JP2010045151A - 光デバイスウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光デバイスウエーハを割れが発生することなく薄く形成することができるとともに、個々の光デバイスに分割することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】光デバイスウエーハの表面側にストリートに沿って破断起点となる変質層を形成するレーザー加工工程と、光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、光デバイスウエーハの裏面を研削し仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、光デバイスウエーハの裏面をダイシングテープに貼着するダイシングテープ貼着工程と、光デバイスウエーハに接合されている保護プレートをストリートに沿って切削し切削溝を形成する切削溝形成工程と、保護プレートを介して光デバイスウエーハに外力を付与し破断起点が形成されたストリートに沿って破断することにより光デバイスウエーハを分割するウエーハ分割工程とを含む。
【選択図】図8
【解決手段】光デバイスウエーハの表面側にストリートに沿って破断起点となる変質層を形成するレーザー加工工程と、光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、光デバイスウエーハの裏面を研削し仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、光デバイスウエーハの裏面をダイシングテープに貼着するダイシングテープ貼着工程と、光デバイスウエーハに接合されている保護プレートをストリートに沿って切削し切削溝を形成する切削溝形成工程と、保護プレートを介して光デバイスウエーハに外力を付与し破断起点が形成されたストリートに沿って破断することにより光デバイスウエーハを分割するウエーハ分割工程とを含む。
【選択図】図8
Description
本発明は、サファイヤ基板等の基板の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等光デバイスが積層された光デバイスウエーハを、ストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法に関する。
サファイヤ基板の表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等光デバイスが積層された光デバイスウエーハは、ストリートに沿って個々の発光ダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述した光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する方法として、切削ブレードを高速回転して切断する方法が試みられているが、サファイヤ基板はモース硬度が高く難削材であるため、切削装置によってサファイヤ基板を切断することは困難である。
近年、光デバイスウエーハ等のウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って外力を付与することによりウエーハをストリートに沿って破断する方法が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)
特開平10−305420号公報
また、光デバイスウエーハ等のウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、このパルスレーザー光線をウエーハの内部に集光点を合わせてストリートに沿って照射することにより、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加え、ウエーハをストリートに沿って破断する方法も提案されている。(例えば、特許文献2参照。)
特開2008−6492号公報
上述した光デバイスウエーハは、個々の光デバイスに分割する前に裏面を研削して所定の厚さに形成される。そして近年、電気機器の軽量化、小型化を実現するために光デバイスの厚みを50μm以下にすることが要求されている。しかるに、光デバイスウエーハを50μm以下と薄く研削すると、割れが発生するという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、光デバイスウエーハを割れが発生することなく薄く形成することができるとともに、個々の光デバイスに分割することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイスウエーハを、複数のストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハにストリートに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイスウエーハの表面側にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程が実施された光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、
該保護プレートに貼着された光デバイスウエーハの裏面を研削し、光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハの裏面をダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープ貼着工程が実施された光デバイスウエーハの表面に接合されている保護プレートを光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿って切削し、光デバイスウエーハの表面に至らない切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施された保護プレートを介して光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハをストリートに沿って形成された破断起点が形成されたストリートに沿って破断することにより光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程が実施された光デバイスウエーハの表面に接合されている保護プレートを剥離する保護プレート剥離工程と、
ダイシングテープに貼着され個々に分割されたデバイスをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
光デバイスウエーハにストリートに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイスウエーハの表面側にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程が実施された光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、
