JP2009231700A - ウエハ加工用テープ - Google Patents

Abstract

【課題】熱硬化タイプの表面保護テープを使用する場合の加熱処理において過剰軟化せず、しかも、接着剤層を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープを提供すること。
【解決手段】本発明のウエハ加工用テープ１０は、エキスパンドにより接着剤層１３をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有し、基材フィルムの最下層１１ｂは、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が８０℃以上の熱可塑性樹脂からなり、基材フィルムの最下層１１ｂ以外の少なくとも１層１１ａは、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂からなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープに関する。

ＩＣなどの半導体装置の製造工程では、回路パターン形成後のウエハを薄膜化するためにウエハ裏面を研削するバックグラインド工程、半導体ウエハの裏面に粘着性及び伸縮性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後にウエハをチップ単位に分断するダイシング工程、ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程、分断されたチップをピックアップする工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する、あるいは、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するダイボンディング（マウント）工程が実施される。

上記バックグラインド工程では、ウエハの回路パターン形成面（ウエハ表面）を汚染から保護するための表面保護テープが使用される。ウエハの裏面研削終了後、この表面保護テープをウエハ表面から剥離する際には、以下に述べるウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングテープ）をウエハ裏面に貼合した後、吸着テーブルにダイシング・ダイボンディングテープ側を固定し、表面保護テープに、ウエハに対する接着力を低下させる処理を施した後、表面保護テープを剥離する。表面保護テープが剥離されたウエハは、その後、裏面にダイシング・ダイボンディングテープが貼合された状態で、吸着テーブルから取り上げられ、次のダイシング工程に供される。 なお、上記の接着力を低下させる処理とは、表面保護テープが紫外線等のエネルギー線硬化性成分からなる場合は、エネルギー線照射処理であり、表面保護テープが例えば熱硬化性成分からなるような加熱によって粘着力が制御される場合は、熱照射（加熱）処理である。

上記バックグラインド工程の後のダイシング工程〜マウント工程では、基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とがこの順に積層されたダイシング・ダイボンディングテープが使用される。

一般に、ダイシング・ダイボンディングテープを用いる場合は、まず、半導体ウエハの裏面にダイシング・ダイボンディングテープの接着剤層を貼り付けて半導体ウエハを固定し、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハ及び接着剤層をチップ単位にダイシングする。その後、テープを周方向にエキスパンドすることによって、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程が実施される。このエキスパンド工程は、その後のピックアップ工程において、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。その後、ピックアップ工程にて、チップは接着剤層とともに粘着剤層から剥離してピックアップされ、マウント工程にて、リードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着される。このように、ダイシング・ダイボンディングテープを用いることで、接着剤層付きのチップをリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着することが可能となるので、接着剤の塗布工程や別途各チップにダイボンディングフィルムを接着する工程を省略することができる。

しかしながら、上記ダイシング工程では、上述のようにダイシングブレードを用いて半導体ウエハと接着剤層とを一緒にダイシングするため、ウエハの切削屑だけでなく、接着剤層の切削屑も発生してしまう。接着剤層の切削屑は、それ自身が接着機能を有するので、切削屑がウエハのダイシング溝に詰まった場合、チップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生し、半導体装置の製造歩留まりが低下してしまう。

上記の問題を解決するために、ダイシング工程では半導体ウエハのみをブレードでダイシングし、エキスパンド工程において、ダイシング・ダイボンディングテープをエキスパンドすることにより、接着剤層を個々のチップに対応して分断する方法が提案されている（例えば、特許文献１の[００５５]〜[００５６]）。このようなエキスパンド時の張力を利用した接着剤層の分断方法によれば、接着剤の切削屑の発生が大きく抑制され、ピックアップ工程を効率よく行うことができる。

また近年、半導体ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエハを切断可能な、いわゆるステルスダイシング法が提案されている。

例えば、特許文献２には、ステルスダイシング法として、ダイボンド樹脂層（接着剤層）を介在させてシートが貼り付けられた半導体基板の内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する工程と、シートを拡張（エキスパンド）させることにより、切断予定部に沿って半導体基板及びダイボンド樹脂層を切断する工程とを備えた半導体基板の切断方法が開示されている。

