JP2014204089A - ウェーハ搬送機構及びウェーハの加工方法 - Google Patents

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大輔 西田
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晃一 大日野
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Hideki Koshimizu
秀輝 小清水
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Abstract

【課題】DBG後の微細チップであっても良好に吸引しながら保護テープに紫外線照射すること。
【解決手段】複数の分割予定ラインにより区画されて複数のデバイス24が形成されたデバイス領域23と該デバイス領域23を囲繞する外周余剰領域22とが表面21に形成されたウェーハWを搬送するウェーハ搬送機構1であって、少なくともウェーハWの外形と同等形状を有しウェーハWの裏面26に当接して吸引保持する搬送パッド10と、該搬送パッド10を移動させるアーム5とを有し、該搬送パッド10は、ウェーハWの該外周余剰領域22を吸引保持するリング状の吸引保持部12と、該吸引保持部12に囲繞されウェーハWの該デバイス領域23に当接するデバイス領域当接部13とを備えている。
【選択図】図9

Description

本発明は、DBG後のBGテープに貼着されたウェーハをエキスパンドテープに貼着するための転写装置で使用されるウェーハ搬送機構に関する。
半導体チップを薄く形成するための技術として、半導体ウェーハの表面に形成された複数の半導体回路を区画するストリートに裏面まで貫通しない比較的浅い切削溝を形成した後、その半導体ウェーハの裏面を研削砥石により研削することにより裏面側から切削溝を表出させて個々の半導体チップに分割する先ダイシングと呼ばれる技術が本出願人等によって開発されている。この先ダイシング技術によれば、チップサイズが200μm以下で厚みが50μm以下となるように加工することも可能となるため、携帯電話機等の各種機器の小型化、薄型化の要求に応えることができる(特許文献1)。
先ダイシング後のウェーハは転写装置によりエキスパンドテープに転写されて(特許文献2)、ピックアップ工程でピックアップされて実装される。研削装置と転写装置は連結されており、DBG(Dicing Before Grinding)後のBGテープが貼着されチップに分割済みのウェーハを全面吸着可能な搬送パッドにより研削手段のチャックテーブル上面から転写装置側へ搬送される。転写装置内においては、転写時間短縮のために搬送パッドでウェーハ研削面を全面吸着した状態のBGテープ面側から搬送途中に配設された紫外線照射装置によりBGテープの粘着層を紫外線硬化させて粘着力を低下している。
特開2003−17442号公報 特開2000−68293号公報
しかしDBG後のチップサイズが近年微細化しており、搬送パッドで吸引した状態で粘着テープの粘着層を硬化させてしまうと、ウェーハ当接面がポーラス部材で形成された搬送パッドのポーラスの微細な凹部に小チップがならってしまい、チップ同士が動いた状態で硬化してしまう。その状態でエキスパンドテープに転写すると、動いたチップとテープとの間に気泡が入ってしまいピックアップ工程時にピックアップ不良や気泡箇所の粘着層の残存等の問題が生じるおそれがある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、DBG後の微細チップであっても良好に吸引しながらBGテープである保護テープに紫外線照射することができるウェーハ搬送機構を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るウェーハ搬送機構は、複数の分割予定ラインにより区画されて複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハを搬送するウェーハ搬送機構であって、少なくとも前記ウェーハの外形と同等形状を有し前記ウェーハの裏面に当接して吸引保持する搬送パッドと、該搬送パッドを移動させる移動手段とを有し、前記搬送パッドは、前記ウェーハの前記外周余剰領域を吸引保持するリング状の吸引保持部と、該吸引保持部に囲繞され前記ウェーハの前記デバイス領域に当接するデバイス領域当接部とを備えていることを特徴とする。
