JP2012142498A

JP2012142498A - 配線パターン

Info

Publication number: JP2012142498A
Application number: JP2011000747A
Authority: JP
Inventors: Yasutaka Aihara; 育貴相原
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2011-01-05
Filing date: 2011-01-05
Publication date: 2012-07-26
Anticipated expiration: 2031-01-05
Also published as: JP5678668B2

Abstract

【課題】コンタクトホールを起点とした絶縁膜の剥がれの伸展を防ぐことができる配線パターンを得る。
【解決手段】半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、配線メタル２が設けられている。配線メタル２上に金メッキ４が設けられている。金メッキ４は、ボンディングパッド部５と配線部６を有する。ボンディングパッド部５及び配線部６を覆うように金メッキ４上に連続してＳｉＮ膜７が設けられている。ボンディングパッド部５上においてＳｉＮ膜７にコンタクトホール８が設けられている。ボンディングパッド部５と配線部６の間において金メッキ４に段差が設けられている。
【選択図】図２

Description

本発明は、コンタクトホールを起点とした絶縁膜の剥がれの伸展を防ぐことができる配線パターンに関する。

基板上に金メッキを設け、保護膜としてＳｉＮ膜で金メッキを覆った配線パターンが用いられている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１−１６１７２０号公報

しかし、金とＳｉＮ膜の付着力は弱いため、ＳｉＮ膜が剥がれやすい。特にＳｉＮ膜に設けられたコンタクトホールを起点としたＳｉＮ膜の剥がれが発生しやすい。そして、このＳｉＮ膜の剥がれはダイシング時の水流やチップ実装時の熱負荷により伸展する。この結果、ＳｉＮ膜が保護膜としての機能を果たさなくなるという問題があった。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的はコンタクトホールを起点とした絶縁膜の剥がれの伸展を防ぐことができる配線パターンを得るものである。

本発明に係る配線パターンは、基板と、前記基板上に設けられた第１の導電層と、前記第１の導電層上に設けられ、ボンディングパッド部と配線部を有する第２の導電層と、前記ボンディングパッド部及び前記配線部を覆うように前記第２の導電層上に連続して設けられた絶縁膜とを備え、前記ボンディングパッド部上において前記絶縁膜にコンタクトホールが設けられ、前記ボンディングパッド部と前記配線部の間において前記第２の導電層に段差が設けられていることを特徴とする。

本発明により、コンタクトホールを起点とした絶縁膜の剥がれの伸展を防ぐことができる。

本発明の実施の形態１に係る配線パターンを示す上面図である。図１のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図１の配線パターンからＳｉＮ膜を省略した状態を示す上面図である。本発明の実施の形態１に係る配線パターンの製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施の形態１に係る配線パターンの製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施の形態１に係る配線パターンの製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施の形態１に係る配線パターンの製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施の形態１に係る配線パターンの製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施の形態１に係る配線パターンの製造方法を説明するための断面図である。比較例に係る配線パターンを示す上面図である。図１０のＡ−Ａ´に沿った断面図である。本発明の実施の形態２に係る配線パターンを示す上面図である。図１２のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図１２のＢ−Ｂ´に沿った断面図である。本発明の実施の形態３に係る配線パターンを示す上面図である。図１５のＡ−Ａ´に沿った断面図である。本発明の実施の形態４に係る配線パターンを示す上面図である。図１７のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図１７のＢ−Ｂ´に沿った断面図である。本発明の実施の形態５に係る配線パターンを示す上面図である。図２０のＡ−Ａ´に沿った断面図である。本発明の実施の形態６に係る配線パターンを示す上面図である。図２２のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図２２のＢ−Ｂ´に沿った断面図である。

本発明の実施の形態に係る配線パターンについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る配線パターンを示す上面図である。図２は、図１のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図３は、図１の配線パターンからＳｉＮ膜を省略した状態を示す上面図である。

