JP2013240095A - 高周波スイッチング回路 - Google Patents
高周波スイッチング回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013240095A JP2013240095A JP2013142817A JP2013142817A JP2013240095A JP 2013240095 A JP2013240095 A JP 2013240095A JP 2013142817 A JP2013142817 A JP 2013142817A JP 2013142817 A JP2013142817 A JP 2013142817A JP 2013240095 A JP2013240095 A JP 2013240095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency switching
- switching transistor
- channel
- path
- coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0018—Special modifications or use of the back gate voltage of a FET
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の高周波スイッチングトランジスタ710aと第2の高周波スイッチングトランジスタ710bとを備え、第1高周波スイッチングトランジスタ710aの第2チャネル端子716aはチャネル抵抗720を介して電位ノード730に接続され、第2の高周波スイッチングトランジスタ710bの第2のチャネル端子716bは電位ノード730に接続され、高周波スイッチング回路は電位ノード730を所定の電位に維持するか、フローティング状態に維持するか選択するように構成されている。
【選択図】図7
Description
Claims (9)
- 第1の高周波スイッチングトランジスタと第2の高周波スイッチングトランジスタとを備える高周波スイッチング回路であって、
上記第1の高周波スイッチングトランジスタは、第1のチャネル端子および第2のチャネル端子を備え、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して、高周波信号経路がのびており、
上記高周波信号経路は、上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介してのびており、
上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、第1のチャネル抵抗を介して、電位ノードに結合されており、
上記第2の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子に結合されており、
上記第2の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、上記電位ノードに結合されており、
上記高周波スイッチング回路は、選択的に、上記電位ノードを所定の電位まで引き寄せるか、または、上記電位ノードをフローティングした状態に維持するように構成されている、高周波スイッチング回路。 - 制御回路をさらに備え、上記制御回路は、上記制御回路が受信した制御信号に応じて、選択的に、少なくとも異なる2つの電位を、上記第1の高周波スイッチングトランジスタの基板、および、上記第2の高周波スイッチングトランジスタの基板に印加するように構成されている、請求項1に記載の高周波スイッチング回路。
- 上記高周波スイッチング回路は、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が、高インピーダンス状態にあるときに、上記電位ノードを上記所定の電位まで引き寄せて、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域および第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域を空乏化すると共に、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が、低インピーダンス状態にあるときに、上記電位ノードをフローティングした状態に維持して、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域および第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域を空乏化しないように構成されている、請求項1に記載の高周波スイッチング回路。
- 上記第1の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、上記高周波スイッチング回路の第1のスイッチ状態信号線に、第1のゲート抵抗を介して結合されており、
上記第2の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、上記高周波スイッチング回路の第1のスイッチ状態信号線に、第2のゲート抵抗を介して結合されており、
上記第1のスイッチ状態信号線は、スイッチ状態信号を受信して、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を、選択的に、低インピーダンス状態または高インピーダンス状態にするように構成されている、請求項1に記載の高周波スイッチング回路。 - 第3の高周波スイッチングトランジスタと、
第4の高周波スイッチングトランジスタと、
スイッチ状態制御回路とをさらに備え、
上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記電位ノードに結合されており、
上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、第2のチャネル抵抗を介して、上記電位ノードに結合されており、
上記第3の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、第3のゲート抵抗を介して、第2のスイッチ状態信号線に結合されており、
上記第4の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子に結合されており、
上記第4の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、基準電位ノードに結合されており、
上記第4の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、第4のゲート抵抗を介して、上記第2のスイッチ状態信号線に結合されており、
上記スイッチ状態制御回路は、少なくとも異なる2つの電位を、選択的に、上記第1のスイッチ状態信号線および上記第2のスイッチ状態信号線に印加して、選択的に、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が低インピーダンス状態にあるときに、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を、高インピーダンス状態にするか、または、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が高インピーダンス状態にあるときに、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を、低インピーダンス状態にするように構成されている、請求項4に記載の高周波スイッチング回路。 - 上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記高周波スイッチング回路の第1の高周波信号コネクタに結合されており、
上記第2の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、上記高周波スイッチング回路の第2の高周波信号コネクタに結合されている、請求項1に記載の高周波スイッチング回路。 - 上記高周波スイッチング回路は、第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が高インピーダンス状態にあるときに、少なくとも上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を低インピーダンス状態にすることによって、上記電位ノードと上記基準電位ノードとの間にDC経路を形成するように構成されている、請求項5に記載の高周波スイッチング回路。
- 上記基準電位ノードの電位は、上記電位ノードと上記基準電位ノードとの間に上記DC経路が形成される時に、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域が空乏化されるように、選択される、請求項7に記載の高周波スイッチング回路。
- 第1の高周波スイッチングトランジスタと、
第2の高周波スイッチングトランジスタと、
