JP2015211079A - ダイシング・ダイボンドフィルム - Google Patents

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Abstract

【課題】エキスパンドを解いた後にダイボンド用チップ同士の間隔が狭まることを防止することが可能で、ダイボンド用チップ同士の接触を防止できるダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。【解決手段】ダイシングテープ及びダイシングテープ上に配置されたダイボンドフィルムを備えるダイシング・ダイボンドフィルムに関する。ダイシングテープは、−１５℃で伸ばしたときに伸び率１％〜２００％に降伏点を持つ。【選択図】図１

Description

本発明は、ダイシング・ダイボンドフィルムに関する。
従来から、半導体ウエハを個片化するダイシング工程では、回転ブレードで半導体ウエハを削って切断するブレードダイシング法が採用されている。
最近は、ウエハマウントした半導体ウエハにレーザー加工を施して半導体ウエハの内部に脆弱層を形成し、次いでダイシングテープをエキスパンドすることによって半導体ウエハを割断する（引きちぎる）方法や、脆弱層が形成された半導体ウエハをウエハマウントし、次いでダイシングテープをエキスパンドすることによって半導体ウエハを割断する方法が採用されるようになってきている（例えば、特許文献１参照）。これらの方法はステルスダイシング（登録商標）と呼ばれることがある。ステルスダイシングにおいてダイシング・ダイボンドフィルムを使用する場合、ダイボンドフィルムを割断する必要がある。このため、容易に割断できるダイシング・ダイボンドフィルムが望まれる。
特開２００９−２３８７７０号公報
ステルスダイシングでは、図１０に示すように、ダイシングテープ２０１をエキスパンドすることにより、ダイボンドフィルム及び半導体ウエハを分断して、ダイボンド用チップ２０２を形成する。図１１に示すように、エキスパンド中、ダイボンド用チップ２０２と接しない非接触区画２０１ｄは伸びている。
しかしながら、特許文献１では、引張変形時に降伏点を示さないダイシングテープを使用する。このため、エキスパンドを解いた後は非接触区画２０１ｄが縮み、ダイボンド用チップ２０２同士が接触することがある。ダイボンド用チップ２０２同士の接触は、ピックアップ不良の原因となる。
本発明は前記課題を解決し、エキスパンドを解いた後にダイボンド用チップ同士の間隔が狭まることを防止することが可能で、ダイボンド用チップ同士の接触を防止できるダイシング・ダイボンドフィルムを提供することを目的とする。
本発明は、ダイシングテープ及びダイシングテープ上に配置されたダイボンドフィルムを備えるダイシング・ダイボンドフィルムに関する。ダイシングテープは、−１５℃で伸ばしたときに伸び率１％〜２００％に降伏点を持つ。
本発明では、ダイシングテープをエキスパンドすることによりダイシングテープを降伏させることが可能で、エキスパンドを解いた後にダイボンド用チップ同士の間隔が狭まることを防止できる。したがって、ダイボンド用チップ同士の接触を防止できる。
ダイシングテープは、２３℃で伸ばしたときに伸び率１％〜２００％に降伏点を持つことが好ましい。これにより、ダイシングテープがエキスパンド前の形状に戻ることを防止することが可能で、半導体チップ同士の間隔を維持できる。
ダイシングテープの２３℃における破断伸び率が５００％以上であることが好ましい。エキスパンド量を大きくすることが可能で、半導体ウエハを容易に分断できるためである。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシング・ダイボンドフィルム及びダイシング・ダイボンドフィルム上に配置された半導体ウエハを備える積層体のダイシングテープをエキスパンドすることにより、ダイボンドフィルム及び半導体ウエハを分断して、半導体チップ及び半導体チップ上に配置されたダイボンド剤を備えるダイボンド用チップを形成する工程を含む半導体装置の製造方法に使用されることが好ましい。
本発明によれば、エキスパンドを解いた後にダイボンド用チップ同士の間隔が狭まることを防止することが可能で、ダイボンド用チップ同士の接触を防止できるダイシング・ダイボンドフィルムを提供できる。
ダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。 レーザー光により半導体ウエハの内部に改質領域を形成する様子の概略を示す斜視図である。 積層体の概略断面図である。 積層体がウエハ拡張装置に固定された様子の概略を示す断面図である。 積層体がエキスパンドされた様子の概略を示す断面図である。 エキスパンド中のダイシングテープを部分的に拡大して示す概略断面図である。 エキスパンドが解かれたダイシングテープの様子の概略を示す断面図である。 半導体チップ付き被着体の概略断面図である。 封止物の概略断面図である。 ダイシングテープがエキスパンドされた様子の概略を示す断面図である。 エキスパンド中のダイシングテープを部分的に拡大して示す概略断面図である。
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
［実施形態１］
（ダイシング・ダイボンドフィルム１０）
図１に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングテープ１及びダイシングテープ１上に配置されたダイボンドフィルム３を備える。ダイシングテープ１は、基材１１及び基材１１上に配置された粘着剤層１２を備える。ダイボンドフィルム３は、粘着剤層１２上に配置されている。
ダイシングテープ１において、ダイボンドフィルム３と接した積層部（以下、積層領域ともいう）１ａは、熱収縮性を持つ。つまり、積層部１ａは加熱されることにより、収縮する。
ダイシングテープ１において、積層部１ａの周辺に配置された周辺部（以下、周辺領域ともいう）１ｂも、熱収縮性を持つ。つまり、周辺部１ｂは加熱されることにより、収縮する。なお、周辺部１ｂはダイボンドフィルム３と接していない。
