JPH0836743A

JPH0836743A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0836743A
Application number: JP17462194A
Authority: JP
Inventors: Hideyuki Akimoto; 秀行秋元; Iwao Okamoto; 巌岡本; Kenji Sato; 賢治佐藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-07-26
Filing date: 1994-07-26
Publication date: 1996-02-06

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、ＣＳＳ方式の磁気ディスク装置に
おいて、磁気記録媒体の静止時に磁気ヘッドが磁気記録
媒体に吸着するのを防止する手段を施した磁気記録媒体
に関し、微小で、かつ大きさ及び密度が均一な凹凸が形
成されることにより、磁気ヘッドの吸着を回避する。【構成】基板１１上に、下地層１３と、磁気記録層１
４と、保護層１５とが積層されている磁気記録媒体にお
いて、基板１１上に、下地層１３上に又は磁気記録層１
４上にフラーレン構造を有する炭素分子又はそれらの集
合体１２が島状に形成されてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体及びその
製造方法に関し、より詳しくは、ＣＳＳ（コンタクト・
スタート・ストップ）方式の磁気ディスク装置におい
て、磁気記録媒体の静止時に磁気ヘッドが磁気記録媒体
に吸着するのを防止する手段を施した磁気記録媒体及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５（ａ）は、従来例のＣＳＳ方式の磁
気ディスク装置を示す要部側面図である。ＣＳＳ方式の
磁気ディスク装置は、情報を磁気的に記録し、或いは既
に情報が磁気的に記録された磁気ディスク１と、磁気を
介して記録された情報を読み取り、或いは磁気を介して
磁気ディスク１に情報を書き込む磁気ヘッドスライダ２
とを有する。磁気ヘッドスライダ２にはサスペンション
３により磁気ディスク１の方に向かう押圧力が付与され
ている。なお、４は磁気ディスク１に回転を付与する回
転軸である。

【０００３】磁気ヘッドスライダ２は、図５（ｂ）に示
すように、磁気ディスク１の静止時にサスペンション３
により押圧されて磁気ディスク１の表面に接触し、図５
（ｃ）に示すように、磁気ディスク１の高速回転に伴
い、空気流により磁気ディスク１の表面から浮き上が
る。このとき、押圧力と浮上力との釣り合いにより磁気
ディスクの表面と磁気ヘッドスライダの間に適度な浮上
隙間（スペーシング）５が形成される。更なる高密度化
につれて、この浮上隙間５はより小さくなってきてお
り、サブミクロンオーダになっている。

【０００４】従って、磁気ディスク１の表面の平坦化が
必要であるが、あまり平滑すぎると磁気ディスク１の静
止時に磁気ヘッドスライダ２の記録媒体表面への吸着現
象が生じ、磁気ディスク１の起動時に磁気ヘッドスライ
ダ２や磁気ディスク１に損傷を来す場合がある。このた
め、磁気ディスク１への磁気ヘッド２の吸着が生じず、
かつ磁気記録特性に支障を来さない程度に磁気ディスク
１の表面に微小な凹凸を生じさせる処理が行われてい
る。

【０００５】即ち、一つには、磁気ディスク１の基板表
面にテクスチャ処理を施すことにより基板表面を適度に
荒らし、その上に磁気記録層や磁気記録層を保護するた
めの保護層を形成する方法がある。他には、ＳｉＯ₂等
の非磁性微粒子を保護層に混在させ、非磁性微粒子の大
きさに対応する適度な粗さの表面を得る方法が試みられ
ている（特開平５−２８２６６６号公報）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
基板にテクスチャ処理を施す方法は、研磨用テープなど
を用いた機械的な研磨によるものであり、凹凸の突起部
分が必要以上に鋭く、かつ高くなりがちである。更なる
高密度記録化に伴い、凹凸がより小さく、かつその大き
さや密度が均一なものが求められている現状では、従来
の機械研磨によるテクスチャ処理では十分でなくなって
きている。

【０００７】また、非磁性微粒子を混在させる方法で
は、その粒径を１０ｎｍ以下にするとヘッド吸着現象が
生じ、このため、１インチ平方当たり１Ｇｂ以上の記録
密度を実現するための低フライングハイト化を困難なも
のにしている。一方、グラファイトは固体潤滑性を有す
るため、ＳｉＯ₂粒子の代わりに用いることによりヘッ
ド吸着現象の低減が期待されるが、現状では１００ｎｍ
以下の微粒子とすることができないため、更なる高密度
記録化に適した磁気記録媒体への適用に対してはあまり
効果が期待できない。