また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るウェーハの加工方法は、複数の分割予定ラインにより区画されて複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するためのウェーハの加工方法であって、前記ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に前記ウェーハの表面側に紫外線硬化タイプの保護テープを貼着し、該保護テープ側を保持手段に保持し前記ウェーハの裏面を研削して裏面に前記分割溝を表出させ該分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、該分割工程を実施した後に、上記ウェーハ搬送機構を用いて、前記ウェーハの前記デバイス領域に対応する該裏面を該ウェーハ搬送機構の前記デバイス領域当接部で当接すると共に前記ウェーハの該外周余剰領域を前記吸引保持部で吸引保持して、紫外線照射手段まで搬送し該裏面側を吸引保持した状態で露呈している前記保護テープに紫外線を照射する紫外線照射工程と、を備えていることを特徴とする。
本発明に係るウェーハ搬送機構及びウェーハの加工方法は、ウェーハの外周余剰領域に対応したリング形状のポーラス部材等で吸引保持部を形成し、デバイス領域は直接吸引保持しないようにしたので、DBG後の微細チップであってもチップの動きを生じるおそれがなく、BGテープに紫外線照射することが可能である。
図1は、実施形態に係るウェーハ搬送機構を示す説明図である。 図2は、図1のA矢視図であり、搬送パッドとウェーハの説明図である。 図3は、図2に示す搬送パッドの保持面の平面図である。 図4は、図1のB−B断面図である。 図5は、ウェーハを分割する際における工程のフロー図である。 図6は、切削装置でウェーハに分割溝を形成する状態を示す説明図である。 図7は、テープ貼着装置でウェーハに保護テープを貼着する状態を示す説明図である。 図8は、研削装置でウェーハを研削することによりウェーハを分割する状態を示す説明図である。 図9は、紫外線照射器で保護テープに紫外線照射をする状態を示す説明図である。 図10は、転写装置でウェーハにエキスパンドテープを貼着する状態を示す説明図である。 図11は、転写装置で保護テープを剥離する状態を示す説明図である。 図12は、転写装置でデバイス同士を離間させる状態を示す説明図である。
以下に、本発明に係るウェーハ搬送機構及びウェーハの加工方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が置換可能かつ容易なもの、或いは実質的に同一のものが含まれる。
〔実施形態〕
図1は、実施形態に係るウェーハ搬送機構を示す説明図である。図2は、図1のA矢視図であり、搬送パッドとウェーハの説明図である。同図に示すウェーハ搬送機構1は、略円形の薄い板状の半導体材料であるウェーハWを加工する加工装置に備えられ、ウェーハWを吸引保持して搬送することが可能になっている。このウェーハ搬送機構1は、切削装置30(図6参照)と研削装置40(図8参照)とにより、複数の分割予定ラインに沿って分割され、一方の面に保護テープT1が貼着されたウェーハWにおける、保護テープT1が貼着されていない側の面からウェーハWを吸引保持することが可能になっている。本実施形態では、保護テープT1が貼着されている側の面を、便宜上、ウェーハWの表面21として説明し、反対側の面を裏面26(図4参照)として説明する。
ウェーハ搬送機構1は、ウェーハWを保持して搬送するための搬送パッド10と、搬送パッド10を支持して搬送パッド10を所定の位置に移動させる移動手段であるアーム5と、を備えている。このうち、アーム5は、当該アーム5を鉛直方向に移動させ、さらに、鉛直方向の回転軸を中心としてアーム5を回転させる駆動装置15に連結されている。
一方、搬送パッド10は、所定の厚さを有する円板状、或いは、高さ低い円柱状の形状で形成されており、軸心方向が鉛直方向になる向きで配設され、上面側がアーム5に連結されている。この搬送パッド10は、下面が、ウェーハWを保持することが可能な保持面11になっている。搬送パッド10は、円板状に形成されているため、この保持面11は略円形の形状になっており、少なくとも略円形の薄い板状のウェーハWの外形と同等形状になっている。
