JP2011142207A - ポリシラザンを含むコーティング組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ペルヒドロポリシラザンと溶媒とを含んでなるコーティング組成物であって、前記ペルヒドロポリシラザンの分子量分布曲線が、分子量800〜2,500の範囲と、分子量3,000〜8,000の範囲とにそれぞれ極大を有し、重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnの比Mw/Mnが6〜12である、コーティング組成物。このコーティング組成物ギャップを有する基板上に塗布し、1000℃以下で加熱することにより、ギャップ深部まで埋設されたシリカ質膜を形成させることができる。
【選択図】なし
Description
凹凸を有する基板の表面上に、ペルヒドロポリシラザンと溶媒とを含んでなるコーティング組成物であって、前記ペルヒドロポリシラザンの分子量分布曲線が、分子量800〜2,500の範囲と、分子量3,000〜8,000の範囲とにそれぞれ極大を有し、重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnの比Mw/Mnが6〜12であるコーティング組成物を塗布する塗布工程、および
塗布済み基板を1000℃未満の酸素雰囲気または水蒸気を含む酸化雰囲気で加熱処理して前記組成物を二酸化ケイ素膜に転化させる硬化工程
を含んでなることを特徴とするものである。
本発明によるコーティング組成物は、ペルヒドロポリシラザンとそのペルヒドロポリシラザンを溶解し得る溶媒とを含んでなる。
−(SiH2−NH)n− (I)
式中、nは重合度を表す数である。
(a)芳香族化合物、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリエチルベンゼン等、(b)飽和炭化水素化合物、例えばn−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、n−オクタン、i−オクタン、n−ノナン、i−ノナン、n−デカン、i−デカン等、(c)脂環式炭化水素化合物、例えばエチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、p−メンタン、デカヒドロナフタレン、ジペンテン、リモネン等、(d)エーテル類、例えばジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルターシャリーブチルエーテル、アニソール等、および(e)ケトン類、例えばメチルイソブチルケトン)等。これらのうち、(b)飽和炭化水素化合物、(c)脂環式炭化水素化合物(d)エーテル類、および(e)ケトン類がより好ましい。
本発明によるシリカ質膜の製造法によれば、溝や穴などのギャップがある基板上に、ギャップの深部まで十分に埋設され、膜面が平坦であり、膜質も均質な被膜を形成することができる。したがって、電子デバイスのトランジスター部やキャパシター部の平坦化絶縁膜(プリメタル絶縁膜)として形成することも、また溝付き基板上にシリカ質膜を形成させて溝を埋封することによって、トレンチ・アイソレーション構造を形成することもできる。以下、トレンチ・アイソレーション構造を形成させる方法に基づいて本発明を説明する。
本発明によるコーティング組成物は、基板上のトレンチ・アイソレーション構造の形成に適したものである。トレンチ・アイソレーション構造を形成させる場合には所望の溝パターンを有するシリコンなどの基板を準備する。この溝形成には、任意の方法を用いることができるが、例えば以下に示す方法により形成させることができるである。
コーティング組成物を塗布した後、必要に応じてプリベーク工程に付すことができる。
プリベーク工程では、塗膜中に含まれる溶媒の完全除去と、塗膜の予備硬化を目的とするものである。特にポリシラザンを含む組成物を用いる本発明のシリカ質膜の形成方法においては、プリベーク処理をすることにより、形成されるシリカ質膜の緻密性が向上するので、プリベーク工程を組み合わせることが好ましい。
次に、ポリシラザンを含む塗膜をシリカ質膜に転化させて硬化させるために、基板全体を加熱する、硬化工程に付す。通常は、基板全体を硬化炉などに投入して加熱するのが一般的である。
純度99%以上のジクロロシラン400gを0℃の脱水ビリジン5kgに撹拌しながら注入した。この混合物の温度を0℃に維持したまま、純度99.9%のアンモニアガス1.22kgを撹拌しながら混合物に注入した。
合成例1と同様にして濾液Aを調製し、さらに密閉系で150℃で3時間加熱した。室温に冷却後、常圧に戻し、得られた溶液にキシレンを混合して50℃に加熱し、20mmHgの減圧下で蒸留してピリジンを除去し、重量平均分子量6000のポリマーを含む20重量%濃度の溶液とした。
合成例1と同様にして濾液Aを調製し、密閉系で150℃で6時間加熱した。室温に冷却後、常圧に戻し、得られた溶液にジブチルエーテルを混合して50℃に加熱し、20mmHgの減圧下で蒸留してピリジンを除去し、重量平均分子量9200のポリマーを含む20重量%濃度のポリマー溶液3とした。
60gのポリマー溶液1と40gのポリマー溶液2とを混合した。混合後のポリマー溶液は、分子量分布曲線の分子量が6300の位置と650の位置とに極大を有し、またMw/Mnは10であった。
40gのポリマー溶液1と60gのポリマー溶液2とを混含した。混合後のポリマー溶液は、分子量分布曲線の分子量が6250の位置と680の位置とに極大を有し、またMw/Mnは10であった。
ポリマー溶液1をコーティング組成物とし、実施例1と同様にして、シリコン基板上に塗布した。塗布後の膜面を観察したところ、中心部から周辺部に向かうストリエーションが多数発生しており、塗布性が不十分であることが確認された。
ポリマー溶液2をコーティング組成物とし、実施例1と同様にして、シリコン基板上に塗布した。塗布後の膜面を観察したところ、ストリエーションの発生はなく、優れた塗布性を達成できていることが確認された。
ポリマー溶液3をコーティング組成物とし、実施例1と同様にして、シリコン基板上に塗布した。塗布後の膜面を観察したところ、ストリエーションの発生はなく、優れた塗布性を達成できていることが確認できた。
Claims (6)
- ペルヒドロポリシラザンと溶媒とを含んでなるコーティング組成物であって、前記ペルヒドロポリシラザンの分子量分布曲線が、分子量800〜2,500の範囲と、分子量3,000〜8,000の範囲とにそれぞれ極大を有し、重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnの比Mw/Mnが6〜12であることを特徴とする、コーティング組成物。
- ペルヒドロポリシラザンの含有率が、コーティング組成物の全重量を基準として10〜25重量%である、請求項1に記載のコーティング組成物。