該保護プレートに貼着された光デバイスウエーハの裏面を研削し、光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハの裏面をダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープ貼着工程が実施された光デバイスウエーハの表面に接合されている保護プレートを光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿って切削し、光デバイスウエーハの表面に至らない切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施された保護プレートを介して光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハをストリートに沿って形成された破断起点が形成されたストリートに沿って破断することにより光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程が実施された光デバイスウエーハの表面に接合されている保護プレートを剥離する保護プレート剥離工程と、
ダイシングテープに貼着され個々に分割されたデバイスをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
上記レーザー加工工程は、上記光デバイスウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を光デバイスウエーハの内部に集光点を合わせて照射することにより、光デバイスウエーハの内部にストリートに沿って破断起点となる変質層を形成する。
また、上記レーザー加工工程は、上記光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することにより、光デバイスウエーハの表面にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工溝を形成する。
また、上記レーザー加工工程は、上記光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することにより、光デバイスウエーハの表面にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工溝を形成する。
本発明によれば、光デバイスウエーハにストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程を実施し、光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程を実施した後に、光デバイスウエーハの裏面を研削して光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程を実施するので、光デバイスウエーハを例えば50μm以下の厚さに研削しても光デバイスウエーハの表面に剛性の高い保護プレートに接合されているため割れることはない。このように研削された光デバイスウエーハは、表面に接合されている保護プレートを光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿って切削し、光デバイスウエーハの表面に至らない切削溝を形成する切削溝形成工程を実施した後に、保護プレートを介して光デバイスウエーハに外力を付与し、破断起点が形成されたストリートに沿って破断されるので、光デバイスに損傷を与えることなく個々の光デバイスに分割される。
以下、本発明による光デバイスウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明による光デバイスウエーハの加工方法によって分割される光デバイスウエーハ2が示されている。図1に示す光デバイスウエーハ2は、例えば直径が100mmで厚さが425μmのサファイヤ基板の表面2aに格子状に形成されたストリート21によって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数の発光ダイオード等の光デバイス22が形成されている。
上述した光デバイスウエーハ2をストリート21に沿って個々の光デバイス22に分割する光デバイスウエーハの加工方法の第1の実施形態について、図2乃至図12を参照して説明する。
上記光デバイスウエーハ2をストリート21に沿って個々の光デバイス22に分割するには、先ず光デバイスウエーハ2にストリート21に沿ってレーザー光線を照射し、光デバイスウエーハ2にストリート21に沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程を実施する。このレーザー加工工程は、図2に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図2に示すレーザー加工装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32と、チャックテーブル31上に保持された被加工物を撮像する撮像手段33を具備している。チャックテーブル31は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図2において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図2において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記光デバイスウエーハ2をストリート21に沿って個々の光デバイス22に分割するには、先ず光デバイスウエーハ2にストリート21に沿ってレーザー光線を照射し、光デバイスウエーハ2にストリート21に沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程を実施する。このレーザー加工工程は、図2に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図2に示すレーザー加工装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32と、チャックテーブル31上に保持された被加工物を撮像する撮像手段33を具備している。チャックテーブル31は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図2において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図2において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段32は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング321を含んでいる。ケーシング321内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング321の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器322が装着されている。
上記レーザー光線照射手段32を構成するケーシング321の先端部に装着された撮像手段33は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
