JP7299008B2 - 圧電薄膜共振器、フィルタ、及びマルチプレクサ - Google Patents
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Description
下部電極の下層:膜厚が98nmのCr膜
下部電極の上層:膜厚が192nmのCr膜
圧電膜:膜厚が1250nmのAlN膜
挿入膜:膜厚が150nmの酸化シリコン膜
挿入膜は圧電膜の厚さ方向の中心に設けた。
上部電極の下層:膜厚が232nmのRu膜
上部電極の上層:膜厚が35nmのCr膜
周波数調整膜:膜厚が50nmの酸化シリコン膜
共振領域の形状:長軸が211μm、短軸が151μmの楕円形状
12 下部電極
14 圧電膜
14a 下部圧電膜
14b 上部圧電膜
16 上部電極
20 質量負荷膜
24 周波数調整膜
28 挿入膜
30 空隙
31 音響反射膜
40 送信フィルタ
42 受信フィルタ
50 共振領域
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に設けられた下部電極と、
前記下部電極上に設けられ、窒化アルミニウムを主成分とする下部圧電膜と前記下部圧電膜上の窒化アルミニウムを主成分とする上部圧電膜とを含み、前記下部圧電膜及び前記上部圧電膜のうちの一方はスカンジウム、ボロン、又は、2族元素若しくは12族元素と4族元素若しくは5族元素とが添加され、他方は窒素、アルミニウム、及びアルゴン以外から選択される元素が添加されてなく且つアルゴン濃度が前記一方のアルゴン濃度よりも低い圧電膜と、
前記圧電膜を挟み前記下部電極と対向する領域である共振領域が形成されるように設けられた上部電極と、
前記基板と前記下部電極との間に設けられ、前記圧電膜内に励振された弾性波を反射する音響反射層と、を備える圧電薄膜共振器。 - 前記上部圧電膜は、前記共振領域の周囲のうちの前記上部電極が前記共振領域から引き出される領域以外の少なくとも一部において前記下部圧電膜の端面よりも内側に収まるように、前記下部圧電膜上に設けられている、請求項1記載の圧電薄膜共振器。
- 前記下部圧電膜の膜厚と前記上部圧電膜の膜厚とは略同じである、請求項1または2記載の圧電薄膜共振器。
- 前記下部圧電膜と前記上部圧電膜の間であって前記共振領域の少なくとも一部に設けられ、アルミニウム、金、銅、チタン、白金、タンタル、クロム、又は酸化シリコンからなる膜を備える、請求項1から3のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。
- 前記音響反射層は空隙であり、
前記上部電極が前記共振領域から引き出される領域における前記下部電極の端は、前記空隙と前記下部圧電膜との間に位置する、請求項1から4のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。 - 請求項1から5のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器を含むフィルタ。
- 請求項6記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
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WO2023238473A1 (ja) * | 2022-06-10 | 2023-12-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びフィルタ装置 |
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