保持面11で保持するウェーハWについて説明すると、薄い円板状のウェーハWは、切削装置30により、分割予定ラインに沿って表面21に形成された切削溝である分割溝25は、搬送パッド10で保持する際には、研削装置40で裏面26側が研削されることにより、裏面に表出した状態になっている。このように、ウェーハWの両面にかけて形成される分割溝25は、ウェーハWの外周端から径方向の内方に向かった所定の幅の領域には形成されておらず、分割溝25が形成されてない領域は、外周余剰領域22になっている。つまり、外周余剰領域22は、リング状の形状で形成される領域になっている。
これに対し、ウェーハWにおいて、当該ウェーハWの径方向における外周余剰領域22の内側部分はデバイス領域23になっており、分割溝25は、このデバイス領域23に形成されている。デバイス領域23は、ウェーハWの両面にかけて形成される複数の分割溝25によって複数に区画されることにより、複数のデバイス24が形成されている。外周余剰領域22は、これらのように形成されるデバイス領域23の径方向における外方側に位置し、デバイス領域23を囲繞している。
保護テープT1は、このように外周余剰領域22とデバイス領域23とを有するウェーハWの表面21の貼着されている。この保護テープT1は、紫外線を照射することにより、粘着層が硬化して粘着力が低下する紫外線硬化タイプの保護テープT1になっている。保護テープT1は、ウェーハWとほぼ同じ大きさの円形の形状で形成されており、ウェーハWの表面21の全面に貼着されている。
ウェーハWを搬送する搬送パッド10は、保持面11に、ウェーハWの外周余剰領域22に対応する部分である吸引保持部12と、デバイス領域23に対応する部分であるデバイス領域当接部13とを備えている。このうち、吸引保持部12は、ウェーハWの外周余剰領域22の径とほぼ同じ径で、径方向における幅がほぼ同じ幅になるリング状に形成され、外周余剰領域22を吸引保持することが可能になっている。一方、デバイス領域当接部13は、吸引保持部12に囲繞された平面になっており、吸引保持部12での外周余剰領域22の吸引保持時に、ウェーハWのデバイス領域23に当接することが可能になっている。
これらの吸引保持部12とデバイス領域当接部13とは、保持面11上では、同一平面となって形成されている。また、吸引保持部12は、製造時の誤差や吸引時の位置誤差を考慮し、外径は外周余剰領域22の外径よりも大きく、内径は外周余剰領域22の内径よりも小さく形成されるのが好ましい。また、保持面11の吸引保持部12は、分割後のチップの動きを抑えつつ、ウェーハWを吸引保持することができる大きさに設定するのが好ましい。図3は、図2に示す搬送パッドの保持面の平面図である。例えば、一実施例として、φ8インチで厚みが50μmのウェーハWを搬送する搬送パッド10では、吸引保持部12の外径ODが186〜196mmで、保持面11の径方向における吸引保持部12の幅Sを5mmにすることにより、良好な吸引保持を可能にしつつ、吸引時のチップの動きを無くすことができる。このため、φ8インチで厚みが50μmのウェーハWを搬送する搬送パッド10では、吸引保持部12は、外径ODと幅Sを、この範囲内にするのが好ましい。これらのように吸引保持部12は、ウェーハWの径や厚み、反りの状態に応じて、適宜外径ODや幅Sを変更させるのが好ましい。
図4は、図1のB−B断面図である。保持面11は、搬送パッド10でのウェーハWの搬送時には、ウェーハWにおける保護テープT1が貼着されている表面21の反対側の面、即ち、ウェーハWの裏面26に当接することが可能になっている。この保持面11の一部を構成する吸引保持部12は、多数の孔が形成された多孔質の部材になっており、いわゆるポーラス状の部材によって形成されている。吸引保持部12は、このポーラス状の部材がリング状に形成されて下面以外が搬送パッド10に内設されると共に、下面がデバイス領域当接部13と同一平面になっている。これにより、吸引保持部12は、デバイス領域当接部13と共に搬送パッド10の保持面11を形成している。
また、搬送パッド10内には、負圧の伝達経路である吸引経路14が形成されており、吸引保持部12における搬送パッド10に内設されている部分は、この吸引経路14に接続されている。詳しくは、吸引経路14は、搬送パッド10内からアーム5内にかけて形成される孔状の経路になっており、ウェーハ搬送機構1の外部に設けられて吸引経路14内の空気を吸引する吸引装置16に接続されている。
吸引保持部12は、搬送パッド10内で、この吸引経路14に接続されており、また、吸引保持部12はポーラス状の部材で形成されているため、吸引装置16で発生する吸引力は、吸引保持部12にも伝達可能になっている。このため、吸引経路14内と、吸引保持部12における表出部分である、保持面11を形成する部分とは、吸引装置16の作動時は、大気圧に対して負圧になるようになっている。
