JP2016058458A - 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造する半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基材フィルム11は、均一かつ等方的な拡張性を有するとエキスパンド工程においてウエハが全方向に偏りなく切断できる点で好ましく、その材質についてはとくに限定されない。一般に、架橋樹脂は、非架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きく、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えた際の収縮応力が大きい。したがって、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去し、テープを緊張させて個々のチップの間隔を安定に保持するヒートシュリンク工程の点で優れる。架橋樹脂のなかでも熱可塑性架橋樹脂がより好ましく使用される。一方、非架橋樹脂は、架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が小さい。したがって、−15℃〜0℃のような低温領域でのエキスパンド工程後、一度弛緩され、かつ常温に戻されて、ピックアップ工程、マウント工程に向かうときのテープが収縮しにくいため、チップに付着した接着剤層同士が接触することを防止できる点で優れる。非架橋樹脂のなかでもオレフィン系の非架橋樹脂がより好ましく使用される。
粘着剤層12は、基材フィルム11に粘着剤組成物を塗工して形成することができる。本発明の半導体加工用テープ10を構成する粘着剤層12は、ダイシング時において接着剤層13との剥離を生じず、チップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時において接着剤層13との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。
伸び率が200%以上であり、伸び率200%まで伸ばした後、120℃に加熱することで伸び率が120%以下になるようにするためには、そのような特性を有する基材フィルム11を用いることが好ましい。
本発明の半導体加工用テープ10では、接着剤層13は、ウエハが貼合され、ダイシングされた後、チップをピックアップした際に、粘着剤層12から剥離してチップに付着するものである。そして、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用される。
このうち、三フッ化ホウ素錯化合物としては、種々のアミン化合物(好ましくは1級アミン化合物)との三フッ化ホウ素−アミン錯体が挙げられ、有機ヒドラジッド化合物としては、イソフタル酸ジヒドラジドが挙げられる。
イミダゾール類としては、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−エチルイミダゾール、1−ベンジル−2−エチル−5−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシジメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
本発明で用いるフィラーとしては、無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては特に制限は無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが使用できる。また、これらは単体あるいは2種類以上を混合して使用することもできる。
さらに、フィルム化前の原料混合物の粘度上昇若しくは低下を防止する、未硬化の接着剤層の流動性を最適に制御する、接着剤層の硬化後の接着力を向上させる観点から、平均粒径が0.1〜1.0μmの範囲内にある第1のフィラー、及び、一次粒径の平均粒径が0.005〜0.03μmの範囲内にある第2のフィラーを含むことが好ましい。平均粒径が0.1〜1.0μmの範囲内にあり且つ99%以上の粒子が粒径0.1〜1.0μmの範囲内に分布する第1のフィラー、及び、一次粒径の平均粒径が0.005〜0.03μmの範囲内にあり且つ99%以上の粒子が粒径0.005〜0.1μmの範囲内に分布する第2のフィラーを含むことが好ましい。
本発明における平均粒径は、50体積%の粒子がこの値より小さな直径を有する、累積体積分布曲線のD50値を意味する。本発明において、平均粒径またはD50値はレーザー回折法により、例えばMalvern Instruments社製のMalvern Mastersizer 2000を用いて測定される。この技術において、分散液中の粒子の大きさは、フラウンホーファーまたはミー理論のいずれかの応用に基づき、レーザー光線の回折を用いて測定される。本発明においては、ミー理論または非球状粒子に対する修正ミー理論を利用し、平均粒径またはD50値は入射するレーザー光線に対して0.02〜135°での散乱計測に関する。
別の態様では、接着剤層13を構成する接着剤組成物全体に対して10〜20質量%の重量平均分子量が200,000〜2,000,000の熱可塑性樹脂と、20〜50質量%の熱重合性成分と、30〜75質量%のフィラーを含んでもよい。この実施形態では、フィラーの含有量は30〜60質量%でもよく、30〜50質量%でもよい。また、熱可塑性樹脂の質量平均分子量は200,000〜1,000,000でもよく、200,000〜800,000でもよい。
配合比率を調整することで、接着剤層13の硬化後の貯蔵弾性率及び流動性の最適化ができ、また高温での耐熱性も充分に得られる傾向にある。さらに、引き裂き強度の制御も行える。
本発明の半導体加工用テープ10は、少なくとも拡張により接着剤層13を分断するエキスパンド工程を含む半導体装置の製造方法に使用されるものである。したがって、その他の工程や工程の順序などは特に限定されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法(A)〜(E)において好適に使用できる。
