CN105143380A - 粘合带及晶片加工用胶带 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种晶片加工用胶带，其具有适于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性和拾取性，并且刀片划片工序中的切削性和拾取性也优异。本发明使用如下的粘合带，其特征在于，在基材膜的一方的面上层叠粘合剂层，在比较从所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱时，匹配度为95％以下，从与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的粘合剂层含有在分子中具有放射线固化性碳－碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)。

Description

粘合带及晶片加工用胶带
技术领域
本发明涉及如下的可以扩展的晶片加工用胶带等，即，在将半导体晶片截断为芯片状的元件的划片工序中，可以用于将半导体晶片固定，此外还可以用于粘接划片后的芯片－芯片间或者芯片－基板间的管芯焊接工序或贴装工序中，并且可以在利用扩展将胶粘剂层沿着芯片截断时使用。
背景技术
在IC等半导体装置的制造工序中，为了将形成电路图案后的晶片薄膜化，而实施研削晶片背面的背面研磨工序、在晶片的背面贴附具有粘合性及伸缩性的晶片加工用胶带后将晶片截断为芯片单元的划片工序、将晶片加工用胶带扩张(扩展)的扩展工序、拾取进行截断而得的芯片的拾取工序、进而将所拾取的芯片粘接在引线框或封装基板等上(或者，在堆叠封装中，是将芯片之间层叠、粘接)的管芯焊接(diebonding)(贴装(mount))工序。
上述背面研磨工序中，为了保护晶片的电路图案形成面(晶片表面)免受污染，使用表面保护胶带。在晶片的背面研削结束后，将该表面保护胶带从晶片表面剥离时，在晶片背面贴合以下所述的晶片加工用胶带(划片·管芯焊接胶带)后，将晶片加工用胶带侧固定在吸附台上，对表面保护胶带实施降低与晶片的粘接力的处理后，剥离表面保护胶带。被剥离了表面保护胶带的晶片此后在背面贴合有晶片加工用胶带的状态下，被从吸附台上拿起，提供给下面的划片工序。而且，上述的所谓降低粘接力的处理，在表面保护胶带由紫外线等能量射线固化性成分组成的情况下，是能量射线照射处理，在表面保护胶带由热固化性成分组成的情况下，是加热处理。
上述背面研磨工序后的划片工序～贴装工序中，使用在基材膜上依次层叠有粘合剂层和胶粘剂层而得的晶片加工用胶带。通常，在使用晶片的情况下，首先，在晶片的背面贴合晶片的胶粘剂层而将晶片固定，使用划片刀将晶片及胶粘剂层划切为芯片单元。其后，通过将胶带沿晶片的径向扩张，从而实施拓宽芯片之间的间隔的扩展工序。该扩展工序是出于如下目的实施，即，在之后的拾取工序中，提高借助CCD照相机等的芯片的辨识性，并且在拾取芯片时，防止因相邻的芯片之间接触而产生的芯片的破损。其后，芯片在拾取工序中与胶粘剂层一起从粘合剂层剥离并被拾取，在贴装工序中，被直接粘接在引线框或封装基板等上。这样，通过使用晶片加工用胶带，就可以将带有胶粘剂层的芯片直接粘接在引线框或封装基板等上，因此可以省略胶粘剂的涂布工序或另外在各芯片上粘接管芯焊接膜的工序。
然而，在所述划片工序中，如上所述，使用划片刀将晶片与胶粘剂层一起切划，因此不仅会产生晶片的切削屑，还会产生胶粘剂层的切削屑。此外，在胶粘剂层的切削屑堵塞在晶片的划片槽中的情况下，芯片彼此粘着而产生拾取不良等，存在有半导体装置的成品率降低的问题。
为了解决此种问题，提出过如下的方法，即，在划片工序中用刀仅切划晶片，在扩展工序中，通过扩张晶片加工用胶带，从而按照各个芯片来截断胶粘剂层(例如专利文献1)。根据此种利用了扩张时的张力的胶粘剂层的截断方法，不会产生胶粘剂的切削屑，也不会在拾取工序中造成不良影响。
另外，近年来，作为晶片的切断方法，提出过可以使用激光加工装置以非接触方式切断晶片的所谓隐形划片法(stealthdicingmethod)。例如，在专利文献2中，作为隐形划片法，公开了一种半导体基板的切断方法，其具备：通过使焦点光聚光在夹隔着胶粘剂层(小片接合树脂层)并贴附有片材的半导体基板的内部，照射激光，从而在半导体基板的内部形成由多光子吸收造成的改性区域，将该改性区域设为预定切断部的工序；以及通过使片材扩张，从而沿着预定切断部切断半导体基板及胶粘剂层的工序。
另外，作为使用了激光加工装置的其他的晶片的切断方法，例如，在专利文献3中，提出了一种晶片的分割方法，包括：在晶片的背面安装管芯焊接用的胶粘剂层(粘接膜)的工序；在贴合有该胶粘剂层的晶片的胶粘剂层侧贴合可以伸长的保护粘合带的工序；从贴合了保护粘合带的晶片的表面沿着切割道(street)照射激光线而分割为各个芯片的工序；扩张保护粘合带以对胶粘剂层施加拉力、使胶粘剂层按照每个芯片断裂的工序；以及将贴合有断裂了的胶粘剂层的芯片从保护粘合带中脱离的工序。
根据这些专利文献2及专利文献3中记载的晶片的切断方法，由于利用激光的照射及胶带的扩张，以非接触方式切断晶片，因此对晶片的物理负荷小，可以不产生像进行当前主流的刀片划片时那样的晶片的切削屑(碎屑)地切断晶片。另外，由于利用扩张来截断胶粘剂层，因此也不会产生胶粘剂层的切削屑。由此，作为可以取代刀片划片的优异的技术受到关注。
如上述专利文献1～3中记载所示，在利用扩张来截断胶粘剂层的方法中，对于所使用的晶片，为了沿着芯片将胶粘剂层可靠地截断，需要将基材膜的均匀并且各向同性的扩张性通过粘合剂层充分地传递到胶粘剂层。
这是因为，在胶粘剂层与粘合剂层的界面中产生偏移的情况下，在该部位就不会向胶粘剂层传递足够的拉力，从而无法截断胶粘剂层。
然而，一般而言，在采用不会产生胶粘剂层与粘合剂层的界面偏移的设计的晶片加工用胶带的情况下，有增大胶粘剂层与粘合剂层的剥离强度的方法，然而在拾取工序中会产生无法将被分割了的芯片剥离的问题。相反如果使胶粘剂层与粘合剂层的剥离强度过低，则会产生在刀片划片工序中容易发生芯片分散的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1日本特开2007－5530号公报
专利文献2日本特开2003－338467号公报
专利文献3日本特开2004－273895号公报
发明内容
发明所要解决的问题
因而，本发明的目的在于，提供一种晶片加工用胶带，其具有适于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性和拾取性，并且刀片划片工序中的切削性和拾取性也优异。
本发明的目的可以利用以下的方案来达成。
＜1＞一种粘合带，其特征在于，在基材膜的一方的面层叠有粘合剂层，在比较从所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱时，匹配度为95％以下，从与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的粘合剂层含有在分子中具有放射线固化性碳－碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)。
＜2＞根据＜1＞中记载的粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的厚度为1.5～15μm。
＜3＞根据＜1＞或＜2＞中记载的粘合带，其特征在于，所述放射线固化性碳－碳双键的碘值为0.5～30。
＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项记载的粘合带，其特征在于，所述具有放射线固化性碳－碳双键的化合物的分子量为30万～200万。
＜5＞一种晶片加工用胶带，其特征在于，在＜1＞～＜4＞中任一项记载的粘合带的所述粘合剂层的、至少预定要贴合晶片的部分层叠有胶粘剂层，在预定向划片框贴合的部分未层叠有所述胶粘剂层。