この実施形態に係るウェーハ搬送機構1は、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。上述したウェーハ搬送機構1は、ウェーハWに複数の分割予定ラインに沿って分割溝25を形成することによってウェーハWをハーフカットした後、裏面26を研削することによりチップ分割し、複数のデバイス24に分割する技術である、DBG(Dicing Before Grinding)に用いられる。つまり、ウェーハ搬送機構1は、表面21側に分割予定ラインに沿って分割溝25を形成することによりデバイス領域23と外周余剰領域22とが形成されたウェーハWの裏面26を研削することによって、複数のデバイス24に分割するウェーハWの加工方法で用いられる。
図5は、ウェーハを分割する際における工程のフロー図である。図6は、切削装置でウェーハに分割溝を形成する状態を示す説明図である。ウェーハWを分割する際には、まず、切削工程(ステップST11)で、切削装置30を用いて、ウェーハWに所定の深さの分割溝25を形成する。切削装置30は、略リング形状を有する極薄の切削砥石からなる切削ブレード31を有しており、ウェーハWを、裏面26が下面になり、表面21が上面になる向きでチャックテーブル32上に載置して保持し、切削ブレード31によって上方から分割溝25を形成する。切削ブレード31は、回転軸が略水平方向になる向きで回転するように設置されており、ウェーハWの上方で切削ブレード31を回転させながらウェーハWに接触させることにより、表面21に分割溝25を形成する。
この分割溝25は、切削ブレード31を回転させながら切削ブレード31とチャックテーブル32との相対的な位置を適宜変化させることにより、ウェーハWを分割する際における複数の分割予定ラインに沿って形成する。具体的には、ウェーハWの外周端付近には分割溝25は形成せず、外周端から所定の大きさで内側に離れた位置よりも内側にのみ、分割溝25を形成する。即ち、切削装置30は、外周余剰領域22には分割溝25を形成せず、デバイス領域23にのみ、分割溝25を形成する。その際に、分割溝25は、ウェーハWの表面21側から当該ウェーハWの厚さ未満の深さで形成する。
次に、保護テープ貼着工程(ステップST12)で、ウェーハWに保護テープT1を貼着する。図7は、テープ貼着装置でウェーハに保護テープを貼着する状態を示す説明図である。保護テープT1は、テープ貼着装置35を用いてウェーハWに貼着する。テープ貼着装置35は、裏面26が下面になり、表面21が上面になる向きで裏面26側からチャックテーブル36で保持し、まず、紫外線硬化タイプの保護テープT1を、分割溝25を形成したウェーハWの表面21の全面に貼着する。その後、保護テープT1を、ウェーハWの外周端に沿ってカットする。これにより、テープ貼着装置35は、保護テープT1を、ウェーハWの形状に沿った大きさ及び形状で、ウェーハWの表面21に貼着する。
次に、分割工程(ステップST13)で、ウェーハWを分割する。図8は、研削装置でウェーハを研削することによりウェーハを分割する状態を示す説明図である。ウェーハWの分割は、表面21側から分割溝25が形成されたウェーハWの裏面26を研削装置40で研削することにより行う。研削装置40は、ウェーハWを保持する保持手段であるチャックテーブル41の上方に、鉛直方向の回転軸を中心として回転する研削ホイール45と、研削ホイール45の下面に円環状に固着される研削砥石46を有している。研削装置40は、保護テープT1側が下面になる向きでウェーハWをチャックテーブル41上に載置し、チャックテーブル41によってウェーハWの保護テープT1側を保持した状態で、ウェーハWの上方から、回転する研削ホイール45をウェーハWに近付ける。その際に、チャックテーブル41も、研削ホイール45の回転方向の反対方向に回転させ、チャックテーブル41と研削ホイール45とを相対的に反対方向に回転させる。
これにより研削装置40は、ウェーハWに対して研削砥石46が相対回転する状態で研削砥石46をウェーハWの裏面26に接触させて裏面26を研削し、ウェーハWは、裏面26が研削されることにより、表面21側から形成された分割溝25が、裏面26に表出する。従って、ウェーハWにおいてデバイス領域23に位置する部分は、分割溝25によって分断され、分割予定ラインに沿って個々のデバイス24に分割される。