【０００８】本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、ＣＳＳ方式の磁気記録装置におい
て、微小で、かつ大きさ及び密度が均一な凹凸が形成さ
れることにより磁気ヘッドの吸着を回避できる磁気記録
媒体及びその製造方法を提供することを目的とするもの
である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、基
板上に、下地層と、磁気記録層と、保護層とが積層され
ている磁気記録媒体において、前記基板上に、前記下地
層上に又は前記磁気記録層上にフラーレン構造を有する
炭素分子又はそれらの集合体が島状に形成されてなるこ
とを特徴とする磁気記録媒体によって達成され、第２
に、前記フラーレン構造を有する炭素分子又はそれらの
集合体はＣ₆₀分子又はＣ₆₀分子を主体とするものである
ことを特徴とする第１の発明に記載の磁気記録媒体によ
って達成され、第３に、基板と、下地層と、磁気記録層
と、保護層とを有する磁気記録媒体の製造方法におい
て、前記基板上に、前記下地層上に又は前記磁気記録層
上にフラーレン構造を有する炭素分子又はそれらの集合
体を島状に形成することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法によって達成され、第４に、前記基板を加熱した
状態で前記フラーレン構造を有する炭素分子のターゲッ
トにイオンを衝突させて前記ターゲットから前記炭素分
子をスパッタすることにより、前記基板上に，前記下地
層上に又は前記磁気記録層上に前記フラーレン構造を有
する炭素分子又はそれらの集合体を島状に形成すること
を特徴とする第３の発明に記載の磁気記録媒体の製造方
法によって達成され、第５に、前記基板を加熱した状態
で前記フラーレン構造を有する炭素分子の融液から前記
炭素分子を蒸発させ、かつ前記蒸発した炭素分子に電子
照射によりエネルギを付与して蒸着することにより、前
記基板上に，前記下地層上に又は前記磁気記録層上に前
記フラーレン構造を有する炭素分子又はそれらの集合体
を島状に形成することを特徴とする第３の発明に記載の
磁気記録媒体の製造方法によって達成され、第６に、前
記フラーレン構造を有する炭素分子又はそれらの集合体
はＣ₆₀分子又はＣ₆₀分子を主体とするものであることを
特徴とする第３乃至第５の発明のいずれかに記載の磁気
記録媒体の製造方法によって達成される。

【００１０】

【作用】本発明の磁気記録媒体においては、基板上に、
下地層上に又は磁気記録層上にフラーレン構造を有する
炭素（Ｃ）分子またはそれらの集合体が島状に形成され
てなる。フラーレンはＣ₆₀，Ｃ₇₀，Ｃ₇₆，Ｃ₇₈，Ｃ₈₀等
の炭素分子が混在したものであり、分子径が７〜３０Å
と小さく，かつその大きさの揃ったものが得られる。こ
のため、それらの集合したクラスタの大きさも１０ｎｍ
程度と揃い、かつそれらの密度が均一となる。

【００１１】従って、クラスタを被覆する最上層の保護
層の表面には適度な大きさの凹凸であって、大きさ及び
密度が均一な凹凸が生じるため、低フライングハイト化
が可能になる。また、フラーレン構造を有する炭素分子
は固体潤滑性の効果を期待でき、実験によれば、その効
果によると考えられる磁気ヘッドの吸着防止効果も得ら
れた。

【００１２】これにより、磁気記録媒体の停止時の磁気
ヘッドの磁気記録媒体への吸着を防止することができ
る。また、本発明の磁気記録媒体の製造方法において、
フラーレン構造を有する炭素分子またはその集合体を島
状に形成するために、基板を加熱した状態で炭素分子の
ターゲットにイオンを衝突させてターゲットから炭素分
子をスパッタするスパッタ法を用い、或いは基板を加熱
した状態で炭素分子の融液から炭素分子を蒸発させ、か
つ蒸発した炭素分子に電子照射によりエネルギを付与し
て蒸着するイオンビーム蒸着法を用いている。