＜6＞一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法是使用＜5＞中记载的晶片加工用胶带制造半导体装置的方法，其包括：
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(c)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(e)沿着所述晶片的截断线照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收造成的改性区域的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而将所述晶片与所述晶片加工用胶带的所述胶粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工序。
＜7＞一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法是使用＜5＞中记载的晶片加工用胶带制造半导体装置的方法，其包括：
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(c)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(e)沿着所述晶片表面的截断线照射激光，将所述晶片截断为芯片的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工序。
＜8＞一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法是使用＜5＞中记载的晶片加工用胶带制造半导体装置的方法，其包括：
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(c)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(e)用划片刀沿着截断线切削所述晶片，截断为芯片的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工序。
＜9＞一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法是使用＜5＞中记载的晶片加工用胶带制造半导体装置的方法，其包括：
(a)将形成有电路图案的晶片用划片刀沿着预定截断线切削至小于所述晶片的厚度的深度的工序；
(b)在所述晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(c)研削所述晶片背面而截断为芯片的背面研磨工序；
(d)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在被截断为所述芯片的所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(e)从被截断为所述芯片的所述晶片表面剥离表面保护胶带的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有胶粘剂层的所述芯片的工序。
＜10＞一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法是使用＜5＞中记载的晶片加工用胶带制造半导体装置的方法，其包括：
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)沿着所述晶片的截断线照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收造成的改性区域的工序；
(c)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(d)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(e)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而将所述晶片和所述晶片加工用胶带的所述胶粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工序。
发明的效果
根据本发明，可以提供如下的晶片加工用胶带，即，具有适于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性和拾取性，并且刀片划片工序中的切削性和拾取性也优异。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的晶片加工用胶带的剖面图。
图2是表示在晶片上贴合有表面保护胶带的状态的剖面图。
图3是用于说明在本发明的晶片加工用胶带上贴合晶片和环形框的工序的剖面图。
图4是说明从晶片的表面剥离表面保护胶带的工序的剖面图。
图5是表示利用激光加工在晶片中形成改性区域的样子的剖面图。
图6的(a)是表示将本发明的晶片加工用胶带搭载于扩展装置中的状态的剖面图，(b)是表示利用晶片加工用胶带的扩张将晶片截断为芯片的过程的剖面图，(c)是表示扩张后的晶片加工用胶带、胶粘剂层、及芯片的剖面图。
图7是用于说明热收缩工序的剖面图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。
图1是表示本发明的实施方式的晶片加工用胶带10的剖面图。本发明的晶片加工用胶带10在利用扩展将晶片截断为芯片时，胶粘剂层13被沿着芯片截断。该晶片加工用胶带10具有基材膜11、设于基材膜11上的粘合剂层12、和设于粘合剂层12上的胶粘剂层13，晶片的背面被贴合在胶粘剂层13上。而且，各个层也可以被与使用工序、装置匹配地预先切断(预切割)为规定形状。此外，本发明的晶片加工用胶带10既可以是切断为1片晶片的量的形态，也可以是将形成有多个切断为1片晶片的量的胶带的长条的片材卷绕成卷筒状的形态。以下，对各层的构成进行说明。另外，将层叠了基材膜11与粘合剂层12而得的材料设为粘合带15。
＜基材膜＞
基材膜11只要是在扩展工序中具有均匀并且各向同性的扩张性的膜即可，对于其材质没有特别限定。一般而言，与非交联树脂相比，交联树脂相对于拉伸的恢复力大，在扩展工序后的被拉伸了的状态下加热时的收缩应力大。因此，能利用加热收缩除去扩展工序后在胶带中产生的松弛，由此就可以使胶带拉紧从而稳定地保持各个芯片的间隔。因而，优选将交联树脂、尤其是热塑***联树脂作为基材膜使用。
作为此种热塑***联树脂，例如可以例示出将乙烯－(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯－(甲基)丙烯酸－(甲基)丙烯酸用金属离子交联而得的离聚物树脂。它们从均匀扩张性的方面考虑适合于扩展工序，并且因交联而在加热时产生强的恢复力，从这一点考虑特别合适。上述离聚物树脂中所含的金属离子没有特别限定，然而从低污染性的方面考虑，特别优选溶出性低的锌离子。
作为此种热塑***联树脂，基材膜11也可以是多层结构，由将乙烯－(甲基)丙烯酸2元共聚物或以乙烯－(甲基)丙烯酸－(甲基)丙烯酸烷基酯作为主要的聚合物构成成分的3元共聚物用金属离子交联而得的离聚物树脂构成。
它们从均匀扩张性的方面考虑适合于扩展工序，并且因交联而在加热时产生强的恢复力，从这一点考虑特别合适。上述离聚物树脂中所含的金属离子没有特别限定，但是可以举出锌、钠等，其中优选为锌。这是因为，离聚物树脂中的钠离子会移动到形成于半导体晶片上的电路中，有可能引起金属杂质污染或腐蚀。对于所述3元共聚物的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基，由于烷基越长则树脂越柔软，因此碳数优选为1～4。作为此种(甲基)丙烯酸烷基酯，可以举出甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯等。