(a)回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)前記ウエハを70〜80℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(f)前記半導体加工用テープを拡張することにより、前記ウエハと前記半導体加工用テープの前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
(g)拡張後の前記半導体加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記チップを、前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
(a)回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)前記ウエハを70〜80℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記ウエハ表面の分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハをチップに分断する工程と、
(f)前記半導体加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
(g)拡張後の前記半導体加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記チップを、前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
(a)回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)前記ウエハを70〜80℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(d)前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
(e)ダイシングブレードを用いて前記ウエハを分断ラインに沿って切削し、チップに分断する工程と、
(f)前記半導体加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
(g)拡張後の前記半導体加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記チップを、前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
(a)回路パタ−ンが形成されたウエハ裏面にダイシングテープを貼合し、ダイシングブレードを用いて分断予定ラインに沿って前記ウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
(b)前記ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(c)前記ダイシングテープを剥がし、前記ウエハ裏面を研削してチップに分断するバックグラインド工程と、
(d)前記ウエハを70〜80℃に加熱した状態で、前記チップに分断された前記ウエハ裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(e)前記チップに分断された前記ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(f)前記半導体加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
(g)拡張後の前記半導体加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
(h)接着剤層が付いた前記チップを、前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
(a)回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(c)前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(d)前記ウエハを70〜80℃に加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
(e)前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
(f)前記半導体加工用テープを拡張することにより、前記ウエハと前記半導体加工用テープの前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
(g)拡張後の前記半導体加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤層が付いた前記チップを、前記半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
本発明の半導体加工用テープ10を、上記半導体装置の製造方法(A)に適用した場合の、テープの使用方法について、図2〜図5を参照しながら説明する。まず、図2に示すように、回路パターンが形成されたウエハWの表面に、紫外線硬化性成分を粘着剤に含む、回路パターン保護用の表面保護テープ14を貼合し、ウエハWの裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。
次に、本発明の効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(1)基材フィルムの作製
<基材フィルム1>
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸共重合体の亜鉛アイオノマー(メタクリル酸含有量13%、軟化点72℃、融点90℃)の樹脂ビーズを140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形して基材フィルム1を作製した。
<基材フィルム2>
低密度ポリエチレン(LDPE、密度0.92g/cm3、融点110℃)の樹脂ペレットを230℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形した。得られたフィルムに100kGyの電子線を照射し、基材フィルム2を作製した。