以下、上述したレーザー加工装置3を用いて、光デバイスウエーハ2にストリート21に沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程について説明する。
このレーザー加工工程の第1の実施形態は、光デバイスウエーハ2の内部にストリート21に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。変質層形成工程を実施するには、図2に示すようにレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に光デバイスウエーハ2の表面2a側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル31上に光デバイスウエーハ2を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル31上に吸引保持された光デバイスウエーハ2は、裏面2bが上側となる。
このレーザー加工工程の第1の実施形態は、光デバイスウエーハ2の内部にストリート21に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。変質層形成工程を実施するには、図2に示すようにレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に光デバイスウエーハ2の表面2a側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル31上に光デバイスウエーハ2を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル31上に吸引保持された光デバイスウエーハ2は、裏面2bが上側となる。
上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、光デバイスウエーハ2に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を光デバイスウエーハ2の裏面2b側から光デバイスウエーハ2に形成されたストリート21に沿って照射し、光デバイスウエーハ2の内部にストリート21に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。変質層形成工程を実施するには、先ず光デバイスウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない加工送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。そして、撮像手段33および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ2のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段33および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ2の所定方向に形成されているストリート21と、このストリート21に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32の集光器322との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、光デバイスウエーハ2に形成されている上記所定方向に対して直交して延びるストリート21に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される(アライメント工程)。このとき、光デバイスウエーハ2のストリート21が形成されている表面2aは下側に位置しているが、撮像手段33が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面2b側から透かしてストリート21を撮像することができる。
以上のようにしてアライメント工程を実施したならば、図3の(a)で示すようにチャックテーブル31をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート21の一端(図3の(a)において左端)をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。そして、集光器322から光デバイスウエーハ2に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図3の(a)において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図3の(b)で示すように集光器322の照射位置がストリート21の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを光デバイスウエーハ2の表面2a付近に位置付ける。この結果、光デバイスウエーハ2の表面2a側の内部にはストリート21に沿って変質層211が形成される。
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :Erレーザー
波長 :1560nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :90〜200kHz
平均出力 :0.8〜1.2W
加工送り速度 :100〜300mm/秒
光源 :Erレーザー
波長 :1560nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :90〜200kHz
平均出力 :0.8〜1.2W
加工送り速度 :100〜300mm/秒
以上のようにして、光デバイスウエーハ2の所定方向に延在する全てのストリート21に沿って上記変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル31を90度回動せしめて、上記所定方向に対して直交して延びる各ストリート21に沿って上記変質層形成工程を実行する。
次に、光デバイスウエーハ2にストリート21に沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程の第2の実施形態について、図4および図5を参照して説明する。このレーザー加工工程の第2の実施形態は、光デバイスウエーハ2の表面2aにストリート21に沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を実施する。なお、レーザー加工溝形成工程は、上記図2に示すレーザー加工装置3と同様なレーザー加工装置を用いて実施する。レーザー加工溝形成工程を実施するには、図4に示すようにレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に光デバイスウエーハ2の裏面2b側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル31上に光デバイスウエーハ2を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル31上に吸引保持された光デバイスウエーハ2は、表面2aが上側となる。このようにウエーハ保持工程を実施したならば、上記変質層形成工程と同様にアライメント工程を実施する。