另外，作为此种热塑***联树脂，除了所述的离聚物树脂以外，也适合采用通过对比重0.910以上～小于0.930的低密度聚乙烯或比重小于0.910的超低密度聚乙烯照射电子束等能量射线而使之交联的热塑***联树脂。此种热塑***联树脂由于在树脂中同时存在有交联部位和非交联部位，因此具有一定的均匀扩张性。另外，由于在加热时产生强的恢复力，因此在除去扩展工序中产生的胶带的松弛方面也适合。通过恰当地调节对低密度聚乙烯或超低密度聚乙烯照射的能量射线的量，能获得具有足够的均匀扩张性的树脂。
此外，作为热塑***联树脂，除了所述的离聚物树脂、被能量射线交联了的聚乙烯以外，也适合采用对乙烯－乙酸乙烯酯共聚物照射电子束等能量射线而交联了的热塑***联树脂。该热塑***联树脂由于在加热时产生强的恢复力，因此能除去扩展工序中产生的胶带的松弛，因而适合。
而且，虽然在图1中所示的例子中，基材膜11为单层，然而并不限定于此，也可以是将2种以上的热塑***联树脂层叠了的多层结构。基材膜11的厚度没有特别规定，但是作为在晶片加工用胶带10的扩展工序中容易拉伸、并且具有不会断裂的足够的强度的厚度，优选为50～200μm左右，更优选为100μm～150μm。
作为多层的基材膜11的制造方法，可以使用以往公知的挤出法、层压法等。在使用层压法的情况下，也可以在层间夹设胶粘剂。作为胶粘剂可以使用以往公知的胶粘剂。
＜粘合剂层＞
可以在基材膜11上涂布粘合剂组合物而形成粘合剂层12。
构成本发明的晶片加工用胶带10的粘合剂层12只要是具有在划片时不会产生与胶粘剂层13的剥离、不会产生芯片分散等不良的程度的保持性、或在拾取时容易与胶粘剂层13剥离的特性的物质即可。具体而言，在比较从粘合剂层12的基材膜11侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱、和从粘合剂层12的与基材膜11侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱时，匹配度为95％以下。
由于粘合剂层12的基材膜附近面、和与基材膜11相反一侧的附近面的借助红外吸收光谱仪得到的匹配度为95％以下，因此基材膜层11侧的粘合剂层12的性质与胶粘剂层13侧的粘合剂层12的性质不同，基材膜层11侧的粘合剂层12与基材的密合性良好，胶粘剂层13侧的粘合剂层12在放射线固化前与胶粘剂层13的密合性优异，在分割为芯片时不会产生胶粘剂层13与粘合剂层12的界面中的偏移。此外，不仅在放射线固化后剥离性降低且拾取性优异，而且在刀片划片时，由于由不同性质的粘合剂构成，因此它们的凝聚力变小，也包括胶粘剂层13在内的切削屑本身也变脆。由此在端部附着于胶粘剂层13上的切削屑变脆，所以在拾取工序时不会施加多余的力，在刀片划片工序中具有良好的拾取性能。而且，此处所说的附近是指从表面起深1μm以内的范围。另外，红外光谱的匹配度优选为70％以上。虽然即使小于70％也没有问题，但是如果为70％以上，粘合剂之间的密合性就会更加良好，在划片、拾取时难以发生层间剥离。
粘合剂层12的红外吸收光谱分析是利用FT－IR的ATR法(AttenuatedTotalReflection、衰减全反射法)进行。使粘合剂层12的截面露出，得到从基材膜11侧的表面起厚1μm的区域的红外光谱(基材侧光谱)。
另外，得到从粘合剂层12的与基材膜11侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的红外光谱(粘接层侧光谱)。比较这两个红外光谱，算出匹配度。在此种微小区域的测定中，优选利用组合了红外显微镜和ATR法的显微ATR法来进行。
而且，匹配度的算出使用相关法。具体而言，利用如下的方法得到，即，对于4000～650cm－1的红外光谱(纵轴：强度、横轴：波数)的曲线图中的、各波数下的光谱的斜率，利用基材侧光谱的斜率和粘接层侧光谱的斜率求出相关系数。
本发明中，FT－IR的ATR法可以依照通常的固体试样的表面分析中所用的ATR法来进行，例如能使用Nicolet公司制的NEXUS470等ATR法模式来进行。具体而言，分别设为如下条件，使用样品池：ZnSe棱镜、扫描次数：100次、入射角：45度、基线：连结4000cm－1与650cm－1的直线。需要说明的是，ATR法中的测定波长对测定试样的潜入深度d利用下述的数学式1求出，虽然根据测定试样的折射率n2而变化，然而在通常的丙烯酸系粘合剂等中能用1.5来近似。因而，各入射光的试样潜入量d能近似为在测定试样间同等。另外，试样的折射率能使用阿贝折射仪等测定，在测定试样的折射率n2与1.5存在较大不同的情况下，以使潜入深度d为与折射率1.5同等的深度的方式来修正吸收强度。
潜入深度d＝λ/(2π(sin2θ－(n2/n1)2)1/2)···数学式(1)
此处，λ表示ATR晶体中的测定波长，θ表示入射角，n2表示测定试样的折射率，n1表示ATR晶体的折射率(在ZnSe的情况下为2.4)。
在本发明的晶片加工用胶带中，构成粘合剂层12的粘合剂组合物的构成没有特别限定，为了提高划片后的拾取性，优选能量射线固化性的组合物，优选为在固化后容易与胶粘剂层13剥离的材料。具体而言，在粘合剂组合物中，作为基质树脂，可以优选例示出具有聚合物(A)的树脂，该聚合物(A)含有60摩尔％以上的具有碳数为6～12的烷基链的(甲基)丙烯酸酯，并且具有碘值为5～30的能量射线固化性碳－碳双键。而且，此处所说的能量射线，是指紫外线那样的光线、或电子束等电离性放射线。
此种聚合物(A)中，能量射线固化性碳－碳双键的优选的导入量以碘值计为5～30，更优选为10～30。这是因为，聚合物(A)本身具有稳定性，容易制造。另外，在碘值小于5的情况下，会有无法充分地获得能量射线照射后的粘合力的降低效果的情况，在碘值大于30的情况下，能量射线照射后的粘合剂的流动性变得不充分，无法充分地获得晶片加工用胶带10的扩张后的芯片的间隙，在拾取时会有难以辨识各芯片的图像的情况。
此外，聚合物(A)的玻璃化温度优选为－70℃～15℃，更优选为－66℃～－28℃。如果玻璃化温度为－70℃以上，则对于伴随着能量射线照射产生的热的耐热性足够，如果为15℃以下，则可以充分地获得表面状态粗的晶片的划片后的芯片的飞散防止效果。
所述的聚合物(A)无论怎样制造都可以，例如可以使用将丙烯酸系共聚物与具有能量射线固化性碳－碳双键的化合物混合而得的聚合物；或使具有官能团的丙烯酸系共聚物或具有官能团的甲基丙烯酸系共聚物(A1)、与具有能够与该官能团反应的官能团并且具有能量射线固化性碳－碳双键的化合物(A2)反应而得的聚合物。
其中，作为所述的具有官能团的甲基丙烯酸系共聚物(A1)，可以例示出使丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等具有碳－碳双键的单体(A1－1)、与具有碳－碳双键并且具有官能团的单体(A1－2)共聚而得的共聚物。作为单体(A1－1)，能列举出具有碳数为6～12的烷基链的丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2－乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸月桂酯或作为烷基链的碳数为5以下的单体的、丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、或与它们相同的甲基丙烯酸酯等。
需要说明的是，如果在单体(A1－1)中烷基链的碳数小于6的成分多，则粘合剂层与胶粘剂层的剥离力变大，在拾取工序中，会有产生芯片破裂等不佳状况的情况。另外，如果碳数大于12的成分多，则在室温下容易变为固体，因此缺乏加工性，无法获得粘合剂层与胶粘剂层的足够的粘接力，产生界面中的偏移，会有在胶粘剂层的截断中产生不佳状况的情况。