ダイシングテープ１は、−１５℃で伸ばしたときに伸び率１％〜２００％に降伏点を持つ。すなわち、ダイシングテープ１は、−１５℃で１％〜２００％伸ばしたときに降伏する。ダイシングテープ１が降伏点を持つことにより、ダイシングテープ１がエキスパンド前の形状に戻ることを防止することが可能で、ダイボンド用チップ同士の間隔を維持できる。
ダイシングテープ１は、−１５℃で１％以上伸ばしたときに降伏することが好ましい。ダイシングテープ１は、−１５℃で１００％以下伸ばしたときに降伏することが好ましい。
ダイシングテープ１は、２３℃で伸ばしたときに伸び率１％〜２００％に降伏点を持つことが好ましい。すなわち、ダイシングテープ１は、２３℃で１％〜２００％伸ばしたときに降伏することが好ましい。
ダイシングテープ１が所定の伸び率に降伏点を持つかどうかは、実施例に記載の方法で判断できる。
ダイシングテープ１の２３℃における破断伸び率は、好ましくは５００％以上である。５００％以上であると、エキスパンド量を大きくすることが可能で、半導体ウエハを容易に分断できる。破断伸び率が小さいと、エキスパンドによりダイシングテープ１が破れることがある。一方、ダイシングテープ１の２３℃における破断伸び率の上限は特に限定されず、例えば３０００％以下である。
ダイシングテープ１は、２００％に伸ばした状態で、１３０℃〜１６０℃で５分放置した後に破れないことが好ましい。これにより、周辺部１ｂを加熱するときの加熱温度を高く設定できる。
基材１１としては、−１５℃で伸ばしたときに伸び率１％〜２００％に降伏点を持つフィルムを使用することが好ましい。また、熱収縮性も持つフィルムを使用することが好ましい。基材１１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルムなどが挙げられる。
基材１１としては、無延伸フィルム、一軸延伸フィルム、二軸延伸フィルムなどを使用できるが、容易にエキスパンドできなければダイボンドフィルム３を分割できないという理由から、無延伸フィルムが好ましい。
基材１１の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
基材１１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できる。基材１１の厚さは、好ましくは２５μｍ以上、より好ましくは３０μｍ以上である。基材１１の厚さは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。
粘着剤層１２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性接着剤を用いることができる。感圧性接着剤としては、半導体ウエハやガラスなどの汚染をきらう電子部品の超純水やアルコールなどの有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどが挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
更に、アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性などの点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合などの何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止などの点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーなどの数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
粘着剤層１２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線などの放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。
積層部１ａの粘着剤層１２を硬化させることにより、積層部１ａの粘着剤層１２の粘着力を低下させることができる。この場合、周辺部１ｂの未硬化の粘着剤層１２にウエハリングを固定できる。
つまり、粘着剤層１２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、積層部１ａの粘着剤層１２の粘着力＜周辺部１ｂの粘着剤層１２の粘着力、となるように設計することが好ましい。
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合などの放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分などを含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分などが粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分などは、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線などにより硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどが挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などが挙げられる。
前記放射線硬化型の粘着剤層１２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層１２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料などが挙げられる。放射線照射により着色する化合物の使用割合は、適宜設定できる。
粘着剤層１２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止やダイボンドフィルム３の固定保持の両立性などの点よりは、１μｍ〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２μｍ〜３０μｍ、更には５μｍ〜２５μｍが好ましい。
ダイボンドフィルム３は、熱硬化性を持つ。
ダイボンドフィルム３は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。
