JP5495876B2 - 光デバイスウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
光デバイスウエーハの基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、基板の表面または裏面に破断基点となるレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、
基板に形成されたレーザー加工溝にダイヤモンド砥粒を主成分とする切削ブレードを位置付け、該切削ブレードを回転しつつレーザー加工溝の壁面をナゾリながら相対移動することにより、レーザー加工溝形成時に生成された変質物質を除去するとともにレーザー加工溝の壁面を粗面に加工する変質物質除去工程と、
光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハを変質物質が除去された加工溝に沿って破断し、個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
また、基板の裏面にレーザー加工溝が形成された光デバイスウエーハの光デバイス層をストリートに沿ってダイヤモンド砥粒を主成分とする切削ブレードを用いて切削し、光デバイス層をストリートに沿って分離する光デバイス層分離工程を実施することが望ましい。
先ず、上述した図3に示すレーザー加工装置4のチャックテーブル41上に光デバイスウエーハ2の表面に貼着された保護テープ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護テープ3を介して光デバイスウエーハ2をチャックテーブル41上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル41に保持された光デバイスウエーハ2は、サファイア基板20の裏面20bが上側となる。このようにして、光デバイスウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル41は、図示しない加工送り手段によって撮像手段43の直下に位置付けられる。
光源 :半導体励起固体レーザー(Nd:YAG)
波長 :355nmのパルスレーザー
パルスエネルギー :35μJ
パルス幅 :180ns
繰り返し周波数 :100kHz
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :60mm/秒
溝深さ :15μm
切削ブレード :厚みが20μmのダイヤモンド砥粒の電鋳ブレード
切り込み深さ :20μm
加工送り速度 :60mm/秒
上述した切削装置5用いて光デバイス層分離工程を実施するには、図8に示すようにチャックテーブル51上に光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bが貼着されたダイシングテープ7側を載置し、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル51上に光デバイスウエーハ2を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル51上に保持された光デバイスウエーハ2は、表面2aが上側となる。なお、図8においては、ダイシングテープ7が装着された環状のフレーム6を省いて示しているが、環状のフレーム6はチャックテーブル51に配設されたクランプ機構によって固定されている。このようにして、光デバイスウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル51は、図示しない切削送り手段によって撮像手段53の直下に位置付けられる。
切削ブレード :厚みが20μmのダイヤモンド砥粒の電鋳ブレード
切り込み深さ :8μm
加工送り速度 :50mm/秒
なお、上述した実施形態においては、ウエーハ分割工程を実施する前に光デバイス層分離工程を実施する例を示したが、光デバイス層分離工程を実施することなく、変質物質除去工程を実施した後にウエーハ破断工程を実施してもよい。
20:サファイア基板
21:光デバイス層としての発光層(エピ層)
3:保護テープ
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置のチャックテーブル
42:レーザー光線照射手段
422:集光器
5:切削装置
51:切削装置のチャックテーブル
52:切削手段
523:切削ブレード
6:環状のフレーム
7:ダイシングテープ
8:テープ拡張装置
81:フレーム保持手段
82:テープ拡張手段
83:ピックアップコレット
Claims (3)
- 基板の表面に光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、ストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハの基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、基板の表面または裏面に破断基点となるレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、
基板に形成されたレーザー加工溝にダイヤモンド砥粒を主成分とする切削ブレードを位置付け、該切削ブレードを回転しつつレーザー加工溝の壁面をナゾリながら相対移動することにより、レーザー加工溝形成時に生成された変質物質を除去するとともにレーザー加工溝の壁面を粗面に加工する変質物質除去工程と、
光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハを変質物質が除去された加工溝に沿って破断し、個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 - 該レーザー加工溝形成工程は、基板の裏面側からストリートに沿ってレーザー光線を照射し、基板の裏面にレーザー加工溝を形成する、請求項1の光デバイスウエーハの加工方法。
- 基板の裏面にレーザー加工溝が形成された光デバイスウエーハの光デバイス層をストリートに沿ってダイヤモンド砥粒を主成分とする切削ブレードを用いて切削し、光デバイス層をストリートに沿って分離する光デバイス層分離工程を含む、請求項2記載の光デバイスウエーハの加工方法。
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