<基材フィルム3>
スチレン・ブタジエン共重合体(JSR製ダイナロン1320P、スチレン含量:10%、密度:0.89、MFR3.5)とポリプロピレン(ランダムポリプロピレン、エチレン含有量1.4%、Mw400,000、融点154℃、密度:0.91)の樹脂ペレットを35:65の比率でドライブレンドした後、200℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmの長尺フィルム状に成形して基材フィルム3を作製した。
(a−1)
官能基を有するアクリル系共重合体(A1)として、2−エチルヘキシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリル酸からなり、2−エチルヘキシルアクリレートの比率が60モル%、質量平均分子量70万の共重合体を調製した。次に、ヨウ素価が20となるように、2−イソシアナトエチルメタクリレートを添加して、ガラス転移温度−50℃、水酸基価10mgKOH/g、酸価5mgKOH/gのアクリル系共重合体(a−1)を調製した。
官能基を有するアクリル系共重合体(A1)として、ラウリルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリル酸からなり、ラウリルアクリレートの比率が60モル%、質量平均分子量80万の共重合体を調製した。次に、ヨウ素価が20となるように、2−イソシアナトエチルメタクリレートを添加して、ガラス転移温度−5℃、水酸基価50mgKOH/g、酸価5mgKOH/gのアクリル系共重合体(a−2)を調製した。
(b−1)
エポキシ樹脂「1002」(三菱化学株式会社製、固形ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量600)6.2質量部、フェノール樹脂「MEH−7851SS」(明和化成株式会社製商品名、ビフェニルノボラックフェノール樹脂、水酸基当量201)51.8質量部、エポキシ樹脂「806」(三菱化学株式会社製商品名、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量160、比重1.20)41.9質量部、シリカフィラー「SO−C2」(アドマファイン株式会社製商品名、平均粒径0.5μm)81.5質量部、及び、シリカフィラーである「アエロジルR972」(日本アエロジル株式会社製商品名、一次粒径の平均粒径0.016μm)2.9質量部からなる組成物にMEKを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、官能基を含む重合体としてグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートに由来するモノマー単位を、3質量%含むアクリル共重合体(重量平均分子量26万)23.0質量部、カップリング剤として「KBM−802」(信越シリコーン株式会社製商品名、メルカプトプロピルトリメトキシシラン)0.6質量部、並びに、硬化促進剤としての「キュアゾール2PHZ−PW」(四国化成株式会社製商品名、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度230℃)0.1質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物b−1のワニスを得た。
エポキシ樹脂「1002」(三菱化学株式会社製、固形ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量600)40質量部、エポキシ樹脂「806」(三菱化学株式会社製商品名、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量160、比重1.20)100質量部、硬化剤「Dyhard100SF」(デグサ製商品名、ジシアンジアミド)5質量部、シリカフィラー「SO−C2」(アドマファイン株式会社製商品名、平均粒径0.5μm)200質量部、及び、シリカフィラーである「アエロジルR972」(日本アエロジル株式会社製商品名、一次粒径の平均粒径0.016μm)3質量部からなる組成物にMEKを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、フェノキシ樹脂「PKHH」(INCHEM製商品名、質量平均分子量52,000、ガラス転移温度92℃)100質量部、カップリング剤として「KBM−802」(信越シリコーン株式会社製商品名、メルカプトプロピルトリメトキシシラン)0.6質量部、並びに、硬化促進剤としての「キュアゾール2PHZ−PW」(四国化成株式会社製商品名、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度230℃)0.5質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物b−2のワニスを得た。
エポキシ樹脂「1002」(三菱化学株式会社製、固形ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量600)40質量部、エポキシ樹脂「エピコート828」(三菱化学株式会社製商品名、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量190)30質量部、硬化剤「Dyhard100SF」(デグサ製商品名、ジシアンジアミド)10質量部、シリカフィラー「SO−C2」(アドマファイン株式会社製商品名、平均粒径0.5μm)180質量部からなる組成物にMEKを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、フェノキシ樹脂「PKHH」(INCHEM製商品名、質量平均分子量52,000、ガラス転移温度92℃)30質量部、カップリング剤として「KBM−802」(信越シリコーン株式会社製商品名、メルカプトプロピルトリメトキシシラン)0.6質量部、並びに、硬化促進剤としての「キュアゾール2PHZ−PW」(四国化成株式会社製商品名、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度230℃)0.5質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物b−3のワニスを得た。
