TWI455196B - Processing method of optical element wafers (2) - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種光元件晶圓的加工方法，其係將藉由於藍寶石基板等基板之表面形成為格子狀之切割道劃分複數個領域，且於該所劃分之領域上積層有氮化鎵系化合物半導體等光元件的光元件晶圓，沿著切割道分割成各個光元件。
藉由於藍寶石基板之表面形成為格子狀被稱作切割道之分割預定線劃分複數個領域，且於該所劃分之領域上積層有氮化鎵系化合物半導體等光元件的光元件晶圓係沿著切割道分割成各個發光二極體等光元件，並廣泛地利用在電子儀器中。
作為上述沿著切割道使光元件晶圓分割之方法，雖然嘗試將切削刀片高速旋轉而進行切斷之方法，然而，由於藍寶石基板之莫氏硬度高且為難削材料，因此，藉由切削裝置來切斷藍寶石基板是困難的。
近年來，沿著切割道分割光元件晶圓等晶圓的方法係揭示有以下方法，即：沿著切割道照射對晶圓具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，藉此，形成雷射加工溝，且沿著該雷射加工溝賦予外力，藉此，使晶圓沿著切割道斷裂(例如參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利公開公報特開平10-305420號公報
又，沿著切割道分割光元件晶圓等晶圓的方法亦揭示有以下方法，即：使用對晶圓具有透過性之波長的脈衝雷射光線，且使聚光點配合晶圓之內部而沿著切割道照射該脈衝雷射光線，藉此，沿著切割道於晶圓之內部連續地形成改質層，且沿著因形成該改質層而降低強度之切割道施加外力，並使晶圓沿著切割道斷裂(例如參照專利文獻2)。
[專利文獻2]特開2008-6492號公報
前述光元件晶圓在分割成各個光元件前，會研磨內面並形成預定厚度。而且，近年來，為了實現電子儀器之輕量化、小型化，必須將光元件之厚度作成50μm以下，然而，若將光元件晶圓研磨成薄到50μm以下，則會有產生破裂之問題。
本發明係有鑑於前述事實，其主要之技術課題在提供一種光元件晶圓的加工方法，該方法可在不產生破裂下減薄形成光元件晶圓，同時可使光元件晶圓分割成各個光元件。
為了解決前述主要技術課題，若藉由本發明，則可提供一種光元件晶圓之加工方法，係將光元件晶圓沿著複數個切割道分割成各個光元件者，前述光元件晶圓係在已藉表面形成格子狀之複數個切割道所劃分之複數個領域上形成有光元件，而其特徵在於，前述加工方法包含有以下步驟：雷射加工步驟，係沿著切割道於光元件晶圓照射雷射光線，並沿著切割道於光元件晶圓之表面側施行構成斷裂起點之雷射加工者；保護板接合步驟，係藉由可剝離之接合劑，將已實施該雷射加工步驟之光元件晶圓之表面接合於剛性高之保護板之表面者；內面研磨步驟，係研磨已黏貼在該保護板上之光元件晶圓之內面，並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度者；切割帶黏貼步驟，係將已實施該內面研磨步驟之光元件晶圓之內面黏貼在切割帶之表面上者；切削溝形成步驟，係將接合於已實施該切割帶黏貼步驟之光元件晶圓之表面的保護板沿著形成於光元件晶圓上之切割道進行切削，而形成未達光元件晶圓之表面的切削溝者；晶圓分割步驟，係隔著已實施該切削溝形成步驟之保護板而對光元件晶圓賦予外力，且使光元件晶圓沿著切割道所形成之斷裂起點而斷裂，藉此，使光元件晶圓分割成各個光元件者；保護板剝離步驟，係將接合於已實施該晶圓分割步驟之光元件之表面的保護板剝離者；及拾取步驟，係將黏貼在切割帶之各個經分割之元件進行拾取者。
上述雷射加工步驟係使聚光點對準該光元件晶圓之內部而照射對該光元件晶圓具有透過性之波長的雷射光線，藉此，沿著切割道於該光元件晶圓之內部形成構成斷裂起點之改質層。
再者，上述雷射加工步驟係照射對該光元件晶圓具有吸收性之波長的雷射光線，藉此，沿著切割道於該光元件晶圓之表面形成構成斷裂起點之雷射加工溝。
依據本發明，係沿著切割道於光元件晶圓實施構成斷裂起點之雷射加工步驟，且在實施藉由可剝離之接合劑，將光元件晶圓之表面接合於剛性高之保護板之表面的保護板接合步驟後，由於實施將光元件晶圓之內面研磨，並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度的內面研磨步驟，即使將光元件晶圓研磨至諸如50μm以下之厚度，由於光元件晶圓之表面係接合於剛性高之保護板，因此，係不會產生破裂。經如此研磨之光元件晶圓係於實施將接合於表面之保護板沿著形成於光元件晶圓上之切割道進行切削，並形成未達光元件晶圓表面之切削溝的切削溝形成步驟後，由於係隔著保護板而對光元件晶圓賦予外力，使光元件晶圓沿著斷裂起點所形成之切割道而斷裂，因此，可在不損傷光元件下分割成各個光元件。
以下參照附圖，詳細說明本發明之光元件晶圓之加工方法的較佳實施形態。
第1圖係顯示藉由本發明之光元件晶圓的加工方法所分割之光元件晶圓2。第1圖所示之光元件晶圓2係藉由於諸如直徑為100mm且厚度為425μm之藍寶石基板之表面2a形成為格子狀之切割道21劃分複數個領域，且於該所劃分之領域上形成複數個發光二極體等光元件22。