アライメント工程を実施したならば、図5の(a)で示すようにチャックテーブル31をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート21の一端(図5の(a)において左端)をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。そして、集光器322から光デバイスウエーハ2に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図5の(a)において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図5の(b)で示すように集光器322の照射位置がストリート21の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。このレーザー加工溝形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを光デバイスウエーハ2の表面2a(上面)付近に位置付ける。この結果、光デバイスウエーハ2の表面2aにはストリート21に沿ってレーザー加工溝212が形成される。
上記レーザー加工溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :YAGレーザー
波長 :355nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :90〜200kHz
平均出力 :0.8〜1.2W
加工送り速度 :100〜300mm/秒
光源 :YAGレーザー
波長 :355nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :90〜200kHz
平均出力 :0.8〜1.2W
加工送り速度 :100〜300mm/秒
以上のようにして、光デバイスウエーハ2の所定方向に延在する全てのストリート21に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実行したならば、チャックテーブル31を90度回動せしめて、上記所定方向に対して直交して延びる各ストリート21に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実行する。
上述したレーザー加工工程を実施したならば、光デバイスウエーハ2の表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程を実施する。即ち、図6の(a)および(b)に示すように光デバイスウエーハ2の表面2aを剛性の高い保護プレート4の表面3aに剥離可能な接合剤によって接合する。保護プレート4は、ガラス基板等の剛性の高い材料によって円盤状に形成され、その表面4aおよび裏面4bは平坦に形成されている。この保護プレート4は、ガラス基板によって構成する場合には厚さが0.5mm程度とすることが好ましい。なお、保護プレート4を構成する材料としては、ガラス基板の他にセラミックス、シリコン、樹脂等を用いることができる。また、剥離可能な接合剤としては、例えば70℃の温度で溶融するワックスを用いることができる。
上述した保護プレート接合工程を実施したならば、保護プレート4に貼着された光デバイスウエーハ2の裏面2bを研削し、光デバイスウエーハ2をデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図示の実施形態においては粗研削工程と仕上げ研削工程によって実施する。粗研削工程は、図7に示す研削装置を用いて実施する。図7に示す研削装置5は、被加工物を保持するチャックテーブル51と、該チャックテーブル51に保持された被加工物の被加工面を粗研削する粗研削手段52aを具備している。チャックテーブル51は、上面に被加工物を吸引保持し図7において矢印Aで示す方向に回転せしめられる。粗研削手段52aは、スピンドルハウジング521aと、該スピンドルハウジング521aに回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル522aと、該回転スピンドル522aの下端に装着されたマウンター523aと、該マウンター523aの下面に取り付けられた粗研削ホイール524aとを具備している。この粗研削ホイール524aは、円板状の基台525aと、該基台525aの下面に環状に装着された粗研削砥石526aとからなっており、基台525aがマウンター523aの下面に締結ボルト527aによって取り付けられている。粗研削砥石526aは、図示の実施形態においては粒径がφ60μm前後のダイヤモンド砥粒をメタルボンドで焼結したメタルボンド砥石が用いられる。
上述した研削装置5を用いて粗研削工程を実施するには、チャックテーブル51の上面(保持面)に上述した保護プレート接合工程が実施された光デバイスウエーハ2の保護プレート4側を載置し、光デバイスウエーハ2を保護プレート4を介してチャックテーブ51上に吸引保持する。従って、チャックテーブル51上に保護プレート4を介し吸引保持された光デバイスウエーハ2は裏面2bが上側となる。このようにチャックテーブル41上に光デバイスウエーハ2を吸引保持したならば、チャックテーブル51を矢印Aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、粗研削手段52aの粗研削ホイール524aを矢印Bで示す方向に例えば1000rpmで回転せしめて光デバイスウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、粗研削ホイール524aを例えば0.025mm/分の研削送り速度で下方に研削送りすることにより光デバイスウエーハ2の裏面2bを粗研削する。この粗研削工程においては研削加工部に研削水が供給され、この研削水の供給量は4リットル/分程度でよい。なお、粗研削工程における研削量は、図示の実施形態においては345μmに設定されている。従って、粗研削工程が実施された光デバイスウエーハ2の厚さは、図示の実施形態においては80μmとなる。
上述した粗研削工程を実施したならば、仕上げ研削工程を実施する。この仕上げ研削工程は、図8に示すように上記図7に示す研削装置5と実質的に同様の研削装置5を用いて実施する。即ち、図8に示す研削装置5は、チャックテーブル51と、該チャックテーブル51に保持されたウエーハの加工面を仕上げ研削する仕上げ研削手段52bを具備している。仕上げ研削手段52bは、スピンドルハウジング521bと、該スピンドルハウジング521bに回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル522bと、該回転スピンドル522bの下端に装着されたマウンター523bと、該マウンター523bの下面に取り付けられた仕上げ研削ホイール524bとを具備している。この仕上げ研削ホイール524bは、円板状の基台525bと、該基台525bの下面に環状に装着された仕上げ研削砥石526bとからなっており、基台525bがマウンター523bの下面に締結ボルト527bによって取り付けられている。仕上げ研削砥石526bは、図示の実施形態においては粒径がφ10μm前後のダイヤモンド砥粒をレジンボンドで焼結したレジンボンド砥石が用いられる。このように構成された仕上げ研削手段52bは一般的に上記粗研削手段52aと同一の研削装置に配設され、上記粗研削手段52aによって粗研削された被加工物を保持しているチャックテーブル51が上記仕上げ研削手段52bの加工域に移動するように構成されている。