また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。上記数値範囲内であると、接着性及び耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
ダイボンドフィルム３中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上である。熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下である。
ダイボンドフィルム３は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。これにより、熱安定性を向上できる。
熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物などの含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
エポキシ樹脂としては特に限定されず、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
ダイボンドフィルム３中の熱硬化性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。熱硬化性樹脂の含有量は、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。
ダイボンドフィルム３を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
また、ダイボンドフィルム３には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。
なお、ダイボンドフィルム３には、無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。
ダイボンドフィルム３は、通常の方法で製造できる。例えば、前記各成分を含有する接着剤組成物溶液を作製し、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を乾燥させることで、ダイボンドフィルム３を製造できる。
接着剤組成物溶液に用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶媒が好ましい。例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。塗布方法は特に限定されない。溶剤塗工の方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター、コンマコーター、パイプドクターコーター、スクリーン印刷などが挙げられる。なかでも、塗布厚みの均一性が高いという点から、ダイコーターが好ましい。
基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。接着剤組成物溶液の塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、例えば、乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間で行うことができる。
ダイボンドフィルム３の製造方法としては、例えば、前記各成分をミキサーにて混合し、得られた混合物をプレス成形してダイボンドフィルム３を製造する方法なども好適である。ミキサーとしてはプラネタリーミキサーなどが挙げられる。
ダイボンドフィルム３の厚みは特に限定されないが、５μｍ以上が好ましく、１５μｍ以上がより好ましい。５μｍ未満であると、反りが生じた半導体ウエハや半導体チップと接着しない箇所が発生し、接着面積が不安定となる場合がある。また、ダイボンドフィルム３の厚みは１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。１００μｍを超えると、ダイアタッチの荷重によってダイボンドフィルム３が過度にはみ出し、パッドを汚染する場合がある。
ダイボンドフィルム３は、リードフレームなどの被着体と半導体チップとを接着させるために使用できる。被着体としては、リードフレーム、インターポーザ、半導体チップなどが挙げられる。
ダイシング・ダイボンドフィルム１０のダイボンドフィルム３は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３を保護する保護材としての機能を有している。セパレータはダイボンドフィルム３上に半導体ウエハを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙なども使用可能である。
ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、通常の方法で製造できる。例えば、ダイシングテープ１の粘着剤層１２とダイボンドフィルム３とを貼り合わせることで、ダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造できる。
［半導体装置の製造方法］
図２に示すように、半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ライン４Ｌに沿ってレーザー光１００を照射し、多光子吸収によるアブレーションにより半導体ウエハの内部に改質領域４１を形成する。これにより、半導体ウエハ４を得る。半導体ウエハ４は、改質領域（以下、改質部又は脆弱層ともいう）４１及び改質領域４１の残余の領域である非改質領域（以下、非改質部又は非改質層ともいう）４２を備える。すなわち、半導体ウエハ４は、非改質領域４２及び分割予定ライン４Ｌに沿って設けられた改質領域４１を備える。
レーザー光１００の照射条件は、例えば、以下の条件の範囲内で適宜調整できる。
（Ａ）レーザー光１００
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体ウエハが載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下
