JP2012090435A - 駆動回路及びこれを備える半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の駆動回路は、ICチップに搭載され、半導体スイッチング素子4aを駆動する駆動回路であって、前記ICチップ外部の単一電源から供給される第1の電圧V1を受け、第1の電圧V1から第2の電圧V2を生成して、これを半導体スイッチング素子4aの基準端子に印加する電源回路8と、前記ICチップ外部からの入力信号に応じて、半導体スイッチング素子4aの制御端子に第1の電圧V1を印加/非印加することにより半導体スイッチング素子4aを駆動する駆動部とを備える。
【選択図】図1
Description
<構成>
図1は、本実施の形態の半導体スイッチング素子の駆動回路を含む半導体装置の回路図である。本実施の形態の半導体装置において、スイッチング素子4aには例えばIGBTが用いられるので、図1ではスイッチング素子4aをIGBT4aとして説明する。IGBT4aのエミッタ−コレクタ間には、エミッタ側をアノード側としてリカバリーダイオード5が接続される。IGBT4aのゲート端子には、ゲート抵抗Rgを介して駆動回路10が接続される。
I/F部1は外部回路からの制御信号を受けて、IGBT4aのゲート駆動を行う。バイポーラトランジスタ2,3はそれぞれNPN型、PNP型であり、I/F部1からの入力電流に応じていずれか一方が駆動する。IGBT4aをオンする場合は、バイポーラトランジスタ2を駆動し、正電源V1がゲート抵抗Rgを介してIGBT4aのゲート端子に印加される。このときのゲート端子を駆動するオン電流Ig(ON)の経路は図2の矢印Ig(ON)に示すように、バイポーラトランジスタ2、ゲート抵抗Rg,IGBT4a、バッファアンプ7、電源V1となる。
本実施の形態の駆動回路は、ICチップに搭載され、半導体スイッチング素子4aを駆動する駆動回路10であって、前記ICチップ外部の単一電源から供給される第1の電圧V1を受け、当該第1の電圧V1から第2の電圧V2を生成して、これを半導体スイッチング素子4aの基準端子に印加する電源回路8と、前記ICチップ外部からの入力信号に応じて、半導体スイッチング素子4aの制御端子に第1の電圧V1を印加/非印加することにより半導体スイッチング素子4aを駆動する駆動部とを備えるので、駆動回路用に正負電源を設けることなく、正負バイアス駆動が可能となる。また、電解コンデンサを用いないため、高速、大容量品種へ適用する場合でも実装面積やコンデンサ寿命を懸念する必要がない。また、電源回路8は、半導体スイッチング素子4aの制御端子駆動電流をソース/シンクするバッファアンプ7を備えるので、大容量コンデンサが不要となり寿命の低下を避けることが出来る。
<構成>
図2は、本実施の形態の半導体スイッチング素子の駆動回路を含む半導体装置の回路図である。本実施の形態の半導体装置において、スイッチング素子4bにはセンス端子を備えたIGBTが用いられ、エミッタ−センス端子間にはセンス電流による電圧降下が発生するセンス抵抗が設けられる。
センス端子には、コレクタ−エミッタ電流(メイン電流)に対して任意の比率で電流(センス電流)が流れ、センス電流によりセンス抵抗Rsの両端には検出電圧Vsが発生する。検出電圧Vsは比較器11で閾値電圧Vsrefと比較され、Vs>Vsrefである場合に比較器11から“H”信号がI/F部1に入力され、I/F部1ではメイン電流が過大に流れたと判断してゲートドライブ出力を遮断する。
図3は、本実施の形態の変形例1に係る半導体装置の回路図である。図3に示す回路構成は、図2の回路構成において、閾値電圧Vsrefの基準電位を入力電源V1のGND電位と共通にしたものである。
図4は、本実施の形態の変形例2に係る半導体装置の回路図である。図4に示す回路構成は、図2の比較器11に代えて、差動増幅器12により過電流を検出する構成としたものである。
図1〜図4では、スイッチング素子4a,4bを駆動する駆動回路10を1チップに搭載するものとして説明したが、駆動回路10と駆動回路10が駆動する半導体スイッチング素子を1つのICチップに合わせて搭載したIPMとしても良い。図5に、上記変形例2においてIPMとした回路構成を示す。
本実施の形態の駆動回路において、半導体スイッチング素子4bは、メイン電流に対して所定の比率のセンス電流が流れるセンス端子を備え、センス電流が所定の閾値を超えた場合に半導体スイッチング素子4bの制御端子への電圧印加を停止する過電流検出回路をさらに備えるので、過電流検出時に半導体スイッチング素子4bを安全に遮断することが出来る。
Claims (7)
- ICチップに搭載され、半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路であって、
前記ICチップ外部の単一電源から供給される第1の電圧を受け、当該第1の電圧から第2の電圧を生成して、これを前記半導体スイッチング素子の基準端子に印加する電源回路と、
前記ICチップ外部からの入力信号に応じて、前記半導体スイッチング素子の制御端子に前記第1の電圧を印加/非印加することにより前記半導体スイッチング素子を駆動する駆動部とを備え、
前記電源回路は、前記半導体スイッチング素子の制御端子駆動電流をソース/シンクするバッファアンプを備える、駆動回路。 - 前記半導体スイッチング素子は、メイン電流に対して所定の比率のセンス電流が流れるセンス端子を備え、
前記センス電流が所定の閾値を超えた場合に前記半導体スイッチング素子の制御端子への電圧印加を停止する過電流検出回路をさらに備える、請求項1に記載の駆動回路。 - 前記センス端子−前記基準端子間に接続され、前記センス電流による電圧降下を生じるセンス抵抗をさらに備え、
前記過電流検出回路は、前記半導体スイッチング素子と基準電位を共通にし、かつ前記センス端子が正相入力に接続された比較器を有する、請求項2に記載の駆動回路。 - 前記センス端子−前記基準端子間に接続され、前記センス電流による電圧降下を生じるセンス抵抗をさらに備え、
前記過電流検出回路は、前記単一電源と基準電位を共通にし、かつ前記センス端子が正相入力に接続された比較器を有する、請求項2に記載の駆動回路。 - 前記センス端子−前記基準端子間に接続され、前記センス電流による電圧降下を生じるセンス抵抗をさらに備え、
前記過電流検出手段は、入力端子が前記センス抵抗の両端に接続された差動増幅器を有する、請求項2に記載の駆動回路。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の駆動回路が搭載された前記ICチップに、
前記駆動回路が駆動する前記半導体スイッチング素子を合わせて搭載したことを特徴とする、半導体装置。 - 前記半導体スイッチング素子はワイドバンドギャップ半導体からなる、請求項6に記載の半導体装置。
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