エポキシ樹脂「YX4000」(三菱化学株式会社製、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量185)15.0質量部、フェノール樹脂「LF−6161」(DIC株式会社製商品名、ノボラックフェノール樹脂、水酸基当量118)40.0質量部、エポキシ樹脂「エピコート828」(三菱化学株式会社製商品名、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量190)45.0重量部、シリカフィラーである「アエロジルR972」(日本アエロジル株式会社製商品名、一次粒径の平均粒径0.016μm)5質量部からなる組成物にMEKを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、官能基を含む重合体としてグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートに由来するモノマー単位を含むアクリル共重合体(重量平均分子量85万、Tg12℃)66.7質量部、カップリング剤として「KBM−802」(信越シリコーン株式会社製商品名、メルカプトプロピルトリメトキシシラン)0.6質量部、並びに、硬化促進剤としての「キュアゾール2PHZ−PW」(四国化成株式会社製商品名、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度230℃)0.1質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物b−4のワニスを得た。
エポキシ樹脂「1002」(三菱化学株式会社製、固形ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量600)50質量部、エポキシ樹脂「エピコート828」(三菱化学株式会社製商品名、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量190)20質量部、硬化剤「Dyhard100SF」(デグサ製商品名、ジシアンジアミド)10質量部、シリカフィラー「SO−C2」(アドマファイン株式会社製商品名、平均粒径0.5μm)250質量部からなる組成物にMEKを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、フェノキシ樹脂「PKHH」(INCHEM製商品名、質量平均分子量52,000、ガラス転移温度92℃)20質量部、カップリング剤として「KBM−802」(信越シリコーン株式会社製商品名、メルカプトプロピルトリメトキシシラン)0.6質量部、並びに、硬化促進剤としての「キュアゾール2PHZ−PW」(四国化成株式会社製商品名、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度230℃)0.5質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物b−5のワニスを得た。
エポキシ樹脂「1002」(三菱化学株式会社製、固形ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量600)20質量部、エポキシ樹脂「エピコート828」(三菱化学株式会社製商品名、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量190)20質量部、硬化剤「Dyhard100SF」(デグサ製商品名、ジシアンジアミド)10質量部、シリカフィラー「SO−C2」(アドマファイン株式会社製商品名、平均粒径0.5μm)250質量部からなる組成物にMEKを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、官能基を含む重合体としてグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートに由来するモノマー単位を含むアクリル共重合体(重量平均分子量15万)30質量部、カップリング剤として「KBM−802」(信越シリコーン株式会社製商品名、メルカプトプロピルトリメトキシシラン)0.6質量部、並びに、硬化促進剤としての「キュアゾール2PHZ−PW」(四国化成株式会社製商品名、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度230℃)0.5質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物b−6のワニスを得た。
アクリル系共重合体(a−1)100質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン製)を5質量部加え、光重合開始剤としてEsacure KIP 150(Lamberti社製)を3質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤組成物を調製した。
次に、離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーにこの粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、基材フィルム1と貼り合わせ、基材フィルム上に粘着剤層が形成された粘着シートを作製した。
アクリル系共重合体、粘着剤組成物、接着剤組成物の組合せを表1,2に記載の組合せにした以外は、実施例1と同様の手法により、半導体加工用テープを作製した。
実施例・比較例に係る半導体加工用テープに使用した接着フィルムの剥離ライナーを剥離した接着剤層から、厚みが100μmとなるように重ねあわせ、JIS K 7128−3に準拠し、図8(a)に示すような試験片100を採取し、温度調節可能な恒温槽を備える引張試験機(TCL−NL形、株式会社 島津製作所製)を用いて、引張試験を行い、23℃における引裂強さ(A)と−15℃における引裂強さ(C)をそれぞれ測定した。また、同様にして図8(b)に示すような直角部Aの先端を通る中央線上で、直角部Aの先端から長さ1mmの切断部分115を入れた試験片110について23℃における引裂強さ(B)を測定した。