なお、レーザー光１００の照射により改質領域４１を形成する方法については、特許第３４０８８０５号公報、特開２００３−３３８５６７号公報などに詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。
半導体ウエハ４は、表面（おもてめん）、及び表面に対向した裏面で両面が定義される。表面は、回路が設けられた面である。一方、裏面は、回路が設けられていない面である。
半導体ウエハ４の裏面を研削して、半導体ウエハ４の厚みを薄くする。
図３に示すように、ダイボンドフィルム３上に半導体ウエハ４を圧着して、積層体２１を得る。積層体２１は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０及びダイシング・ダイボンドフィルム１０上に配置された半導体ウエハ４を備える。
図４に示すように、ダイシングテープ１にダイシングリング３１を貼り付けた後、積層体２１をウエハ拡張装置３２に固定する。
図５に示すように、積層体２１の下方に配置された突き上げ部３３を上昇させることによりダイシングテープ１をエキスパンドし、改質領域４１を起点として半導体ウエハ４を分断するとともに、ダイボンドフィルム３を分断する。これにより、半導体チップ５及び半導体チップ５上に配置されたダイボンド剤２２を備えるダイボンド用チップ２を得る。半導体ウエハ４及びダイボンドフィルム３を分断した後も、エキスパンドを続け、ダイシングテープ１を降伏させる。これにより、エキスパンドを解いた後にダイボンド用チップ２同士の間隔が狭まることを防止することが可能で、ダイボンド用チップ２同士の接触を防止できる。
図６に示すように、エキスパンド中の積層部１ａにおいて、ダイボンド用チップ２と接する接触区画１ｃの変形は小さい又はない。接触区画１ｃの変形がダイボンド用チップ２により拘束されるためである。一方、ダイボンド用チップ２と接しない非接触区画１ｄの変形は、接触区画１ｃに比べて大きい。
したがって、エキスパンドにより接触区画１ｃは降伏しない。一方、エキスパンドにより非接触区画１ｄは降伏する。通常、周辺部１ｂも降伏する。
なお、ダイシングテープ１が降伏したかどうかは、例えば、下記方法で判断できる。
判断方法
エキスパンドを解いた後に、ダイシングテープ１を２５℃で１０分間保持する。保持後にダイボンド用チップ２同士の間隔を測定する。保持後における間隔が１μｍ以上であると、ダイシングテープ１が降伏したと判断できる。
エキスパンドは、クールエキスパンド方式で行うことが好ましい。具体的には、１０℃以下でエキスパンドすることが好ましく、０℃以下でエキスパンドすることがより好ましい。１０℃以下であると、ダイボンドフィルム３を良好に分断できる。温度の下限は特に限定されず、例えば、−２０℃以上である。
エキスパンド速度（以下、エキスパンド速度を突き上げ部３３が上昇する速度ともいう）は、好ましくは０．１ｍｍ／秒以上、より好ましくは１ｍｍ／秒以上である。０．１ｍｍ／秒以上であると、容易に分断できる。一方、エキスパンド速度の上限は特に限定されない。
エキスパンド量（以下、エキスパンド量を突き上げ部３３が上昇する高さともいう）は、好ましくは５ｍｍ以上、より好ましくは１０ｍｍ以上である。５ｍｍ以上であると、容易に分断できる。一方、エキスパンド量は、好ましくは５０ｍｍ以下、より好ましくは３０ｍｍ以下である。
図７に示すように、突き上げ部３３を下降させて、エキスパンドを解く。エキスパンドを解いた後は、周辺部１ｂがたるむ。エキスパンドにより周辺部１ｂがよく伸びるためである。なお、積層部１ａの変形はダイボンドフィルム３により拘束されるため、積層部１ａのたるみは周辺部１ｂに比べて少ない。
次いで、周辺部１ｂを加熱することにより収縮させる。周辺部１ｂを収縮させることにより周辺部１ｂのたるみを取り除くことが可能で、ダイボンド用チップ２同士の接触を防止できる。
周辺部１ｂの加熱温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。１００℃以上であると、周辺部１ｂを容易に収縮させることができる。周辺部１ｂの加熱温度は、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１７０℃以下である。１８０℃以下であると、ダイシングテープ１の破損を防止できる。
次いで、粘着剤層１２が紫外線硬化型である場合は、粘着剤層１２に紫外線を照射して、粘着剤層１２を硬化させる。これにより、粘着剤層１２のダイボンド用チップ２に対する粘着力を低下させることができる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間などの条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。粘着剤層１２が紫外線硬化型でない場合は、粘着剤層１２に紫外線を照射する必要はない。
ダイボンド用チップ２をピックアップする。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々のダイボンド用チップ２をニードルによって突き上げ、突き上げられたダイボンド用チップ２をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。
図８に示すように、ダイボンド用チップ２を被着体６上に接着固定して、半導体チップ付き被着体６１を得る。半導体チップ付き被着体６１は、被着体６、被着体６上に配置されたダイボンド剤２２、及びダイボンド剤２２上に配置された半導体チップ５を備える。
ダイアタッチ温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは９０℃以上である。また、ダイアタッチ温度は、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１３０℃以下である。
続いて、半導体チップ付き被着体６１を加熱することによりダイボンド剤２２を熱硬化させて、半導体チップ５と被着体６とを固着させる。
なお、半導体チップ付き被着体６１を加圧下で加熱することによりダイボンド剤２２を熱硬化させることが好ましい。加圧下でダイボンド剤２２を熱硬化させることにより、ダイボンド剤２２と被着体６との間に存在するボイドを容易に消滅させることができる。