- 前記ペルヒドロポリシラザンが、重量平均分子量が800〜2,500の低分子量ポリシラザンと、重量平均分子量が3,000〜8,000の高分子量ポリシラザンとの混合物である、請求項1または2に記載のコーティング組成物。
- 前記低分子量ポリシラザンと前記高分子量ポリシラザンとの重量比が3:7〜6:4である、請求項3に記載のコーティング組成物。
- 凹凸を有する基板の表面上に、ペルヒドロポリシラザンと溶媒とを含んでなるコーティング組成物であって、前記ペルヒドロポリシラザンの分子量分布曲線が、分子量800〜2,500の範囲と、分子量3,000〜8,000の範囲とにそれぞれ極大を有し、重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnの比Mw/Mnが6〜12であるコーティング組成物を塗布する塗布工程、および
塗布済み基板を1000℃未満の酸素雰囲気または水蒸気を含む酸化雰囲気で加熱処理して前記組成物を二酸化ケイ素膜に転化させる硬化工程
を含んでなることを特徴とする、シリカ質膜の形成方法。 - 塗布工程と硬化工程の間に、塗布済み基板を50℃〜400℃で10秒〜30分加熱するプリベーク工程をさらに含んでなる、請求項5に記載のシリカ質膜の形成方法。
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CN201110006067.2A CN102153951B (zh) | 2010-01-07 | 2011-01-06 | 含有聚硅氮烷的涂布组合物 |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013118642A1 (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 無機ポリシラザン樹脂 |
WO2015087847A1 (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-18 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | ペルヒドロポリシラザン、およびそれを含む組成物、ならびにそれを用いたシリカ質膜の形成方法 |
JP2016014094A (ja) * | 2014-07-01 | 2016-01-28 | 国立大学法人東京工業大学 | ポリベンゾオキサジン−シリカ複合体およびその製造方法 |
JP2016074875A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co.,Ltd. | シリカ系膜形成用組成物、シリカ系膜、および電子デバイス |
US10020185B2 (en) | 2014-10-07 | 2018-07-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming silica layer, silica layer, and electronic device |
US10093830B2 (en) | 2014-12-19 | 2018-10-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming a silica based layer, method for manufacturing silica based layer, and electronic device including the silica based layer |
US10106687B2 (en) | 2015-07-31 | 2018-10-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming silica layer, method for manufacturing silica layer and silica layer |
WO2019065035A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素コーティング剤組成物、表面処理剤及び物品 |
US10427944B2 (en) | 2014-12-19 | 2019-10-01 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming a silica based layer, silica based layer, and electronic device |
EP3901230A1 (en) | 2020-04-23 | 2021-10-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Coating agent composition for forming high-hardness film |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6107188B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2017-04-05 | セントラル硝子株式会社 | 防曇膜形成材料、防曇膜形成用塗布液、防曇性物品、及びそれらの製法 |
KR101556672B1 (ko) | 2012-12-27 | 2015-10-01 | 제일모직 주식회사 | 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 |
JP2014213318A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | チェイル インダストリーズインコーポレイテッド | 改質シリカ膜の製造方法、塗工液、及び改質シリカ膜 |
US20140322486A1 (en) * | 2013-04-30 | 2014-10-30 | Shigeto Kobori | Method for preparing modified silica film, coating liquid for the same and modified silica film prepared from the same |
KR102066271B1 (ko) * | 2017-04-18 | 2020-01-14 | 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 | 정전척 실링방법 |
CN108329506A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-07-27 | 苏州维洛克电子科技有限公司 | 含全氢聚硅氮烷-尿素涂层的聚酯薄膜的制备方法 |
KR102432933B1 (ko) | 2019-05-17 | 2022-08-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카 막 형성용 조성물, 그로부터 형성된 실리카 막, 및 상기 실리카 막을 포함하는 전자 소자 |