就有關沿著切割道21而將上述光元件晶圓2分割成各個光元件22之光元件晶圓之加工方法的第1實施形態，係參照第2圖至第12圖予以說明。
在沿著切割道21將上述光元件晶圓2分割成各個光元件22時，首先，係實施沿著切割道21對光元件晶圓2照射雷射光線，並沿著切割道21於光元件晶圓2施行構成斷裂起點之雷射加工的雷射加工步驟。此雷射加工步驟係使用第2圖所示之雷射加工裝置來實施。第2圖所示之雷射加工裝置3係具備：夾頭台31，係保持被加工物者；雷射光線照射機構32，係將雷射光線照射至已保持於該夾頭台31上之被加工物者；及攝影機構33，係拍攝已保持於夾頭台31上之被加工物者。夾頭台31係構成為吸引保持被加工物，且藉由未圖示之加工進給機構，朝第2圖中以箭頭記號X所示之加工進給方向移動，同時藉由未圖示之分度進給機構，朝第2圖中以箭頭記號Y所示之分度進給方向移動。
上述雷射光線照射機構32係包括配置成實質上呈水平之圓筒形狀之套管321。於套管321內配置有包含有未圖示之脈衝雷射光線振盪器或反覆頻率設定機構的脈衝雷射光線振盪機構。於上述套管321之前端部裝設有用以將振盪自脈衝雷射光線振盪機構之脈衝雷射光線加以聚光的聚光器322。
於圖示之實施形態中，已裝設於構成上述雷射光線照射機構32之套管321前端部的攝影機構33除了利用可見光線來拍攝之一般攝影元件(CCD)外，係藉由將紅外線照射至被加工物之紅外線照明機構；捕捉藉由該紅外線照明機構所照射之紅外線的光學系統；及輸出對應於藉由該光學系統所捕捉之紅外線的電信號之攝影元件(紅外線CCD)等所構成，且將所拍攝之影像信號傳送至未圖示之控制機構。
以下說明使用上述雷射加工裝置3而沿著切割道21於光元件晶圓2施行構成斷裂起點之雷射加工的雷射加工步驟。
此雷射加工步驟之第1實施形態係實施沿著切割道21，而於光元件晶圓2之內部形成改質層的改質層形成步驟。實施改質層形成步驟時，如第2圖所示，係將光元件晶圓2之表面2a側載置於雷射加工裝置3之夾頭台31上。接著，藉由未圖示之吸引機構，將光元件晶圓2吸引保持於夾頭台31上(晶圓保持步驟)。因此，吸引保持於夾頭台31上之光元件晶圓2，其內面2b會構成上側。
若已如上述般實施晶圓保持步驟，則實施改質層形成步驟，且該改質層形成步驟係自光元件晶圓2之內面2b側，沿著形成於光元件晶圓2之切割道21照射對光元件晶圓2具有透過性之波長的脈衝雷射光線，並沿著切割道21於光元件晶圓2之內部形成改質層。實施改質層形成步驟時，首先，吸引保持有光元件晶圓2之夾頭台31係藉由未圖示之移動機構定位在攝影機構33之正下方。接著，藉由攝影機構33及未圖示之控制機構，實行用以檢測光元件晶圓2應進行雷射加工之加工領域的對準作業。亦即，攝影機構33及未圖示之控制機構係實行用以進行定位之圖案匹配等影像處理並完成雷射光線照射位置之對準，且上述定位係指形成於光元件晶圓2之預定方向的切割道21與沿著該切割道21照射雷射光線之雷射光線照射機構32的聚光器322之定位。再者，對於形成於光元件晶圓2且與上述預定方向呈正交地延伸之切割道21，亦同樣地完成雷射光線照射位置之對準(對準步驟)。此時，形成光元件晶圓2之切割道21的表面2a係位於下側，然而，如前所述，由於攝影機構33係具有由紅外線照明機構與捕捉紅外線之光學系統及輸出對應於紅外線之電氣訊號的攝影元件(紅外線CCD)等所構成之攝影機構，因此可自內面2b透過而拍攝切割道21。
若已如上述般實施對準步驟，則如第3(a)圖所示，將夾頭台31移動至照射雷射光線之雷射光線照射機構32之聚光器322所在的雷射光線照射領域，且將預定之切割道21之一端(於第3(a)圖中為左端)定位在雷射光線照射機構32之聚光器322的正下方。接著，自聚光器322照射對光元件晶圓2具有透過性之波長的脈衝雷射光線，並使夾頭台31以預定進給速度朝第3(a)圖中以箭頭記號X1所示之方向移動。接著，如第3(b)圖所示，若聚光器322之照射位置到達切割道21另一端之位置，則停止脈衝雷射光線之照射，同時停止夾頭台31之移動。於該改質層形成步驟中，將脈衝雷射光線之聚光點P定位在光元件晶圓2之表面2a附近。其結果，於光元件晶圓2之表面2a側之內部會沿著切割道21形成改質層211。
上述改質層形成步驟中的加工條件係例如設定如下。
光源：Er脈衝雷射
波長：1560nm
反覆頻率：90~200kHz
平均輸出：0.8~1.2W
加工進給速度：100~300mm/秒
若已依上述般沿著朝光元件晶圓2之預定方向延長的所有切割道21實行上述改質層形成步驟，則使夾頭台31旋動90度，並沿著與上述預定方向呈正交地延伸之各切割道21實行上述改質層形成步驟。
其次，參照第4與5圖說明沿著切割道21於光元件晶圓2施行構成斷裂起點之雷射加工之雷射加工步驟的第2實施形態。此雷射加工步驟之第2實施形態係實施沿著切割道21，而於光元件晶圓2之表面2a形成雷射加工溝的雷射加工溝形成步驟。又，雷射加工溝形成步驟係使用與上述第2圖所示之雷射加工裝置3相同的雷射加工裝置來實施。實施雷射加工溝形成步驟時，如第4圖所示，係將光元件晶圓2之內面2b側載置於雷射加工裝置3之夾頭台31上。接著，藉由未圖示之吸引機構，將光元件晶圓2吸引保持於夾頭台31上(晶圓保持步驟)。因此，吸引保持於夾頭台31上之光元件晶圓2，其表面2a會構成上側。若已依上述般實施晶圓保持步驟，則與上述改質層形成步驟相同，實施對準步驟。