ウェーハWは、このように裏面26を研削することにより、個々のデバイス24に分割されるが、ウェーハWの表面21には、保護テープT1が貼着されている。即ち、各デバイス24は、全て1つの保護テープT1が貼着された状態になっている。このため、ウェーハWは、個々のデバイス24に分割した後でも、デバイス24は分離せずに、保護テープT1によって一体になった状態で保持される。
次に、紫外線照射工程(ステップST14)で、ウェーハWに貼着された保護テープT1に対して紫外線を照射する。図9は、紫外線照射器で保護テープに紫外線照射をする状態を示す説明図である。研削装置40で研削することにより、分割を行ったウェーハWは、ウェーハ搬送機構1によって保持し、紫外線照射器50上に搬送する。詳しくは、駆動装置15を作動させて、アーム5を移動させたり回動させたりすることにより、ウェーハ搬送機構1の搬送パッド10を、分割工程を実施した後のウェーハWの上方に位置させて、保持面11をウェーハWの裏面26に当接させる。その際に、保持面11の吸引保持部12がウェーハWの外周余剰領域22に接触し、デバイス領域当接部13がデバイス領域23に接触するように当接させる。
この状態で、吸引経路14に接続される吸引装置16を作動させ、吸引装置16で吸引経路14内の空気を吸引することにより、吸引保持部12で吸引力を発生させ、吸引保持部12とウェーハWとの間を負圧にする。これにより、ウェーハWの外周余剰領域22は、吸引保持部12に吸引保持される。
一方、搬送パッド10のデバイス領域当接部13は、吸引力を発生しないため、デバイス24が個々に分割されたデバイス領域23は、デバイス領域当接部13に吸引はされないが、デバイス領域23内の個々のデバイス24は、保護テープT1を介して外周余剰領域22に連結されている。これにより、ウェーハWは、全体が搬送パッド10の保持面11に吸引保持される。
さらに、搬送パッド10でウェーハWを吸引保持している状態では、デバイス領域23内における分割溝25やウェーハWと保持面11との間の空間は、外部に対して密閉された状態になっている。このため、吸引保持部12で吸引力を発生させた場合には、この部分の空気も吸引することになるため、デバイス領域23内の個々のデバイス24は、デバイス領域23内の空間の気圧とウェーハWの周囲の気圧との気圧差により、保護テープT1の下方から押し上げられる。これにより、個々のデバイス24は、保持面11のデバイス領域当接部13に密着した状態になるが、デバイス領域当接部13は、平面で形成されているため、デバイス24は並びが乱れることなく、平面状に並んだ状態が維持されたまま、デバイス領域当接部13に密着する。これらにより、ウェーハWは、分割された個々のデバイス24の並び方が平面状に維持されたまま、全体が搬送パッド10の保持面11に吸引保持される。
ウェーハ搬送機構1は、このように搬送パッド10でウェーハWを吸引保持した状態で、駆動装置15によってアーム5を作動させて搬送パッド10を移動させることにより、ウェーハWを紫外線照射器50上に搬送する。これにより、紫外線照射器50に対して保護テープT1を対向させる。この紫外線照射器50は、紫外線蛍光ランプや紫外線発光ダイオード等の紫外線を照射する紫外線光源51を備えており、上方に紫外線を照射することが可能になっている。
紫外線照射器50は、搬送パッド10でウェーハWの裏面26側を吸引保持した状態で、紫外線光源51を発光させることにより、紫外線照射器50に対して露呈している保護テープT1に対して、紫外線を照射する。これにより保護テープT1は、粘着層が硬化し、ウェーハWに対する粘着力が低下する。
次に、エキスパンドテープ貼着工程(ステップST15)で、ウェーハWにエキスパンドテープT2を貼着する。図10は、転写装置でウェーハにエキスパンドテープを貼着する状態を示す説明図である。エキスパンドテープT2は、内径がウェーハWの外径よりも大きい孔を有する環状フレームFに貼着される。この状態で、ウェーハWの裏面26を、環状フレームFの孔の部分からエキスパンドテープT2に貼着する。これにより、エキスパンドテープT2は、ウェーハWにおける保護テープT1が貼着されている面の反対側の面である裏面26の全面に貼着される。