KR102094647B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2020-03-31 | 화성이엔씨(주) | 상온포장 가능한 이액형 미끄럼방지 차열포장재 및 이의 제조방법 |
CN110925779A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-03-27 | 大连东泰产业废弃物处理有限公司 | 一种含有全氢聚硅氮烷废有机溶剂用于焚烧炉的利用方法 |
KR102265267B1 (ko) * | 2021-01-13 | 2021-06-17 | (주)에스케이솔라에너지 | 건축물에 적용 가능한 컬러태양광모듈 |
KR102253483B1 (ko) * | 2021-01-13 | 2021-05-20 | (주)에스케이솔라에너지 | 건축물에 적용 가능하고 효율이 개선된 컬러태양광모듈 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03232709A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-16 | Tonen Corp | 窒化珪素繊維用ポリシラザン及びその製法 |
WO1993002472A1 (en) * | 1991-07-16 | 1993-02-04 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and production thereof |
JPH05148720A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-06-15 | Honda Motor Co Ltd | ポリシラザン繊維、その製造方法及びセラミツク繊維 |
WO1994012448A1 (en) * | 1992-11-26 | 1994-06-09 | Tonen Corporation | Process for producing ceramic product |
JP2005150702A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | スピンオンガラス組成物及びこれを用いたシリコン酸化膜形成方法 |
JP2009158887A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-16 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011079917A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Adeka Corp | 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜およびそれに用いる化合物の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2613787B2 (ja) | 1987-08-13 | 1997-05-28 | 財団法人石油産業活性化センター | 無機シラザン高重合体、その製造方法及びその用途 |
JP3208040B2 (ja) | 1995-04-04 | 2001-09-10 | 触媒化成工業株式会社 | シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材 |
JP5020425B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2012-09-05 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 微細溝をシリカ質材料で埋封する方法 |
KR100362834B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2002-11-29 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 산화막 형성 방법 및 이에 의하여 제조된 반도체 장치 |
JP3479648B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2003-12-15 | クラリアント インターナショナル リミテッド | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
DE102004011212A1 (de) * | 2004-03-04 | 2005-09-29 | Clariant International Limited | Perhydropolysilazane enthaltende Beschichtungen für Metall- und Polymeroberflächen |
JP2006054353A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Az Electronic Materials Kk | フラットバンドシフトの少ないシリカ質膜およびその製造法 |
JP4578993B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2010-11-10 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
JP5306669B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-10-02 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | シリカ質膜の形成方法およびそれにより形成されたシリカ質膜 |
-
2010
- 2010-01-07 JP JP2010001883A patent/JP5172867B2/ja active Active
- 2010-12-28 KR KR1020100136639A patent/KR101711662B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-01-06 CN CN201110006067.2A patent/CN102153951B/zh active Active
- 2011-01-06 TW TW100100458A patent/TWI568806B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03232709A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-16 | Tonen Corp | 窒化珪素繊維用ポリシラザン及びその製法 |