次に、上述した仕上げ研削手段52bを用いて実施する仕上げ研削工程について、図8を参照して説明する。
上記粗研削手段52aによって粗研工程が実施された光デバイスウエーハ2を保持しているチャックテーブル51は、図8に示す仕上げ研削手段52bの加工域に移動せしめられる。チャックテーブル51を図8に示す加工域に移動したならば、チャックテーブル51を矢印Aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、仕上げ研削手段52bの仕上げ研削ホイール524bを矢印Bで示す方向に例えば1500rpmで回転せしめて光デバイスウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、仕上げ研削ホイール524bを例えば0.009mm/分の研削送り速度で下方に研削送りすることにより光デバイスウエーハ2の裏面2bを仕上げ研削する。この仕上げ研削工程においては研削加工部に研削水が供給され、この研削水の供給量は4リットル/分程度でよい。なお、仕上げ研削工程における研削量は、図示の実施形態においては55μmに設定されている。従って、仕上げ研削工程が実施された光デバイスウエーハ2の厚さは、図示の実施形態においては25μmとなる。
上記粗研削手段52aによって粗研工程が実施された光デバイスウエーハ2を保持しているチャックテーブル51は、図8に示す仕上げ研削手段52bの加工域に移動せしめられる。チャックテーブル51を図8に示す加工域に移動したならば、チャックテーブル51を矢印Aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、仕上げ研削手段52bの仕上げ研削ホイール524bを矢印Bで示す方向に例えば1500rpmで回転せしめて光デバイスウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、仕上げ研削ホイール524bを例えば0.009mm/分の研削送り速度で下方に研削送りすることにより光デバイスウエーハ2の裏面2bを仕上げ研削する。この仕上げ研削工程においては研削加工部に研削水が供給され、この研削水の供給量は4リットル/分程度でよい。なお、仕上げ研削工程における研削量は、図示の実施形態においては55μmに設定されている。従って、仕上げ研削工程が実施された光デバイスウエーハ2の厚さは、図示の実施形態においては25μmとなる。
以上のようにして、粗研削工程および仕上げ研削工程からなる裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハ2は厚さが25μmと極めて薄く形成されるが、剛性の高い保護プレート4に接合されているので割れることはない。
なお、上述した裏面研削工程を実施して光デバイスウエーハ2の厚さをデバイスの仕上がり厚さに形成した後に上記レーザー加工工程を実施することも考えられるが、光デバイスウエーハ2の厚さを例えば25μmと極めて薄く形成すると、特に変質層形成工程においてはレーザー光線の集光点Pを光デバイスウエーハ2の内部に位置付けることが困難となる。従って、上記レーザー加工工程は、裏面研削工程を実施する前の光デバイスウエーハ2の厚さが厚い状態で実施する。
上述した裏面研削工程を実施したならば、光デバイスウエーハ2の裏面をダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程を実施する。即ち、図9に示すように上記裏面研削工程を実施することによって所定の仕上がり厚さに形成された光デバイスウエーハ2の裏面2bを、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。
次に、上記ダイシングテープ貼着工程が実施された光デバイスウエーハ2の表面2aに接合されている保護プレート4を光デバイスウエーハ2に形成されたストリート21に沿って切削し、光デバイスウエーハ2の表面2aに至らない切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。この切削溝形成工程を実施するには、図10に示す切削装置6を用いて実施する。図10に示す切削装置6は、被加工物を保持するチャックテーブル61と、該チャックテーブル61上に保持された被加工物を切削する切削ブレード621を備えた切削手段62と、チャックテーブル61上に保持された被加工物を撮像する撮像手段63を具備している。チャックテーブル61は、図示しない回転機構によって回転せしめられるとともに、図示しない加工送り機構によって図10において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって図10において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。切削ブレード621は円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、環状の切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒をメッキによって固定して形成されている。上記撮像手段63は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されている。この撮像手段63は、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
このように構成された切削装置6を用いて切削溝形成工程を実施するには、チャックテーブル61上に光デバイスウエーハ2が貼着されたダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して光デバイスウエーハ2をチャックテーブル61上に吸引保持する。従って、光デバイスウエーハ2の表面に接合されている保護プレート4が上側となる。なお、図10においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル61に配設された適宜のフレーム固定クランプによって固定される。