此外，作为单体(A1－1)，由于越是使用烷基链的碳数大的单体，则玻璃化温度越低，因此能通过恰当地选择，来调配具有所需的玻璃化温度的粘合剂组合物。另外，除了玻璃化温度以外，也可以出于提高相溶性等各种性能的目的配合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳－碳双键的低分子化合物。该情况下，这些低分子化合物在单体(A1－1)的总质量的5质量％以下的范围内配合。
另一方面，作为单体(A1－2)所具有的官能团，能举出羧基、羟基、氨基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基等，作为单体(A1－2)的具体例，能列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、苯二甲酸、丙烯酸2－羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2－羟基烷基酯类、乙二醇单丙烯酸酯类、乙二醇单甲基丙烯酸酯类、N－羟甲基丙烯酰胺、N－羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸N－烷基氨基乙基酯类、甲基丙烯酸N－烷基氨基乙基酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚等。
此外，在化合物(A2)中，作为所用的官能团，在化合物(A1)所具有的官能团为羧基或环状酸酐基的情况下，能举出羟基、环氧基、异氰酸酯基等，在为羟基的情况下，能举出环状酸酐基、异氰酸酯基等，在为氨基的情况下，能举出环氧基、异氰酸酯基等，在为环氧基的情况下，可以举出羧基、环状酸酐基、氨基等，作为具体例，能举出与单体(A1－2)的具体例中列举的相同的例子。另外，作为化合物(A2)，也能使用将聚异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的一部分用具有羟基或羧基及能量射线固化性碳－碳双键的单体氨基甲酸酯化了的化合物。
需要说明的是，通过在化合物(A1)与化合物(A2)的反应中，通过残留未反应的官能团，就能在酸值或羟值等特性方面制造所需的物质。如果以使聚合物(A)的羟值为5～100的方式残留OH基，就能通过减小能量射线照射后的粘合力而进一步降低拾取错误的危险性。
另外，如果以使聚合物(A)的酸值为0.5～30的方式残留COOH基，则可以获得使本发明的晶片加工用胶带扩张后的粘合剂层的复原后的改善效果，因而优选。此处，如果聚合物(A)的羟值过低，则能量射线照射后的粘合力的降低效果不够充分，如果过高，则会有损害能量射线照射后的粘合剂的流动性的趋势。另外，如果酸值过低，则胶带恢复性的改善效果不够充分，如果过高则会有损害粘合剂的流动性的趋势。
在上述的聚合物(A)的合成中，作为利用溶液聚合进行反应时的有机溶剂，能使用酮系、酯系、醇系、芳香族系的溶剂，然而其中优选甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、苯甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲乙酮等一般为丙烯酸系聚合物的良溶媒且沸点为60～120℃的溶剂，作为聚合引发剂，通常使用α，α′－偶氮二异丁腈等偶氮双系、过氧化苯甲酰等有机过氧化物系等自由基发生剂。此时，能根据需要并用催化剂、阻聚剂，能通过调节聚合温度及聚合时间，获得所需的分子量的聚合物(A)。另外，对于调节分子量，优选使用硫醇、四氯化碳系的溶剂。需要说明的是，该反应并不限定于溶液聚合，利用本体聚合、悬浮聚合等其他的方法也无妨。
可以如上所述地得到聚合物(A)，而在本发明中，聚合物(A)的分子量优选为30万～200万左右。如果小于30万，则凝聚力变小，在扩展时容易产生与胶粘剂层的界面中的偏移，无法向胶粘剂层传递足够的拉力，从而会有胶粘剂层的分割不充分的情况。为了尽可能地防止该偏移，分子量优选为30万以上。另外，如果分子量大于200万，则合成时及涂布时有可能凝胶化。需要说明的是，本发明中的所谓分子量，是指聚苯乙烯换算的质均分子量。
另外，在本发明的晶片加工用胶带10中，构成粘合剂层12的树脂组合物也可以除了聚合物(A)以外，还具有作为交联剂发挥作用的化合物(B)。具体而言，是选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂、及环氧树脂中的至少1种的化合物。它们能单独地使用或者组合使用2种以上。该化合物(B)与聚合物(A)或基材膜反应，利用作为其结果产生的交联结构，能在涂布粘合剂组合物后提高以聚合物(A)及(B)作为主成分的粘合剂的凝聚力。
作为聚异氰酸酯类，没有特别限制，例如能举出4，4′－二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯、4，4′－二苯基醚二异氰酸酯、4，4′－〔2，2－双(4－苯氧基苯基)丙烷〕二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、2，2，4－三甲基－六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4，4′－二环己基甲烷二异氰酸酯、2，4′－二环己基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等，具体而言，能使用CORONATEL(日本聚氨酯株式会社制、商品名)等。作为三聚氰胺-甲醛树脂，具体而言，能使用NIKALACMX－45(三和化学株式会社制、商品名)、MELAN(日立化成工业株式会社制、商品名)等。作为环氧树脂，能使用TETRAD－X(三菱化学株式会社制、商品名)等。本发明中，特别优选使用聚异氰酸酯类。
作为化合物(B)的添加量，以相对于聚合物(A)100质量份为0.1～10质量份、优选以为0.5～5质量份的配合比的方式选择。通过在该范围内选择，就能设为合适的凝聚力，交联反应不会急剧地进行，因此粘合剂的配合、涂布等的操作性变得良好。
另外，本发明中，优选在粘合剂层12中含有光聚合引发剂(C)。对于粘合剂层12中所含的光聚合引发剂(C)没有特别限制，能使用以往已知的光聚合引发剂。例如可以举出二苯甲酮、4，4'－二甲基氨基二苯甲酮、4，4'－二乙基氨基二苯甲酮、4，4'－二氯二苯甲酮等二苯甲酮类、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮类、2－乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌类、2－氯噻吨酮、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苄基、2，4，5－三芳基咪唑二聚物(洛粉碱二聚物)、吖啶系化合物等，它们能单独地使用或者组合使用2种以上。作为光聚合引发剂(C)的添加量，相对于聚合物(A)100质量份优选设为0.1～10质量份，更优选设为0.5～5质量份。
此外能在本发明中所用的能量射线固化性的粘合剂中根据需要配合增粘剂、粘合调节剂、表面活性剂等、或者其他的改性剂等。另外，也可以适当地加入无机化合物填充剂。
粘合剂层12的厚度优选为1.3～16μm，更优选为1.5～15μm，进一步优选为2～10μm。需要说明的是，粘合剂层12也可以是层叠了多个层的结构。
＜胶粘剂层＞
本发明的晶片加工用胶带中，胶粘剂层13在被贴合晶片、并划片后，在拾取芯片时，从粘合剂层12剥离而附着在芯片上。此外，还被作为将芯片固定在基板或引线框上时的胶粘剂使用。胶粘剂层13没有特别限定，只要是在晶片中普遍所使用的薄膜状胶粘剂即可，优选丙烯酸系胶粘剂、环氧树脂/酚醛树脂/丙烯酸树脂的混合系胶粘剂等。其厚度可以适当地设定，然而优选为5～150μm左右。
在本发明的晶片加工用胶带10中，胶粘剂层13也可以将预先被薄膜化了的膜(以下称作粘接膜)直接或间接地层压在基材膜11上而形成。优选将层压时的温度设为10～100℃的范围，施加0.01～10N/m的线压力。而且，此种粘接膜也可以是在间隔件上形成了胶粘剂层13的膜，该情况下，既可以在层压后剥离间隔件，或者也可以直接作为晶片加工用胶带10的覆盖膜使用，在贴合晶片时剥离。
