JP2010021552A - Heat dissipation structure and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、放熱構造体及びその製造方法に関し、特に、カーボンナノチューブによる放熱構造体及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a heat dissipation structure and a manufacturing method thereof, and more particularly to a heat dissipation structure using carbon nanotubes and a manufacturing method thereof.
最近、半導体チップの高集積化に伴って、電気部品の小型化の研究が進んでいるので、小型電気部品の放熱性をさらに高めることは益々注目されている。ここで、半導体集積プロセスにおいては、放熱という課題がある。 Recently, as the integration of semiconductor chips is highly integrated, research on miniaturization of electrical components has been advanced, and therefore further attention has been given to further improving the heat dissipation of small electrical components. Here, there is a problem of heat dissipation in the semiconductor integrated process.
図1を参照すると、従来の放熱構造体100は、放熱器102と、熱界面材料層104と、を含む。前記放熱器102は、基材106と、前記基材106の表面に設置されるヒートシンク108と、を含む。前記熱界面材料層104は、前記放熱器102の基材106における前記ヒートシンク108が設置された表面の反対側の他の表面に設置され、放熱構造体100と半導体部品との間の放熱面積を増加することに用いられ、半導体部品と放熱構造体100との間の熱伝導特性を向上させる。従来の熱界面材料は、グラファイト、窒化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、銀又はその他の金属などのような高熱伝導率の粒子を重合体基材に分散して形成する複合材料である。前記複合材料において、その材質全体の熱伝導率が低い(約1W/mKである)ため、現在の半導体チップの高集積化に伴って向上する高放熱要求を満たすことができない。なお、熱界面材料が存在するので、半導体部品の小型化を達成し難い。又、従来のヒートシンクの材料は、金属、金属合金又は高熱伝導係数の粒子を重合体基材に分散して形成する複合材料であり、このような材料で製造されたヒートシンクも同様に熱伝導率が低いので、高放熱要求を満たすことができない。
Referring to FIG. 1, a conventional
カーボンナノチューブ(Carbon Nanotube,CNT)は、1991年に発見された新しい一次元ナノ材料として知られているものである(非特許文献1を参照)。カーボンナノチューブは、アスペクト比が大きく、その長さが直径の何千倍にもなり得て、強度が高く、その強度がスチールの100倍であるが、その重量はスチールのたった1/6であって、優れた靭性と柔軟性を有し、且つその軸方向に沿って極めて高い熱伝導率を有するため、潜在性が最も大きい熱界面材料として用いられる。米国物理学会から発表された非特許文献2によると、室温で「Z」字形(10,10)のカーボンナノチューブの熱伝導率が6600W/mKにも達することができるため、カーボンナノチューブの高い熱伝導性能を有効に利用して、熱伝導材料の製造に用いることができる。 Carbon nanotubes (Carbon Nanotube, CNT) are known as a new one-dimensional nanomaterial discovered in 1991 (see Non-Patent Document 1). Carbon nanotubes have a large aspect ratio, can be thousands of times long in diameter, are strong, and are 100 times stronger than steel, but weigh only 1/6 that of steel. In addition, it has excellent toughness and flexibility, and has extremely high thermal conductivity along the axial direction thereof, so that it is used as a thermal interface material having the greatest potential. According to Non-Patent Document 2 published by the American Physical Society, the thermal conductivity of “Z” -shaped (10, 10) carbon nanotubes can reach as high as 6600 W / mK at room temperature. The performance can be used effectively to produce a heat conductive material.
従来技術において、カーボンナノチューブ又はカーボンナノチューブの複合材料を熱界面材料として応用する。 In the prior art, carbon nanotubes or composites of carbon nanotubes are applied as thermal interface materials.
しかし、熱界面材料におけるカーボンナノチューブは、配向せずに配列されているので、熱伝導の均一性が悪化し、カーボンナノチューブの軸方向での良好な熱伝導性能を十分に利用できず、熱伝導材料全体の熱伝導性能が低くなるという課題がある。 However, since the carbon nanotubes in the thermal interface material are aligned without being aligned, the heat conduction uniformity deteriorates, and the good heat conduction performance in the axial direction of the carbon nanotubes cannot be fully utilized. There is a problem that the heat conduction performance of the entire material is lowered.
従って、本発明は、前記課題を解決するために、高い放熱効率及び小型化電子部品に適用する小さい体積を有し、且つさまざまな分野に応用することができる放熱構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a heat dissipation structure that has high heat dissipation efficiency and a small volume that can be applied to miniaturized electronic components and that can be applied to various fields, and a method for manufacturing the same, in order to solve the above problems. The purpose is to do.
