JP2012028598A - ウエハ加工用テープ - Google Patents

Abstract

【課題】エキスパンドによる接着剤フィルムおよびウェハの分断性を向上させ、エキスパ
ンドによるたわみが収縮可能なウェハ加工用テープを提供すること。
【解決手段】本発明のウエハ加工用テープ１は、基材フィルム１１と粘着剤層１２とを有
し、エキスパンドすることにより、前記粘着剤層１２上に貼合されたウェハＷを個々のチ
ップＣに対応して分断する際または前記粘着剤層１２上に貼合された接着剤フィルム１３
および／または前記接着剤フィルム１３に貼合されたウェハＷを個々のチップＣに対応し
て分断する際に用いられ、エキスパンド後に加熱することにより収縮するウェハ加工用テ
ープ１であって、伸び率が２００％以上であり、かつ、伸び率２００％まで伸ばした後、
１２０℃に加熱することで伸び率が１２０％以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、エキスパンドにより接着剤フィルムおよび／またはウェハを個々のチップに
対応して分断する際に用いられるウエハ加工用テープに関する。

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに伸縮性且つ粘着性のあるウエハ加工用テー
プを貼り付けた後、半導体ウエハをチップ単位で切断（ダイシング）する工程、粘着テー
プをエキスパンドする工程、さらに切断されたチップをピックアップする工程が実施され
る。

上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材シートと粘着
剤層とからなる粘着テープ（ダイシングテープ）の他、ダイシングテープと接着剤フィル
ムであるダイボンディングフィルム（ダイアタッチフィルムともいう）とが積層された構
造を有するダイシング・ダイボンディングフィルムが提案されている。

一般に、ダイシング・ダイボンディングフィルムを用いる場合は、まず、半導体ウエハ
の裏面にダイシング・ダイボンディングフィルムのダイボンディングフィルム側を貼り付
けて半導体ウエハを固定し、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハ及びダイボンディ
ングフィルムをチップ単位にダイシングする。その後、ダイシングテープを周方向にエキ
スパンドすることによって、チップ同士の間隔を広げる。このエキスパンド工程は、ＣＣ
Ｄカメラ等によるチップの認識性を高めるため、及び、チップをピックアップする際に隣
接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施され
る。

しかしながら、上記ダイシング工程において、ダイシングブレードを用いて半導体ウエ
ハとダイボンディングフィルムとを一緒にダイシングする場合には、ウエハの切削屑だけ
でなく、ダイボンディングフィルムの切削屑も発生する。ダイボンディングフィルムの切
削屑は、それ自身が接着機能を有するので、切削屑がウエハのダイシング溝に詰まった場
合、チップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生し、半導体装置の製造歩留まり
が低下する。

上記の問題を解決するために、ダイシング工程では半導体ウエハのみをダイシングし、
エキスパンド工程において、ダイシングテープをエキスパンドすることにより、ダイボン
ディングフィルムを個々のチップに対応して分断する方法が提案されている（例えば、特
許文献１の段落番号「００５５」〜段落番号「００５６」）。このようなエキスパンド時
の張力を利用したダイボンディングフィルムの分断方法によれば、接着剤の切削屑が発生
せず、ピックアップ工程において悪影響を及ぼすことがない。

また、半導体ウエハを切断する方法としては、半導体ウエハのフルカットダイシングを
行わずに、ウエハ表面からウエハの厚さよりも浅い切り込み深さの溝を形成するハーフカ
ットダイシング法が知られている。この方法では、ハーフカットされたウエハを保持する
ダイシングテープをエキスパンドすることにより、ウエハをチップ単位に分割することが
できる。そして、このハーフカットダイシング法においても、エキスパンド時の張力を利
用して、ウエハとともにダイボンディングフィルムを分断することが考えられる。

また近年、半導体ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエ
ハを切断する、いわゆるステルスダイシング法が提案されている。

例えば、特許文献２には、ステルスダイシング法として、ダイボンド樹脂層（ダイボン
ディングフィルム）を介在させてシート（ダイシングテープ）が貼り付けられた半導体基
板の内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光
子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する工程と、シートを
拡張（エキスパンド）させることにより、切断予定部に沿って半導体基板及びダイボンド
樹脂層を切断する工程とを備えた半導体基板の切断方法が開示されている。