加圧下で加熱する方法としては、例えば、不活性ガスが充填されたチャンバー内に配置された半導体チップ付き被着体６１を加熱する方法などが挙げられる。
加圧雰囲気の圧力は、好ましくは０．５ｋｇ／ｃｍ２（４．９×１０−２ＭＰａ）以上、より好ましくは１ｋｇ／ｃｍ２（９．８×１０−２ＭＰａ）以上、さらに好ましくは５ｋｇ／ｃｍ２（４．９×１０−１ＭＰａ）以上である。０．５ｋｇ／ｃｍ２以上であると、ダイボンド剤２２と被着体６との間に存在するボイドを容易に消滅させることができる。加圧雰囲気の圧力は、好ましくは２０ｋｇ／ｃｍ２（１．９６ＭＰａ）以下、より好ましくは１８ｋｇ／ｃｍ２（１．７７ＭＰａ）以下、さらに好ましくは１５ｋｇ／ｃｍ２（１．４７ＭＰａ）以下である。２０ｋｇ／ｃｍ２以下であると、過度な加圧によるダイボンド剤２２のはみ出しを抑制できる。
加圧下で加熱する際の加熱温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上、特に好ましくは１７０℃以上である。８０℃以上であると、ダイボンド剤２２を適度な硬さとすることが可能で、加圧キュアによりボイドを効果的に消失させることができる。加熱温度は、好ましくは２６０℃以下、より好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。２６０℃以下であると、ダイボンド剤２２の分解を防ぐことができる。
加熱時間は、好ましくは０．１時間以上、より好ましくは０．２時間以上、さらに好ましくは０．５時間以上である。０．１時間以上であると、加圧の効果を充分に得ることができる。加熱時間は、好ましくは２４時間以下、より好ましくは３時間以下、さらに好ましくは１時間以下である。
図９に示すように、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線などが用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であり、該温度は、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは１７５℃以下である。また、その加熱時間は数秒〜数分間（例えば、１秒〜１分間）行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、好ましくは１６５℃以上、より好ましくは１７０℃以上であり、該加熱温度は、好ましくは１８５℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。
必要に応じて、封止物を更に加熱をしてもよい（後硬化工程）。これにより、封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化できる。加熱温度は適宜設定できる。
封止物は、半導体装置として使用できる。
以上のとおり、実施形態１では、積層体２１のダイシングテープ１をエキスパンドする工程を含む方法により、半導体装置を製造できる。ダイシングテープ１をエキスパンドする工程は、例えば、ダイシングテープ１をエキスパンドすることにより、ダイボンドフィルム３及び半導体ウエハ４を分断してダイボンド用チップ２を形成するステップと、ダイシングテープ１をさらにエキスパンドすることにより、ダイシングテープ１を降伏させるステップとを含む。
実施形態１の方法は、ダイシングテープ１をエキスパンドする工程の後に、ダイシングテープ１のエキスパンドを解く工程、及びエキスパンドを解く工程の後に、周辺部１ｂを加熱する工程などをさらに含むことができる。
なお、実施形態１で説明した半導体装置の製造方法は、ステルスダイシングビフォアグラインドと呼ばれることがある。
（変形例１）
実施形態１では、改質領域４１を備える半導体ウエハ４をダイシング・ダイボンドフィルム１０上に圧着する。変形例１では、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に半導体ウエハを圧着する。次いで、ダイシング・ダイボンドフィルム１０上に配置された半導体ウエハの内部に改質領域４１を形成して、半導体ウエハ４を得る。
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
［ダイシング・ダイボンドフィルムの作製］
（実施例１）
三菱化学製のゼラス５０５３Ｙを、Ｔダイ成形機にて、設定温度２３０℃で製膜し、厚み８０μｍ、幅４００ｍｍの基材Ａを作製した。
次に、冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸−２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう。）８６．４部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともいう。）１３．６部、過酸化ベンゾイル０．２部、及び、トルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＢを得た。アクリル系ポリマーＢに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」ともいう。）１４．６部を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＢ’を得た。アクリル系ポリマーＢ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤組成物溶液を得た。粘着剤組成物溶液を、離型処理フィルム上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、粘着剤層上に、基材Ａを貼り合せてダイシングテープを作製した。得られたダイシングテープは、基材Ａ、基材Ａ上に配置された粘着剤層を備える。ダイシングテープは離型処理フィルムと接している。