発熱部材の表面に固定される放熱構造体であって、パターン化されたカーボンナノチューブアレイと、固定層と、を含み、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイは、前記固定層により前記発熱部材に固定される。 A heat dissipation structure fixed to the surface of a heat generating member, comprising a patterned carbon nanotube array and a fixed layer, wherein the patterned carbon nanotube array is fixed to the heat generating member by the fixed layer Is done.
前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイは、対向設置される第一端及び第二端を含み、前記第一端は、前記固定層に設置される。 The patterned carbon nanotube array includes a first end and a second end disposed opposite to each other, and the first end is disposed on the fixed layer.
前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイの第一端は、前記発熱部材の表面に直接に接触する。 The first end of the patterned carbon nanotube array directly contacts the surface of the heat generating member.
前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイは、互いに平行される複数のカーボンナノチューブを含み、前記カーボンナノチューブは、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイの第一端から第二端に向かって延伸している。 The patterned carbon nanotube array includes a plurality of carbon nanotubes parallel to each other, and the carbon nanotubes extend from a first end to a second end of the patterned carbon nanotube array.
前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイの中の一部分のカーボンナノチューブにおける前記固定層から露出する部分が除去され、残りのカーボンナノチューブにおける前記固定層から露出する部分の長さが等しい。 A portion of the carbon nanotube array exposed from the fixed layer in a part of the carbon nanotubes is removed, and a portion of the remaining carbon nanotube exposed from the fixed layer is equal in length.
前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイの中の一部分のカーボンナノチューブにおける前記固定層から露出する部分が除去され、残りのカーボンナノチューブにおける前記固定層から露出する部分の長さが異なる。 The part of the patterned carbon nanotube array that is exposed from the fixed layer in a part of the carbon nanotubes is removed, and the length of the part of the remaining carbon nanotube that is exposed from the fixed layer is different.
前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイを構成するカーボンナノチューブにおける前記固定層から露出する部分の長さが異なる。 The lengths of the carbon nanotubes constituting the patterned carbon nanotube array that are exposed from the fixed layer are different.
発熱部材を提供する第一ステップと、発熱部材の一つの表面に溶融状態の固定層を形成する第二ステップと、基材に対向設置される第一端及び第二端を有するカーボンナノチューブアレイを形成し、前記第二端が前記基材に連接する第三ステップと、前記カーボンナノチューブアレイの第一端を溶融状態の固定層に挿入してから、前記固定層を冷却して凝固させる第四ステップと、前記カーボンナノチューブアレイの基材を除去する第五ステップと、前記カーボンナノチューブアレイをパターン化して、前記発熱部材の表面に放熱構造体を形成する第六ステップと、を含む製造方法。 A first step of providing a heat generating member; a second step of forming a fixed layer in a molten state on one surface of the heat generating member; and a carbon nanotube array having a first end and a second end opposed to the substrate. Forming a third step in which the second end is connected to the substrate; and inserting a first end of the carbon nanotube array into the molten fixed layer, and then cooling and solidifying the fixed layer. And a sixth step of patterning the carbon nanotube array to form a heat dissipation structure on the surface of the heat generating member.
本発明の放熱構造体は、次の優れた点がある。第一に、前記放熱構造体を発熱部材の表面に直接に固定するため、熱界面材料を必要としなく、前記放熱構造体全体の体積を小さくして、電子部品の小型化に向けて適用することができ、且つさまざまな分野に応用することができる。第二に、前記放熱構造体のカーボンナノチューブは、カーボンナノチューブアレイを構成し、且つ前記カーボンナノチューブが前記発熱部材の表面に直交するため、カーボンナノチューブの軸方向での良好な熱伝導性能を十分に利用することができ、従って前記放熱構造体の放熱効率を向上させる。 The heat dissipation structure of the present invention has the following excellent points. First, since the heat dissipation structure is directly fixed to the surface of the heat generating member, no thermal interface material is required, and the volume of the entire heat dissipation structure is reduced to be applied for downsizing electronic components. Can be applied to various fields. Second, the carbon nanotubes of the heat dissipation structure constitute a carbon nanotube array, and the carbon nanotubes are orthogonal to the surface of the heat generating member, so that sufficient heat conduction performance in the axial direction of the carbon nanotubes is sufficiently obtained. Therefore, the heat dissipation efficiency of the heat dissipation structure can be improved.