特許文献２の半導体基板の切断方法によれば、レーザー光の照射とシートのエキスパン
ドによって、非接触で半導体ウエハとダイボンド樹脂層（ダイボンディングフィルム）を
切断するので、ダイシングブレードを用いる場合のようなチッピングを発生させることな
く半導体ウエハの切断が可能である。したがって、例えば５０μｍ以下の極薄半導体ウエ
ハを切断する場合に特に有用である。

上述したフルカットダイシング法、ハーフカットダイシング法、及びステルスダイシン
グ法のいずれを採用した場合においても、接着剤であるダイボンディングフィルムの切削
屑の発生を回避するためには、ダイシングテープのエキスパンドによってダイボンディン
グフィルムを分断することが有効である。

しかしながら、ダイボンディングフィルムは、柔軟で伸び易いため、ダイシングテープ
のエキスパンドによって分断され難いという問題がある。エキスパンドによるダイボンデ
ィングフィルムの分断性を向上させるためには、ダイシングテープのエキスパンド量を増
やす必要性がある。しかし、エキスパンド量を増やすことで、ダイシングテープのたわみ
量も増え、その後の搬送工程などに悪影響を及ぼす。

これまで、ダイシングテープのたわみをなくす方法として、例えば、たわんだ部分を加
熱して収縮させることが提案されている（特許文献３）。

特開２００７−５５３０号公報 特開２００３−３３８４６７号公報 特開２００７−１５７８８７号公報

しかしながら、特許文献３に記載の方法のようにダイシングテープのたわんだ部分を加
熱して収縮させて搬送性がよくなったとしても、その後ピックアップ工程で再度エキスパ
ンドを行ったときに、十分にエキスパンドできずにピックアップ性が悪くなるという問題
があった。

本発明者らは、基材フィルムと粘着剤層とを有し、エキスパンドすることにより、前記
粘着剤層上に貼合されたウェハを個々のチップに対応して分断する際または前記粘着剤層
上に貼合された接着剤フィルムおよび／または前記接着剤フィルムに貼合されたウェハを
個々のチップに対応して分断する際に用いられ、エキスパンド後に加熱することにより収
縮するウェハ加工用テープであって、伸び率が２００％以上であり、かつ、伸び率２００
％まで伸ばした後、１２０℃に加熱することで伸び率が１２０％以下になることを特徴と
するウェハ加工用テープを用いることで、各工程を効率よく行えることを見出した。
上記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と
、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記
ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多
光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前
記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チッ
プを得る工程と、
（ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
する工程と、
（ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
また、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と
、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエ
ハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の
半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを
前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
（ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
する工程と、
（ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
また、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と
、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエ
ハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個
々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを
前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
（ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
する工程と、
（ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
また、 （ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを
分断ライン予定ラインに沿ってウェハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド
工程と、
（ｄ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記
ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを
前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
（ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
する工程と、
（ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。

本発明のウエハ加工用テープは、基材フィルムと粘着剤層とを有し、エキスパンドする
ことにより前記粘着剤層上に設けられた接着剤フィルムまたはウェハまたはその双方を個
々のチップ単位に分断する分断性に優れ、さらにエキスパンド後に熱をかけることによる
収縮性に優れており、接着剤フィルムおよびチップの分断性を高い状態に維持しつつ、た
わみを取り除き、その後再度十分にエキスパンドすることができ良好にピックアップする
ことができる。

本発明のウエハ加工用テープの一例を示す断面図である。 本発明の粘着テープを示す断面図である。 レーザー加工により半導体ウエハに改質領域が形成された様子を示す断面図である。 （ａ）は、ウエハ加工用テープが、エキスパンド装置に搭載された状態を示す断面図であり、（ｂ）は、エキスパンド後のウエハ加工用テープ及び半導体ウエハを示す断面図である。

以下に本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態を示すウエハ加工用テープ１の断面図である。ウエハ加工
用テープ１は、基材シート１１と粘着剤層１２とを有する粘着テープ１０と、粘着剤層１
２上に設けられた接着剤フィルム１３とを備えている。

本発明のウエハ加工用テープ１は、エキスパンドすることにより、粘着剤層１２上に貼
合された接着剤フィルム１３および／または前記接着剤フィルム１３に貼合されたウェハ
Ｗを個々のチップＣに対応して分断する際に用いられ、エキスパンド後に加熱することに
より収縮するウェハ加工用テープ１であって、伸び率が２００％以上であり、かつ、伸び
率２００％まで伸ばした後、１２０℃に加熱することで伸び率が１２０％以下になること
を特徴とするウェハ加工用テープ１である。

