JP4402973B2 - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 44
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 101
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 19
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
特開2000−182995号公報
特開2003−228467号公報
ウエーハの表面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するフレーム保持工程と、
フレームに装着されたダイシングテープに表面が貼着されたウエーハの裏面を研磨する研磨工程と、
研磨加工されたウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、
フレームに保持されたウエーハの変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
個々のチップに分割されたウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げることにより該接着フィルムを破断する拡張工程と、
拡張されたダイシングテープから裏面に該接着フィルムが貼着された各チップをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
また、上記分割工程は、上記張工程においてダイシングテープを拡張することにより遂行されることが望ましい。
この変質層形成行程は、先ず上述した図4に示すレーザー加工装置5のチャックテーブル51上に裏面2bが研磨加工された半導体ウエーハ2のダイシングテープ30側を載置し(従って、半導体ウエーハ2は研磨加工された裏面2bが上側となる)、図示しない吸引手段によってチャックテーブル51上に半導体ウエーハ2を吸着保持する。なお、図4、図7および図8においては、ダイシングテープ30が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル51に配設された適宜のクランプ機構に保持されている。このようにして半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル51は、図示しない移動機構によって撮像手段53の直下に位置付けられる。
光源 ;LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 ;1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 ;φ1μm
パルス幅 ;40ns
集光点のピークパワー密度;3.2×1010W/cm2
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 ;100mm/秒
分割工程の第1の実施形態について、図10を参照して説明する。図10に示す分割工程の第1の実施形態は、超音波分割装置7を用いて実施する。超音波分割装置7は、円筒状のベース71と第1の超音波発振器72および第2の超音波発振器73とからなっている。超音波分割装置7を構成する円筒状のベース71は、上面に上記フレーム7を載置する載置面71aを備えており、この載置面71a上にフレーム3を載置しクランプ74によって固定する。このベース71は、図示しない移動手段によって図10において左右方向および紙面に垂直な方向に移動可能に構成されているとともに回動可能に構成されている。超音波分割装置7を構成する第1の超音波発振器72および第2の超音波発振器73は、円筒状のベース71の載置面71a上に載置されるフレーム3にダイシングテープ30を介して支持された半導体ウエーハ2(裏面2bに接着フィルム6が貼着されている)の上側と下側に対向して配設されており、所定周波数の縦波(疎密波)を発生させる。このように構成された超音波分割装置7を用いて上記分割工程を実施するには、半導体ウエーハ2(分割予定ライン21に沿って変質層210が形成されている)をダイシングテープ30を介して支持したフレーム3を円筒状のベース71の載置面71a上にダイシングテープ30が装着されている側を載置し(従って、半導体ウエーハ2は裏面2bに貼着された接着フィルム6側が上側となる)、クランプ74によって固定する。次に、図示しない移動手段によってベース71を作動し、半導体ウエーハ2に形成された所定の分割予定ライン21の一端(図10において左端)を第1の超音波発振器72および第2の超音波発振器73からの超音波が作用する位置に位置付ける。そして、第1の超音波発振器72および第2の超音波発振器73を作動しそれぞれ周波数が例えば28kHzの縦波(疎密波)を発生させるとともに、ベース71を矢印で示す方向に例えば50〜100mm/秒の送り速度せしめる。この結果、第1の超音波発振器82および第2の超音波発振器73から発生された超音波が半導体ウエーハ2の分割予定ライン21に沿って表面および裏面に作用するため、半導体ウエーハ2は変質層210が形成されて強度が低下せしめられた分割予定ライン21に沿って分割される。このようにして所定の分割予定ライン21に沿って分割工程を実施したならば、ベース71を紙面に垂直な方向に分割予定ライン21の間隔に相当する分だけ割り出し送りし、上記分割工程を実施する。このようにして所定方向に延びる全ての分割予定ライン21に沿って分割工程を実施したならば、ベース71を90度回動し、半導体ウエーハ2に所定方向と直角な方向に形成された分割予定ライン21に対して上記分割工程を実施することにより、半導体ウエーハ2は個々のチップに分割される。なお、半導体ウエーハ2の裏面に貼着された接着フィルム6は、破断されない。
上述したように個々のチップ20に分割された半導体ウエーハ2の裏面2bが貼着されたダイシングテープ30を装着したフレーム3は、図13および図14の(a)に示すように円筒状のベース111の載置面111a上に載置され、クランプ115によってベース111に固定される。次に、図14の(b)に示すように上記ダイシングテープ30における半導体ウエーハ2が存在する領域301を支持した拡張手段112の拡張部材113を図示しない昇降手段によって図14(a)の基準位置から上方の図14の(b)に示す拡張位置まで移動する。この結果、伸長可能なダイシングテープ30は拡張されるので、ダイシングテープ30とチップ20との間にズレが生じ密着性が低下するため、チップ20がダイシングテープ30から容易に離脱できる状態となるとともに、個々の半導体チップ20間には隙間が形成される。また、半導体チップ20間に隙間が形成される際に半導体ウエーハ2の裏面に貼着されている接着フィルム6は、各半導体チップ20の各辺に沿って破断される。
20:半導体チップ
21:分割予定ライン
22:回路
210:変質層
3:環状のフレーム
30:ダイシングテープ
4:研磨装置
41:研磨装置のチャックテーブル
43:研磨工具
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
51:レーザー光線照射手段
53:撮像手段
6:接着フィルム
7:超音波分割装置
71:円筒状のベース
72:第1の超音波発振器
73:第2の超音波発振器
8:曲げ分割装置
81:円筒状のベース
82:曲げ荷重付与手段
9:曲げ分割装置
91:円筒状のベース
93:押圧部材
11:ピックアップ装置
111:円筒状のベース
112:拡張手段
113:拡張部材
114:紫外線照射ランプ
116:ピックアップコレット
Claims (3)
- 表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が配設されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するフレーム保持工程と、
フレームに装着されたダイシングテープに表面が貼着されたウエーハの裏面を研磨する研磨工程と、
研磨加工されたウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、
フレームに保持されたウエーハの変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
個々のチップに分割されたウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げることにより該接着フィルムを破断する拡張工程と、
拡張されたダイシングテープから裏面に該接着フィルムが貼着された各チップをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 該変質層形成工程においてウエーハの内部に形成される変質層は、少なくともウエーハの表面に露出して形成される、請求項1記載のウエーハの分割方法。
- 該分割工程は、該拡張工程においてダイシングテープを拡張することにより遂行される、請求項1又は2記載のウエーハの分割方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004032570A JP4402973B2 (ja) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | ウエーハの分割方法 |
CNB2005100080810A CN100428418C (zh) | 2004-02-09 | 2005-02-16 | 晶片的分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004032570A JP4402973B2 (ja) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | ウエーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005223284A JP2005223284A (ja) | 2005-08-18 |
JP4402973B2 true JP4402973B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=34998651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004032570A Expired - Lifetime JP4402973B2 (ja) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | ウエーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4402973B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4833657B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2011-12-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP6671794B2 (ja) | 2016-05-11 | 2020-03-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6651257B2 (ja) | 2016-06-03 | 2020-02-19 | 株式会社ディスコ | 被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置 |
-
2004
- 2004-02-09 JP JP2004032570A patent/JP4402973B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005223284A (ja) | 2005-08-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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