若已實施對準步驟，則如第5(a)圖所示，將夾頭台31移動至照射雷射光線之雷射光線照射機構32之聚光器322所在的雷射光線照射領域，且將預定之切割道21之一端(於第5(a)圖中為左端)定位在雷射光線照射機構32之聚光器322之正下方。接著，自聚光器322照射對光元件晶圓2具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，並使夾頭台31以預定進給速度朝第5(a)圖中以箭頭記號X1所示之方向移動。接著，如第5(b)圖所示，若聚光器322之照射位置到達切割道21另一端之位置，則停止脈衝雷射光線之照射，同時停止夾頭台31之移動。於此雷射加工溝形成步驟中，係將脈衝雷射光線之聚光點P定位在光元件晶圓2之表面2a(上面)附近。其結果，於光元件晶圓2之表面2a會沿著切割道21形成雷射加工溝212。
上述雷射加工溝形成步驟中的加工條件係例如設定如下。
光源：YAG脈衝雷射
波長：355nm
反覆頻率：90~200kHz
平均輸出：0.8~1.2W
加工進給速度：100~300mm/秒
若已依上述般沿著朝光元件晶圓2之預定方向延長的所有切割道21實行上述雷射加工溝形成步驟，則使夾頭台31旋動90度，並沿著與上述預定方向呈正交地延伸之各切割道21實行上述雷射加工溝形成步驟。
若已實施上述雷射加工步驟，則實施藉由可剝離之接合劑，將光元件晶圓2之表面接合於剛性高之保護板之表面的保護板接合步驟。亦即，如第6(a)及6(b)圖所示，係藉由可剝離之接合劑，將光元件晶圓2之表面2a接合於剛性高之保護板4之表面3a。保護板4係藉由玻璃基板等剛性高之材料形成為圓盤狀，且其表面4a及內面4b係平坦地形成。該保護構件4係藉由玻璃基板構成時，以厚度為0.5mm左右為佳。又，作為構成保護板4之材料，除玻璃基板外，可使用陶瓷、矽、樹脂等等。再者，作為可剝離之接合劑，係可使用於例如70℃之溫度下熔融之蠟。
若已實施上述保護板接合步驟，則實施研磨已黏貼在保護板4上之光元件晶圓2之內面2b，並將光元件晶圓2形成為元件之成品厚度的內面研磨步驟。於圖示之實施形態中，該內面研磨步驟係藉由粗研磨步驟與精研磨步驟來實施。粗研磨步驟係使用第7圖所示之研磨裝置來實施。第7圖所示之研磨裝置5係具備：夾頭台51，係保持被加工物者；及粗研磨機構52a，係將已保持於該夾頭台51上之被加工物的被加工面進行粗研磨者。夾頭台51係於上面吸引保持被加工物，且朝第7圖中以箭頭記號A所示之方向旋轉。粗研磨機構52a係具備：轉軸外殼521a；旋轉軸522a，係支持於該轉軸外殼521a且可自由旋轉，並藉由未圖示之旋轉驅動機構旋轉者；置件機523a，係裝設於該旋轉軸522a之下端者；及粗研磨輪524a，係安裝於該置件機523a之下面者。該粗研磨輪524a係包含有：圓板狀之基台525a；及粗研磨石526a，係裝設於該基台525a之下面且呈環狀者，又，基台525a係藉由締結螺栓527a而安裝於置件機523a之下面。於圖示之實施形態中，粗研磨石526a係使用已藉由金屬結合將粒徑為ψ60μm左右之鑽石磨粒進行燒結的金屬結合磨石。
在使用上述研磨裝置5來實施粗研磨步驟時，將已實施上述保護板接合步驟之光元件晶圓2的保護板4側載置於夾頭台51之上面(保持面)，且透過保護板4將光元件晶圓2吸引保持於夾頭台51上。因此，透過保護板4吸引保持於夾頭台51上之光元件晶圓2的內面2b會構成上側。若已依此將光元件晶圓2吸引保持於夾頭台41上，則藉由例如300rpm使夾頭台51朝箭頭記號A所示之方向旋轉，並藉由例如1000rpm使粗研磨機構52a之粗研磨輪524a朝箭頭記號B所示之方向旋轉而與光元件晶圓2之內面2b相接觸，且藉由例如0.025mm/分之研磨進給速度將粗研磨輪524a朝下方進行研磨進給，藉此，將光元件晶圓2之內面2b進行粗研磨。於該粗研磨步驟中，研磨水係供給至研磨加工部，且該研磨水之供給量可為4公升/分。又，於圖示之實施形態中，粗研磨步驟中的研磨量係設定為345μm。因此，於圖示之實施形態中，已實施粗研磨步驟的光元件晶圓2之厚度係構成80μm。
若已實施上述粗研磨步驟，則實施精研磨步驟。如第8圖所示，該精研磨步驟係使用與上述第7圖所示之研磨裝置5實質上為相同的研磨裝置5來實施。亦即，第8圖所示之研磨裝置5係具備：夾頭台51；及精研磨機構52b，係將已保持於該夾頭台51上之晶圓的加工面進行精研磨者。精研磨機構52b係具備：轉軸外殼521b；旋轉軸522b，係支持於該轉軸外殼521b且可自由旋轉，並藉由未圖示之旋轉驅動機構旋轉者；置件機523b，係裝設於該旋轉軸522b之下端者；及精研磨輪524b，係安裝於該置件機523b之下面者。該精研磨輪524b係包含有：圓板狀之基台525b；及複數個精研磨石526b，係裝設於該基台525b之下面且呈環狀者，又，基台525b係藉由締結螺栓527b安裝於置件機523b之下面。於圖示之實施形態中，精研磨石526b係使用已藉由樹脂結合將粒徑為ψ10μm左右之鑽石磨粒進行燒結的樹脂結合磨石。依此所構成之精研磨機構52b一般係配置於與上述粗研磨機構52a相同之研磨裝置，且保持有已藉由上述粗研磨機構52a進行粗研磨之被加工物的夾頭台51會移動至上述精研磨機構52b之加工領域。