以下に、基材シート１１、粘着剤層１２、及び接着剤フィルム１３についてそれぞれ詳
細に説明する。

基材シート１１を構成する材料としては、特に限定されないが、ポリオレフィン及びポ
リ塩化ビニルから選択されることが好ましい。

上記ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン
共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エ
チレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共
重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。

後述する粘着剤層１２として放射線照射により硬化し、粘着強度が低下するタイプを用
いる場合には、基材シートは、上記特性を有し、且つ、放射線透過性であることが好まし
い。基材シートの厚さは、強度およびチップのピックアップ性確保の観点から、５０〜３
００μｍであることが好ましい。また、基材シート１１は、単層であっても、複数層で構
成されていてもよい。

ウェハ加工用テープ１の伸び率が２００％以上で、かつ、伸び率２００％まで伸ばした
後、１２０℃に加熱することで伸び率が１２０％以下になるようにするためには、このよ
うな特性を有する基材シート１１を用いることが好ましい。

＜粘着剤層＞
粘着剤層１２は、基材シート１１上に粘着剤を塗工して製造することができる。粘着剤
層１２としては特に制限はないが、粘着剤層１２上に貼り合わされる接着剤フィルム１３
に対する剥離力（粘着強度）が、エキスパンド時（接着剤フィルム１３および／またはウ
エハＷの分断時）には接着剤フィルム１３付きのチップＣを保持することができる程度で
あり、且つ、ピックアップ時には接着剤フィルム１３との剥離が容易である特性を有する
ものであればよい。ピックアップ性を向上させるためには、粘着剤層１２は放射線硬化性
のものが好ましい。

例えば、本発明では、主鎖に対して、少なくとも放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有
基、水酸基及びカルボキシル基を含有する基をそれぞれ有するアクリル系共重合体を主成
分とし、かつゲル分率が６０％以上であることが好ましい。さらには、分子中にヨウ素価
０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシア
ネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくと
も１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。

粘着剤層の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線
硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは
０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着強度の低減効
果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十
分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認
識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり
、製造が容易となる。

上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃
〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下、Ｔｇという。）が−７０℃
以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表
面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。

上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共
重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ
、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２
））とを反応させて得たものが用いられる。

このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１
））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線
硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（
１）−２）とを共重合させて得ることができる。粘着剤二重結合量については加熱乾燥さ
れた粘着剤約１０ｇに含まれる炭素−炭素二重結合量を真空中暗所における臭素付加反応
による重量増加法により定量測定できる。

単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチ
ルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシ
ルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルア
クリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、
メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる
。

単量体（（１）−１）として、炭素数を変化させることでガラス転移点は変化させられ
るので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、
相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−
炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質
量％以下の範囲内で可能である。

単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、
環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）
−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸
、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリ
レート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチ
ロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アル
キルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリ
ルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無
水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエ
ーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシ
ル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを
列挙することができる。

化合物（２）において、用いられる官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（
１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸
基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環
状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポ
キシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボ
キシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（
（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。

化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価
または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。

上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、
ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中で
もトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチル
セロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒
で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α´−アゾビスイ
ソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系など
のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用すること
ができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を
得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素
系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく
、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。

以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本発明において、化合物（Ａ
）の重量平均分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射
による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくな
り、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、重量
平均分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、重量平均分子量が１００万を越え
ると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本発明における重量平均分子量とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である
。

なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の
粘着強度を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができる
ので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有すること
が好ましい。
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着強度の低減効果が
十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価
が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損な
う傾向がある。

つぎに、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（
Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂
から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる
。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材シートと反応した結果
できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘
着剤塗布後に向上することができる。

ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４´−ジフェニルメタ
ンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４
´−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４´−〔２，２−ビス（４−フェノキシ
フェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイ
ソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロ
ンジイソシアネート、４，４´−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４´−
ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシ
アネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウ
レタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。

また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５
（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を
用いることができる。さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式
会社製、商品名）等を用いることができる。本発明においては、特にポリイソシアネート
類を用いることが好ましい。

（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好
ましくは０．４〜３質量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で
選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することな
いので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。

また、本発明において、粘着剤層１２には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが
好ましい。粘着剤層１２ｂの含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られ
ているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４´−ジメチルアミノ
ベンゾフェノン、４，４´−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４´−ジクロロベンゾ
フェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセト
フェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン
類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、
アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて
用いることができる。
（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とす
ることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。

さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調
整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機
化合物フィラーを適宜加えてもよい。

粘着剤層の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好まし
い。粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。

＜接着剤フィルム＞
接着剤フィルム１３は、ウエハＷが貼り合わされ切断あるいは分断された後、チップＣ
をピックアップする際に、粘着剤層１２から剥離してチップＣに付着しており、チップＣ
をパッケージ基板やリードフレームに固定する際のボンディングフィルムとして機能する
ものである。

接着剤フィルム１３としては、特に限定されるものではないが、ダイボンディングフィ
ルムとして一般的に使用されるフィルム状接着剤１３を好適に使用することができ、ポリ
イミド系接着剤、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂／
無機フィラーのブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜
１００μｍ程度が好ましい。

＜用途＞
本発明のウエハ加工用テープ１の使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接
着剤フィルム１２を分断する工程を含む半導体装置の製造方法に使用する限り、特に限定
されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法（Ａ）〜（Ｄ）において好適に使用でき
る。

半導体装置の製造方法（Ａ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と
、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記
ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多
光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前
記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チッ
プを得る工程と、
（ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
する工程と、
（ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。

半導体装置の製造方法（Ｂ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と
、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエ
ハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の
半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを
前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
（ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
する工程と、
（ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。

半導体装置の製造方法（Ｃ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と
、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエ
ハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個
々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを
前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
（ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
する工程と、
（ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。

半導体装置の製造方法（Ｄ）
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライ
ン予定ラインに沿ってウェハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド
工程と、
（ｄ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記
ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを
前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
（ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
する工程と、
（ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。

＜使用方法＞
ステルスダイシング法を用いた場合の、本発明のウエハ加工用テープの使用方法につい
て、図２〜図４を参照しながら説明する。
まず、図２に示すように、半導体ウエハＷの分割予定部分にレーザー光を照射して、ウ
エハ内部に多光子吸収による改質領域を３０形成する。別途、図２に示す基材シート１１
及び粘着剤層１２からなる粘着テープ１０の粘着剤層１２上に、接着剤フィルム１３を貼
り合わせ、図１で示したウエハ加工用テープを準備する。

次に、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハＷの裏面を接着剤フィルム１３に貼り付
け、粘着剤層１２の外周部にリングフレーム２０を貼り付けて、粘着テープの基材シート
１１の下面を、エキスパンド装置のステージ２１上に載置する。図中、符号２２は、エキ
スパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。
なお、半導体ウエハＷにレーザー光を照射する工程に先立って、接着剤フィルム１３と
の貼合せ工程を実施してもよい。

次に、−１５℃〜５℃の低温下にて、図４（ｂ）に示すように、リングフレーム２０を
固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材２２を上昇させ、粘着テープ１０をエ
キスパンドする。これにより粘着テープ１０が周方向に引き伸ばされ、ウエハＷが、改質
領域を起点としてチップ単位で分断されるとともに、接着剤フィルム１３も分断される。
その後、粘着剤層１２に放射線硬化処理又は熱硬化処理等を施し、半導体チップＣをピ
ックアップすることで、接着剤付き半導体チップを得ることができる。

上記のようなエキスパンド工程において、接着剤フィルム１３は、ウエハＷの裏面に接
着している部分ではエキスパンドによる伸び（変形）が抑制され、破断は起こらないが、
一方、チップ間の位置では、粘着テープ１０のエキスパンドによる張力が集中して破断す
る。本発明によれば、接着剤フィルム１３に対する剥離力（粘着強度）に優れた粘着テー
プ１０を使用することで、低温下でのエキスパンド工程においても、粘着剤テープ１０と
接着剤フィルム１３との間での剥離を抑制、防止することができる。したがって、低温に
よって接着剤フィルム１３の分断性を高い状態に維持しつつ、エキスパンド時の張力を接
着剤フィルム１３に伝搬させることができ、接着剤フィルム１３を個々のチップＣに対応
して良好に分断することができる。また、粘着テープ１０は、エキスパンド装置のリング
フレームに対する粘着強度にも優れるので、リングフレームからの剥がれも防止すること
ができる。さらに、加熱後の伸び率を１２０％以下とすることにより、ピックアップ工程
において再度エキスパンドしたときに十分にチップ間が拡張され良好にピックアップする
ことができる。