次に、エポキシ樹脂（ａ）として（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）１４４部、エポキシ樹脂（ｂ）として（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）１３０部、フェノール樹脂（ｃ）として（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）２９３部、アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（ｄ）として（根上工業（株）製，パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部、フィラー（ｅ）として球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）２００部をメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、厚さが５０μｍのＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ４０μｍのダイボンドフィルムを作製した。
縦４００ｍｍ×横４００ｍｍのダイシングテープから離型処理フィルムを剥がした後、粘着剤層面の中央に、直径３３０ｍｍの円形に切り抜いたダイボンドフィルムを貼り合わせて、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
［評価］
ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて下記の評価を行った。結果を表１に示す。
（降伏点における伸び率 −１５℃試験）
ダイシング・ダイボンドフィルムからダイボンドフィルムを取り除いてダイシングテープを得た。
ダイシングテープから、長さ１００ｍｍ、ＴＤ方向の幅１０ｍｍの短冊状の試験片を切り出した。引張試験機のチャック間隔を１０ｍｍに設定し、測定温度−１５±２℃の環境下で、５０ｍｍ／ｍｉｎでＭＤ方向に試験片を引っ張った。破断するまで試験片を引っ張り、応力を測定した。応力が極大となる点を降伏点とし、そのときの伸びを、降伏点における伸び率とした。下記式において、チャック間距離の単位は「ｍｍ」である。
降伏点における伸び率（％）＝（（降伏点におけるチャック間距離―１０ｍｍ）／１０ｍｍ）×１００
（降伏点における伸び率 ０℃試験）
測定温度を０±２℃に変更した以外は、測定温度−１５℃試験と同様の方法で降伏点における伸び率を測定した。
（降伏点における伸び率 ２３℃試験）
測定温度を２３±２℃に変更した以外は、測定温度−１５℃試験と同様の方法で降伏点における伸び率を測定した。
（破断伸び率）
ダイシング・ダイボンドフィルムからダイボンドフィルムを取り除いてダイシングテープを得た。
ダイシングテープから、長さ１００ｍｍ、ＴＤ方向の幅１０ｍｍの短冊状の試験片を切り出した。引張試験機のチャック間隔を１０ｍｍに設定し、温度２３±２℃、湿度５５±５％の環境下で、５０ｍｍ／ｍｉｎでＭＤ方向に試験片を引っ張った。破断するまで試験片を引っ張り、応力を測定した。試験片が破断したときの伸びから、破断伸び率を求めた。下記式において、チャック間距離の単位は「ｍｍ」である。
破断伸び率（％）＝（（試験片が破断したときのチャック間距離―１０ｍｍ）／１０ｍｍ）×１００
（割断性）
ダイボンドフィルムに、レーザーで脆弱層を形成したシリコンミラーウエハを貼り合わせて、ダイシング・ダイボンドフィルム及びダイシング・ダイボンドフィルム上に配置されたシリコンミラーウエハを備える積層体を得た。積層体をダイシングフレームに設置し、ディスコ製ダイセパレータＤＤＳ２３００を用いて積層体をエキスパンドし、シリコンミラーウエハ及びダイボンドフィルムを分断した。エキスパンドを解いた後、ダイシングテープの周辺部をドライヤーで加熱し、周辺部を収縮させた。加熱後に、ダイシングテープの弛み、ダイシングテープの破れ、すべてのチップが個片化されているか、及びダイボンドフィルムは個片化されているかについて確認した。
割断条件及び加熱条件は、以下のとおりである。
「割断条件」
ウエハ厚み：５０μｍ
チップサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ
冷却温度：−１５℃
エキスパンド量：１５ｍｍ
エキスパンド速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
「加熱条件」
エキスパンド量：８ｍｍ
ドライヤーとワークの距離：２０ｍｍ
ドライヤーの温度：２５０℃
ドライヤーの回転速度：５°／ｓｅｃ
Figure 2015211079
１０ ダイシング・ダイボンドフィルム
１ ダイシングテープ
１ａ 積層部
１ｂ 周辺部
１ｃ 接触区画
１ｄ 非接触区画
２ ダイボンド用チップ
３ ダイボンドフィルム
４ 半導体ウエハ
４Ｌ 分割予定ライン
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１１ 基材
１２ 粘着剤層
２１ 積層体
２２ ダイボンド剤
３１ ダイシングリング
３２ ウエハ拡張装置
３３ 突き上げ部
４１ 改質領域
４２ 非改質領域
６１ 半導体チップ付き被着体
１００ レーザー光
２０１ ダイシングテープ
２０１ａ 積層部
２０１ｂ 周辺部
２０１ｃ 接触区画
２０１ｄ 非接触区画
２０２ ダイボンド用チップ
２０５ 半導体チップ
２２２ ダイボンド剤

Claims (4)

  1. ダイシングテープ及び前記ダイシングテープ上に配置されたダイボンドフィルムを備え、
    前記ダイシングテープは、−１５℃で伸ばしたときに伸び率１％〜２００％に降伏点を持つダイシング・ダイボンドフィルム。
  2. 前記ダイシングテープは、２３℃で伸ばしたときに伸び率１％〜２００％に降伏点を持つ請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
  3. 前記ダイシングテープの２３℃における破断伸び率が５００％以上である請求項１又は２に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