其次，參照第8圖，說明使用上述精研磨機構52b來實施之精研磨步驟。
保持有已藉由上述粗研磨機構52a實施粗研磨步驟之光元件晶圓2的夾頭台51係移動至第8圖所示之精研磨機構52b之加工領域。若已將夾頭台51移動至第8圖所示之加工領域，則藉由例如300rpm使夾頭台51朝箭頭記號A所示之方向旋轉，並藉由例如1500rpm使精研磨機構52b之精研磨輪524b朝箭頭記號B所示之方向旋轉而與光元件晶圓2之內面2b相接觸，且藉由例如0.009mm/分之研磨進給速度將精研磨輪524b朝下方進行研磨進給，藉此，將光元件晶圓2之內面2b進行精研磨。於該精研磨步驟中，研磨水係供給至研磨加工部，且該研磨水之供給量可為4公升/分。又，於圖示之實施形態中，精研磨步驟中的研磨量係設定為55μm，因此，於圖示之實施形態中，已實施精研磨步驟的光元件晶圓2之厚度係構成25μm。
已依上述般實施由粗研磨步驟及精研磨步驟所構成之內面研磨步驟的光元件晶圓2係形成為極薄之厚度25μm，然而，由於接合於剛性高之保護板4，因此不會破裂。
又，雖然考量於實施上述內面研磨步驟，而將光元件晶圓2之厚度形成元件成品厚度後，再實施上述雷射加工步驟，然而，倘若將光元件晶圓2之厚度形成為極薄之例如25μm，特別是在改質層形成步驟中，將雷射光線之聚光點P定位在光元件晶圓2之内部將變得困難。因此，上述雷射加工步驟係在實施內面研磨步驟前之光元件晶圓2的厚度為較厚狀態下實施。
若已實施上述之內面研磨步驟，係實施將光元件晶圓2之內面黏貼在切割帶之表面上的切割帶黏貼步驟。亦即，如第9圖所示，將藉由實施上述內面研磨步驟而形成預定成品厚度之光元件晶圓2之內面2b，黏貼在安裝於環狀框架F之切割帶T之表面上。
其次，係實施將接合於已實施上述切割帶黏貼步驟之光元件晶圓2之表面2a的保護板4沿著形成於光元件晶圓2上之切割道21進行切削，而形成未達到光元件晶圓2之表面2a的切削溝的切削溝形成步驟。在實施此切削溝形成步驟時，係使用第10圖所示之切削裝置6來實施。第10圖所示之切削裝置6係具備：夾頭台61，係保持被加工物者；切削機構62，係具有切削已保持在該夾頭台61上之被加工物的切削刀片621；及攝影機構63，係拍攝已保持於夾頭台61之被加工物者。夾頭台61係藉由未圖示之旋轉機構旋轉，並藉由未圖示之加工進給機構，朝第10圖中以箭頭記號X所示之加工進給方向移動。切削機構62係藉由未圖示之分度進給機構，朝第10圖中以箭頭記號Y所示之分度進給方向移動。切削刀片621係由安裝在圓盤狀基台與該基台側面外圍部之環狀切削刃所構成，環狀切削刃為將例如粒徑3μm左右之鑽石磨粒藉由鍍金固定而形成。上述攝影構件63除了利用可見光線來拍攝之一般攝影元件(CCD)外，係藉由將紅外線照射至被加工物之紅外線照明機構；捕捉藉由該紅外線照明機構所照射之紅外線的光學系統；及輸出對應於藉由該光學系統所捕捉之紅外線的電信號之攝影元件(紅外線CCD)等所構成。此攝影構件63係將所拍攝之影像信號傳送至未圖示之控制機構。
在使用如此構成之切削裝置6來實施切削溝形成步驟時，係將光元件晶圓2所黏貼之切割帶T側載置於夾頭台61上。接著，藉由作動未圖示之吸引機構，透過切割帶T將光元件晶圓2吸引保持於夾頭台61上。因此，接合於光元件晶圓2之表面的保護板4會成為上側。又，雖然在第10圖中係省略切割帶T所安裝之環狀框架F，環狀框架F係藉由配設於夾頭台61之適宜的框架固定夾具而固定。
若依此將光元件晶圓2吸引保持於夾頭台61上，藉由攝影機構63及未圖示之控制機構，實行用以檢測接合於光元件晶圓2之表面的保護板4應進行切削領域的對準步驟。亦即，攝影機構63及未圖示之控制機構係拍攝在光元件晶圓2之預定方向延伸之切割道21，實行用以進行與切削刀片621之定位的圖案匹配等影像處理，並完成切削領域之對準。再者，且，對於與上述預定方向呈正交地延伸之切割道21，亦同樣地完成對準。此時，雖然形成有切割道21之光元件晶圓2的表面係接合保護板4，然而，如前所述，由於攝影機構63係具有由紅外線照明機構與捕捉紅外線之光學系統及輸出對應於紅外線之電氣訊號的攝影元件(紅外線CCD)等所構成之攝影機構，因此可透過保護板4而拍攝切割道21。
若已如上述般實施接合於已保持在夾頭台61上之光元件晶圓2表面之保護板4中之切削領域的對準，則將保持有保護板4所接合之光元件晶圓2的夾頭台61移動至切削領域之切削開始位置。此時，如第11(a)圖所示，光元件晶圓係預定之切割道21的一端(於第11(a)圖中為左端)定位在相較於切削刀片621正下方，位於預定量右側者。接著，將切削刀片621以預定之旋轉速度朝第11圖中之箭頭記號621a所示方向旋轉，並自以2點鎖線所示之待機位置藉由未圖示之切入進給機構，以第11(a)圖中實線所示之預定量切入進給。此切入進給位置係如第11圖所示，設定在切削刀片621之外周縁到達保護板4之下面附近的位置。
