JP5700502B2 - 半導体装置及び製造方法 - Google Patents
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Description
最初に、比較例に係る半導体装置について説明する。
20 表面層
22 溝
24 絶縁層
30 ビアホール
32 金属層
40 ゲート電極
42 ソース電極
44 ドレイン電極
50 電極パッド
56 引き出し配線部
58 エアブリッジ
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上に設けられた前記基板と異なる材料からなる表面層と、
前記表面層上に設けられた電極パッドと、を備え、
前記基板及び前記表面層から前記電極パッドに到達し貫通されたビアホールが形成され、
前記ビアホール内には、前記電極パッドと電気的に接続された金属層が設けられ、
前記ビアホールの開口部の周囲には、前記ビアホールを囲むように前記表面層に溝が形成され、
前記電極パッドおよび前記金属層の熱膨張係数は、前記基板および前記表面層の熱膨張係数より大きく、
温度上昇されることを特徴とする半導体装置。 - 前記溝は、前記表面層を貫通していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板はSiC基板を含み、前記表面層は窒化物半導体層を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記基板はGaAs基板を含み、前記表面層は絶縁層を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記溝は、前記電極パッドが設けられた領域の内側に形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記溝は、前記電極パッドが設けられた領域の外側に形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記表面層上に設けられたソース電極と、
前記表面層上に設けられ、前記ソース電極と前記電極パッドとを接続する引き出し配線部と、を備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記引き出し配線部は、前記溝上に設けられたエアブリッジを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 基板上に設けられた前記基板と異なる材料の表面層におけるビアホール形成領域を囲むように、前記表面層に溝を形成する工程と、
前記表面層における前記ビアホール形成領域上に電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッドに貫通するまで前記基板及び前記表面層を貫通し、前記ビアホール形成領域に開口するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に、前記電極パッドと電気的に接続される金属層を形成する工程と、
前記溝を形成する工程、前記電極パッドを形成する工程、および前記金属層を形成する工程の後に、前記基板の温度を上昇させる工程と、を有し、
前記電極パッドおよび前記金属層の熱膨張係数は、前記基板および前記表面層の熱膨張係数より大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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