄膜共振子 |
JP2012100029A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003060478A (ja) | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子、その製造方法、および、その圧電薄膜共振子を用いたフィルタならびに電子機器 |
JP2007277606A (ja) | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Seiko Epson Corp | 圧電体薄膜の製造方法 |
JP2007295280A (ja) | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Toshiba Corp | 電子素子 |
JP2008238330A (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | Mems装置およびこのmems装置を有する携帯通信端末 |
DE102008025691B4 (de) | 2007-05-31 | 2011-08-25 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Piezoelektrischer Dünnfilm, piezoelektrisches Material und Herstellungsverfahren für piezoelektrischen Dünnfilm |
JP5904591B2 (ja) * | 2012-03-15 | 2016-04-13 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
KR102042181B1 (ko) * | 2012-10-22 | 2019-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
-
2012
- 2012-12-18 JP JP2012276177A patent/JP5957376B2/ja active Active
-
2013
- 2013-11-15 SG SG2013084629A patent/SG2013084629A/en unknown
- 2013-11-25 US US14/089,598 patent/US9374060B2/en active Active
- 2013-12-17 CN CN201310692927.1A patent/CN103873009B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001203558A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-07-27 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子、フィルタ及び電子機器 |
JP2002344279A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Ube Electronics Ltd | 圧電薄膜共振子 |
JP2005159309A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 圧電体膜、圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 |
JP2008211392A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 共振器及びその製造方法 |
JP2009010926A (ja) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電体薄膜、圧電体およびそれらの製造方法、ならびに当該圧電体薄膜を用いた圧電体共振子、アクチュエータ素子および物理センサー |
JP2009100464A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 共振装置およびその製造方法 |
JP2009100465A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 共振装置およびその製造方法 |
JP2010178543A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Doshisha | 薄膜共振子 |
JP2012100029A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10187036B2 (en) | 2016-07-21 | 2019-01-22 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, duplexer, and method of fabricating piezoelectric thin film resonator |
JP2018014643A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュプレクサ、及び圧電薄膜共振器の製造方法 |
JP7107515B2 (ja) | 2016-08-03 | 2022-07-27 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | バルク音響共振器及びこれを含むフィルタ |
JP2021168494A (ja) * | 2016-08-03 | 2021-10-21 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | バルク音響共振器及びこれを含むフィルタ |
JP2018023082A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | バルク音響共振器及びこれを含むフィルタ |
JP7302143B2 (ja) | 2016-08-03 | 2023-07-04 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | バルク音響共振器及びこれを含むフィルタ |
JP2018137268A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2018181870A (ja) * | 2017-04-03 | 2018-11-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 発電素子 |
JP7038795B2 (ja) | 2017-07-07 | 2022-03-18 | スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド | 圧電材料、弾性波共振器、フィルタ、電子デバイスモジュール及び電子デバイス |
JP7458431B2 (ja) | 2017-07-07 | 2024-03-29 | スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド | 弾性波フィルタ改善のための置換窒化アルミニウム |
JP2020526471A (ja) * | 2017-07-07 | 2020-08-31 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 弾性波フィルタ改善のための置換窒化アルミニウム |
JP6994247B2 (ja) | 2018-03-23 | 2022-02-04 | 国立大学法人東北大学 | 圧電体薄膜、圧電素子および圧電発電装置 |
JP2019169612A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 国立大学法人東北大学 | 圧電体薄膜、圧電素子および圧電発電装置 |
JP7068011B2 (ja) | 2018-04-06 | 2022-05-16 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
JP2019186691A (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
US11482662B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-10-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Aluminum nitride film, piezoelectric device, resonator, filter, and multiplexer |
WO2019235080A1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜及び圧電薄膜素子 |
JP7299008B2 (ja) | 2018-10-17 | 2023-06-27 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタ、及びマルチプレクサ |
JP2020065160A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタ、及びマルチプレクサ |
WO2020209152A1 (ja) * | 2019-04-08 | 2020-10-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性波デバイスおよびそれを備えたフィルタ装置 |
KR20220016953A (ko) * | 2019-09-02 | 2022-02-10 | 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼 | 질화물 압전체 및 이를 이용한 mems 디바이스 |
JP2021039995A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 窒化物圧電体およびそれを用いたmemsデバイス |
WO2021044683A1 (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 窒化物圧電体およびそれを用いたmemsデバイス |
JP7329828B2 (ja) | 2019-09-02 | 2023-08-21 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 窒化物圧電体およびそれを用いたmemsデバイス |
KR102616106B1 (ko) | 2019-09-02 | 2023-12-21 | 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼 | 질화물 압전체 및 이를 이용한 mems 디바이스 |
JP2021072316A (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜素子 |
JP7425960B2 (ja) | 2019-10-29 | 2024-02-01 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜素子 |
JP2021086982A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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