若已依上述實施切削刀片621之切入進給，則將切削刀片621以預定之旋轉速度朝第11(a)圖中以箭頭記號621a所示之方向旋轉，並使夾頭台61以預定之切削進給速度朝第11(a)圖中箭頭記號X1所示方向移動。接著，倘若接和於保持在夾頭台61之光元件晶圓2表面之保護板4的右側通過切削刀片621正下方，則停止夾頭台61之移動。其結果，如第11(b)、11(c)圖所示，保護板4中係形成沿著切割道21之切削溝41。又，第11(b)圖係顯示上述雷射加工步驟中沿著切割道21於光元件晶圓2之表面2a側之内部形成改質層211的情況，第11(c)圖則顯示上述雷射加工步驟中沿著切割道21於光元件晶圓2之表面2a形成雷射加工溝212的情況。
若已依上述般沿著朝光元件晶圓2之預定方向延長的所有切割道21實行上述切削溝形成步驟，則使夾頭台61旋動90度，並沿著與上述預定方向呈正交地延伸之各切割道21實行上述切削溝形成步驟。
若已實施上述切削溝形成步驟，則實施隔著保護板4而對光元件晶圓2賦予外力，且使光元件晶圓2沿著形成有斷裂起點之切割道21而斷裂，藉此，使光元件晶圓2分割成各個光元件22的晶圓分割步驟。舉例而言，如第12(a)圖所示，此晶圓分割步驟係將光元件晶圓2(表面接合有保護板4)之內面2b所黏貼之切割帶T載置於柔軟之橡膠片7上。因此，接合於已黏貼在切割帶T上之光元件晶圓2之表面的保護板4會構成上側。接著，藉由按壓滾筒70按壓保護板4之上面並轉動。其結果，如第12(b)、12(c)圖所示，隔著形成有切削溝41之保護板4而沿著光元件晶圓2之切割道作用外力，光元件晶圓2係改質層211或雷射加工溝212會構成斷裂起點而沿著切割道21斷裂。由於如此般光元件晶圓2係在表面接合有保護板4之狀態下被分割，因此不會對光元件22造成損傷。又，由於已各個分割之光元件22係內面黏貼在切割帶T上，因此不會分散而可維持光元件晶圓2之形態。
若已依上述實施晶圓分割步驟，係實施將黏貼在光元件晶圓2之表面上的保護板4剝離的保護板剝離步驟。又，由於保護板4係藉由實施上述切削溝形成步驟與晶圓分割步驟而對應各個光元件22被分割，由於剝離一次，舉例而言，如第13(a)圖所示，係在實施晶圓分割步驟之狀態下將剝離帶8黏貼在保護板4之上面，而後如第13(b)圖所示，自光元件晶圓2之表面剝離。此時，由於藉由將保護板4加熱至70℃左右，使接合光元件晶圓2與保護板4之蠟熔融，因此，可輕易地自光元件晶圓2剝離保護板4。
若已依上述實施保護板剝離步驟，則實施將黏貼在切割帶T上且經分割之各個元件22自切割帶T並進行拾取的拾取步驟。該拾取步驟係使用第14圖所示之拾取裝置9來實施。第14圖所示之拾取裝置9係具備：框架保持機構91，係保持上述環狀框架F者；帶擴張機構92，係擴張已安裝於環狀框架F之切割帶T，且該環狀框架F係保持於該框架保持機構91上者；及拾取筒夾93。框架保持機構91係由環狀框架保持構件911及配設於該框架保持構件911之外周作為固定機構的複數夾具912所構成。框架保持構件911之上面係形成用以載置環狀框架F之載置面911a，且於此載置面911a上載置環狀框架F。接著，載置於載置面911a上之環狀框架F係藉由夾具912固定於框架保持構件911。依此所構成之框架保持機構91係藉由帶擴張機構92支持為可朝上下方向進退。
帶擴張機構92係具備配設於上述環狀框架保持構件911之內側之擴張滾筒921。此擴張滾筒921係具比環狀框架F之內徑小，且比黏貼在已安裝於該環狀框架F之切割帶T上的光元件晶圓2之外徑大的內徑及外徑。又，擴張滾筒921係於下端具有支持凸緣922。圖示之實施形態中的帶擴張機構92係具備可使上述環狀框架保持構件911朝上下方向進退之支持機構923。此支持機構923係由配設於上述支持凸緣922上的複數氣缸923a所構成，且其活塞桿923b係與上述環狀框架保持構件911之下面連結。依此，由複數氣缸923a所構成之支持機構923係使環狀框架保持構件911於基準位置與擴張位置間朝上下方向移動，且上述基準位置係如第15(a)圖所示，載置面911a係構成與擴張滾筒921之上端略呈相同之高度，而上述擴張位置則如第15(b)圖所示，相較於擴張滾筒921之上端位於預定量之下方。
參照第15(a)至15(c)圖，說明使用依上述所構成之拾取裝置9來實施之拾取步驟。亦即，如第15(a)圖所示，將已安裝黏貼有光元件晶圓2(沿著切割道21分割成各個光元件22)之切割帶T的環狀框架F，載置於構成框架保持機構91之框架保持構件911的載置面911a上，且藉由夾具912固定於框架保持構件911。此時，框架保持構件911係定位在第15(a)圖所示之基準位置。其次，使作為構成帶擴張機構92之支持機構923的複數氣缸923a作動，並使環狀框架保持構件911下降至第15(b)圖所示之擴張位置。由於固定在框架保持構件911之載置面911a上的環狀框架F亦會下降，因此，如第15(b)圖所示，已安裝於環狀框架F之切割帶T會與擴張滾筒921之上端緣接連而擴張。其結果，黏貼在切割帶T上之光元件22間會擴展且間隔S擴大。其次，如第15(c)圖所示，使拾取筒夾93作動而吸附光元件22，且自切割帶T剝離而進行拾取，並搬送至未圖示之托盤。於上述拾取步驟中，如前所述，由於光元件22間的間隙S會擴大，因此不會與鄰接之光元件22接觸而可輕易地進行拾取。