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図2を参照すると、本発明の実施例に係わる放熱構造体10は、発熱部材12の表面18に設置され、パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16と、固定層14と、を含む。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16は、対向設置される第一端162及び第二端164を含む。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の第一端162は、前記固定層14に設置され、前記固定層14により前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16を前記発熱部材12の表面18に固定させ、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の第二端164は、前記固定層14から離れる方向へ延伸している。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の第一端162は、前記固定層14を貫いて前記発熱部材12に直接接触することができ、従って放熱効率を向上させる。
Referring to FIG. 2, the
前記固定層14の材料は、熱伝導材料であり、複合材料又は低融点を有する金属を含む。前記複合材料は、導電重合体複合材料、導電セラミックス複合材料又は他の導電複合材料(例えば、カーボンナノチューブを含むプラスチック)を含む。前記低融点を有する金属は、錫、インジウム、鉛、アンチモン、銀、ビスマス及びそのいずれか組合の合金又は混合物(例えば、錫鉛合金、インジウム錫合金、錫銀合金等である)を含む。前記固定層14の厚さに関して、厚すぎるとカーボンナノチューブの良好な熱伝導性能を十分に利用することができなく、薄すぎると前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の固定力が削がれ、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16を傾斜させる。本実施例において、前記固定層14の厚さは0.1mm〜1mmであることが好ましい。
The material of the
前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16は、互いに平行する複数のカーボンナノチューブを含み、該カーボンナノチューブは、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の第一端162から第二端164に向かって延伸し、且つ前記固定層14の表面18に直交する。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の第一端162が前記固定層14に設置されるので、前記カーボンナノチューブの少なくとも一部分は、前記固定層14に設置され、前記カーボンナノチューブの前記固定層14から露出する部分をヒートシンクとして、前記発熱部材12からの熱量を放熱する。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16は、前記発熱部材12に基づいて予定のパターンを形成することができる。具体的に説明すると、第一に、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の中の一部分のカーボンナノチューブの前記固定層14から露出する部分が除去され、残りのカーボンナノチューブの前記固定層14から露出する部分の長さが等しく、従って予定の平面パターン(例えば、円形、「+」字型、リング型等)を形成し、第二に、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16を構成するカーボンナノチューブの前記固定層14から露出する部分の長さが異なって、従って予定の立体パターンを形成し、第三に、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の中の一部分のカーボンナノチューブの前記固定層14から露出する部分が除去され、残りのカーボンナノチューブの前記固定層14から露出する部分の長さが異なって、従って予定のパターンを形成する。本実施例において、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の中の一部分のカーボンナノチューブの前記固定層14から露出する部分が除去され、残りのカーボンナノチューブの前記固定層14から露出する部分の長さが等しく、従って図3に示す「+」字チャンネルを形成する。
The patterned
使用する時、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16が空気の対流を増加させるため、放熱効率を向上させる。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の中のカーボンナノチューブの長さは、前記固定層14の厚さより大きい。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の中のカーボンナノチューブの長さが0.5mm〜5mmであることが好ましい。本実施例において、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の中のカーボンナノチューブの長さは、1mmである。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の中のカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)、二層カーボンナノチューブ(DWCNT)、多層カーボンナノチューブ(MWCNT)又はそのいずれかの組合である。前記単層カーボンナノチューブの直径は、0.5nm〜100nmであり、前記二層カーボンナノチューブの直径は、1.0nm〜100nmであり、前記多層カーボンナノチューブの直径は、1.5nm〜100nmである。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の中のカーボンナノチューブの間の距離は、0.1nm〜5nmである。