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、金などからなる配線メタル２が設けられている。配線メタル２上に給電層３を介して金メッキ４が設けられている。金メッキ４は、ボンディングパッド部５と配線部６を有する。給電層３はＴｉとＡｕの積層構造である。

ボンディングパッド部５及び配線部６を覆うように金メッキ４上に連続してＳｉＮ膜７が設けられている。ボンディングパッド部５上においてＳｉＮ膜７にコンタクトホール８が設けられている。

ボンディングパッド部５と配線部６の間において金メッキ４に開口９が設けられている。開口９によりボンディングパッド部５と配線部６の間で金メッキ４が分離している。このため、開口９ではＳｉＮ膜７が配線メタル２に接している。

また、開口９における金メッキ４の側面で給電層３が露出し、この露出した給電層３がＳｉＮ膜７に接触している。この給電層３のＴｉに対するＳｉＮ膜７の付着力は、金メッキ４に対するＳｉＮ膜７の付着力より強い。

続いて、上記の配線パターンの製造方法について図面を参照して説明する。図４〜図９は、本発明の実施の形態１に係る配線パターンの製造方法を説明するための断面図である。

まず、図４に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に配線メタル２を蒸着により形成する。次に、図５に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板１及び配線メタル２上の一部にレジスト１０を写真製版により形成する。

次に、図６に示すように、配線メタル２及びレジスト１０上に給電層３をスパッタ法により形成する。この給電層３を用いて、給電層３上に金メッキ４を電解メッキ法により形成する。

次に、図７に示すように、写真製版及びＲＩＥなどのドライエッチングにより金メッキ４及び給電層３の一部を除去して、レジスト１０の上面において開口９を形成する。次に、図８に示すように、レジスト１０を除去する。

次に、図９に示すように、全面にＳｉＮ膜７をプラズマＣＶＤ法などにより形成する。その後、図１及び図２に示すように、写真製版及びＲＩＥなどのドライエッチングによりＳｉＮ膜７の一部を除去して、コンタクトホール８を形成する。以上の工程により本実施の形態に係る配線パターンが形成される。

続いて本実施の形態の効果について比較例と比較して説明する。図１０は、比較例に係る配線パターンを示す上面図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ´に沿った断面図である。比較例では、コンタクトホール８を起点としたＳｉＮ膜７の剥がれが配線部６まで伸展してしまう。

一方、本実施の形態では、開口９によりボンディングパッド部５と配線部６の間において金メッキ４に段差が存在する。このため、コンタクトホール８を起点としてＳｉＮ膜７の剥がれ発生しても、この段差で剥がれの伸展を防ぐことができる。

また、本実施の形態では、開口９における金メッキ４の側面で給電層３が露出し、この露出した給電層３がＳｉＮ膜７に接触している。この給電層３のＴｉに対するＳｉＮ膜７の付着力は強いため、ＳｉＮ膜７の剥がれを抑制することができる。

実施の形態２．
図１２は、本発明の実施の形態２に係る配線パターンを示す上面図である。図１３は、図１２のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図１４は、図１２のＢ−Ｂ´に沿った断面図である。

ボンディングパッド部５と配線部６の間において金メッキ４に開口１１が設けられている。この開口１１によりボンディングパッド部５と配線部６の間において金メッキ４に段差が存在する。このため、コンタクトホール８を起点としてＳｉＮ膜７の剥がれ発生しても、この段差で剥がれの伸展を防ぐことができる。

実施の形態３．
図１５は、本発明の実施の形態３に係る配線パターンを示す上面図である。図１６は、図１５のＡ−Ａ´に沿った断面図である。

ボンディングパッド部５と配線部６がエアブリッジ１２により接続されている。このエアブリッジ１２によりボンディングパッド部５と配線部６の間において金メッキ４に段差が存在する。このため、コンタクトホール８を起点としてＳｉＮ膜７の剥がれ発生しても、この段差で剥がれの伸展を防ぐことができる。また、本実施の形態は、開口を設ける実施の形態１，２に比べて電流密度を十分に確保することができる。