【００１３】即ち、スパッタ法或いはイオンビーム蒸着
法により基板等の上に付着した炭素分子もＣ₆₀，Ｃ₇₀，
Ｃ₇₆，Ｃ₇₈，Ｃ₈₀等フラーレンを構成する分子からな
る。それらは、イオン衝突により或いは電子照射により
得たエネルギ及び基板加熱温度により得たエネルギに応
答し、かつ自己の重さに応答して動き回り、かつ集合
し、適度な大きさのクラスタが均一な密度で基板等の上
に形成される。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の実施例
について説明する。（１）本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の製造
方法についての説明図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例に係る磁気
記録媒体の製造方法について示す断面図である。Ｃ₆₀，
Ｃ₇₀，Ｃ₇₆，Ｃ₇₈，Ｃ₈₀等の集合体からなるフラーレン
クラスタを基板上に形成する。また、フラーレンクラス
タを形成するため、スパッタ法を用いる。

【００１５】まず、図１（ａ）に示すように、強化ガラ
スからなる基板１１上にフラーレンクラスタ１２を形成
する。図３に示すマグネトロンＲＦスパッタ装置によ
り、フラーレンを焼結したターゲットを用いてスパッタ
法により形成する。以下に、その詳細について述べる。
スパッタ装置の成膜室２１内に設けられた対向電極２
４，２５のうち一方の対向電極（載置台）２４上に基板
１１を載置し、排気口２２から排気して所定の圧力に保
持する。なお、他方の対向電極２５はフラーレンからな
るターゲットとなっている。

【００１６】次いで、対向電極２４に内蔵のヒータによ
り基板１１を加熱して温度約１５０℃に保持する。続い
て、ガス導入口２３を介して成膜室２１内にＡｒガスを
導入し、圧力を１０mTorr に保持する。次いで、電力密
度２．７４Ｗ／ｃｍ²の電力を対向電極２４，２５間に
印加する。これにより、Ａｒガスがプラズマ化し、マグ
ネット２７と対向電極２４，２５による電磁界によりＡ
ｒイオンが移動してフラーレンのターゲット２５に衝突
し、フラーレン粒子を基板１１表面に向かって飛散させ
る。飛散したフラーレン粒子は基板１１上に付着する。

【００１７】基板１１表面に付着したフラーレン粒子
は、基板加熱温度によるエネルギも加わって、基板１１
表面上を移動し、集合して１０ｎｍ程度の適度な大きさ
のフラーレンクラスタ１２が形成される。フラーレンは
Ｃ₆₀，Ｃ₇₀，Ｃ₇₆，Ｃ₇₈，Ｃ₈₀等の分子が混在したもの
であり、分子径が７〜３０Åと小さい。しかも、基板加
熱温度や印加電力密度を調整することによってそのクラ
スタの大きさや密度の均一なものが得られる。実施例の
場合、クラスタの大きさが１０ｎｍ程度で揃っている。

【００１８】次に、スパッタ法により、Ａｒガス圧５mT
orr ，基板温度２８０℃の条件で、フラーレンクラスタ
１２を被覆して膜厚約５０ｎｍのＣｒ膜（下地層）１３
を形成する。次いで、スパッタ法により、Ａｒガス圧５
mTorr ，基板温度２８０℃の条件で、Ｃｒ膜１３上に膜
厚約１５ｎｍのＣｏＣｒ₁₂Ｔａ₂膜（磁気記録層）１４
を形成する。

【００１９】次いで、スパッタ法により、Ａｒガス圧１
０mTorr ，基板温度２８０℃の条件で、ＣｏＣｒ₁₂Ｔａ
₂膜１４上に膜厚約１０ｎｍのＣ膜（保護層）１５を形
成する。これにより、磁気記録媒体が完成する。このと
き、フラーレンクラスタ１２の大きさや密度が均一であ
るため、フラーレンクラスタ１２を被覆する最上層の保
護層１５の表面には適度な大きさの凹凸であって、大き
さ及び密度が均一な凹凸が生じる。このため、低フライ
ングハイト化が可能になる。

【００２０】次に、得られた磁気記録媒体の磁気特性を
調査した。その結果によれば、システムベースプレッシ
ャを５×１０^-7Torrとして得られた磁気記録媒体の磁気
特性は、ｔＢｒ＝１００Ｇ・μｍ，Ｈｃ＝１７００Ｏｅ
であり、近年の磁気記録装置に対して十分に対応できる
値であった。なお、ｔは磁性層の膜厚を表し、Ｂｒは記
録後（Ｈ＝０）の磁気記録媒体の残留磁化を表す。磁気
ヘッドの出力はｔＢｒに比例する。また、Ｈｃは保磁力
を表し、高密度記録を維持するためにはある程度の大き
さのＨｃが必要になる。