2．．．光元件晶圓
2a．．．表面
2b．．．內面
3．．．雷射加工裝置
4．．．保護板
4a．．．表面
4b．．．內面
5．．．研磨裝置
6．．．切削裝置
7．．．橡膠片
8．．．剝離帶
9．．．拾取裝置
21．．．切割道
22．．．光元件
31．．．夾頭台
32．．．雷射光線照射機構
33．．．攝影機構
41．．．切削溝
51．．．夾頭台
52a．．．粗研磨機構
52b．．．精研磨機構
61．．．夾頭台
62．．．切削機構
63．．．攝影機構
70．．．按壓滾筒
91．．．框架保持機構
92．．．帶擴張機構
93．．．拾取筒夾
211．．．改質層
212．．．雷射加工溝
321．．．套管
322．．．聚光器
521a．．．轉軸外殼
521b．．．轉軸外殼
522a．．．旋轉軸
522b．．．旋轉軸
523a．．．置件機
523b．．．置件機
524a．．．粗研磨輪
524b．．．精研磨輪
525a．．．基台
525b．．．基台
526a．．．粗研磨石
526b．．．精研磨石
527a．．．締結螺栓
527b．．．締結螺栓
621．．．切削刀片
621a．．．箭頭記號
911．．．框架保持構件
911a．．．載置面
912．．．夾具
921．．．擴張滾筒
922．．．支持凸緣
923．．．支持機構
923a．．．氣缸
923b．．．活塞桿
A、B、X、X1、Y．．．箭頭記號
F．．．環狀框架
P．．．聚光點
S．．．間隙
T．．．切割帶
第1圖係藉由本發明光元件晶圓之加工方法所分割之光元件晶圓的立體圖。
第2圖係顯示用以實施本發明光元件晶圓之加工方法中之雷射加工步驟之改質層形成步驟的雷射加工裝置主要部分之透視圖。
第3(a)、3(b)圖係顯示本發明光元件晶圓之分割方法中之雷射加工步驟之改質層形成步驟的說明圖。
第4圖係顯示用以實施本發明光元件晶圓之加工方法中之雷射加工步驟之雷射加工溝形成步驟的雷射加工裝置主要部分之透視圖。
第5(a)、5(b)圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中之雷射加工步驟之雷射加工溝形成步驟的說明圖。
第6(a)、6(b)圖係本發明光元件晶圓之加工方法中之保護板接合步驟的說明圖。
第7圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中之內面研磨步驟之粗研磨步驟的說明圖。
第8圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中之內面研磨步驟之精研磨步驟的說明圖。
第9圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中之切割帶黏貼步驟的說明圖。
第10圖係顯示用以實施本發明光元件晶圓之加工方法中之切削溝形成步驟的切削裝置主要部分之透視圖。
第11(a)至11(c)圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中之切削溝形成步驟的說明圖。
第12(a)至12(c)圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中之晶圓分割步驟的說明圖。
第13(a)、13(b)圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中之保護板剝離步驟的說明圖。
第14圖係用以實施本發明光元件晶圓之加工方法中之拾取步驟之拾取裝置的立體圖。
第15(a)至15(c)圖係本發明光元件晶圓之加工方法中之拾取步驟的說明圖。
2．．．光元件晶圓
2b．．．內面
4．．．保護板
5．．．研磨裝置
51．．．夾頭台
52b．．．精研磨機構
521b．．．轉軸外殼
522b．．．旋轉軸
523b．．．置件機
524b．．．精研磨輪
525b．．．基台
526b．．．精研磨石
527b．．．締結螺栓
A、B．．．箭頭記號
Claims (3)
- 一種光元件晶圓之加工方法，係將光元件晶圓沿著複數個切割道分割成各個光元件者，前述光元件晶圓係在已藉表面形成格子狀之複數個切割道所劃分之複數個領域上形成有光元件，而其特徵在於，前述加工方法包含有以下步驟：雷射加工步驟，係沿著切割道於光元件晶圓照射雷射光線，並沿著切割道於光元件晶圓之表面側施行構成斷裂起點之雷射加工者；保護板接合步驟，係藉由可剝離之接合劑，將已實施該雷射加工步驟之光元件晶圓之表面接合於剛性高之保護板之表面者；內面研磨步驟，係研磨已黏貼在該保護板上之光元件晶圓之內面，並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度者；切割帶黏貼步驟，係將已實施該內面研磨步驟之光元件晶圓之內面黏貼在切割帶之表面上者；切削溝形成步驟，係將接合於已實施該切割帶黏貼步驟之光元件晶圓之表面的保護板沿著形成於光元件晶圓上之切割道進行切削，而形成未達光元件晶圓之表面的切削溝者；晶圓分割步驟，係隔著已實施該切削溝形成步驟之保護板而對光元件晶圓賦予外力，且使光元件晶圓沿著沿切割道所形成之斷裂起點而斷裂，藉此，使光元件晶圓分割成各個光元件者；保護板剝離步驟，係將接合於已實施該晶圓分割步驟之光元件晶圓之表面的保護板剝離者；及拾取步驟，係將黏貼在切割帶之各個經分割之元件進行拾取者。