  4. 前記ダイシング・ダイボンドフィルム及び前記ダイボンドフィルム上に配置された半導体ウエハを備える積層体の前記ダイシングテープをエキスパンドすることにより、前記ダイボンドフィルム及び前記半導体ウエハを分断して、半導体チップ及び前記半導体チップ上に配置されたダイボンド剤を備えるダイボンド用チップを形成する工程を含む半導体装置の製造方法に使用するための請求項１〜３のいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190004655A (ko) * 2017-07-04 2019-01-14 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2019054237A1 (ja) * 2017-09-15 2019-03-21 リンテック株式会社 フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料
JP2019052366A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 リンテック株式会社 フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料
KR20190088015A (ko) * 2018-01-17 2019-07-25 가부시기가이샤 디스코 테이프 특성의 평가 방법 및 확장 장치
JP2019204850A (ja) * 2018-05-22 2019-11-28 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、及び半導体装置の製造方法
CN111066137A (zh) * 2017-09-15 2020-04-24 琳得科株式会社 膜状烧成材料及带支撑片的膜状烧成材料
JP2020145262A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020145261A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020145263A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2022051746A (ja) * 2017-01-30 2022-04-01 グンゼ株式会社 ダイシング用基体フィルム
US11404398B2 (en) 2018-12-27 2022-08-02 Nichia Corporation Method of mounting semiconductor elements and method of manufacturing semiconductor device using a stretched film

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019962A (ja) * 2003-06-06 2005-01-20 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
WO2005112091A1 (ja) * 2004-05-18 2005-11-24 Hitachi Chemical Co., Ltd. 粘接着シート並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法
JP2006095875A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Mitsubishi Chem Mkv Co ポリオレフィン系積層フィルム及び粘着フィルム
JP2007005436A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シート
JP2007016074A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Hitachi Chem Co Ltd 粘接着シート、粘接着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2011505706A (ja) * 2007-12-03 2011-02-24 エルジー・ケム・リミテッド ダイシング・ダイボンディングフィルム及びダイシング方法
JP2011171588A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012028598A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2012079936A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2012222002A (ja) * 2011-04-04 2012-11-12 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2015185584A (ja) * 2014-03-20 2015-10-22 日立化成株式会社 ウエハ加工用テープ

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019962A (ja) * 2003-06-06 2005-01-20 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
WO2005112091A1 (ja) * 2004-05-18 2005-11-24 Hitachi Chemical Co., Ltd. 粘接着シート並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法
JP2006095875A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Mitsubishi Chem Mkv Co ポリオレフィン系積層フィルム及び粘着フィルム
JP2007005436A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シート