次に、保護テープ剥離工程(ステップST16)で、ウェーハWから保護テープT1を剥離する。図11は、転写装置で保護テープを剥離する状態を示す説明図である。保護テープT1を剥離する際には、環状フレームFをフレーム保持手段61で挟持した状態で、円筒状部材62を、エキスパンドテープT2におけるウェーハWに貼着されている面の反対側の面から当接させ、円筒状部材62でエキスパンドテープT2を押圧する。エキスパンドテープT2は延性を有する材料により形成されているため、この押圧により延び、ウェーハWには、デバイス24同士が離間する方向の力が付与される。これにより、デバイス24と保護テープT1との間にも、この離間方向の力が発生するため、保護テープT1は、デバイス24から剥離し易くなる。粘着力が低下した保護テープT1は、このように剥離し易い状態でウェーハWから剥離され、個々のデバイス24は、エキスパンドテープT2に転写される。
次に、エキスパンド工程(ステップST17)で、デバイス24同士を離間させる。図12は、転写装置でデバイス同士を離間させる状態を示す説明図である。ウェーハWから保護テープT1を剥離したら、円筒状部材62でエキスパンドテープT2に対してさらに押圧し、エキスパンドテープT2をさらに延ばす。これにより、隣り合うデバイス24同士をさらに離間させ、後工程であるピックアップ工程で各デバイス24をピックアップし、実装を行う。
以上の実施形態に係るウェーハ搬送機構1は、ウェーハWの裏面26に当接して吸引保持する搬送パッド10に、ウェーハWの外周余剰領域22を吸引保持する吸引保持部12と、ウェーハWのデバイス領域23に当接するデバイス領域当接部13とを備えるため、ウェーハWの保持時は、主に外周余剰領域22を吸引することができる。即ち、ウェーハ搬送機構1の搬送パッド10は、ウェーハWの外周余剰領域22に対応したリング形状のポーラス部材で吸引保持部12を形成し、ウェーハWの保持時にはウェーハWのデバイス領域23は直接吸引保持しないようになっている。この結果、DBG後のデバイス24が微細チップであっても、チップの動きを生じるおそれがなく、ウェーハWを良好に吸引しながら、保護テープT1に紫外線照射することができる。
また、以上の実施形態に係るウェーハWの加工方法は、分割溝25を形成したウェーハWの表面21に保護テープT1を貼着し、裏面26を研削して個々のデバイス24に分割する分割工程(ステップST13)を実施した後、紫外線照射工程(ステップST14)で、裏面26のデバイス領域23に搬送パッド10のデバイス領域当接部13を当接させると共に外周余剰領域22を吸引保持部12で吸引保持して紫外線照射器50まで搬送し、保護テープT1に紫外線を照射することにより、DBG後のデバイス24が微細チップであっても、チップの動きを抑えることができる。この結果、ウェーハWを良好に吸引しながら、保護テープT1に紫外線照射することができる。
〔変形例〕
なお、上述したウェーハ搬送機構1は、裏面26の研削が完了した後のウェーハWを吸引保持してウェーハWを紫外線照射器50上に搬送しているが、ウェーハ搬送機構1は、これ以外の工程でウェーハWの搬送を行ってもよい。ウェーハ搬送機構1は、例えば、裏面26の研削が完了した後のウェーハWを吸引保持し、ウェーハWの洗浄を行う洗浄手段(図示省略)まで搬送してもよい。また、このように、紫外線照射器50上への搬送以外の搬送をウェーハ搬送機構1で行う場合は、ウェーハ搬送機構1は1つでもよく、または、作業工程に応じて複数設置してもよい。ウェーハ搬送機構1は、ウェーハWの裏面26に当接して吸引保持する搬送パッド10に、吸引保持部12とデバイス領域当接部13とを備え、ウェーハWのデバイス領域23をデバイス領域当接部13に当接させつつ、外周余剰領域22を吸引保持部12で吸引保持しながら搬送することができるように構成されていれば、用途や数は問わない。
また、上述したウェーハ搬送機構1では、搬送パッド10の吸引保持部12は、ポーラス状の部材により形成されているが、吸引保持部12は、これ以外の形態で形成されていてもよい。吸引保持部12は、裏面26を研削することにより分割溝25が裏面26に表出したウェーハWの裏面26の外周余剰領域22を吸引することにより、ウェーハW全体を搬送パッド10で保持することができる構成であれば、その形態は問わない。
また、上述したウェーハ搬送機構1は、ウェーハWに分割溝25を形成する切削装置30と、保護テープT1を貼着するテープ貼着装置35と、分割溝25の形成後のウェーハWの裏面26を研削する研削装置40と、紫外線照射器50と、転写装置60とがそれぞれ分離した加工装置に備えられているが、ウェーハ搬送機構1が備えられるウェーハWの加工装置は、これら以外のものでもよい。ウェーハ搬送機構1は、加工装置の装置構成に関わらず、ウェーハWのデバイス領域23をデバイス領域当接部13に当接させつつ、外周余剰領域22を吸引保持部12で吸引保持しながら搬送する搬送パッドを備えていれば、装置構成は問わない。