実施の形態４．
図１７は、本発明の実施の形態４に係る配線パターンを示す上面図である。図１８は、図１７のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図１９は、図１７のＢ−Ｂ´に沿った断面図である。

エアブリッジ１２に開口１３が設けられている。従って、エアブリッジ１２だけでなく、開口１３によっても金メッキ４に段差が存在する。このため、ＳｉＮ膜７の剥がれがエアブリッジ１２の段差を越えて伸展してきても、開口１３の段差により更なる伸展を防ぐことができる。

実施の形態５．
図２０は、本発明の実施の形態５に係る配線パターンを示す上面図である。図２１は、図２０のＡ−Ａ´に沿った断面図である。

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に配線メタル２が設けられている。配線メタル２は、ボンディングパッド部５と配線部６を有する。ボンディングパッド部５と配線部６の間において金メッキ４により凸部１４が設けられている。

ボンディングパッド部５及び配線部６を覆うように配線メタル２及び金メッキ４上に連続してＳｉＮ膜７が設けられている。ボンディングパッド部５上においてＳｉＮ膜７にコンタクトホール８が設けられている。

凸部１４によりボンディングパッド部５と配線部６の間において段差が存在する。このため、コンタクトホール８を起点としてＳｉＮ膜７の剥がれ発生しても、この段差で剥がれの伸展を防ぐことができる。

実施の形態６．
図２２は、本発明の実施の形態６に係る配線パターンを示す上面図である。図２３は、図２２のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図２４は、図２２のＢ−Ｂ´に沿った断面図である。

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に配線メタル２が設けられている。配線メタル２は、ボンディングパッド部５と配線部６を有する。ボンディングパッド部５と配線部６の間において配線メタル２に開口１５が設けられている。

ボンディングパッド部５及び配線部６を覆うように配線メタル２上に連続してＳｉＮ膜７が設けられている。ボンディングパッド部５上においてＳｉＮ膜７にコンタクトホール８が設けられている。

開口１５によりボンディングパッド部５と配線部６の間において配線メタル２に段差が存在する。このため、コンタクトホール８を起点としてＳｉＮ膜７の剥がれ発生しても、この段差で剥がれの伸展を防ぐことができる。

１半絶縁性ＧａＡｓ基板（基板）
２配線メタル（第１の導電層、導電層）
３給電層（第２の導電層）
４金メッキ（第２の導電層）
５ボンディングパッド部
６配線部
７ＳｉＮ膜（絶縁膜）
８コンタクトホール
９，１１，１３，１５開口
１２エアブリッジ
１４凸部

Claims

基板と、
前記基板上に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられ、ボンディングパッド部と配線部を有する第２の導電層と、
前記ボンディングパッド部及び前記配線部を覆うように前記第２の導電層上に連続して設けられた絶縁膜とを備え、
前記ボンディングパッド部上において前記絶縁膜にコンタクトホールが設けられ、
前記ボンディングパッド部と前記配線部の間において前記第２の導電層に段差が設けられていることを特徴とする配線パターン。
前記段差として、前記第２の導電層に開口が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線パターン。
前記第２の導電層は、給電層と、前記給電層上に設けられたメッキ層とを有し、
前記開口における前記第２の導電層の側面で、前記給電層が前記絶縁膜に接触し、
前記給電層に対する前記絶縁膜の付着力は、前記メッキ層に対する前記絶縁膜の付着力より強いことを特徴とする請求項２に記載の配線パターン。
前記段差として、前記第２の導電層にエアブリッジが設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の配線パターン。
基板と、
前記基板上に設けられ、ボンディングパッド部と配線部を有する導電層と、
前記ボンディングパッド部及び前記配線部を覆うように前記導電層上に連続して設けられた絶縁膜とを備え、
前記ボンディングパッド部と前記配線部の間において前記導電層に段差が設けられていることを特徴とする配線パターン。
前記段差として、前記導電層に凸部又は開口が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の配線パターン。