また、レーザー加工装置を用いた半導体ウエハの切断方法の別法として、例えば、特許文献３には、半導体ウエハの裏面にダイボンディング用の接着フィルム（接着剤層）を装着する工程と、裏面に該接着フィルムが装着された半導体ウエハの接着フィルム側に伸長可能な保護粘着テープを貼着する工程と、保護粘着テープを貼着した半導体ウエハの表面からストリートに沿ってレーザー光線を照射して個々の半導体チップに分割する工程と、保護粘着テープを拡張（エキスパンド）して接着フィルムに引張力を付与し、接着フィルムを半導体チップ毎に破断する工程と、破断された接着フィルムが貼着されている半導体チップを保護粘着テープから離脱する工程、とを含む半導体ウエハの分割方法が提案されている。

これら特許文献２及び特許文献３に記載の半導体ウエハの切断方法によれば、レーザー光の照射及びテープのエキスパンドによって、非接触で半導体ウエハを切断するので、半導体ウエハへの物理的負荷が小さく、現在主流のブレードダイシングを行う場合のようなウエハの切削屑（チッピング）を発生させることなく半導体ウエハの切断が可能である。また、エキスパンドによって接着剤層を分断するので、接着剤層の切削屑を発生させることもない。このため、ブレードダイシングに代わり得る優れた技術として注目されている。

上記特許文献１〜３に記載にされたようなエキスパンドによって接着剤層を分断する場合、使用されるダイシング・ダイボンディングテープには、半導体チップに沿って接着剤層を確実に分断するために、基材フィルムの均一且つ等方的な拡張性が要求される。基材フィルムに局所的に拡張が不十分な箇所が生じた場合には、その箇所では接着剤層に十分な引張力が伝搬されず、接着剤層が分断できなくなってしまうからである。

ところが、一般に、基材フィルムを押出成形する際や、製品としてテープをロール状に巻き取る際に、ダイシング・ダイボンディングテープに異方的な力が加わり、ひずみ応力が生じ、基材フィルムの拡張性は不均一且つ異方的なものとなってしまうことが知られている。そこで、均一な拡張性を有するダイシング・ダイボンディングテープとして、これまでに数々の提案がなされている（例えば、特許文献４〜８参照）。

しかしながら、上記特許文献４〜８に記載のダイシング・ダイボンディングテープは、いずれも、ピックアップ工程でのチップの認識性を高めるためにチップ同士の間隔を広げることを目的としたエキスパンドに使用されるものであり、比較的ゆっくりと小さい引張力でエキスパンドされることを念頭において設計されている。そのため、上述のようなエキスパンドによって接着剤層を分断する場合、すなわち比較的急激で引張力の大きいエキスパンドを行う場合には、テープの拡張性が必ずしも十分なレベルにあるとはいえない。
特開２００７−５５３０号公報 特開２００３−３３８４６７号公報 特開２００４−２７３８９５号公報 特開平６−１３４９４１号公報 特開平１１−１９９８４０号公報 特開２０００−２７３４１６号公報 特開２００１−１１２０７号公報 特開２００３−１５８０９８号公報

上記の課題に対しては、ダイシング・ダイボンディングテープの基材フィルムとして、ビカット軟化点の低い熱可塑性樹脂を用いることが考えられる。すなわち、ダイシング・ダイボンディングテープの接着剤層にウエハの裏面を貼合する際には、接着剤を加熱軟化させて接着性を高めるために、７０〜８０℃程度の加熱貼合が行われるが、この加熱温度以下の低いビカット軟化点を有する熱可塑性樹脂を用いてテープの基材フィルムを構成することで、加熱貼合の際に基材フィルムを軟化させ、これにより、基材フィルムに生じたひずみ応力を緩和することが考えられる。

しかしながら、上記のような、基材フィルムのひずみ応力の緩和が期待できる低いビカット軟化点を有する熱可塑性樹脂を用いた場合には、上述の表面保護テープを使用する際に、以下のような不具合が発生することが判明した。

上述のように、ダイシング・ダイボンディングテープは、表面保護テープの剥離に先立ってウエハの裏面に貼合される。このため、エネルギー線硬化タイプに比して生産コスト面で有利な加熱剥離タイプの表面保護テープを使用する場合には、ダイシング・ダイボンディングテープの基材フィルムを構成する樹脂のビカット軟化点が低いと、表面保護テープを剥離する際の熱によって過剰に軟化し、その結果、基材フィルムが吸着テーブルに固着して取り上げが困難となる、あるいは、取り上げ後に基材フィルムが吸着テーブル上に残ってテーブルを汚染する、などの不具合が発生する。また、吸着テーブルから取り上げる際にウエハが変形し、薄いウエハの場合には割れてしまうという不具合も発生する。なお、表面保護テープを剥離する際の加熱温度が、ウエハとダイシング・ダイボンディングテープとの貼合時の加熱温度よりも低い場合であっても、加熱時間が例えば２分程度と長い場合もあることから、基材フィルムが過剰に軟化し同様な不具合が発生するリスクがある。