所述粘接膜也可以层叠于粘合剂层12的整个面，然而也可以将预先切断为与被贴合的晶片对应的形状的(被预切割了的)粘接膜层叠于粘合剂层12上。像这样，在层叠与晶片对应的粘接膜的情况下，如图3所示，在被贴合晶片W的部分有胶粘剂层13，在被贴合环形框20的部分没有胶粘剂层13而仅存在粘合剂层12。一般而言，由于胶粘剂层13难以与被粘附体剥离，因此通过使用被预切割了的粘接膜，就能将环形框20与粘合剂层12贴合，可以获得在使用后的胶带剥离时难以在环形框20上产生脱胶的效果。
＜用途＞
本发明的晶片加工用胶带10是被用于至少包括利用扩张来截断胶粘剂层13的扩展工序的半导体装置的制造方法中的胶带。因而，对于其他的工序或工序的顺序等没有特别限定。例如，可以在以下的半导体装置的制造方法(A)～(E)中合适地使用。
半导体装置的制造方法(A)
包括如下的工序的半导体装置的制造方法，即，
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(c)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(e)沿着所述晶片的截断线照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收造成的改性区域的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而将所述晶片和所述晶片加工用胶带的所述胶粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工序。
半导体装置的制造方法(B)
包括如下的工序的半导体装置的制造方法，即，
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(c)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(e)沿着所述晶片表面的截断线照射激光，将所述晶片截断为芯片的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工序。
半导体装置的制造方法(C)
包括如下的工序的半导体装置的制造方法，即，
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(c)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(e)用划片刀沿着截断线切削所述晶片，截断为芯片的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工序。
半导体装置的制造方法(D)
包括如下的工序的半导体装置的制造方法，即，
(a)将形成有电路图案的晶片用划片刀沿着预定截断线切削至小于所述晶片的厚度的深度的工序；
(b)在所述晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(c)研削所述晶片背面而截断为芯片的背面研磨工序；
(d)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在被截断为所述芯片的所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(e)从被截断为所述芯片的所述晶片表面剥离表面保护胶带的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有胶粘剂层的所述芯片的工序。
半导体装置的制造方法(E)
包括如下的工序的半导体装置的制造方法，即，
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)沿着所述晶片的截断线照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收造成的改性区域的工序；
(c)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(d)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(e)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而将所述晶片和所述晶片加工用胶带的所述胶粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工序。
＜使用方法＞
参照图2～图5，对将本发明的晶片加工用胶带10应用于上述半导体装置的制造方法(A)时的胶带的使用方法进行说明。首先，如图2所示，在形成有电路图案的晶片W的表面，贴合在粘合剂中含有紫外线固化性成分的电路图案保护用的表面保护胶带14，实施研削晶片W的背面的背面研磨工序。
在背面研磨工序结束后，如图3所示，在晶片贴膜机(wafermounter)的加热台25上，将表面侧朝下地载放晶片W后，在晶片W的背面贴合晶片加工用胶带10。此处使用的晶片加工用胶带10是层叠有被预先切断(预切割)为与所贴合的晶片W对应的形状的粘接膜的胶带，在与晶片W贴合的面中，在露出了胶粘剂层13的区域的周围露出粘合剂层12。将该晶片加工用胶带10的露出了胶粘剂层13的部分与晶片W的背面贴合，并且将胶粘剂层13的周围的露出了粘合剂层12的部分与环形框20贴合。此时，加热台25被设定为70～80℃，利用它实施加热贴合。
然后，将贴合有晶片加工用胶带10的晶片W从加热台25上搬出，如图4所示，将晶片加工用胶带10侧朝下地载放到吸附台26上。此后，从吸附固定在吸附台26的晶片W的上方，使用能量射线光源27，向表面保护胶带14的基材面侧照射例如1000mJ/cm2的紫外线，降低表面保护胶带14对晶片W的粘接力，从晶片W表面剥离表面保护胶带14。
然后，如图5所示，沿着截断线，对晶片W的预定分割部分照射激光L，在晶片W的内部形成由多光子吸收造成的改性区域32。
然后，如图6的(a)所示，使基材膜11侧朝下地将贴合有晶片W及环形框20的晶片加工用胶带10载放在扩展装置的载台21上。
然后，如图6(b)所示，在将环形框20固定的状态下，使扩展装置的空心圆柱形状的顶出构件22沿A方向上升，扩张(扩展)晶片加工用胶带10。作为扩张条件，扩展速度例如为5～500mm/sec，扩展量(顶出量)例如为5～25mm。通过像这样将晶片加工用胶带10沿晶片W的径向拉伸，从而将晶片W以所述改性区域32为起点截断为芯片34单元。此时，胶粘剂层13在与晶片W的背面粘接的部分可以抑制由扩张造成的伸长(变形)而不引起断裂，然而在芯片34间的位置，由胶带的扩张造成的张力集中而断裂。因而，如图6(c)所示，胶粘剂层13也与晶片W一起被截断。由此，就能得到带有胶粘剂层13的多个芯片34。
然后，如图7所示，进行如下的工序，即，将顶出构件22送回原来的位置，除去在先前的扩展工序中产生的晶片加工用胶带10的松弛，用以稳定地保持芯片34的间隔。该工序中，例如，使用热风喷嘴29将90～120℃的热风吹送到晶片加工用胶带10中的存在有芯片34的区域与环形框20之间的圆环状的加热收缩区域28从而使基材膜11加热收缩，使晶片加工用胶带10拉紧。其后，对粘合剂层12实施能量射线固化处理或热固化处理等，减弱粘合剂层12对胶粘剂层13的粘合力后，从基材膜11侧用顶针(pin)将芯片34顶出，使芯片34和胶粘剂层13从粘合剂层12中剥离，拾取芯片34。
[实施例]
下面，为了使本发明的效果更加明确，对实施例及比较例进行详细说明，但是本发明并不限定于这些实施例。
〔晶片加工用胶带的制作〕
(1)基材膜的制作
将利用自由基聚合法合成的乙烯－甲基丙烯酸－甲基丙烯酸乙酯(质量比7.5：1.4：1.1)3元共聚物的锌离聚物(密度0.93g/cm3、锌离子含量5质量％、氯含量小于1质量％、维卡软化点55℃、熔点85℃)的树脂珠在140℃熔融，使用挤出机成形为厚100μm的长条薄膜状从而制作出基材膜。