JP2007016074A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Hitachi Chem Co Ltd 粘接着シート、粘接着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2011505706A (ja) * 2007-12-03 2011-02-24 エルジー・ケム・リミテッド ダイシング・ダイボンディングフィルム及びダイシング方法
JP2011171588A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012028598A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2012079936A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2012222002A (ja) * 2011-04-04 2012-11-12 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2015185584A (ja) * 2014-03-20 2015-10-22 日立化成株式会社 ウエハ加工用テープ

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022051746A (ja) * 2017-01-30 2022-04-01 グンゼ株式会社 ダイシング用基体フィルム
JP7252380B2 (ja) 2017-01-30 2023-04-04 グンゼ株式会社 ダイシング用基体フィルム
KR102489355B1 (ko) 2017-07-04 2023-01-18 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20190004655A (ko) * 2017-07-04 2019-01-14 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7080721B2 (ja) 2017-09-15 2022-06-06 リンテック株式会社 フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料
CN111066137A (zh) * 2017-09-15 2020-04-24 琳得科株式会社 膜状烧成材料及带支撑片的膜状烧成材料
CN111066137B (zh) * 2017-09-15 2023-10-13 琳得科株式会社 膜状烧成材料及带支撑片的膜状烧成材料
WO2019054237A1 (ja) * 2017-09-15 2019-03-21 リンテック株式会社 フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料
US11267992B2 (en) 2017-09-15 2022-03-08 Lintec Corporation Film-shaped firing material and film-shaped firing material with support sheet
JP2019052366A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 リンテック株式会社 フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料
JP7126829B2 (ja) 2018-01-17 2022-08-29 株式会社ディスコ テープ特性の評価方法及び拡張装置
KR102562873B1 (ko) 2018-01-17 2023-08-02 가부시기가이샤 디스코 테이프 특성의 평가 방법 및 확장 장치
JP2019125719A (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 株式会社ディスコ テープ特性の評価方法及び拡張装置
KR20190088015A (ko) * 2018-01-17 2019-07-25 가부시기가이샤 디스코 테이프 특성의 평가 방법 및 확장 장치
JP7080725B2 (ja) 2018-05-22 2022-06-06 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、及び半導体装置の製造方法
JP2019204850A (ja) * 2018-05-22 2019-11-28 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、及び半導体装置の製造方法
US11404398B2 (en) 2018-12-27 2022-08-02 Nichia Corporation Method of mounting semiconductor elements and method of manufacturing semiconductor device using a stretched film
JP2020145263A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7277019B2 (ja) 2019-03-05 2023-05-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7277021B2 (ja) 2019-03-05 2023-05-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7277020B2 (ja) 2019-03-05 2023-05-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020145261A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
TWI812847B (zh) * 2019-03-05 2023-08-21 日商迪思科股份有限公司 晶圓的加工方法
JP2020145262A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

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