そこで、本発明は、熱硬化タイプの表面保護テープを使用する場合の加熱処理において過剰軟化せず、しかも、接着剤層を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープを提供することを目的とする。

本発明の第１の態様は、エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、２層以上の複数層からなる基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、前記複数層のうち、最下層は、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が８０℃以上の熱可塑性樹脂からなり、前記複数層のうち、前記最下層以外の少なくとも１層は、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂からなることを特徴とするウエハ加工用テープである。

本発明の第２の態様は、前記第１の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記複数層のうち、前記最下層以外で少なくとも最上層を含む少なくとも１層が、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂からなることを特徴とする。

本発明の第３の態様は、前記第１又は第２の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを加熱し、前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤層付き半導体チップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。

本発明の第４の態様は、前記第１又は第２の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを加熱し、前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。

本発明の第５の態様は、前記第１又は第２の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを加熱し、前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。

本発明のウエハ加工用テープでは、複数層からなる基材フィルムのうち、最下層を、ビカット軟化点が８０℃以上の熱可塑性樹脂を用いて構成する。このように最下層をビカット軟化点の高い熱可塑性樹脂で構成することで、表面保護テープの加熱剥離の際に、最下層を軟化し難くすることができ、吸着テーブルへの固着や吸着テーブルの汚染、さらにはウエハの割れ等の発生を抑制、防止することができる。一方で、最下層以外の少なくも1層を、ビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂を用いて構成する。このように最下層以外の少なくとも１層を比較的ビカット軟化点の低い熱可塑性樹脂で構成することで、ウエハ加工用テープのウエハへの加熱貼合及びその後の表面保護テープの加熱剥離の際に基材フィルムの最下層以外の少なくとも１層を軟化させ、その結果、基材フィルムに生じたひずみ応力を緩和することができるので、均一且つ等方的な優れた拡張性を得ることが可能となる。したがって、エキスパンド時に大きなエキスパンド速度及び引張力が要求される、接着剤層分断用のエキスパンド工程においても、好適に使用することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープ１０に、半導体ウエハＷが貼り合わされた状態を示す断面図である。半導体ウエハＷの回路パターン形成面（ウエハ表面）には、ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程にて、回路パターンを保護するための表面保護テープ１４が貼合されている。

本発明のウエハ加工用テープ１０は、エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なテープであり、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有する。それぞれの層は、使用工程や装置に併せて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。さらに、本発明のウエハ加工用テープは、ウエハ１枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形態とを含む。
以下に、各層の構成について説明する。

＜基材フィルム＞
基材フィルム１１は、互いにビカット軟化点の異なる最上層１１ａと最下層１１ｂとを含む積層構造を有する。最上層１１ａは、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂から構成され、最下層１１ｂは、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が８０℃以上の熱可塑性樹脂から構成される。このような構成の基材フィルム１１を使用することで、熱硬化タイプの表面保護テープを使用する場合の加熱処理において過剰軟化せず、しかも、接着剤層を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープが実現される。

（基材フィルム最上層）
基材フィルム１１の最上層１１ａは、上述のように、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂から構成される。ウエハ加工用テープの接着剤層１３にウエハＷの裏面を貼合する際には、接着剤を加熱軟化させて接着性を高めるために、７０〜８０℃程度の加熱貼合が行われるので、この加熱温度以下の４０℃以上７０℃未満のビカット軟化点を有する熱可塑性樹脂を用いることで、加熱貼合の際に軟化し、その結果、フィルムに生じたひずみ応力が緩和される。なお、ビカット軟化点が低すぎると、上記加熱貼合の際に、樹脂が過剰に軟化し、流動化してしまうので好ましくない。したがって、ビカット軟化点の下限は５０℃程度が適当である。

基材フィルム１１を構成する熱可塑性樹脂としては、上記ビカット軟化点を有する限り特に限定はされず、従来公知の各種プラスチック、ゴムなどを使用できる。例えば、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体またはエチレン−メタクリル酸−アクリル酸アルキルエステル三元共重合体もしくはそれらを金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂や、超低密度ポリエチレンや，エチレン−酢酸ビニル共重合体などが挙げられる。
後述する粘着剤層１２として、放射線照射により硬化し、粘着強度が低下するタイプを用いる場合には、基材フィルムは、放射線透過性であることが好ましい。