(2)丙烯酸系共聚物的配制
(a－1)
作为具有官能团的丙烯酸系共聚物(A1)，配制出由丙烯酸2－乙基己酯、丙烯酸2－羟基乙酯及丙烯酸构成，质均分子量为80万的共聚物。然后，以使碘值为20的方式，作为具有能量射线固化性碳－碳双键的化合物(A2)，添加甲基丙烯酸2－异氰酸基乙酯，配制出玻璃化温度为－60℃，羟值为30mgKOH/g，酸值为5mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(a－1)。
(a－2)
作为具有官能团的丙烯酸系共聚物(A1)，配制出由丙烯酸正丁酯、丙烯酸2－羟基乙酯及丙烯酸构成，质均分子量为70万，玻璃化温度为－70℃，羟值为20mgKOH/g，酸值为3mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(a－2)。
(a－3)
作为具有官能团的丙烯酸系共聚物(A1)，配制出由丙烯酸月桂酯、丙烯酸2－羟基乙酯及丙烯酸构成，质均分子量为80万的共聚物。然后，以使碘值为20的方式，作为具有能量射线固化性碳－碳双键的化合物(A2)，添加甲基丙烯酸2－异氰酸基乙酯，配制出玻璃化温度为5℃、羟值为50mgKOH/g、酸值为6mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(a－3)。
(a－4)
作为具有官能团的丙烯酸系共聚物(A1)，配制出由丙烯酸月桂酯、丙烯酸2－羟基乙酯及丙烯酸构成，质均分子量为80万，玻璃化温度为－10℃，羟值为30mgKOH/g，酸值为3mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(a－4)。
(3)胶粘剂组合物的调配
(d－1)
向由环氧树脂“YDCN－703”(东都化成株式会社制、商品名、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、环氧当量210)30质量份、作为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂“MILEXXLC－LL”(三井化学株式会社制、商品名、酚醛树脂)25质量份、作为硅烷偶联剂的“A－1160”(日本UNICAR株式会社制、商品名)1.8质量份、及“A－189”(日本UNICAR株式会社制、商品名)1.0质量份、作为二氧化硅填充剂(粒子)的“AEROSILR972”(日本AEROSIL株式会社制、商品名、平均粒径：0.016μm、比表面积120m2/g)22.2质量份构成的组合物中，加入环己酮，搅拌混合后使用珠磨机再混炼90分钟。
向其中加入含有3质量％的来自于丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯的单体单元的作为丙烯酸橡胶(高分子量成分)的“HTR－860P－3”(NagaseChemteX株式会社制、商品名、质均分子量80万)200质量份、及作为固化促进剂的“CURESOL2PZ－CN”(四国化成工业株式会社制、商品名、1－氰基乙基－2－苯基咪唑)0.01质量份，搅拌混合，得到胶粘剂组合物(d－1)。
＜实施例1＞
相对于丙烯酸系共聚物(a－1)100质量份，作为聚异氰酸酯加入CORONATEL(日本聚氨酯制)3质量份，作为光聚合引发剂加入IRGACURE184(日本Ciba-Geigy公司制)3质量份，将所得的混合物溶解于乙酸乙酯中，搅拌而配制出粘合剂组合物1。
然后，相对于丙烯酸系共聚物(a－2)100质量份，作为聚异氰酸酯加入CORONATEL(日本聚氨酯制)6质量份，将所得的混合物溶解于乙酸乙酯中，搅拌从而配制出粘合剂组合物2。
然后，在由进行了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的剥离内衬上，依次涂布该粘合剂组合物1、2，使得干燥后的厚度分别为5μm，合计为10μm，在110℃干燥3分钟后，与基材膜贴合，制作出在基材膜上形成了粘合剂层的粘合片。
然后，在由进行了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的剥离内衬上，以使干燥后的厚度为20μm的方式涂布胶粘剂组合物(d－1)，在110℃干燥5分钟，制作出在剥离内衬上形成有胶粘剂层的粘接膜。
将粘合片裁割为相对于环形框能覆盖开口部地贴合的图3等中所示的形状。另外，将粘接膜裁割为能覆盖晶片背面的图3等中所示的形状。此后，将所述粘合片的粘合剂层侧与所述粘接膜的胶粘剂层侧如图3等中所示以在粘接膜的周围形成露出粘合剂层12的部分的方式贴合，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例2＞
除了作为粘合剂组合物3取代丙烯酸系共聚物(a－1)而使用了丙烯酸系共聚物(a－3)以外，与实施例1的粘合剂组合物1相同地配制出粘合剂组合物3。使用该粘合剂组合物3，利用与实施例1相同的手法，依照粘合剂组合物3、2的顺序涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例3＞
除了作为粘合剂组合物4取代丙烯酸系共聚物(a－2)而使用了丙烯酸系共聚物(a－4)以外，与实施例1的粘合剂组合物2相同地配制出粘合剂组合物4。使用该粘合剂组合物4，利用与实施例1相同的手法，依照粘合剂组合物1、4的顺序涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例4＞
在实施例3中，取代粘合剂组合物1而使用了粘合剂组合物3，利用与实施例1相同的手法，依照粘合剂组合物3、4的顺序涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例5＞
在实施例1中，取代粘合剂组合物2而使用了粘合剂组合物3，利用与实施例1相同的手法，依照粘合剂组合物1、3的顺序涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例6＞
在实施例1中，不改变各自的厚度比率而以使干燥后的厚度为15μm的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例7＞
在实施例1中，不改变各自的厚度比率而以使干燥后的厚度为2μm的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例8＞
在实施例1中，不改变各自的厚度比率而以使干燥后的厚度为1.5μm的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例9＞
在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为1μm、粘合剂组合物2的干燥后的厚度为9μm的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例10＞
在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为2μm、粘合剂组合物2的干燥后的厚度为8μm的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例11＞
在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为3μm、粘合剂组合物2的干燥后的厚度为7μm的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例12＞
在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为4μm、粘合剂组合物2的干燥后的厚度为6μm的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例13＞