1 ウェーハ搬送機構
5 アーム
10 搬送パッド
11 保持面
12 吸引保持部
13 デバイス領域当接部
14 吸引経路
15 駆動装置
16 吸引装置
21 表面
22 外周余剰領域
23 デバイス領域
24 デバイス
25 分割溝
26 裏面
30 切削装置
32、36、41 チャックテーブル
35 テープ貼着装置
40 研削装置
50 紫外線照射器
51 紫外線光源
60 転写装置
F 環状フレーム
T1 保護テープ
T2 エキスパンドテープ
W ウェーハ

Claims (2)

  1. 複数の分割予定ラインにより区画されて複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハを搬送するウェーハ搬送機構であって、
    少なくとも前記ウェーハの外形と同等形状を有し前記ウェーハの裏面に当接して吸引保持する搬送パッドと、該搬送パッドを移動させる移動手段とを有し、
    前記搬送パッドは、前記ウェーハの前記外周余剰領域を吸引保持するリング状の吸引保持部と、該吸引保持部に囲繞され前記ウェーハの前記デバイス領域に当接するデバイス領域当接部とを備えていることを特徴とするウェーハ搬送機構。
  2. 複数の分割予定ラインにより区画されて複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するためのウェーハの加工方法であって、
    前記ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に前記ウェーハの表面側に紫外線硬化タイプの保護テープを貼着し、該保護テープ側を保持手段に保持し前記ウェーハの裏面を研削して裏面に前記分割溝を表出させ該分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、
    該分割工程を実施した後に、請求項1記載のウェーハ搬送機構を用いて、前記ウェーハの前記デバイス領域に対応する該裏面を該ウェーハ搬送機構の前記デバイス領域当接部で当接すると共に前記ウェーハの該外周余剰領域を前記吸引保持部で吸引保持して、紫外線照射手段まで搬送し該裏面側を吸引保持した状態で露呈している前記保護テープに紫外線を照射する紫外線照射工程と、
    を備えていることを特徴とするウェーハの加工方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016201533A (ja) * 2015-04-07 2016-12-01 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2017005099A (ja) * 2015-06-10 2017-01-05 株式会社ディスコ ウエーハの保持方法
JP2017022162A (ja) * 2015-07-07 2017-01-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20180037576A (ko) 2016-10-04 2018-04-12 가부시기가이샤 디스코 반송 패드 및 웨이퍼의 반송 방법
KR20180128345A (ko) * 2017-05-23 2018-12-03 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법
CN110660700A (zh) * 2018-06-28 2020-01-07 平田机工株式会社 对准装置、半导体晶圆处理装置及对准方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6387831U (ja) * 1986-11-26 1988-06-08
JPH05160102A (ja) * 1991-12-06 1993-06-25 Fujitsu Ltd スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2000068293A (ja) * 1998-08-18 2000-03-03 Lintec Corp ウェハ転写装置
JP2003133390A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ搬送装置