最上層１１ａの厚さは、特に限定されないが、エキスパンド性、ピックアップ応答性、強度などを考慮し、６０〜１５０μｍに設定されることが好ましい。

（基材フィルムの最下層）
基材フィルム１１の最下層１１ｂは、上述のように、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が８０℃以上の熱可塑性樹脂から構成される。ウエハ加工用テープの貼合後に、ウエハのバックグラインド工程で使用した熱硬化タイプの表面保護テープを剥離する際には、表面保護テープのウエハへの接着力を低下させるために、表面保護テープを所定の温度で比較的長時間加熱するので、最下層１１ｂとして８０℃以上のビカット軟化点を有する熱可塑性樹脂を用いることで、最下層が軟化し難くなり、吸着テーブルへの固着や吸着テーブルの汚染、さらにはウエハの割れ等の発生を防止することができる。

なお、最下層１１ｂのビカット軟化点の上限値は、基材の成膜工程においてシボ付け等の表面加工を施しやすくする観点から、２００℃程度であることが好ましい。

最下層１１ｂを構成する熱可塑性樹脂としては、上記ビカット軟化点を有する限り特に限定はされず、従来公知の各種プラスチック、ゴムなどを使用できる。例えば、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体またはエチレン−メタクリル酸−アクリル酸アルキルエステル三元共重合体、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。
後述する粘着剤層１２として、放射線照射により硬化し、粘着強度が低下するタイプを用いる場合には、基材フィルムは、放射線透過性であることが好ましい。

最上層１１ａの厚さは、特に限定されないが、エキスパンド性、ピックアップ応答性、強度などを考慮し、５〜１５μｍに設定されることが好ましい。

なお、図１に示す例では、基材フィルム１１は最上層１１ａと最下層１１ｂの２層構造を有しているが、これに限定されず、３層以上の複数層構造であってもよい。この場合、最下層を、ビカット軟化点が８０℃以上の熱可塑性樹脂で構成し、且つ、最下層以外の少なくとも１層を、ビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂で構成することで、図１の構成と同様の効果を得ることができる。なお、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂で構成される最下層以外の少なくとも１層には、最上層が含まれることが好ましい。

複数層の基材フィルムの製造方法としては、従来公知の押出法、ラミネート法などを用いることができる。ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。接着剤としては従来公知の接着剤を用いることができる。

＜粘着剤層＞
粘着剤層１２は、基材フィルム１１に粘着剤を塗工して形成することができる。本発明のウエハ加工用テープを構成する粘着剤層に特に制限はなく、ダイシング時には接着剤層とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好ましく、接着剤層との剥離が容易な材料であることが好ましい。

例えば、本発明では、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、及びエポキシ樹脂から選択される少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有することが好ましい。

粘着剤層の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。

上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下、Ｔｇという。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。

このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。

単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。

単量体（（1）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。

化合物（２）において、用いられる官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。

化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。

上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。

以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本発明において、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。

化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。

次に、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。

ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製商品名）等を用いることができる。

メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製商品名）等を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製商品名）等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。

（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部、好ましくは０．４〜３重量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。

また、本発明において、粘着剤層には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤層の含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。

さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。

粘着剤層の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。なお、粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。

＜接着剤層＞
接着剤層１３は、ウエハが貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層は、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。

本発明のウエハ加工用テープ１０において、接着剤層は予め接着剤層がフィルム化されたもの（以下、接着フィルムと言う。）を、基材フィルム上に直接または間接にラミネートして形成してもよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．０１〜１０Ｎ／ｍの線圧をかけることが好ましい。なお、接着剤フィルムはセパレータ上に形成されたものを用い、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままダイシングダイボンド用粘接着テープのカバーフィルムとして使用し、ウエハを貼合する際に剥離してもよい。

接着フィルムは粘着剤層の全面に積層してもよいが、予め貼合されるウエハに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層してもよい。ウエハに応じた接着フィルムを積層した場合、図１に示すように、ウエハＷが貼合される部分には接着剤層１３があり、リングフレーム１２が貼合される部分には接着剤層１３がなく粘着剤層１２のみが存在する。一般に、接着剤層は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤フィルムを使用することで、リングフレームは粘着剤層に貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。