【００２１】次に、得られた磁気記録媒体についてフラ
ーレンクラスタ１２の密度と磁気ヘッド吸着の相関関係
を調査した。調査はスライド−摩擦係数（μｓ）特性を
測定することにより行った。測定条件は以下のとおりで
ある。・試験機ＦＪＡ（富士通オートメーション）製簡易摩擦試験機・評価試料フラーレンクラスタ有り（本発明の実施例）フラーレンクラスタ無し（比較例）・測定方法回転数１００ｒｐｍ，１時間の摺動を３回繰り返し、摺動前後で１ｒｐｍにて摩擦係数（μｓ）を測定した。

【００２２】測定結果によれば、フラーレンクラスタ１
２を形成したものは、繰り返し測定を行っても、μｓは
０．３以下であった。これに対して、フラーレンクラス
タ１２を形成しなかったものは、測定開始時のμｓは
０．８程度であり、測定の繰り返しにより磁気記録媒体
の保護層１５が破壊するに至った。以上のように、本発
明の第１の実施例によれば、基板１１上にフラーレンク
ラスタ１２が島状に形成され、その上に下地層１３，磁
気記録層１４及び保護層１５が積層されている。

【００２３】上記のように、加熱した基板１１上にスパ
ッタ法により形成されたフラーレンクラスタ１２は大き
さが１０ｎｍ程度と揃い、かつ均一な密度を有する。従
って、保護層１５の表面には適度な高さの凹凸が適度な
密度で形成される。また、フラーレンクラスタ１２は固
体潤滑性の効果を期待でき、その効果によると考えられ
る磁気ヘッドの吸着防止効果を得ることができた。

【００２４】これにより、低フライングハイト化が可能
になり、かつ磁気記録媒体の停止時の磁気ヘッドの磁気
記録媒体表面への吸着を防止することができる。（２）本発明の第２の実施例に係る磁気記録媒体の製造
方法についての説明図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例に係る磁気
記録媒体の製造方法について示す断面図である。フラー
レンクラスタ12ａを磁気記録層14ａ上に形成する。ま
た、フラーレンクラスタ12ａを形成するため、図４に示
すクラスタイオンビーム蒸着装置を用いた。

【００２５】まず、図２（ａ）に示すように、強化ガラ
スからなる基板11ａ上にスパッタ法により、Ａｒガス圧
５mTorr ，基板温度２８０℃の条件で、基板11ａを被覆
して膜厚約５０ｎｍのＣｒ膜（下地層）13ａを形成す
る。次いで、スパッタ法により、Ａｒガス圧５mTorr ，
基板温度２８０℃の条件で、Ｃｒ膜13ａ上に膜厚約１５
ｎｍのＣｏＣｒ₁₂Ｔａ₂膜（磁気記録層）14ａを形成す
る。

【００２６】次に、ＣｏＣｒ₁₂Ｔａ₂膜14ａ上にフラー
レンクラスタ12ａを形成する。そのために、図４に示す
クラスタイオンビーム蒸着装置を用いる。これは、減圧
中でＣ₆₀を溶融して蒸発させ、イオンビームにより蒸発
したＣ₆₀分子からなるクラスタに運動エネルギを与え、
加熱された基板11ａ上にクラスタを堆積させる。その詳
細を以下に述べる。

【００２７】蒸着装置の成膜室３１内の保持具３８に基
板11ａを設置し、保持具３８に内蔵されたヒータにより
加熱して温度１５０℃に保持する。続いて、排気口３２
を介して成膜室３１を排気し、圧力を１×１０^-6Torr以
上に保持する。次いで、減圧中で、坩堝（るつぼ）３３
に入れたＣ₆₀固体をヒータ３４により温度６００℃程度
に加熱し、Ｃ₆₀分子を蒸発させる。坩堝３３の出口を通
過したＣ₆₀分子は断熱膨張過程を経て分子クラスタを形
成する。更に、カソード３５より放たれた電子流により
これらクラスタを帯電させることでイオンビームとす
る。そして、直流電源３７により加速電極36ａ，36ｂ間
に印加された加速電圧（Ｖｂ）−６００ｖでイオンビー
ムを加速し、そのイオンビームを照射して蒸発したＣ₆₀
分子クラスタに更にエネルギを与える。エネルギを得た
Ｃ₆₀分子クラスタは基板11ａ方向に移動し、基板11ａ表
面に付着する。この場合、蒸着速度は２ｎｍ／ｍｉｎと
なる。