- 如申請專利範圍第1項之光元件晶圓的加工方法，其中該雷射加工步驟係使聚光點對準光元件晶圓之內部而照射對光元件晶圓具有透過性之波長的雷射光線，藉此，沿著切割道於該光元件晶圓之內部形成構成斷裂起點之改質層。
- 如申請專利範圍第1項之光元件晶圓的加工方法，其中該雷射加工步驟係照射對光元件晶圓具有吸收性之波長的雷射光線，藉此，沿著切割道於光元件晶圓之表面形成構成斷裂起點之雷射加工溝。
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| JP6215544B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2017-10-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| CN104155731B (zh) * | 2013-05-13 | 2016-12-28 | 上海鸿辉光通科技股份有限公司 | 一种plc芯片的粘接方法 |
| JP2015118976A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 株式会社ディスコ | デバイスウェーハの加工方法 |
| JP2015119085A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 株式会社ディスコ | デバイスウェーハの加工方法 |
| JP6189208B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-08-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6325279B2 (ja) * | 2014-02-21 | 2018-05-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| CN104925741B (zh) * | 2014-03-20 | 2017-03-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件切割方法 |
| JP6428113B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-11-28 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | パターニング基板のブレイク方法並びにブレイク装置 |
| JP6633326B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2020-01-22 | 株式会社ディスコ | 窒化ガリウム基板の生成方法 |
| JP2017103406A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2017107921A (ja) * | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| WO2017179144A1 (ja) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | オリンパス株式会社 | 内視鏡用光学ユニットの製造方法および内視鏡 |
| US20180015569A1 (en) * | 2016-07-18 | 2018-01-18 | Nanya Technology Corporation | Chip and method of manufacturing chips |
| JP2018074083A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076982A (ja) * | 1992-07-31 | 1995-01-10 | Sharp Corp | 薄層半導体基板の分割方法 |
| JPH10305420A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
| US20050009301A1 (en) * | 2003-06-26 | 2005-01-13 | Yusuke Nagai | Semiconductor wafer dividing method utilizing laser beam |
| JP2005064232A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| US20080020548A1 (en) * | 2006-07-20 | 2008-01-24 | Disco Corporation | Wafer laser processing method |