＜用途＞
本発明のウエハ加工用テープの使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤層を分断する工程を含む半導体製造装置の製造方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、以下の半導体製造装置の製造方法（Ａ）〜（Ｃ）において好適に使用できる。

半導体製造装置の製造方法（Ａ）：
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを加熱し、前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤層付き半導体チップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法。

半導体装置の製造方法（Ｂ）：
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを加熱し、前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法。

半導体製造装置の製造方法（Ｃ）：
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを加熱し、前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
を含む半導体装置の製造方法。

＜使用方法＞
本発明のウエハ加工用テープ１０を上記半導体装置の製造方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。
まず、図２に示すように、回路パターンが形成された半導体ウエハＷの表面に、熱硬化性成分からなる表面保護テープを貼合し、半導体ウエハＷの裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。

バックグラインド工程の終了後、図３に示すように、ウエハマウンターのヒーターテーブル２５上に半導体ウエハＷの表面側を下にしてウエハＷを載置した後、ウエハＷの裏面にウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３を貼り合わせるとともに、粘着剤層１２の外周部にリングフレーム２０を貼り合わせる。このとき、ヒーターテーブル２５は７０〜８０℃に設定されており、これにより加熱貼合が実施される。

次に、ウエハ加工用テープ１０が貼合されたウエハＷをヒーターテーブル２５上から搬出し、図４に示すように、ウエハ加工用テープ１０側を下にしてウエハ吸着テーブル２６上へ載置する。そして、吸着テーブル２６に吸着固定されたウエハＷの上方から、加熱手段２７を用いて例えば温度５０℃〜８０℃、加熱時間２ｍｉｎで保護テープ１４を加熱し、保護テープ１４のウエハＷに対する接着力を低下させ、ウエハ表面から保護テープ１４を剥離する。

次に、図５に示すように、半導体ウエハＷの分割予定部分にレーザー光を照射して、ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を３０形成する。

次に、図６（ａ）に示すように、ウエハＷ及びリングフレーム２０が貼り合わされたウエハ加工用テープ１０を、基材フィルム１１側を下にして、エキスパンド装置のステージ２１上に載置する。図中、符号２２は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。

次に、図６（ｂ）に示すように、リングフレーム２０を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材２２を上昇させ、ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドする。エキスパンド条件としては、エキスパンド速度が、例えば１０〜１００ｍｍ／ｓｅｃであり、エキスパンド量（突き上げ量）が、例えば１０〜５０ｍｍである。このようにウエハ加工用テープ１０が周方向に引き伸ばされることで、半導体ウエハＷが、改質領域を起点としてチップ単位で分断される。このとき、接着剤層１３は、ウエハＷの裏面に接着している部分ではエキスパンドによる伸び（変形）が抑制され、破断は起こらないが、一方、チップ間の位置では、テープのエキスパンドによる張力が集中して破断する。したがって、ウエハＷとともに接着剤層１３も分断されることになる。

その後、粘着剤層１２に放射線硬化処理又は熱硬化処理等を施し、半導体チップＣをピックアップすることで、接着剤付き半導体チップＣを得ることができる。

上記のような半導体装置の製造方法において、ビカット軟化点の低い最上層１１ａは、ウエハ加工用テープ１０をウエハＷへ加熱貼合及びその後の表面保護テープの加熱剥離する際に軟化し、製造過程で生じたひずみ応力が緩和されるので、ウエハ加工用テープの均一且つ等方的な拡張性に寄与することができる。したがって、接着剤層１３を分断する際の急激且つ引張力の大きいエキスパンドにおいても、好適に使用することができ、接着剤層の分断を良好に行うことができる。また、ビカット軟化点の高い最下層１１ｂは、表面保護テープ１４を加熱剥離する際にも軟化し難いので、エネルギー線硬化タイプよりも生産コストの点で有利な熱硬化タイプの表面保護テープを使用する場合に、吸着テーブルへの固着や吸着テーブルの汚染、さらにはウエハの割れ等の発生を抑制、防止することができる。

次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

（実施例１〜３，比較例１〜４）
表１及び表２に示す構成を有する基材フィルム（厚さ１００μｍ）を作成し、同基材フィルム上に厚さ１０μｍで粘着剤層を塗工し、さらに２５μｍ厚の接着剤層を塗工して実施例１〜３及び比較例１〜４のウエハ加工用テープを作成した。表１及び表２に記載の各材料を以下に示す。