WO1993002472A1 (en) * | 1991-07-16 | 1993-02-04 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and production thereof |
JPH05148720A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-06-15 | Honda Motor Co Ltd | ポリシラザン繊維、その製造方法及びセラミツク繊維 |
WO1994012448A1 (en) * | 1992-11-26 | 1994-06-09 | Tonen Corporation | Process for producing ceramic product |
JP2005150702A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | スピンオンガラス組成物及びこれを用いたシリコン酸化膜形成方法 |
JP2009158887A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-16 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011079917A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Adeka Corp | 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜およびそれに用いる化合物の製造方法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013118642A1 (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 無機ポリシラザン樹脂 |
JP2013162072A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Az Electronic Materials Mfg Co Ltd | 無機ポリシラザン樹脂 |
US10494261B2 (en) | 2012-02-08 | 2019-12-03 | Ridgefield Acquisition | Inorganic polysilazane resin |
WO2015087847A1 (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-18 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | ペルヒドロポリシラザン、およびそれを含む組成物、ならびにそれを用いたシリカ質膜の形成方法 |
JP2015115369A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | メルクパフォーマンスマテリアルズマニュファクチャリング合同会社 | ペルヒドロポリシラザン、およびそれを含む組成物、ならびにそれを用いたシリカ質膜の形成方法 |
US9793109B2 (en) | 2013-12-09 | 2017-10-17 | AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. | Perhydropolysilazane, composition containing same, and method for forming silica film using same |
JP2016014094A (ja) * | 2014-07-01 | 2016-01-28 | 国立大学法人東京工業大学 | ポリベンゾオキサジン−シリカ複合体およびその製造方法 |
US10020185B2 (en) | 2014-10-07 | 2018-07-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming silica layer, silica layer, and electronic device |
KR101806328B1 (ko) * | 2014-10-07 | 2017-12-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막, 및 전자 디바이스 |
JP2016074875A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co.,Ltd. | シリカ系膜形成用組成物、シリカ系膜、および電子デバイス |
US10093830B2 (en) | 2014-12-19 | 2018-10-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming a silica based layer, method for manufacturing silica based layer, and electronic device including the silica based layer |
US10427944B2 (en) | 2014-12-19 | 2019-10-01 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming a silica based layer, silica based layer, and electronic device |
US10106687B2 (en) | 2015-07-31 | 2018-10-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming silica layer, method for manufacturing silica layer and silica layer |
WO2019065035A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素コーティング剤組成物、表面処理剤及び物品 |
KR20200058409A (ko) * | 2017-09-27 | 2020-05-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 함불소 코팅제 조성물, 표면처리제 및 물품 |
JPWO2019065035A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2020-11-05 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素コーティング剤組成物、表面処理剤及び物品 |
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