【００２８】基板11ａ表面に付着したＣ₆₀分子クラスタ
は、基板加熱温度によるエネルギも加わって、基板11ａ
表面上を移動し、集合して適度な大きさのフラーレンク
ラスタ12ａが適度な密度で形成される。次いで、スパッ
タ法により、Ａｒガス圧１０mTorr ，基板温度１６０℃
の条件で、ＣｏＣｒ₁₂Ｔａ₂膜14ａ上に膜厚約１０ｎｍ
のＣ膜（保護層）15ａを形成する。これにより、磁気記
録媒体が完成する。フラーレンクラスタ12ａを被覆する
最上層の保護層15ａの表面には適度な大きさの凹凸であ
って、大きさ及び密度が均一な凹凸が生じる。

【００２９】次に、得られた磁気記録媒体について表面
粗さ及びグライドハイトを調査した。比較のため、潤滑
剤を塗布した磁気記録媒体についても同様に調査した。
比較試料は次のようにして作成した。即ち、表面粗さＲ
ａ＝６Åのガラス基板上にＣｒ膜／ＣｏＣｒＴａ膜／Ｃ
膜を順次形成した後、Ｃ膜の表面に潤滑剤を塗布した。

【００３０】表面粗さは次のようにして調査した。即
ち、保護層15ａの表面に探針を接触させ、表面の凹凸に
従って変動する探針の上下移動量を読み取る。なお、下
記するグライドハイトとは磁気ヘッドがディスクに接触
しない最低浮上量のことをいい、これはほぼＲｐ（中心
線平均粗さＲａ（ＪＩＳで定義）を基準とした最大高
さ）に対応するものである。

【００３１】調査結果によれば、単体で安定なＣ₆₀を主
体とするフラーレンクラスタ12ａを磁気記録層14ａ上に
形成した第２の実施例に係る試料では、グライドハイト
３０ｎｍが得られた。更に、磁気ヘッド吸着の調査で
は、磁気ディスクの静止時に磁気ヘッドの吸着を回避す
ることができた。一方、比較試料では、表面粗さが１２
Å程度となり、グライドハイト１８ｎｍ程度となった。
更に、この比較試料では、磁気ディスクの静止時に磁気
ヘッドの吸着現象が認められた。

【００３２】第２の実施例に係る試料でヘッド吸着を回
避できたのは、次の理由によると考えられる。即ち、Ｃ
₆₀を主体とするフラーレンがクラスタを形成し、直径約
１０ｎｍ程度の固まりとなって磁気記録層14ａ上に均一
な密度で散在した。これにより、磁気ディスクの表面に
適度な大きさの凹凸が均一な密度で形成された。このた
め、磁気ディスクの静止時に磁気ディスクの表面と磁気
ヘッドの接触面積が減ったことによると考えられる。或
いは、フラーレンクラスタ12ａに基づく固体潤滑性の効
果によるものと考えられる。なお、比較試料でヘッド吸
着が生じたのは、凹凸が小さすぎたこと或いは固体潤滑
性の効果が期待できないことによると考えられる。

【００３３】以上のように、本発明の第２の実施例によ
れば、磁気記録層14ａ上にフラーレンクラスタ12ａを島
状に形成し、更にその上に保護層15ａを積層している。
フラーレン分子は分子径が７〜３０Åと小さく，かつそ
の大きさが揃ったものが得られる。従って、これらが集
合したフラーレンクラスタ12ａの大きさは１０ｎｍ程度
で揃い、かつその密度が均一となる。このため、磁気デ
ィスクの表面に適度な大きさの凹凸が均一な密度で形成
される。

【００３４】また、フラーレンクラスタ12ａに基づく固
体潤滑性の効果を期待でき、磁気ヘッドの吸着防止効果
が得られる。これにより、低フライングハイト化が可能
になり、かつ磁気記録媒体の停止時の磁気ヘッドの磁気
記録媒体への吸着を防止することができる。なお、上記
の実施例では、基板１１上に又は磁気記録層14ａ上にフ
ラーレンクラスタ１２又は12ａを島状に形成している
が、それらを下地層１３又は13ａ上に形成してもよい。