このようにしてチャックテーブル61上に光デバイスウエーハ2を吸引保持したならば、撮像手段63および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ2の表面に接合されている保護プレート4の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段63および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ2に所定方向に延びるストリート21を撮像し、切削ブレード621との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する。また、また、所定方向と直交する方向に延びるストリート21に対しても同様にアライメントを遂行する。このとき、ストリート21が形成された光デバイスウエーハ2の表面には保護プレート4が接合されているが、撮像手段63が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、保護プレート4を透過してストリート21を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル61上に保持された光デバイスウエーハ2の表面に接合されている保護プレート4における切削領域のアライメントが実施されたならば、保護プレート4が接合されている光デバイスウエーハ2を保持したチャックテーブル61を切削領域の切削開始位置に移動せしめる。このとき、図11の(a)に示すように光デバイスウエーハ2は所定のストリート21の一端(図11の(a)において左端)が切削ブレード621の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード621を図11において矢印621aで示す方向に所定の回転速度で回転し、2点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り機構によって図11の(a)において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、図11に示すように切削ブレード621の外周縁が保護プレート4の下面付近に達する位置に設定されている。
上述したように切削ブレード621の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード621を図11の(a)において矢印621aで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル61を図11の(a)において矢印X1で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル61に保持された光デバイスウエーハ2の表面に接合された保護プレート4の右端が切削ブレード621の直下を通過したらチャックテーブル61の移動を停止する。この結果、図11の(b)、(c)に示すように保護プレート4には、ストリート21に沿って切削溝41が形成される。なお、図11の(b)は上記レーザー加工工程において光デバイスウエーハ2の表面2a側の内部にストリート21に沿って変質層211が形成された場合を示しおり、図11の(c)は上記レーザー加工工程において光デバイスウエーハ2の表面2aにストリート21に沿ってレーザー加工溝212が形成された場合を示している。
以上のようにして、光デバイスウエーハ2の所定方向に延在する全てのストリート21に沿って上記切削溝形成工程を実施したならば、チャックテーブル61を90度回動せしめて、上記所定方向に対して直交して延びる各ストリート21に沿って上記切削溝形成工程を実行する。
上述した切削溝形成工程を実施したならば、保護プレート4を介して光デバイスウエーハ2に外力を付与し、光デバイスウエーハ2を破断起点が形成されたストリート21に沿って破断することにより光デバイスウエーハ2を個々の光デバイス22に分割するウエーハ分割工程を実施する。ウエーハ分割工程は、例えば図12の(a)に示すように光デバイスウエーハ2(表面に保護プレート4が接合されている)の裏面が貼着されたダイシングテープTを柔軟なゴムシート7上に載置する。従って、ダイシングテープTに貼着された光デバイスウエーハ2の表面に接合されている保護プレート4が上側となる。そして、保護プレート4の上面を押圧ローラー70によって押圧しつつ転動する。この結果、切削溝41が形成された保護プレート4を介して光デバイスウエーハ2のストリートに沿って外力が作用し、図12の(b)、(c)に示すようにデバイスウエーハ2は変質層211またはレーザー加工溝212が破断起点となってストリート21に沿って破断する。このように光デバイスウエーハ2は表面に保護プレート4が接合された状態で分割されるので、光デバイス22に損傷を与えることがない。なお、個々に分割された光デバイス22は、裏面がダイシングテープTに貼着されているので、バラバラにはならず光デバイスウエーハ2の形態が維持されている。
上述したウエーハ分割工程を実施したならば、光デバイスウエーハ2の表面に貼着されている保護プレート4を剥離する保護プレート剥離工程を実施する。なお、保護プレート4は上述した切削溝形成工程およびウエーハ分割工程を実施することによって個々の光デバイス22に対応して分割されているので、一度に剥離するため例えば図13の(a)に示すようにウエーハ分割工程が実施された状態で保護プレート4の上面に剥離テープ8を貼着し、図13の(b)で示すように光デバイスウエーハ2の表面から剥離する。このとき、保護プレート4を70℃程度に加熱することにより光デバイスウエーハ2と保護プレート4を接合しているワックスが溶融するので、保護プレート4を光デバイスウエーハ2から容易に剥離することができる。
上述した保護プレート剥離工程を実施したならば、ダイシングテープTに貼着され個々に分割されたデバイス22をダイシングテープTから剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する。このピックアップ工程は、図14に示すピックアップ装置9を用いて実施する。図14に示すピックアップ装置9は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段91と、該フレーム保持手段91に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段92と、ピックアップコレット93を具備している。フレーム保持手段91は、環状のフレーム保持部材911と、該フレーム保持部材911の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ912とからなっている。フレーム保持部材911の上面は環状のフレームFを載置する載置面911aを形成しており、この載置面911a上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面911a上に載置された環状のフレームFは、クランプ912によってフレーム保持部材911に固定される。このように構成されたフレーム保持手段91は、テープ拡張手段92によって上下方向に進退可能に支持されている。
テープ拡張手段92は、上記環状のフレーム保持部材911の内側に配設される拡張ドラム921を具備している。この拡張ドラム921は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される光デバイスウエーハ2の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム921は、下端に支持フランジ922を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段92は、上記環状のフレーム保持部材911を上下方向に進退可能な支持手段923を具備している。この支持手段923は、上記支持フランジ922上に配設された複数のエアシリンダ923aからなっており、そのピストンロッド923bが上記環状のフレーム保持部材911の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ923aからなる支持手段923は、図15の(a)に示すように環状のフレーム保持部材911を載置面911aが拡張ドラム921の上端と略同一高さとなる基準位置と、図15の(b)に示すように拡張ドラム921の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