第3の高周波スイッチングトランジスタと、
第4の高周波スイッチングトランジスタと、
スイッチ状態制御回路とを備える、高周波スイッチング回路であって、
上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して、高周波直列信号経路がのびており、
上記第3の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して、高周波分流信号経路がのびており、
上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記高周波スイッチング回路の第1の高周波信号コネクタに結合されており、
上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、第1のチャネル抵抗を介して、電位ノードに結合されており、
上記第1の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、第1のゲート抵抗を介して、上記高周波スイッチング回路の第1のスイッチ状態信号線に結合されており、
上記第2の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子に結合されており、
上記第2の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、上記電位ノードに結合されており、
上記第2の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、第2のゲート抵抗を介して、上記第1のスイッチ状態信号線に結合されており、
上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記電位ノードに結合されており、
上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、第2のチャネル抵抗を介して、上記電位ノードに結合されており、
上記第3の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、第3のゲート抵抗を介して、第2のスイッチ状態信号線に結合されており、
上記第4の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子に結合されており、
上記第4の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、基準電位ノードに結合されており、
上記第4の高周波スイッチング端子のゲートは、第4のゲート抵抗を介して、上記第2のスイッチ状態信号線に結合されており、
上記スイッチ状態制御回路は、少なくとも異なる2つの電位を、選択的に、上記第1のスイッチ状態信号線および上記第2のスイッチ状態信号線に印加して、選択的に、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が低インピーダンス状態にあるときに、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を、高インピーダンス状態にするか、または、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が高インピーダンス状態にあるときに、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を、低インピーダンス状態にするように構成されており、
上記高周波スイッチング回路は、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が高インピーダンス状態にあるときに、少なくとも上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を低インピーダンス状態にすることによって、上記電位ノードと上記基準電位ノードとの間にDC経路を形成するように構成されており、
上記基準電位ノードの電位は、上記電位ノードと上記基準電位ノードとの間に上記DC経路が形成されるときに、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が空乏化されるように、選択される、高周波スイッチング回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/704,737 US9570974B2 (en) | 2010-02-12 | 2010-02-12 | High-frequency switching circuit |
US12/704,737 | 2010-02-12 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011029008A Division JP5315366B2 (ja) | 2010-02-12 | 2011-02-14 | 高周波スイッチング回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013240095A true JP2013240095A (ja) | 2013-11-28 |
JP5612734B2 JP5612734B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=44317418
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011029008A Active JP5315366B2 (ja) | 2010-02-12 | 2011-02-14 | 高周波スイッチング回路 |
JP2013142817A Active JP5612734B2 (ja) | 2010-02-12 | 2013-07-08 | 高周波スイッチング回路 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011029008A Active JP5315366B2 (ja) | 2010-02-12 | 2011-02-14 | 高周波スイッチング回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9570974B2 (ja) |
JP (2) | JP5315366B2 (ja) |
DE (1) | DE102011003880B4 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150139452A (ko) * | 2014-06-03 | 2015-12-11 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 무선 주파수 스위치에 대한 시스템 및 방법 |
WO2023223938A1 (ja) * | 2022-05-17 | 2023-11-23 | 株式会社村田製作所 | 増幅回路および通信装置 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8624678B2 (en) | 2010-12-05 | 2014-01-07 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Output stage of a power amplifier having a switched-bulk biasing and adaptive biasing |
US8604873B2 (en) | 2010-12-05 | 2013-12-10 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Ground partitioned power amplifier for stable operation |
US8766724B2 (en) | 2010-12-05 | 2014-07-01 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Apparatus and method for sensing and converting radio frequency to direct current |
US8629725B2 (en) | 2010-12-05 | 2014-01-14 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Power amplifier having a nonlinear output capacitance equalization |
US8710900B2 (en) * | 2012-03-22 | 2014-04-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Methods and apparatus for voltage selection for a MOSFET switch device |