在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为0.6μm、粘合剂组合物2的干燥后的厚度为0.7μm的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜实施例14＞
在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为9μm、粘合剂组合物2的干燥后的厚度为7μm的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
＜比较例1＞
与实施例1相同地配制出粘合剂组合物1。仅使用该粘合剂组合物1，利用与实施例1相同的手法，制作出晶片加工用胶带。
＜比较例2＞
与实施例1相同地配制出粘合剂组合物2。仅使用该粘合剂组合物2，利用与实施例1相同的手法，制作出晶片加工用胶带。
＜比较例3＞
与实施例1相同地配制出粘合剂组合物1及2。使用该粘合剂组合物，利用与实施例1相同的手法，依照粘合剂组合物2、1的顺序涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
〔晶片加工用胶带的物性和评价〕
(1)红外吸收光谱的测定
对实施例、比较例中得到的各晶片加工用胶带，利用借助切片机的截面切断使粘合剂层露出，测定出基材膜的附近及胶粘剂层附近的粘合剂层的红外吸收光谱。此时使用了Nicolet公司制的NEXUS470的ATR法模式。具体而言，分别设为如下的条件，即，使用样品池：ZnSe棱镜、扫描次数：100次、入射角：45度、基线：连结4000cm－1与650cm－1的直线。(而且，测定波长的潜入深度d如前所述，在通常的丙烯酸系粘合剂等中在试样间能近似为同等，在必要时修正吸收强度以达到同等的深度。)。求出所得的光谱的一致率(匹配度)，将结果表示于表1中。
需要说明的是，匹配度的算出使用了相关法。具体而言，对于4000～650cm－1的红外光谱(纵轴：强度、横轴：波数)的曲线图中的、各波数下的光谱的斜率，利用基材侧光谱的斜率和粘接层侧光谱的斜率求出相关系数。
(2)截断率的测定
利用以下所示的方法，对所述实施例及所述比较例的各晶片加工用胶带，实施了相当于所述的半导体装置的制造方法(A)的下述的半导体加工工序中的适合性试验。
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带。
(b)进行了研削所述晶片背面的背面研磨工序。
(c)在将晶片加热到70℃的状态下，在所述晶片的背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层，同时将晶片加工用环形框与所述晶片加工用胶带的粘合剂层未与胶粘剂层重叠而露出的部分贴合。
(d)从所述晶片表面剥离表面保护胶带。
(e)沿着所述晶片的截断线照射激光，在该晶片的内部形成由多光子吸收造成的改性区域。
(f)通过将所述晶片加工用胶带扩展10％，从而将所述晶片和所述胶粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片。
(g)将所述晶片加工用胶带的未与所述芯片重叠的部分(存在有芯片的区域与环形框之间的圆环状的区域)加热到120℃，使之收缩，从而除去(f)的扩展工序中产生的松弛，保持该芯片的间隔。
(h)从晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有胶粘剂层的所述芯片。
需要说明的是，(f)工序中，通过利用株式会社DISCO公司制DDS－2300，将贴合在晶片加工用胶带上的划片用环形框用株式会社DISCO公司制DDS－2300的扩展环下压，将晶片加工用胶带的晶片贴合部位外周的未与晶片重叠的部分向圆形的顶出构件推压从而实施了扩展。另外，作为(f)及(g)工序的条件，设为扩展速度300mm/sec、扩展量(顶出量)20mm。此处，所谓扩展量，是指下压前与下压后的环形框与顶出构件的相对位置的变化量。
对实施例1～14及比较例1～3的晶片加工用胶带，通过在(g)工序后立即观察100个芯片的截断的有无而评价了上述的(f)工序中的胶粘剂层的截断率。将结果表示于表1中。
(3)拾取性的评价(1)
进行了对利用隐形划片法截断了的芯片的拾取性的评价。
在经过(a)～(f)中的工序后，在(g)工序之后(h)工序之前，对晶片加工用胶带的、基材膜中的与层叠有胶粘剂层的面相反一侧的面，利用金属卤化物高压水银灯，在氮气气氛下，以365nm下30mW/cm2、200mJ/cm2的条件照射了紫外线。此后，对单片化为10.0×10.0mm的芯片100个，在(h)工序中进行借助芯片分选装置(CanonMachinery公司制、商品名CAP－300II)的拾取试验，在顶出顶针的顶出高度0.3mm时，将从粘合剂层剥离了的胶粘剂层被保持在芯片上的设为拾取成功的产品，算出拾取成功率。将结果表示于表1中。
(4)刀片划片工序中的芯片飞散的评价
在经过(a)～(d)的工序后，取代(e)工序而将固定在环形框上的半导体晶片用划片装置在下述的划片条件下沿着设定好的预定分割线全切割。
(划片条件1：硅晶片50μm厚)
划片机：DISCO公司制、商品名“DFD－340”
刀片：DISCO公司制、商品名“27HEEE”
刀片转速：40000rpm
划片速度：100mm/sec
划片深度：25μm
切割模式：下切
划片尺寸：1.0×1.0mm
此时，对100个芯片，评价了芯片飞散的个数。
将评价结果表示于表1中。
(5)拾取性的评价(2)
进行了对利用刀片划片法截断了的芯片的拾取性的评价。
在经过(a)～(d)的工序后，取代(e)工序而将固定于环形框上的半导体晶片用划片装置在下述的划片条件下沿着设定好的预定分割线全切割。
(划片条件1：硅晶片50μm厚)
划片机：DISCO公司制、商品名“DFD－340”
刀片：DISCO公司制、商品名“27HEEE”
刀片转速：40000rpm
划片速度：100mm/sec
划片深度：25μm
切割模式：下切
划片尺寸：10.0×10.0mm
其后，对晶片加工用胶带的、基材膜中的与层叠有胶粘剂层的面相反一侧的面，利用金属卤化物高压水银灯，在氮气气氛下，以365nm下30mW/cm2、200mJ/cm2的条件照射了紫外线。此后，对进行了划片的100个芯片，在(h)工序中进行借助芯片分选装置(CanonMachinery公司制、商品名CAP－300II)的拾取试验，将从粘合剂层剥离了的胶粘剂层被保持在芯片上的设为拾取成功的产品，算出拾取成功率。
而且，拾取成功率为90％以上的能判定为合格。
(拾取条件：硅晶片50μm厚)
芯片贴合机：CanonMachinery公司制“CAP－300II”
顶针数：4根
顶针的间隔：9.0×9.0mm
顶针头端曲率：0.25mm
顶针顶出量：0.30mm
顶针顶出速度：300mm/min
顶针顶出保持时间：100ms
将结果表示于表1中。
[表1]
如表1所示，在实施例1～14的晶片加工用胶带的粘合剂层12中，在所述粘合剂层的基材膜附近面与胶粘剂层附近面的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱的匹配度为95％以下。另外，在实施例1～14的胶粘剂层附近的粘合剂层中，使用的是使用了丙烯酸系共聚物(a－1)的粘合剂组合物1、或使用了丙烯酸系共聚物(a－3)的粘合剂组合物3，因此实施例1～8的晶片加工用胶带是含有在分子中具有放射线固化性碳－碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)的晶片加工用胶带。
实施例1～14的晶片加工用胶带显而易见是如下的晶片加工用胶带，即，能在刀片划片工序后的拾取时不对半导体芯片施加应力地、与半导体芯片容易地剥离，同时还具有适合于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性，并且拾取性优异。
