JP2011129241A - 垂直型磁気記録ディスクおよび垂直型磁気記録ディスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板と、基板上の下層と、下層の上に設けられ、粒状強磁性Co合金とSi、Ta、Ti、およびNbの1つ以上の1つ以上の酸化物との連続層を備える垂直型磁気記録層と、下層と記録層との間に設けられ、記録層のCo合金からなるアレイを備えた核形成層とを備える。
【選択図】図4
Description
11 核形成層(ONL)
12 下部
14 上部
15 表面
16 核形成部位
17 凹領域
18 非核形成領域
20 ナノインプリント液体レジスト
22 ピラー
30 ナノインプリントマスタ型
31 穴
50 ポリマーブラシ層
52 薄膜
Claims (29)
- 基板と、
前記基板上の下層と、
前記下層上に設けられ、粒状強磁性Co合金と、Si、Ta、Ti、およびNbの1つ以上の酸化物と、を含む垂直型磁気記録層と、
前記下層と前記垂直型磁気記録層との間に設けられ、前記粒状強磁性Co合金を選択的に成長させるための金属又は合金が配列した核形成部を備える核形成層と、
を備える垂直型磁気記録ディスク。 - 前記核形成層は、平坦な表面を有する、
請求項1に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記核形成層は、前記核形成部の前記配列した金属又は合金の間に位置する非核形成部をさらに備える、
請求項1に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記非核形成部および前記核形成部の表面高さは、互いに1nm以内である、
請求項3に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記非核形成部は、酸化物または窒化物で形成されている、
請求項3に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記非核形成部は、Siの酸化物または窒化物で形成されている、
請求項5に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記垂直型磁気記録層はSi酸化物を含み、
前記核形成部は、Ruを含有し、Si酸化物により囲まれており、
前記垂直型磁気記録層に含まれる前記粒状強磁性Co合金は、前記核形成層の前記核形成部と接触し、
前記垂直型磁気記録層に含まれる前記Si酸化物は、前記核形成層の前記Si酸化物と接触している、
請求項1に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記核形成部は、Ruを含有する、
請求項1に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記核形成層は、前記核形成部の前記配列した金属又は合金の間に位置する非核形成部をさらに備え、
前記非核形成部はルテニウム酸化物を含有する、
請求項8に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記核形成部は、分子ナノ構造である、
請求項1に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記分子ナノ構造は、CdSe、CdTe、PbSe、FePt、FeO、およびSiからなる群から選択されるナノ結晶である、
請求項10に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記分子ナノ構造は、フラーレン、多環式芳香族炭化水素、およびシアニンから選択される分子の分子超構造である、
請求項10に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記分子超構造はC60分子である、
請求項12に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記下層は、透磁性材料の軟磁性下層であり、
前記核形成層は、前記軟磁性下層と前記垂直型磁気記録層との間の磁気交換結合を防止するための、前記軟磁性下層と前記垂直型磁気記録層との間の交換ブレーク層である、
請求項1に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記軟磁性下層と前記核形成層との間のシード層をさらに備える、
請求項14に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 基板と、
前記基板上の下層と、
前記下層上に設けられ、粒状強磁性Co合金と、Si、Ta、Ti、およびNbの1つ以上の1つ以上の酸化物と、を含む垂直型磁気記録層と、
前記垂直型磁気記録層と接触する、前記下層と前記垂直型磁気記録層との間の核形成層と、
を備え、
前記核形成層は、前記粒状強磁性Co合金を選択的に成長させるための金属又は合金が配列した核形成部と、前記核形成部の前記配列した金属又は合金の間に位置する非核形成部と、
を備える垂直型磁気記録ディスク。 - 前記核形成層は、平坦な表面を有する、