US8843083B2 (en) | 2012-07-09 | 2014-09-23 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | CMOS switching circuitry of a transmitter module |
US8731490B2 (en) | 2012-07-27 | 2014-05-20 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Methods and circuits for detuning a filter and matching network at the output of a power amplifier |
US8975923B2 (en) * | 2012-08-20 | 2015-03-10 | Fairchild Semiconductor Corporation | Protective multiplexer |
US9214932B2 (en) * | 2013-02-11 | 2015-12-15 | Triquint Semiconductor, Inc. | Body-biased switching device |
US20150381160A1 (en) * | 2014-06-26 | 2015-12-31 | Infineon Technologies Ag | Robust multiplexer, and method for operating a robust multiplexer |
CN106027015B (zh) | 2015-03-24 | 2020-02-28 | 快捷半导体(苏州)有限公司 | 增强型保护性多路复用器 |
US9400546B1 (en) * | 2015-06-19 | 2016-07-26 | Cypress Semiconductor Corporation | Low-power implementation of Type-C connector subsystem |
US10541682B2 (en) * | 2016-11-10 | 2020-01-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Manifolded gate resistance network |
US11848697B2 (en) * | 2019-06-07 | 2023-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Communication device and electronic device |
US11018663B2 (en) * | 2019-09-20 | 2021-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Linear switch circuits and methods |
US11380970B2 (en) * | 2020-01-23 | 2022-07-05 | Psemi Corporation | Antenna port termination in absence of power supply |
US11700028B2 (en) * | 2020-02-26 | 2023-07-11 | Dsp Group Ltd. | Transmit receive radio frequency switch |
KR102656836B1 (ko) * | 2022-07-11 | 2024-04-16 | 성균관대학교산학협력단 | 고정 기생 커패시턴스를 갖는 스위칭 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223902A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチ回路装置 |
JP2002232278A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Nec Corp | 高周波スイッチ回路 |
JP2004320439A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ回路 |
JP2006304013A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スイッチ回路 |
JP2010028304A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Toshiba Corp | 高周波信号用スイッチ回路 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5471414A (en) * | 1993-03-17 | 1995-11-28 | Intel Corporation | Fast static CMOS adder |
US5883541A (en) | 1997-03-05 | 1999-03-16 | Nec Corporation | High frequency switching circuit |
JP3814385B2 (ja) | 1997-10-14 | 2006-08-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
US6249027B1 (en) * | 1998-06-08 | 2001-06-19 | Sun Microsystems, Inc. | Partially depleted SOI device having a dedicated single body bias means |
JP3239867B2 (ja) * | 1998-12-17 | 2001-12-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2001339045A (ja) | 2000-05-25 | 2001-12-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US6621325B2 (en) * | 2001-09-18 | 2003-09-16 | Xilinx, Inc. | Structures and methods for selectively applying a well bias to portions of a programmable device |
AU2003213833A1 (en) * | 2002-03-11 | 2003-09-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Drain activated/deactivated ac coupled bandpass rf switch |
US7120399B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-10-10 | Broadcom Corporation | High speed CMOS transmit-receive antenna switch |
JP2005006072A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ装置および半導体装置 |
FI20031922A0 (fi) * | 2003-12-30 | 2003-12-30 | Nokia Corp | Menetelmä, järjestelmä ja tietokoneohjelma resurssien kontrolloimiseksi langattomassa viestintäjärjestelmässä |
DE102005049247B4 (de) * | 2004-11-05 | 2018-06-07 | Infineon Technologies Ag | Hochfrequenzschalttransistor und Hochfrequenzschaltung |
US20060132218A1 (en) * | 2004-12-20 | 2006-06-22 | Tschanz James W | Body biasing methods and circuits |
JP2006196802A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006332416A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
US7890891B2 (en) * | 2005-07-11 | 2011-02-15 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
US7910993B2 (en) * | 2005-07-11 | 2011-03-22 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink |
