JPWO2012144196A1 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
TL×N < TV (式1)
の関係を満たす必要がある。通常、動画では一定のフレームレートを守る必要があり、読出しモードごとに、30fpsや60fps、またはさらに高速のフレームレートが規定される。仮に、フレームレートが60fpsの場合、TVは16.6msとなる。簡単化のため、1200万画素で縦横のアスペクト比が4対3、すなわち、3000行×4000列の場合を考えると、式1より、
TL = TV ÷ N=16.6ms÷3000=5.5us (式2)
となる。これは、1200万画素で60fpsのフレームレートを実現する際、画素アクセスにブランキング時間がないなど、ほかの制約がまったくない前提での最長の行サイクル時間である。加えて、フレームレート向上や画素数増加トレンドから、今後さらに行サイクル時間が短縮されることを考慮すると、1行分の画素読出しサイクルを、たとえば、3μs程度に抑える必要がある。上記高速化を進めるため、画素読出しシーケンスのタイミングマージンをギリギリまで詰めるという必要が生じている。
本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置は、Si基板内またはSi基板上に、フォトダイオードとこれに接続されたトランジスタとを備える画素がマトリクス状に複数配列され、入射光に対応した画素信号を出力する複数の画素セルで構成された有効画素エリアと、遮光されていることにより入射光に依存しない黒レベル信号を出力する複数の画素セルで構成され有効画素エリアの周囲に配置された水平OBエリアと、有効画素エリア及び水平OBエリアの周辺に配置され、画素セルを駆動し信号処理を行う周辺回路が配置された周辺回路エリアとを含み、有効画素エリアの配線層数が2層であり、水平OBエリア及び周辺回路エリアの配線層数が各4層であり、有効画素エリアと水平OBエリアと周辺回路エリアとの間ではSi基板表面から2層目までの配線層が共用されている場合に、水平OBエリアは4層目の配線層で遮光されており、水平OBエリアを遮光する4層目の配線層と2層目の配線層との間は層間絶縁膜で埋められている。
ΔV=Q/Cfd (式3)
となる。
本実施の形態に係る固体撮像装置の画素アレイは、実施の形態1に係る画素アレイ10と比較して、フォトダイオード及び転送トランジスタを備える4つの画素が、FD、リセットトランジスタ及びソースフォロワトランジスタを共用する点、FDのリセット電位がリセット電源線から供給される点、さらに、画素アレイが有効画素エリアと垂直OBエリアとで構成される点が異なる。以下、実施の形態1に係る固体撮像装置と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。
ΔV=Q/Cfd (式4)
となる。
10 画素アレイ
10A、20A 有効画素エリア
10B 無効画素エリア
10C 遮光画素エリア
20 周辺回路
101C 垂直OBエリア
102C 水平OBエリア
201 制御回路
202 行走査回路
203 列読出し回路
204 出力回路
205 出力端子
301、401、601、701 リセットトランジスタ(RS)
302、402、602、702 電荷蓄積部(FD)
303、403、603、703 ソースフォロワトランジスタ(SF)
305、405、705 リセット制御線
306、406 画素電源線
307、407、607 信号線
308、408、608 基板固定電位線
310、320、410、420、430、440 有効画素
311、321、411、421、611、621、711、721 フォトダイオード(PD)
312、322、412、422、612、622、712、722 転送トランジスタ(TG)
313、323、413、423、433、443、713、723、733、743 転送制御線
404、704 リセット電源線
501 遮光用側壁
610、620、710、720、730、740 遮光画素
820 センサ部領域
821 有効画素領域
822 無効画素領域
823 遮光画素領域(OPB領域)
830 周辺回路領域
844、845 メタル膜
851 パッシベーション膜
852 カラーフィルタ
853 オンチップレンズ
Claims (8)
- 半導体基板内または半導体基板上に、光電変換素子と当該光電変換素子に接続されたトランジスタとを備える画素セルがマトリクス状に複数配列された固体撮像装置であって、
複数配列された前記画素セルのうち、入射光に対応した画素信号を出力する複数の画素セルで構成された有効画素エリアと、
複数配列された前記画素セルのうち、遮光されていることにより前記入射光に依存しない黒レベル信号を出力する複数の画素セルで構成され、前記有効画素エリアの周囲に配置された遮光画素エリアと、
前記有効画素エリア及び前記遮光画素エリアの周辺に配置され、前記画素セルを駆動し信号処理を行う周辺回路が配置された周辺回路エリアとを含み、
前記有効画素エリアの配線層数がN(Nは自然数)層であり、前記遮光画素エリアの配線層数がM(Mは自然数)層であり、前記周辺回路エリアの配線層数がL(Lは自然数)層であり、前記有効画素エリアと前記遮光画素エリアと前記周辺回路エリアとの間では前記半導体基板表面からN層目の配線層までが共用され、N<M≦Lの関係にある場合に、前記遮光画素エリアの光電変換素子は、前記半導体基板表面から(N+2)層目またはそれより上層の配線層で遮光されており、前記遮光画素エリアの光電変換素子を遮光する配線層と前記N層目の配線層との間は層間絶縁膜で埋められている
固体撮像装置。 - 前記Nは2であり、
前記周辺回路エリアの配線は、前記半導体基板表面から1層目〜4層目の全ての配線層に形成され、
前記有効画素エリアの配線は、前記半導体基板表面から1層目の配線層及び2層目の配線層に形成され、
前記遮光画素エリアの配線は、前記半導体基板表面から1層目の配線層、2層目の配線層及び4層目の配線層に形成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光画素エリアの光電変換素子を遮光する配線層には、アルミニウムで構成された遮光膜が形成されている
請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記有効画素エリアと前記遮光画素エリアとの境界部において、少なくとも前記半導体基板表面からN層目の配線層と前記遮光画素エリアの光電変換素子を遮光する配線層との間に、配線層間を接続するビアに用いられる重金属で構成された遮光用の側壁が形成されている
請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - さらに、少なくとも複数の前記画素セルの列ごとに配置され、前記有効画素エリアの画素セルで生成された画素信号または前記遮光画素エリアの画素セルで生成された黒レベル信号を前記有効画素エリア及び前記遮光画素エリアの外部へ読み出すための信号線を備え、
前記遮光画素エリアは、前記有効画素エリアの行方向に配置され、
前記信号線は、前記半導体基板表面からN層目の配線層に形成されている
請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - さらに、少なくとも複数の前記画素セルの行ごとに配置され、前記光電変換素子で生成された電荷の電荷蓄積部への転送を制御する転送制御線を備え、
前記遮光画素エリアは、前記有効画素エリアの列方向に配置され、
前記転送制御線は、少なくとも前記半導体基板表面からN層目の配線層に形成されている
請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記層間絶縁膜は、Low−k材料で構成されている
請求項1〜6のうちいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記層間絶縁膜の膜厚は、前記半導体基板表面から(N−1)層目の配線層とN層目の配線層との距離の2倍以上となっている
請求項1〜7のうちいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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