JP6312946B1 - 電力用半導体素子の駆動回路およびモータ駆動装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体素子の駆動回路100の概略構成図である。図1において、電力用半導体素子の駆動回路100は、ゲート駆動絶縁電源1と、絶縁増幅器2と、電圧上昇防止用ダイオードD3と、順バイアス電源用ツェナーダイオードZD1と、電圧調整ダイオードDxと、短絡エネルギー吸収コンデンサC1と、電源安定化用コンデンサC2,C3と、フィルタコンデンサC4と、電流制限抵抗R1と、負荷抵抗R3と、逆バイアス電源用ダイオードD2と、プルダウン抵抗R2と、ゲート抵抗RGと、電力用半導体素子F1,F2とを備える。絶縁増幅器2は、低電圧側回路の誤動作や故障を防ぎ、ゲート駆動信号を絶縁増幅させるための絶縁アンプであり、その具体例はフォトカプラである。なお、絶縁増幅器2は必ずしも設けなくても良い。電圧調整ダイオードDxは、一つのダイオードまたは複数のダイオードの直列接続により構成されている。なお、電圧調整ダイオードDxは複数のダイオードが並列接続されていてもかまわない。電源安定化用コンデンサC2およびC3は、それぞれ順バイアスおよび逆バイアス時における電源の安定化のために設けられている。
図1の実施の形態1にかかる電力用半導体素子の駆動回路100においては、Si基板に形成された電力用半導体素子F1およびF2を用いた例を示したが、実施の形態2では、図1の電力用半導体素子F1およびF2に炭化ケイ素(以下、SiCと称す)基板に形成されたMOSFETあるいはIGBTを用いる。それ以外は、実施の形態1と同様である。
図8は、本発明の実施の形態3にかかるモータ駆動装置10の概略構成図である。図8においては、図1に示した電力用半導体素子の駆動回路100の入力端子にコンバータ4が接続され、コンバータ4には交流電源3が接続されている。コンバータ4は交流電源3からの交流電力を直流電力に変換して電力用半導体素子の駆動回路100の入力端子に入力する。電力用半導体素子の駆動回路100の入力端子は、電力用半導体素子F1のコレクタCおよび電力用半導体素子F2のエミッタEである。電力用半導体素子の駆動回路100は、コンバータ4からの直流電力を交流電力に変換するインバータとして機能する。出力端子101は、他の2相の交流出力を出力する出力端子と共にモータ5に接続されている。
Claims (7)
- 電力用半導体素子と、
前記電力用半導体素子のゲートを駆動するためのゲート駆動絶縁電源と、
アノードが前記電力用半導体素子のゲートに接続される電圧上昇防止用ダイオードと、
カソードが前記電圧上昇防止用ダイオードのカソードに接続され、アノードが前記電力用半導体素子のエミッタに接続される順バイアス電源用ツェナーダイオードと、
カソードが前記電圧上昇防止用ダイオードのカソードおよび前記順バイアス電源用ツェナーダイオードのカソードに接続され、アノードが前記ゲート駆動絶縁電源の正極に接続された電圧調整ダイオードと、
を備える
ことを特徴とする電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記電圧調整ダイオードは複数のダイオードが直列接続されて構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記電圧調整ダイオードは、PN接合ダイオードまたはショットキーバリアダイオードを含む
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記ゲート駆動絶縁電源の前記正極および負極に接続され、前記電力用半導体素子のゲートを介して前記電力用半導体素子を順バイアス状態または逆バイアス状態に制御する絶縁増幅器をさらに備える
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記電力用半導体素子は、ケイ素基板に形成された絶縁ゲート型バイポーラトランジスタまたは金属‐酸化物‐半導体‐電界効果トランジスタである
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記電力用半導体素子は、炭化ケイ素基板に形成された金属‐酸化物‐半導体‐電界効果トランジスタである
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 出力端子がモータに接続されている請求項1から6のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路と、
交流電源からの交流電力を直流電力に変換して前記電力用半導体素子の駆動回路の入力端子に入力するコンバータと、
を備える
ことを特徴とするモータ駆動装置。
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