When used, the patterned
前記発熱部材12の形状は、ある特定の形状に限定されるものではない。前記発熱部材12は、前記固定層14を設置することに用いられる表面18を有し、該表面18は、平面、凸面、凹面、平坦ではない面のいずれか一種である。前記放熱構造体10を前記発熱部材12の表面18に形成する時、前記発熱部材12を破壊しないように、前記発熱部材12の表面18の融点は、前記固定層14の融点より高い。前記発熱部材12は、マイクロ部品又は大型部品であることができ、本実施例において、前記発熱部材12は、マイクロ部品であることが好ましい。
The shape of the
図4と図5を参照すると、本実施例に係わる前記放熱構造体10の製造方法は、下記のようなステップを含む。
4 and 5, the method for manufacturing the
第一ステップ:表面18を有する発熱部材12を提供する。
First step: providing a
前記発熱部材12の形状は、制限されず、前記固定層14を設置するための表面18を有すればよい。前記放熱構造体10を前記発熱部材12の表面18に形成する時、前記発熱部材12を破壊しないように、前記発熱部材12の表面18の融点は、前記固定層14の融点より高い。本実施例において、前記発熱部材12は、集積回路チップである。
The shape of the
第二ステップ:発熱部材12の表面に溶融状態の固定層14を形成する。
Second step: The molten fixed
塗布又は印刷などの方法で溶融状態の固定層材料を前記発熱部材12の表面に設置して固定層14を形成する。前記固定層14は、熱伝導材料からなり、具体的に錫、インジウム、鉛、アンチモン、銀、ビスマス及びそのいずれか組合の合金又は混合物(例えば、錫鉛合金、インジウム錫合金、錫銀合金等である)のような低融点金属からなる。本実施例において、前記固定層14の材料として、錫であることが好ましい。
The fixed layer material in a molten state is placed on the surface of the
第三ステップ:基材20に対向設置される第一端及び第二端を有するカーボンナノチューブアレイ22を形成し、前記第二端が前記基材20に連接する。
Third step: A
前記カーボンナノチューブアレイ22の製造方法は、制限されず、本実施例において、化学気相堆積法を採用し、具体的に下記のようなステップ(a)〜(d)を含む。ステップ(a)では、平らな基材20を提供する。前記基材20は、ガラス、シリコン、酸化珪素、金属又は金属酸化物の中のいずれか一種である。本実施例において、酸化珪素基材を選択する。ステップ(b)では、前記基材20の表面に触媒層を均一に形成する。前記触媒層は、鉄、コバルト、ニッケル及びそのいずれか組合の合金の中のいずれか一種である。ステップ(c)では、前記触媒層が形成された基材20を700℃〜900℃の空気で30分〜90分間もアニーリングする。ステップ(d)では、アニーリングされた基材20を反応炉に置き、保護ガスの雰囲気で500℃〜740℃の温度で加熱した後、前記反応炉にカーボンを含むガスを導入して、5分〜30分間も反応を行って、カーボンナノチューブアレイを生長させる。前記カーボンナノチューブアレイ22は、互いに平行し且つ前記基材20に垂直に生長された複数のカーボンナノチューブからなる。前記カーボンナノチューブアレイ22は、対向される第一端及び第二端を含み、前記第二端が前記基材20に連接固定される。前記複数のカーボンナノチューブは、前記カーボンナノチューブアレイ22の第一端から第二端に向かって延伸している。
The method for manufacturing the
本実施例において、前記カーボンを含むガスは、アセチレン、エチレン、メタンなどのような活性炭化水素から選択され、前記保護ガスは、窒素ガス又は不活性ガスなどから選択される。本実施例において、前記カーボンを含むガスは、アセチレンを採用し、前記保護ガスは、アルゴンガスを採用する。 In the present embodiment, the gas containing carbon is selected from activated hydrocarbons such as acetylene, ethylene, methane, and the protective gas is selected from nitrogen gas or inert gas. In this embodiment, acetylene is used as the gas containing carbon, and argon gas is used as the protective gas.
前記カーボンナノチューブアレイの製造方法は、本実施例に限定されるものではなく、アーク放電堆積法又はレーザー蒸発法を採用してもよい。 The method for manufacturing the carbon nanotube array is not limited to the present embodiment, and an arc discharge deposition method or a laser evaporation method may be employed.