ＥＭＡＡ(1)：三井デュポン社製 ニュクレルN1560(エチレン−メタクリル酸共重合体) ビカット軟化点（ＪＩＳ Ｋ−７２０６）６０℃
ＥＭＡＡ(2)：三井デュポン社製 ニュクレルAN4214C(エチレン−メタクリル酸共重合体 ビカット軟化点（ＪＩＳ Ｋ−７２０６）９２℃
アイオノマー：三井デュポン社製 ハイミラン1705（亜鉛イオン架橋エチレン−アクリル酸共重合体） ビカット軟化点（ＪＩＳ Ｋ−７２０６）６５℃
ＬＤＰＥ：ペトロセン 203（低密度ポリエチレン） ビカット軟化点（ＪＩＳ Ｋ−７２０６）８７℃

＜基材樹脂のチャックテーブルへの貼り付きの有無の評価＞
各ウエハ加工用テープをダイシング用リングフレームに貼り付け、チャックテーブルに粘接着剤層の反対側から吸着させた状態で、加熱剥離タイプの表面保護テープの剥離を想定して８０℃で２分間の加熱を行ったのち、チャックテーブルに基材樹脂の貼り付きの有無を評価した。結果を表１及び表２に併せて示す。

＜接着剤層の分断性能評価＞
実施例１〜３及び比較例１〜４のウエハ加工用テープについて、以下に示す条件で接着剤層の分断性能の評価試験を実施した。接着剤層がチップサイズに沿って完全に分断されている場合を分断成功とみなし、分断失敗箇所が１ヶ所でも有れば分断失敗とみなして、接着剤分断の成否を評価した。結果を表１及び表２に併せて示す。
使用ウエハ：１００μmシリコンウエハ、直径８インチ
ウエハ貼合温度・時間：７０℃・２０sec
ウエハ分断方法：分断予定ラインにそって赤外レーザーを照射
チップサイズ:３ｍｍ×３ｍｍ
エキスパンド速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
エキスパンド量：１５ｍｍ

表１及び表２より、比較例１〜４では、基材フィルムのチャックテーブルへの貼り付きが発生するか、又は、接着剤層の分断に失敗したのに対し、実施例１〜３では、これらを両立する結果となり、本発明の効果が確認された。

本発明の実施形態にかかるウエハ加工用テープに、半導体ウエハが貼合された状態を示す断面図である。 半導体ウエハに表面保護用テープが貼合された状態を示す断面図である。 ウエハ加工用テープに半導体ウエハとリングフレームとを貼合する工程を説明するための図である。 半導体ウエハ表面から保護テープを剥離する工程を説明するための図である。 レーザー加工により半導体ウエハに改質領域が形成された様子を示す断面図である。 （ａ）は、ウエハ加工用テープが、エキスパンド装置に搭載された状態を示す断面図である。 （ｂ）は、エキスパンド後のウエハ加工用テープ、接着剤フィルム、及び半導体ウエハを示す断面図である。

符号の説明

１０：ウエハ加工用テープ
１１：基材フィルム
１１ａ：最上層
１１ｂ：最下層
１２：粘着剤層
１３：接着剤層
１４：表面保護フィルム
２０：リングフレーム
２１：ステージ
２２：突き上げ部材
２５：ヒーターテーブル
２６：吸着テーブル
２７：加熱手段

Claims (5)

1. エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、
   ２層以上の複数層からなる基材フィルムと、
   前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、
   前記粘着剤層上に設けられた接着剤層と
   を有し、
   前記複数層のうち、最下層は、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が８０℃以上の熱可塑性樹脂からなり、
   前記複数層のうち、前記最下層以外の少なくとも１層はＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂からなることを特徴とするウエハ加工用テープ。
2. 前記複数層のうち、前記最下層以外で少なくとも最上層を含む少なくとも１層が、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
3. 前記ウエハ加工用テープは、
   （ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
   （ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
   （ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
   （ｄ）前記表面保護テープを加熱し、前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
   （ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
   （ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤層付き半導体チップを得る工程と
   を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
4. 前記ウエハ加工用テープは、
   （ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
   （ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
   （ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
   （ｄ）前記表面保護テープを加熱し、前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
   （ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
   （ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
   を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
5. 前記ウエハ加工用テープは、
   （ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
   （ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
   （ｃ）７０〜８０℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
   （ｄ）前記表面保護テープを加熱し、前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
   （ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
   （ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、複数の接着剤層付きチップを得る工程と
   を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
   
   

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