与此不同，如果如比较例1和2所示，用一个粘合剂组合物来构成粘合剂层，则红外吸收光谱的匹配度为100％。根据比较例1和2，显而易见，在粘合剂层的基材膜附近面与胶粘剂层附近面的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱的匹配度为95％以上的情况下，在刀片划片工序时会产生芯片飞散或拾取不良。另外，在比较例3的胶粘剂层附近的粘合剂层中，使用的是使用了丙烯酸系共聚物(a－2)的粘合剂组合物2，丙烯酸系共聚物(a－2)在分子中不具有放射线固化性碳－碳双键。根据比较例3，显而易见，如果剥离膜附近的粘合剂层不含有在分子中具有放射线固化性碳－碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)，则即使基材膜附近面与胶粘剂层附近面的在红外吸收光谱中的匹配度为95％以下而截断性优异，拾取成功率也会变差。
而且，所述的半导体装置的制造方法B到D除了在扩展工序中已经被截断为各个芯片这一点以外，进行与半导体装置的制造方法A中的扩展工序、热收缩工序、拾取工序同等的工序。另外，所述的半导体装置的制造方法E与半导体装置的制造方法A相比，提前进行照射激光而形成改性区域的工序。因而，显而易见，使用了实施例1～14及比较例1～3的晶片加工用胶带10时的结果是与表1中所示的结果同等的结果，在半导体装置的制造方法B到E中也是，从截断性、刀片划片性、拾取性的观点考虑，使用本发明的晶片加工用胶带10是有用的做法。
附图标记的说明
10晶片加工用胶带
11基材膜
12粘合剂层
13胶粘剂层
14表面保护胶带
15粘合带
20环形框
21载台
22顶出构件
25加热台
26吸附台
27能量射线光源
28加热收缩区域
29热风喷嘴
32改性区域
34芯片
L激光
W晶片

Claims (10)

1.一种粘合带，其特征在于，
在基材膜的一方的面层叠有粘合剂层，
在比较从所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－ 1的红外光谱时，匹配度为95％以下，
从与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的粘合剂层含有在分子中具有辐射固化性碳－碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)。
2.根据权利要求1所述的粘合带，其特征在于，
所述粘合剂层的厚度为1.5～15μm。
3.根据权利要求1或2所述的粘合带，其特征在于，
所述具有放射线固化性碳－碳双键的化合物(A)的碘值为0.5～30。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合带，其特征在于，
所述具有放射线固化性碳―碳双键的化合物(A)的分子量为30万～200万。
5.一种晶片加工用胶带，其特征在于，
在权利要求1～4中任一项所述的粘合带的所述粘合剂层的、至少预定要贴合晶片的部分层叠有胶粘剂层，
在预定向划片框贴合的部分未层叠有所述胶粘剂层。
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法是使用权利要求5中所述的晶片加工用胶带制造半导体装置的方法，其包括：
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(c)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(e)沿着所述晶片的截断线照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收造成的改性区域的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而将所述晶片与所述晶片加工用胶带的所述胶粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的拾取工序。
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法是使用权利要求5中所述的晶片加工用胶带制造半导体装置的方法，其包括：
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(c)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(e)沿着所述晶片表面的截断线照射激光，将所述晶片截断为芯片的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的拾取工序。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法是使用权利要求5中所述的晶片加工用胶带制造半导体装置的方法，其包括：
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(c)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(e)用划片刀沿着截断线切削所述晶片，截断为芯片的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的拾取工序。
9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法是使用权利要求5中所述的晶片加工用胶带制造半导体装置的方法，其包括：
(a)将形成有电路图案的晶片用划片刀沿着预定截断线切削至小于所述晶片的厚度的深度的工序；
(b)在所述晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(c)研削所述晶片背面而截断为芯片的背面研磨工序；
(d)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在被截断为所述芯片的所述晶片背面，贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(e)从被截断为所述芯片的所述晶片表面剥离表面保护胶带的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有胶粘剂层的所述芯片的拾取工序。
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法是使用权利要求5中所述的晶片加工用胶带制造半导体装置的方法，其包括：
(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
(b)沿着所述晶片的截断线照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收造成的改性区域的工序；
(c)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
(d)在将所述晶片加热到70～80℃的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工用胶带的胶粘剂层的工序；
(e)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
(f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而将所述晶片与所述晶片加工用胶带的所述胶粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
(g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工序。
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