US7890063B2 (en) * | 2006-10-03 | 2011-02-15 | Samsung Electro-Mechanics | Systems, methods, and apparatuses for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) antenna switches using body switching in multistacking structure |
US7848712B2 (en) * | 2007-05-03 | 2010-12-07 | Intel Corporation | CMOS RF switch for high-performance radio systems |
JP2009065304A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Panasonic Corp | 高周波スイッチ装置 |
TW200950366A (en) * | 2008-05-21 | 2009-12-01 | Ralink Technology Corp | RF transceiver of a T/R switch circuit with high power-handling capability |
-
2010
- 2010-02-12 US US12/704,737 patent/US9570974B2/en active Active
-
2011
- 2011-02-09 DE DE102011003880.9A patent/DE102011003880B4/de active Active
- 2011-02-14 JP JP2011029008A patent/JP5315366B2/ja active Active
-
2013
- 2013-06-14 US US13/918,319 patent/US9246483B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-08 JP JP2013142817A patent/JP5612734B2/ja active Active
-
2016
- 2016-04-22 US US15/136,350 patent/US20160241140A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223902A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチ回路装置 |
JP2002232278A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Nec Corp | 高周波スイッチ回路 |
JP2004320439A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ回路 |
JP2006304013A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スイッチ回路 |
JP2010028304A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Toshiba Corp | 高周波信号用スイッチ回路 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150139452A (ko) * | 2014-06-03 | 2015-12-11 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 무선 주파수 스위치에 대한 시스템 및 방법 |
KR101712269B1 (ko) | 2014-06-03 | 2017-03-03 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 무선 주파수 스위치에 대한 시스템 및 방법 |
US9680463B2 (en) | 2014-06-03 | 2017-06-13 | Infineon Technologies Ag | System and method for a radio frequency switch |
WO2023223938A1 (ja) * | 2022-05-17 | 2023-11-23 | 株式会社村田製作所 | 増幅回路および通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160241140A1 (en) | 2016-08-18 |
JP5612734B2 (ja) | 2014-10-22 |
US20130278323A1 (en) | 2013-10-24 |
DE102011003880A1 (de) | 2011-08-18 |
DE102011003880B4 (de) | 2016-12-29 |
US9570974B2 (en) | 2017-02-14 |
JP5315366B2 (ja) | 2013-10-16 |
JP2011193449A (ja) | 2011-09-29 |
US9246483B2 (en) | 2016-01-26 |
US20110199146A1 (en) | 2011-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5612734B2 (ja) | 高周波スイッチング回路 | |
CN108880520B (zh) | 用于射频开关的***和方法 | |
US8058922B2 (en) | Switch with improved biasing | |
US9143184B2 (en) | Radio frequency multi-port switches | |
US8400205B2 (en) | Apparatus and method for linearizing field effect transistors in the OHMIC region | |
US9209800B2 (en) | High freuency semiconductor switch and wireless device | |
US20060119451A1 (en) | Switching circuits | |
US20100225378A1 (en) | Radio frequency switching circuit and semiconductor device | |
JP5677930B2 (ja) | 半導体スイッチ及び無線機器 | |
US20160006409A1 (en) | Radio frequency switching system with improved linearity | |
US8818298B2 (en) | High frequency switch | |
JP2006025062A (ja) | 高周波スイッチ回路 | |
WO2019104015A1 (en) | High power silicon on insulator switch | |
JP2008011320A (ja) | 半導体スイッチ回路並びに通信機器 | |
JP5652946B2 (ja) | 高周波スイッチ | |
US10903821B1 (en) | Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) compatible RF switch and high voltage control circuit (HVCC) | |
US8829977B2 (en) | High frequency switch including diode-connected transistor connected to gate of transistor forming or blocking high frequency signal flow path | |
US8686882B2 (en) | High-frequency semiconductor switch and terminal device | |
CN110572143A (zh) | 具有高线性度的单刀双掷(spdt)开关和发送-接收电路 | |
KR101952855B1 (ko) | 아이솔레이션이 개선된 고주파 스위치 회로 | |
KR20140086487A (ko) | 고주파 스위치 회로 | |
JP2008017170A (ja) | 半導体スイッチ回路並びに通信機器 | |
KR20150067615A (ko) | 과전압 보호기능을 갖는 고주파 스위치 회로 | |
JP2013016975A (ja) | 半導体スイッチ及び無線機器 | |
JP2009278461A (ja) | スイッチ半導体集積回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140904 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5612734 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |