JP2014007257A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 34
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 31
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000011900 installation process Methods 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 172
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】加工方法は改質層形成工程と研削工程とテープ拡張工程と第2環状フレーム装着工程とエキスパンドテープ切断工程とを具備している。改質層形成工程ではウエーハWの裏面WRからレーザビームを照射して改質層Kを形成する。研削工程では研削動作により改質層Kを起点としてウエーハWを分割する。テープ拡張工程ではウエーハWが貼着されたエキスパンドテープT1を押圧して拡張し隣接するチップDT間に間隙Gを形成する。第2環状フレーム装着工程では拡張されたエキスパンドテープT1に粘着テープT2を貼着しエキスパンドテープT1の拡張を維持する。エキスパンドテープ切断工程ではエキスパンドテープT1の第1環状フレームF1の開口縁よりも内側を環状に切断する。
【選択図】図9
Description
図1は、実施形態に係るウエーハの加工方法のエキスパンドテープ貼着工程の概要を示す斜視図である。図2は、実施形態に係るウエーハの加工方法の改質層形成工程の概要を示す側断面図である。図3は、実施形態に係るウエーハの加工方法の研削工程の概要を示す側断面図である。図4は、実施形態に係るウエーハの加工方法の粘着層硬化工程の概要を示す側断面図である。図5(a)は、実施形態に係るウエーハの加工方法のウエーハ反転工程のウエーハ反転装置がウエーハを吸引保持した状態を示す側断面図である。図5(b)は、実施形態に係るウエーハの加工方法のウエーハ反転工程のウエーハ反転装置が吸引保持したウエーハを反転した状態を示す側断面図である。図6は、実施形態に係るウエーハの加工方法の拡張準備工程の概要を示す側断面図である。図7は、実施形態に係るウエーハの加工方法のテープ拡張工程の概要を示す側断面図である。図8は、実施形態に係るウエーハの加工方法の第2環状フレーム準備工程の概要を示す側断面図である。図9は、実施形態に係るウエーハの加工方法の第2環状フレーム装着工程の概要を示す側断面図である。図10は、実施形態に係るウエーハの加工方法のエキスパンドテープ切断工程の概要を示す側断面図である。図11は、実施形態に係るウエーハの加工方法によりチップ間に間隙が形成されたウエーハ等の側断面図である。
11 チャックテーブル(第2保持手段)
12 研削手段
14 ウエーハ反転装置
15 拡張装置
25 フレーム保持手段(第3保持手段)
26 円筒状部材
D デバイス
DT チップ
F1 第1環状フレーム
F2 第2環状フレーム
G 間隙
K 改質層
L レーザビーム
S 分割予定ライン
T1 エキスパンドテープ
Ta 粘着層
T2 粘着テープ
V 紫外線
W ウエーハ
WS 表面
WR 裏面
Claims (3)
- 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスを有するウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
第1環状フレームの開口部中央にウエーハを位置付け、延性を有するエキスパンドテープを該第1環状フレームの開口部を塞ぐように該第1環状フレーム及びウエーハの表面に貼着するエキスパンドテープ貼着工程と、
該エキスパンドテープ貼着工程を実施した後、該エキスパンドテープ側を第1保持手段で保持してウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射して、該分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程を実施した後、該エキスパンドテープ側を第2保持手段で保持してウエーハの裏面から研削手段により研削し仕上げ厚さへと薄化するとともに研削動作により該改質層を起点としてウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する研削工程と、
該研削工程を実施した後に、該第1環状フレームの内径より小さく該ウエーハの外径より大きい外径を有する円筒状部材と該第1環状フレームを保持する第3保持手段とを備えた拡張装置に、該円筒状部材を該第1環状フレームの開口縁とウエーハの外周縁の間のエキスパンドテープの粘着層に当接させるとともにウエーハを該円筒状部材の円筒内に位置付ける拡張準備工程と、
該円筒状部材と該第3保持手段とを該エキスパンドテープに直交する方向に相対移動させて該ウエーハが貼着された該エキスパンドテープを粘着層側から押圧して拡張し、該ウエーハを該改質層が形成された該分割予定ラインに沿って隣接するチップ間に間隙を形成するテープ拡張工程と、
第2環状フレームの開口部にテンションを張った状態で粘着テープを貼着した第2環状フレームを準備する第2環状フレーム準備工程と、
該テープ拡張工程によって拡張された該円筒状部材上のエキスパンドテープの粘着層と反対の面に該第2環状フレームの開口部の粘着テープを貼着しエキスパンドテープの拡張を維持する第2環状フレーム装着工程と、
該第2環状フレーム装着工程を実施した後に、該テープ拡張工程で拡張された状態のエキスパンドテープの該円筒状部材よりも外側で該第1環状フレームの開口縁よりも内側を環状に切断するエキスパンドテープ切断工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該研削工程を実施した後で該拡張準備工程を実施する前に、ウエーハおよび該第1環状フレームを吸引保持して反転するウエーハ反転装置を用いてウエーハの裏面全面を吸引保持するとともに該第1環状フレームを吸引保持し、保持したウエーハおよび該第1環状フレームの表裏を反転してウエーハの表面に貼着されたエキスパンドテープを上側にするウエーハ反転工程を実施すること、を特徴とする請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該エキスパンドテープの粘着層は紫外線により硬化する紫外線硬化型テープであり、
該研削工程の後で該拡張準備工程の前に、ウエーハ裏面側から紫外線を照射し、該第1環状フレームの開口縁とウエーハの外周縁の間のエキスパンドテープの粘着層を硬化させる粘着層硬化工程と、を含むことを特徴とする請求項1又は2記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012141421A JP5961047B2 (ja) | 2012-06-22 | 2012-06-22 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012141421A JP5961047B2 (ja) | 2012-06-22 | 2012-06-22 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014007257A true JP2014007257A (ja) | 2014-01-16 |
JP5961047B2 JP5961047B2 (ja) | 2016-08-02 |
Family
ID=50104741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012141421A Active JP5961047B2 (ja) | 2012-06-22 | 2012-06-22 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5961047B2 (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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