JP2011071379A - 半導体装置の製造方法、半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置80は、半導体チップ50がガラス基板60にFace Downして載置され、接着層10で半導体チップ50とガラス基板60が接着される。半導体チップ50には、シリコン基板1、集積回路部2、受光部3、層間絶縁膜4、樹脂層5、表面電極6、貫通電極8、裏面電極9、裏面保護膜12、ボール端子13が設けられる。樹脂層5は、シリコン基板1上に層間絶縁膜4と接するように半導体チップ50の端部に設けられる。樹脂層5は、層間絶縁膜4をエッチングした開口領域に設けられる。半導体装置80は、接着層10により固着されたシリコンウェハ100とガラス基板60をブレードダイシングにより個片化されたものである。
【選択図】 図1
Description
Wlk=Wdl+2×L11・・・・・・・・・・・・・式(1)
と設定される。つまり、開口部30は、集積回路部2と離間し、ダイシングライン端からの距離L11分、半導体チップの内側まで設けられる。
(付記1) 半導体ウェハ上に設けられ、シリコン酸化膜(SiO2)よりも誘電率が小さい層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜が開口され、ダイシングライン領域よりも幅が広く、素子形成領域と離間して形成される開口部と、前記開口部を覆うように設けられる樹脂層とを具備することを特徴とする半導体装置。
2 集積回路部
3 受光部
4 層間絶縁膜
5 樹脂層
6 表面電極
7 貫通孔
8 貫通電極
9 裏面電極
10 接着層
11 空隙部
12 裏面保護膜
13 ボール端子
21 IRカットフィルタ
22 集光レンズ
23 レンズホルダ
24 シールドキャップ
30 開口部
31 カラーフィルタ膜
50 半導体チップ
50a 第1の半導体チップ
50b 第2の半導体チップ
60 ガラス基板
70 基板
80 半導体装置
90 カメラモジュール
100 シリコンウェハ
L1 半導体チップ端とガラス基板端の距離
L11 ダイシングラインからの距離
Wdl ダイシングライン幅
Wlk レーザ加工幅
Claims (5)
- シリコン酸化膜(SiO2)よりも誘電率が小さく、半導体ウェハ上に設けられる層間絶縁膜をダイシングライン領域よりも幅広く、且つ集積回路部と離間するようにエッチングして、開口部を形成する工程と、
前記開口部に樹脂層を埋め込む工程と、
前記層間絶縁膜及び前記樹脂層上に接着層を形成する工程と、
前記接着層が設けられる半導体ウェハをFace Downしてガラス基板上に載置し、接着層により前記半導体ウェハを前記ガラス基板に固着する工程と、
前記ダイシングライン領域の前記半導体ウエハ、前記樹脂層、及び前記接着層をブレードダイシングにより切削する工程と、
前記ダイシングライン領域直下の前記ガラス基板をブレードダイシングにより切削し、前記接着層により接着される前記ガラス基板及び前記半導体ウェハを個片化する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコン酸化膜(SiO2)よりも誘電率が小さく、半導体ウェハ上に設けられる層間絶縁膜をダイシングライン領域よりも幅広く、且つ集積回路部と離間するようにエッチングして、開口部を形成する工程と、
前記開口部に樹脂層を埋め込む工程と、
前記半導体ウェハの裏面を研削して薄化する工程と、
前記層間絶縁膜上の表面電極、前記層間絶縁膜、及び前記樹脂層上に接着層を形成する工程と、
薄化され、前記接着層が設けられる半導体ウェハをFace Downしてガラス基板上に載置し、接着層により前記半導体ウェハを前記ガラス基板に固着する工程と、
前記半導体ウェハ及び前記層間絶縁膜をエッチングし、前記表面電極が露呈するように貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に貫通電極を埋設する工程と、
前記貫通電極上に裏面電極を形成する工程と、
前記半導体ウェハの裏面側に裏面保護膜を形成する工程と、
前記裏面電極上にボール端子を形成する工程と、
前記ダイシングライン領域の前記裏面保護膜、前記半導体ウェハ、前記樹脂層、及び接着層をブレードダイシングにより切削する工程と、
前記ダイシングライン領域直下の前記ガラス基板をブレードダイシングにより切削し、前記接着層により接着される前記ガラス基板及び前記半導体ウェハを個片化する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂層は、ポリイミド樹脂、BCB(ベンゾシクロブテン)樹脂、或いはフッ素系樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜は、SiOC膜、SiOCH膜、或いはポーラス(多孔性)シリカ膜であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に設けられ、シリコン酸化膜(SiO2)よりも誘電率が小さい層間絶縁膜と、チップ端部の前記層間絶縁膜が開口され、集積回路部と離間して形成される開口部と、前記開口部を覆うように設けられる樹脂層とを有する半導体チップと、
Face Downされた前記半導体チップが載置され、接着層により前記半導体チップが固着されるガラス基板と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
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