| TW200807532A (en) * | 2006-04-25 | 2008-02-01 | Disco Corp | Method of dividing an adhesive film bonded to a wafer |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7202141B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-04-10 | J.P. Sercel Associates, Inc. | Method of separating layers of material |
| JP4909657B2 (ja) | 2006-06-30 | 2012-04-04 | 株式会社ディスコ | サファイア基板の加工方法 |
| JP2009123835A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP5307384B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-10-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
| JP2009182178A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
| JP2009206162A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| JP2009290148A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| JP5155030B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2013-02-27 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの分割方法 |
| JP2010045117A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
| JP2010045151A (ja) | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
| JP5231136B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2013-07-10 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
-
2008
- 2008-08-12 JP JP2008207688A patent/JP2010045151A/ja active Pending
-
2009
- 2009-06-16 TW TW098120072A patent/TWI455196B/zh active
- 2009-07-06 US US12/497,877 patent/US8048780B2/en active Active
- 2009-07-16 KR KR1020090064966A patent/KR101473498B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076982A (ja) * | 1992-07-31 | 1995-01-10 | Sharp Corp | 薄層半導体基板の分割方法 |
| JPH10305420A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
| US20050009301A1 (en) * | 2003-06-26 | 2005-01-13 | Yusuke Nagai | Semiconductor wafer dividing method utilizing laser beam |
| JP2005064232A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| TW200807532A (en) * | 2006-04-25 | 2008-02-01 | Disco Corp | Method of dividing an adhesive film bonded to a wafer |
| US20080020548A1 (en) * | 2006-07-20 | 2008-01-24 | Disco Corporation | Wafer laser processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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