第四ステップ:前記カーボンナノチューブアレイ22の第一端を溶融状態の固定層14に挿入してから、前記固定層14を冷却して凝固させる。
Fourth step: After the first end of the
前記カーボンナノチューブアレイ22の第一端を溶融状態の固定層14に挿入し、且つその挿入深さは制限されず、実際の応用に応じて調整することができる。前記カーボンナノチューブアレイ22は、前記固定層14を貫いて前記発熱部材12に直接接触することができる。
The first end of the
前記カーボンナノチューブアレイ22を前記固定層14に順調に挿入するために、挿入する前に、前記固定層14が溶融状態になることにする。前記カーボンナノチューブアレイ22を前記固定層14に挿入してから、室温で前記溶融状態の固定層14を冷却して凝固させると前記カーボンナノチューブアレイ22の第一端が前記固定層14に固定され、前記固定層14により前記カーボンナノチューブアレイ22の中のカーボンナノチューブを前記発熱部材12の表面18に固定させる。前記カーボンナノチューブアレイ22の中のカーボンナノチューブと前記発熱部材12の表面18の間の角度は、90度である。
In order to smoothly insert the
第五ステップ:前記カーボンナノチューブアレイ22の基材20を除去する。
Fifth step: The
機械研磨、化学エッチングなどの方法を採用して、前記カーボンナノチューブアレイ22の基材20を除去する。本実施例において、化学エッチング方式で前記基材20を除去する。具体的に下記のような工程を含む。
The
まず、前記基材20を溶解できるエッチング液を提供する。本実施例において、前記基材20が酸化珪素であるため、エッチング液は、塩酸液を選択する。
First, an etching solution capable of dissolving the
次に、前記カーボンナノチューブアレイ22の基材20をエッチング液に30分〜60分間浸す。本実施例において、前記基材20の材料が酸化珪素であって、前記カーボンナノチューブアレイ22の触媒の材料が金属であるため、浸す過程において、前記基材20及び前記触媒が前記酸性エッチング液に溶解され、従って前記カーボンナノチューブアレイ22の基材20を除去し、前記カーボンナノチューブアレイ22の第二端を前記基材20から脱離させて空気に露出される。
Next, the
最後、アルコール、アセトンなどの有機溶剤で前記カーボンナノチューブアレイ22の第二端をクリーニングする。
Finally, the second end of the
第六ステップ:前記カーボンナノチューブアレイ22をパターン化して、前記発熱部材12の表面18に放熱構造体10を形成する。
Sixth step: The
10000〜100000W/mm2のレーザービームを採用して800〜1500mm/sの速度で予定のパターンの跡によって前記カーボンナノチューブアレイ22を照射して、前記カーボンナノチューブアレイ22に予定のパターンを形成する。
The
レーザービームを採用して前記カーボンナノチューブアレイ22を照射する方法は、具体的に下記のような工程を含む。
The method of irradiating the
まず、レーザー発生器を提供し、該レーザー発生器からのレーザービームの照射跡は、コンピュータプログラムで制御することができる。本実施例において、二酸化炭素レーザー発生器を採用する。 First, a laser generator is provided, and the irradiation trace of the laser beam from the laser generator can be controlled by a computer program. In this embodiment, a carbon dioxide laser generator is employed.
次に、前記カーボンナノチューブアレイ22に形成しようとするパターンを確定してから、該予定のパターンをコンピュータプログラムに入力して、前記レーザー発生器からのレーザービームが前記予定のパターンの跡に沿って前記カーボンナノチューブアレイ22を照射するように制御する。パターンを予定することにより大量生産を実現することができ、産業化生産に有利である。
Next, after a pattern to be formed on the
最後、レーザー発生器をスタートして、一定のパワーのレーザービームを採用して一定の速度で前記カーボンナノチューブアレイ22の中の一部分のカーボンナノチューブを直接に照射して、パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16を形成する。レーザービームに照射された後、前記カーボンナノチューブがレーザービームの高エネルギーを吸収するため、前記固定層14から露出し且つ前記予定のパターンの跡に位置するカーボンナノチューブの全部又は一部分は、レーザービームにアブレーションされ、前記カーボンナノチューブアレイ22に予定のパターンを形成し、パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16を形成する。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16は、対向設置される第一端162及び第二端164を含む。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の第一端162は、前記固定層14に設置され、前記固定層14により前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16を発熱部材12の表面18に固定させ、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の第二端164は、前記固定層14から離れる方向へ延伸している。
Finally, a laser generator is started, and a carbon beam array patterned by directly irradiating a portion of the
本実施例において、レーザービームのパワー密度は、70000〜80000W/mm2であり、走査速度は、1000〜1200mm/sである。前記レーザービームのパワー密度と走査速度が大きいので、前記レーザービームでカーボンナノチューブを瞬間にエッチングすることができ、且つ前記固定層14を損壊しない。従って、前記固定層14の材料の融点に対して特別な要求がない。
In this embodiment, the power density of the laser beam is 70000-80000 W / mm 2 and the scanning speed is 1000-1200 mm / s. Since the power density and scanning speed of the laser beam are large, carbon nanotubes can be etched instantaneously with the laser beam, and the fixed
本実施例において、レーザービーム固定し、コンピュータプログラムによって予定パターンの跡に沿ってカーボンナノチューブアレイ22を移動することにより、前記カーボンナノチューブアレイ22に予定のパターンを形成することができる。
In this embodiment, a predetermined pattern can be formed on the
前記カーボンナノチューブアレイ22をパターン化して、放熱構造体10の放熱空間を十分に利用することができる。
The