なお、上述の実施の形態では、基材シート１１と粘着剤層１２とを有する粘着テープ１
０と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤フィルム１３とを備えているウエハ加工用テー
プ1について説明したが、図２に示すような基材シート１１と粘着剤層１２とを有する粘
着テープ１０からなるウエハ加工用テープであってもよい。この場合、ウエハ加工用テー
プを用いてウエハのみを分断するため、得られるチップには接着剤フィルムが付着してい
ないので、パッケージ基板やリードフレームに固定する際には、別途接着剤を用いて固定
する必要がある。

次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。

使用した基材シート、及び粘着剤層組成物を以下に示す。
基材シートＡ：アイオノマー樹脂共重合体
基材シートＢ：エチレン-メタクリル酸共重合体
基材シートＣ：アイオノマー樹脂共重合体とエチレン-メタクリル酸共重合体の積層体
基材シートＤ：ＰＰ／エラストマー共重合体
粘着剤層組成物ａ：アクリル系放射線硬化性粘着剤組成物

（実施例１）
基材シートＡに、有機溶剤に溶解した粘着剤層組成物ａを乾燥膜厚が１０μｍとなるよ
うに塗布し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着テープを作製し実施例１のウエハ加工用テ
ープを得た。

（実施例２）
基材シートとして基材シートＢを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２
のウエハ加工用テープを作製した。

（実施例３）
基材シートとして基材シートＣを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２
のウエハ加工用テープを作製した。

（比較例１）
基材シートとして基材シートＤを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１
のウエハ加工用テープを作製した。

＜ウェハ加工用テープの伸び率＞
引張試験装置（ＪＩＳ Ｂ ７７２１）を使用して、以下のような引張試験によってウ
ェハ加工用テープの伸び率を測定した。
伸び率：ウェハ加工用テープを１号ダンベル形状（ＪＩＳ Ｋ ６３０１）で打ち抜い
て試験片を作成し、標線間距離４０ｍｍ、引張速度１０００ｍｍｍ／ｍｉｎでの標線間の
伸び率を測定した。
１２０℃に加熱後の伸び率は、前記方法により２００％まで伸ばしたウェハ加工用テー
プを、１２０℃に加熱したホットプレート上に１５秒置いた後に標線間距離を測定するこ
とにより求めた。

表１の結果より、実施例に示すウェハ加工用テープは、優れた熱による収縮性およびピ
ックアップ性を示すことが分かり、本発明の効果を確認することができた。

１０：粘着テープ
１１：基材シート
１２：粘着剤層
１３：接着剤フィルム
２０：リングフレーム
２１：ステージ
２２：突き上げ部材

Claims (5)

1. 基材フィルムと粘着剤層とを有し、エキスパンドすることにより、前記粘着剤層上に貼
   合されたウェハを個々のチップに対応して分断する際または前記粘着剤層上に貼合された
   接着剤フィルムおよび／または前記接着剤フィルムに貼合されたウェハを個々のチップに
   対応して分断する際に用いられ、エキスパンド後に加熱することにより収縮するウェハ加
   工用テープであって、伸び率が２００％以上であり、かつ、伸び率２００％まで伸ばした
   後、１２０℃に加熱することで伸び率が１２０％以下になることを特徴とするウェハ加工
   用テープ。
2. 前記ウエハ加工用テープは、
   （ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と
   、
   （ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
   （ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記
   ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
   （ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
   （ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多
   光子吸収による改質領域を形成する工程と、
   （ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前
   記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チッ
   プを得る工程と、
   （ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
   ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
   する工程と、
   （ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
   工程と
   を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工
   用テープ。
3. 前記ウエハ加工用テープは、
   （ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と
   、
   （ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
   （ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエ
   ハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
   （ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
   （ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の
   半導体チップに分断する工程と、
   （ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを
   前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
   （ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
   ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
   する工程と、
   （ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
   工程と
   を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工
   用テープ。
4. 前記ウエハ加工用テープは、
   （ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と
   、
   （ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
   （ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエ
   ハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
   （ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
   （ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個
   々の半導体チップに分断する工程と、
   （ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを
   前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
   （ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
   ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
   する工程と、
   （ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
   工程と
   を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工
   用テープ。
5. 前記ウエハ加工用テープは、
   （ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライ
   ン予定ラインに沿ってウェハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
   （ｂ）前記半導体ウェハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
   （ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド
   工程と、
   （ｄ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記
   ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
   （ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
   （ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを
   前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
   （ｇ）前記ウェハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させる
   ことで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
   する工程と、
   （ｈ）前記接着剤半導体チップをウェハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする
   工程と
   を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工
   用テープ。

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