【００３５】また、基板１１，11ａの材料として強化ガ
ラスを用いているが、Ｎｉ−Ｐやカーボン或いはシリコ
ン等を用いることができる。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、本発明の磁気記録媒体に
おいては、基板上に、下地層上に又は磁気記録層上にフ
ラーレン構造を有する炭素分子またはその集合体が島状
に形成されてなる。フラーレンクラスタは適度な大きさ
で揃っており、かつ密度も均一となるため、フラーレン
クラスタを被覆する最上層の保護層の表面には適度な大
きさの凹凸であって、大きさ及び密度が均一な凹凸が生
じる。また、フラーレンクラスタに基づく固体潤滑性の
効果を期待でき、磁気ヘッドの吸着防止効果が得られ
る。

【００３７】これにより、低フライングハイト化が可能
になるとともに、磁気記録媒体の停止時の磁気ヘッドの
磁気記録媒体への吸着を防止することができる。また、
本発明の磁気記録媒体の製造方法において、フラーレン
構造を有する炭素分子またはそれらの集合体を島状に形
成するために、基板を加熱した状態でフラーレンターゲ
ットから炭素分子をスパッタするスパッタ法を用い、或
いは基板を加熱した状態で炭素分子を蒸着するイオンビ
ーム蒸着法を用いている。

【００３８】即ち、スパッタ法或いはイオンビーム蒸着
法により基板等の上に付着したフラーレン分子の移動に
より、適度な大きさのフラーレンクラスタを均一な密度
で基板等の上に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る磁気ディスクの形
成方法について示す断面図である。

【図２】本発明の第２の実施例に係る磁気ディスクの形
成方法について示す断面図である。

【図３】本発明の第１の実施例に係る磁気ディスクに用
いられるフラーレンクラスタの形成に用いられるスパッ
タ装置について示す側面図である。

【図４】本発明の第２の実施例に係る磁気ディスクに用
いられるフラーレンクラスタの形成に用いられるイオン
ビーム蒸着装置について示す側面図である。

【図５】従来例に係るＣＳＳ方式の磁気記録装置につい
て示す側面図である。

【符号の説明】

１１，11ａ基板、１２，12ａフラーレンクラスタ、１３，13ａＣｒ膜（下地層）、１４，14ａＣｏＣｒ₁₂Ｔａ₂膜（磁気記録層）、１５，15ａＣ膜（保護層）、２１，３１成膜室、２２，３２排気口、２３ガス導入口、２４対向電極（載置台）、２５対向電極（フラーレンターゲット）、２６ＲＦ電源、２７マグネット、３３坩堝（るつぼ）、３４ヒータ、３５イオン化フィラメント、 36ａ，36ｂ加速電極、３７直流電源、３８保持具。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、下地層と、磁気記録層と、保
護層とが積層されている磁気記録媒体において、前記基板上に、前記下地層上に又は前記磁気記録層上に
フラーレン構造を有する炭素分子又はそれらの集合体が
島状に形成されてなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記フラーレン構造を有する炭素分子又
はそれらの集合体はＣ₆₀分子又はＣ₆₀分子を主体とする
ものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。
【請求項３】基板と、下地層と、磁気記録層と、保護
層とを有する磁気記録媒体の製造方法において、前記基板上に、前記下地層上に又は前記磁気記録層上に
フラーレン構造を有する炭素分子又はそれらの集合体を
島状に形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項４】前記基板を加熱した状態で前記フラーレ
ン構造を有する炭素分子のターゲットにイオンを衝突さ
せて前記ターゲットから前記炭素分子をスパッタするこ
とにより、前記基板上に、前記下地層上に又は前記磁気
記録層上に前記フラーレン構造を有する炭素分子又はそ
れらの集合体を島状に形成することを特徴とする請求項
３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】前記基板を加熱した状態で前記フラーレ
ン構造を有する炭素分子の融液から前記炭素分子を蒸発
させ、かつ前記蒸発した炭素分子に電子照射によりエネ
ルギを付与して蒸着することにより、前記基板上に、前
記下地層上に又は前記磁気記録層上に前記フラーレン構
造を有する炭素分子又はそれらの集合体を島状に形成す
ることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体の製造
方法。
【請求項６】前記フラーレン構造を有する炭素分子又
はそれらの集合体はＣ₆₀分子又はＣ₆₀分子を主体とする
ものであることを特徴とする請求項３、請求項４又は請
求項５記載の磁気記録媒体の製造方法。