請求項16に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記垂直型磁気記録層はSi酸化物を含み、
前記核形成部は、Ruを含有し、Si酸化物により囲まれており、
前記垂直型磁気記録層に含まれる前記粒状強磁性Co合金は、前記核形成層の前記核形成部と接触し、
前記垂直型磁気記録層に含まれる前記Si酸化物は、前記核形成層の前記Si酸化物と接触している、
請求項16に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記垂直型磁気記録層と接触する、前記垂直型磁気記録層上の粒状強磁性Co合金からなるキャッピング層をさらに備える、
請求項18に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 前記核形成部は、4〜25nmの面内幅と、8〜50nmの面内中心間距離と、を有する、
請求項16に記載の垂直型磁気記録ディスク。 - 粒状コバルト合金および粒間酸化物材料を含む記録層を有する垂直型磁気記録ディスクの製造方法であって、
基板上に設けられた下層上に非磁性の中間層を堆積させるステップと、
前記中間層上にナノインプリント用のレジスト層を堆積させるステップと、
ナノインプリントマスタ型を用いて前記レジスト層にナノインプリントを行って、前記中間層上にパターン化レジスト層を形成するステップであって、前記ナノインプリントマスタ型は周期的パターンを有する、ステップと、
前記パターン化レジスト層を通じて前記中間層の露出した部分をエッチングして、前記中間層において凹領域を形成するステップと、
前記中間層の前記凹領域を前記中間層の材料以外の材料で充填するステップと、
前記パターン化レジスト層を除去し、前記記録層の前記粒状コバルト合金を選択的に成長させるための核形成部のパターンを有する前記中間層を残すステップと、
前記中間層上に前記粒状コバルト合金および前記粒間酸化物材料をスパッタ堆積させるステップと、
を含む製造方法。 - 前記中間層は、RuまたはRu合金を含み、
前記中間層の材料以外の前記材料は、酸化物または窒化物を含む、
請求項21に記載の製造方法。 - 前記ナノインプリントマスタ型の前記周期的パターンは、自己集合ブロックコポリマーの周期的パターンを表す請求項21に記載の製造方法。
- 粒状コバルト合金および粒間酸化物材料を含む記録層を有する垂直型磁気記録ディスクの製造方法であって、
基板上に設けられた下層上に非磁性の中間層を堆積させるステップと、
前記中間層上に前記中間層の材料以外の材料の薄膜を堆積させるステップと、
前記薄膜上にナノインプリント用のレジストの層を堆積させるステップと、
ナノインプリントマスタ型を用いて前記レジスト層にナノインプリントを行って、前記薄膜上にパターン化レジスト層を形成するステップであって、前記ナノインプリントマスタ型は周期的パターンを有する、ステップと、
前記パターン化レジスト層を通じて前記薄膜の露出した部分をエッチングして、下層の前記中間層を露出させるステップと、
前記パターン化レジスト層を除去し、前記薄膜の領域と、前記記録層の前記粒状コバルト合金を選択的に成長させるための核形成部のパターンを有する前記中間層の領域と、を残すステップと、
前記薄膜の領域と、前記中間層の領域との上に前記粒状コバルト合金および前記粒間酸化物材料をスパッタ堆積させるステップと、
を含む製造方法。 - 前記中間層は、RuまたはRu合金を含み、前記中間層の材料以外の前記材料は、酸化物または窒化物を含む、
請求項24に記載の製造方法。 - 前記ナノインプリントマスタ型の前記周期的パターンは、自己集合ブロックコポリマーの周期的パターンを表す、
請求項24に記載の製造方法。 - 粒状コバルト合金および粒間酸化物材料を含む記録層を有する垂直型磁気記録ディスクの製造方法であって、
基板上に設けられた下層上に非磁性の中間層を堆積させるステップと、
前記中間層上にナノインプリント用のレジスト層を堆積させるステップと、
ナノインプリントマスタ型を用いて前記レジスト層にナノインプリントを行って、前記中間層上にパターン化レジスト層を形成するステップであって、前記ナノインプリントマスタ型は周期的パターンを有する、ステップと、
前記パターン化レジスト層上に前記中間層の材料以外の材料の薄膜を堆積させるステップと、
前記パターン化レジスト層を除去し、前記薄膜の領域と、前記記録層の前記粒状コバルト合金を選択的に成長させるための核形成部のパターンを有する前記中間層の領域と、を残すステップと、
前記薄膜の領域と、前記中間層の領域との上に前記粒状コバルト合金および前記粒間酸化物材料をスパッタ堆積させるステップと、
を含む製造方法。 - 前記中間層はRuまたはRu合金を含み、
前記中間層の材料以外の前記材料は、酸化物または窒化物を含む、
請求項27に記載の製造方法。 - 前記ナノインプリントマスタ型の前記周期的パターンは、自己集合ブロックコポリマーの周期的パターンを表す、
請求項27に記載の製造方法。
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