プリカット加工性の評価は、実施例1〜7に係る各半導体加工用テープに使用した接着フィルム、及び、比較例1に係る各半導体加工用テープに使用する接着フィルムについて、50mロール状に巻き取って円筒形状にしたものを、輸送時などの衝撃を想定して、50cmの高さから円筒形状の一方の円形面が着地するように3回落下させた。落下により接着剤層に切込みが生じたか否かを目視にて確認した後、12インチウエハ用に直径320mmの円の切り込みを58.5mm間隔で入れ、加工速度を10m/minで100m、切り込みの外側の接着剤層を剥離ライナーから剥離して巻き取り、プリカット加工を行った。巻き取り時に破断が一度も起きない場合を良品として良品として「○」、接着剤層に切込みが入ってしまっている場合のみ破断が起きた場合を許容品として「△」、破断が発生した場合を不良品として「×」で評価した。
引張試験装置(JIS B 7721)を使用して、以下のような引張試験によって半導体加工用テープの伸び率および120℃に加熱後の伸び率を測定した。実施例、比較例に係る半導体加工用テープを1号ダンベル形状(JIS K 6301)に打ち抜いて試験片を作成し、標線間距離40mm、引張速度1000mmm/minでの標線間距離を測定し、伸び率を求めた。また、前記方法により200%まで伸ばした実施例、比較例に係る半導体加工用テープを、120℃に加熱したホットプレート上に15秒置いた後に標線間距離を測定し、120℃に加熱後の伸び率を求めた。
以下に示す方法により、前記実施例および前記比較例の各半導体加工用テープについて、下記の半導体加工工程における適合性試験を実施した。
(b)前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程を行った。
(c)ウエハを70℃に加熱した状態で、前記ウエハの裏面に前記半導体加工用テープの接着剤層を貼合し、同時に半導体加工用リングフレームを、前記半導体加工用テープの粘着剤層が接着剤層と重ならずに露出した部分と貼合した。
(d)前記ウエハ表面から表面保護テープを剥離した。
(e)前記ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成した。
(f)前記半導体加工用テープを10%エキスパンドすることにより、前記ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得た。
(g)前記半導体加工用テープの前記チップと重ならない部分(チップが存在する領域とリングフレームとの間の円環状の領域)を120℃に加熱、収縮させることで(f)のエキスパンド工程において生じた弛みを除去し、該チップの間隔を保持した。
(h)接着剤層が付いた前記チップを半導体加工用テープの粘着剤層からピックアップした。
11:基材フィルム
12:粘着剤層
13:接着剤層
14:表面保護テープ
15:粘着シート
20:リングフレーム
21:ステージ
22:突き上げ部材
25:ヒーターテーブル
26:吸着テーブル
27:エネルギー線光源
28:加熱収縮領域
29:温風ノズル
32:改質領域
34:チップ
W:ウエハ
アクリル系共重合体、粘着剤組成物、接着剤組成物の組合せを表1,2に記載の組合せにした以外は、実施例1と同様の手法により、半導体加工用テープを作製した。
プリカット加工性の評価は、実施例1〜5、参考例1に係る各半導体加工用テープに使用した接着フィルム、及び、比較例1に係る各半導体加工用テープに使用する接着フィルムについて、50mロール状に巻き取って円筒形状にしたものを、輸送時などの衝撃を想定して、50cmの高さから円筒形状の一方の円形面が着地するように3回落下させた。落下により接着剤層に切込みが生じたか否かを目視にて確認した後、12インチウエハ用に直径320mmの円の切り込みを58.5mm間隔で入れ、加工速度を10m/minで100m、切り込みの外側の接着剤層を剥離ライナーから剥離して巻き取り、プリカット加工を行った。巻き取り時に破断が一度も起きない場合を良品として良品として「○」、接着剤層に切込みが入ってしまっている場合のみ破断が起きた場合を許容品として「△」、破断が発生した場合を不良品として「×」で評価した。
Claims (7)
- 接着剤層と粘着シートとが積層されており、
前記接着剤層は、JIS K7128−3に規定される直角形試験法における引裂強さ(A)が0.8MPa以上であることを特徴とする半導体加工用テープ。 - 前記接着剤層は、前記直角形試験法において試験片の直角部の先端を通る中央線上で、前記直角部の先端から長さ1mmの切断部分を入れたときの引裂強さ(B)が0.5MPa以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体加工用テープ。
- 前記粘着シートは、伸び率が200%以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体加工用テープ。
- 前記粘着シートを伸び率200%まで伸ばした後、120℃に加熱することで伸び率が120%以下になることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
- 前記接着剤層は、−15℃におけるJIS K7128−3に規定される直角形試験法における引裂強さ(C)が0.8MPa以下であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
- 前記粘着シートをエキスパンドすることにより、前記接着剤層上に貼合されたウエハおよび前記接着剤層、または前記接着剤層のみを個々のチップに対応して分断するために用いられることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
- 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体加工用テープを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
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