JP2007258206A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの保持パッド
JP2010103286A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Lintec Corp 支持装置
JP2011023433A (ja) * 2009-07-14 2011-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ搬送装置
JP2012124468A (ja) * 2010-11-16 2012-06-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザダイシング装置及び方法、割断装置及び方法、並びに、ウェーハ処理方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6387831U (ja) * 1986-11-26 1988-06-08
JPH05160102A (ja) * 1991-12-06 1993-06-25 Fujitsu Ltd スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2000068293A (ja) * 1998-08-18 2000-03-03 Lintec Corp ウェハ転写装置
JP2003133390A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ搬送装置
JP2007258206A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの保持パッド
JP2010103286A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Lintec Corp 支持装置
JP2011023433A (ja) * 2009-07-14 2011-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ搬送装置
JP2012124468A (ja) * 2010-11-16 2012-06-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザダイシング装置及び方法、割断装置及び方法、並びに、ウェーハ処理方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016201533A (ja) * 2015-04-07 2016-12-01 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2017005099A (ja) * 2015-06-10 2017-01-05 株式会社ディスコ ウエーハの保持方法
JP2017022162A (ja) * 2015-07-07 2017-01-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20180037576A (ko) 2016-10-04 2018-04-12 가부시기가이샤 디스코 반송 패드 및 웨이퍼의 반송 방법
KR20180128345A (ko) * 2017-05-23 2018-12-03 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법
CN108933095A (zh) * 2017-05-23 2018-12-04 株式会社迪思科 被加工物的加工方法
JP2018198242A (ja) * 2017-05-23 2018-12-13 株式会社ディスコ 加工方法
TWI752215B (zh) * 2017-05-23 2022-01-11 日商迪思科股份有限公司 被加工物的加工方法
KR102437493B1 (ko) * 2017-05-23 2022-08-26 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법
CN108933095B (zh) * 2017-05-23 2024-02-20 株式会社迪思科 被加工物的加工方法
CN110660700A (zh) * 2018-06-28 2020-01-07 平田机工株式会社 对准装置、半导体晶圆处理装置及对准方法

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