前記放熱構造体10を応用する時、前記発熱部材12からの熱量は、前記固定層14から前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16の第一端162に伝送して、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイ16から熱量を発散する。
When the
本発明の放熱構造体は、次の優れた点がある。第一に、前記放熱構造体を発熱部材の表面に直接に固定するため、熱界面材料を必要としなく、前記放熱構造体全体の体積を小さくして、電子部品の小型化に向けて適用することができ、且つさまざまな分野に応用することができる。第二に、前記放熱構造体のカーボンナノチューブは、カーボンナノチューブアレイを構成し、且つ前記カーボンナノチューブが前記発熱部材の表面に直交するため、カーボンナノチューブの軸方向での良好な熱伝導性能を十分に利用することができ、従って前記放熱構造体の放熱効率を向上させる。第三に、前記カーボンナノチューブアレイの中のカーボンナノチューブをヒートシンクとする時、カーボンナノチューブの直径がとても小さい(数ナノ〜数十ナノである)ため、ヒートシンクとするカーボンナノチューブのアスペクト比が大きく、従って前記放熱構造体の放熱面積を増加して放熱効率を向上させる。第四に、前記放熱構造体の固定層は、溶融状態で前記発熱部材に直接的に接触するため、十分に接触することができ、従って前記放熱構造体の放熱面積を増加して放熱効率を向上させる。 The heat dissipation structure of the present invention has the following excellent points. First, since the heat dissipation structure is directly fixed to the surface of the heat generating member, no thermal interface material is required, and the volume of the entire heat dissipation structure is reduced to be applied for downsizing electronic components. Can be applied to various fields. Second, the carbon nanotubes of the heat dissipation structure constitute a carbon nanotube array, and the carbon nanotubes are orthogonal to the surface of the heat generating member, so that sufficient heat conduction performance in the axial direction of the carbon nanotubes is sufficiently obtained. Therefore, the heat dissipation efficiency of the heat dissipation structure can be improved. Third, when the carbon nanotubes in the carbon nanotube array are used as a heat sink, the carbon nanotube diameter is very small (several nano to several tens of nano), so the aspect ratio of the carbon nanotube as the heat sink is large. The heat dissipation area of the heat dissipation structure is increased to improve the heat dissipation efficiency. Fourth, since the fixed layer of the heat dissipation structure directly contacts the heat generating member in a molten state, the heat dissipation structure can be sufficiently in contact with each other. Improve.
100、10 放熱構造体
102 放熱器
104 熱界面材料層
106 基材
108 ヒートシンク
12 発熱部材
14 固定層
16 パターン化されたカーボンナノチューブアレイ
162 第一端
164 第二端
18 表面
20 基材
22 カーボンナノチューブアレイ
DESCRIPTION OF
Claims (8)
パターン化されたカーボンナノチューブアレイと、
固定層と、
を含み、
前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイは、前記固定層により前記発熱部材に固定されることを特徴とする放熱構造体。 A heat dissipating structure fixed to the surface of the heat generating member,
A patterned carbon nanotube array;
A fixed layer;
Including
The patterned carbon nanotube array is fixed to the heat generating member by the fixing layer.
発熱部材の一つの表面に溶融状態の固定層を形成する第二ステップと、
基材に対向設置される第一端及び第二端を有するカーボンナノチューブアレイを形成し、前記第二端が前記基材に連接する第三ステップと、
前記カーボンナノチューブアレイの第一端を溶融状態の固定層に挿入してから、前記固定層を冷却して凝固させる第四ステップと、
前記カーボンナノチューブアレイの基材を除去する第五ステップと、
前記カーボンナノチューブアレイをパターン化して、前記発熱部材の表面に放熱構造体を形成する第六ステップと、
を含むことを特徴とする放熱構造体の製造方法。 A first step of providing a heating member;
A second step of forming a molten fixed layer on one surface of the heating member;
Forming a carbon nanotube array having a first end and a second end opposed to the substrate, wherein the second end is connected to the substrate; and
A fourth step of inserting the first end of the carbon nanotube array into a molten fixed layer, and then cooling and solidifying the fixed layer;
A fifth step of removing the carbon nanotube array substrate;
Patterning the carbon nanotube array to form a heat dissipation structure on the surface of the heating member; and
The manufacturing method of the thermal radiation structure characterized by including.
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