以上のように構成されたピックアップ装置9を用いて実施するピックアップ工程について図15の(a)乃至(c)を参照して説明する。即ち、光デバイスウエーハ2(ストリート21に沿って個々の光デバイス22に分割されている)が貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを、図15の(a)に示すようにフレーム保持手段91を構成するフレーム保持部材911の載置面911a上に載置し、クランプ912によってフレーム保持部材911に固定する。このとき、フレーム保持部材911は図15の(a)に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段92を構成する支持手段923としての複数のエアシリンダ923aを作動して、環状のフレーム保持部材911を図15の(b)に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材911の載置面911a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図15の(b)に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム921の上端縁に接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープTに貼着されている光デバイス22間が広がり、隙間Sが拡大される。次に、図15の(c)に示すようにピックアップコレット93を作動して光デバイス22を吸着し、ダイシングテープTから剥離してピックアップし、図示しないトレーに搬送する。上述したピックアップ工程においては、上述したように光デバイス22間の隙間Sが広げられているので、隣接する光デバイス22と接触することなく容易にピックアップすることができる。
2:光デバイスウエーハ
21:ストリート
211:変質層
212:レーザー加工溝
22:光デバイス
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
4:保護プレート
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52a:粗研削手段
524a:粗研削ホイール
526a:粗研削砥石
52b:仕上げ研削手段
524b:仕上げ研削ホイール
526b:仕上げ研削砥石
6:切削装置
61:切削装置のチャックテーブル
62:切削手段
621:切削ブレード
7:ゴムシート
70:押圧ローラー
8:剥離テープ
9:ピックアップ装置
91:フレーム保持手段
92:テープ拡張手段
93:ピックアップコレット
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
21:ストリート
211:変質層
212:レーザー加工溝
22:光デバイス
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
4:保護プレート
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52a:粗研削手段
524a:粗研削ホイール
526a:粗研削砥石
52b:仕上げ研削手段
524b:仕上げ研削ホイール
526b:仕上げ研削砥石
6:切削装置
61:切削装置のチャックテーブル
62:切削手段
621:切削ブレード
7:ゴムシート
70:押圧ローラー
8:剥離テープ
9:ピックアップ装置
91:フレーム保持手段
92:テープ拡張手段
93:ピックアップコレット
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (3)
- 表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイスウエーハを、複数のストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハにストリートに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイスウエーハの表面側にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程が実施された光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、
該保護プレートに貼着された光デバイスウエーハの裏面を研削し、光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハの裏面をダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープ貼着工程が実施された光デバイスウエーハの表面に接合されている保護プレートを光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿って切削し、光デバイスウエーハの表面に至らない切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施された保護プレートを介して光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハをストリートに沿って形成された破断起点が形成されたストリートに沿って破断することにより光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程が実施された光デバイスウエーハの表面に接合されている保護プレートを剥離する保護プレート剥離工程と、
ダイシングテープに貼着され個々に分割されたデバイスをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 - 該レーザー加工工程は、光デバイスウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を光デバイスウエーハの内部に集光点を合わせて照射することにより、光デバイスウエーハの内部にストリートに沿って破断起点となる変質層を形成する、請求項1記載の光デバイスウエーハの加工方法。
- 該レーザー加工工程は、光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することにより、光デバイスウエーハの表面にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工溝を形成する、請求項1記載の光デバイスウエーハの加工方法。
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