JP2009532725A - マイクロリソグラフィ投影光学システム、ツール、及び製造方法 - Google Patents
マイクロリソグラフィ投影光学システム、ツール、及び製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009532725A JP2009532725A JP2009503431A JP2009503431A JP2009532725A JP 2009532725 A JP2009532725 A JP 2009532725A JP 2009503431 A JP2009503431 A JP 2009503431A JP 2009503431 A JP2009503431 A JP 2009503431A JP 2009532725 A JP2009532725 A JP 2009532725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- optical system
- mirror
- image
- projection objective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 134
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 67
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 18
- 238000013461 design Methods 0.000 description 17
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 4
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 208000001644 thecoma Diseases 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】マイクロリソグラフィ投影光学システム(1100)は、波長λを有する放射を対物面(103)内の物体視野から像平面(102)内の像視野に結像するように配列された複数の光学要素(1110、1120、1130、1140、1150、1160)を含む。複数の光学要素(1110、1120、1130、1140、1150、1160)は、対物面から2.8mよりも遠くに位置する入射瞳を有する。光学システムを通る放射の経路は、対物面に対する法線に関して3°又はそれよりも大きい角度を有する主光線によって特徴付けられる。特にEUV波長に対して、これは、特に、結像される物体として位相シフトマスクの使用を可能にする。
【選択図】図10
Description
マイクロリソグラフィ投影光学システムを、結像すべき異なる種類のマスク又はレチクルに対するその柔軟性に関して改善することが本発明の目的である。
本発明によると、光学システムの入射瞳が対物面から2.8mよりも遠くに位置するという特徴により、主光線は、対物面において互いに実質的に平行である。レチクルにおける主光線方向の均一性により、レチクルにおける陰影効果の視野依存性を低減又は回避することができる。これらの効果は、例えば、解像度制限のような投影対物器械の結像特性の望ましくない視野依存性を引き起こす可能性がある。従って、主光線方向の均一性により、これらの視野依存結像特性を低減することができ、視野にわたってより良好な均一性を有する像を供給することができる。更に、互いに対してかつ対物面の法線に対して実質的に平行である主光線は、特にEUV波長によって結像される位相シフトマスクの使用を可能にする。対物面での法線と主光線との間の3°又はそれよりも大きい角度は、一方を照明光線経路、他方を投影光線経路への分離を可能にする。それにより、結像すべき反射性物体の使用が容易になる。
請求項4に記載の反射性物体、特に位相シフトマスクは、光学システムの可能性を有利に利用するものである。
請求項5によると、本発明による投影対物器械は、反射投影対物器械である。専ら反射構成要素を有するそのような投影対物器械は、超短波長、特に30mmよりも小さいEUV波長と共に用いることができる。
請求項7に記載の自由形状表面の数学的展開は、良好で再現可能な反射面の製造を可能にする。この展開では、αは、66とすることができる。更に、mは、偶数整数を構成することができる。更に、m+nは、10に等しいか又はそれよりも大きいものとすることができる。
請求項10に記載の鏡面対称光学面は、自由形状光学面の生成に対する要件を低くする。
請求項12に記載の主光線角度の正の拡大を有する反射要素を2つよりも多く持たない光学システムは、ミラー上の比較的小さい入射光線角を示し、従って、最初はより低い収差しか引き起こさない。特に、これは、特に少なくとも1つの中間像を有するシステムに対して、請求項13に記載の主光線角度の正の拡大を有する反射要素を1つのみ含む光学システムを用いて成り立つ。
請求項15に記載の像視野寸法は、マイクロリソグラフィ投影装置における光学システムの効率的使用を可能にする。矩形の視野は、約2mmの最小寸法を有することができ、約1mm又はそれよりも大きい第1の寸法、並びに約1mm又はそれよりも大きい第2の寸法を有することができ、第1の寸法と第2の寸法は直交し、像平面内で測定される。。この第2の寸法は、約10mm又は約20mm又はそれよりも大きいとすることができる。
請求項19に記載のテレセントリック光学システムは、倍率比のいかなる変化も伴わずに、像平面内に配列された非平坦ウェーハトポグラフィに起因する基板の高さ変化を許容し、又は像平面の合焦ずれを許す。
請求項20に記載の光学システムは、非常に高い解像度をもたらす。比率θ/NAは、約60又はそれ未満、又は50又はそれ未満とすることができる。
請求項22に記載の放射源を有する光学システムは、そのような放射源の波長範囲内での収差及び歪曲に対する低減が可能であるから、少なくとも1つの自由形状表面の使用による収差の最小化を有利に利用する。好ましくは、波長は、約10nmから約15nmの範囲にある。
投影対物器械は、低い収差で像を供給することができる。ある一定の実施形態では、投影対物器械は、約30mλ又はそれ未満の波面誤差に対して補正される。ある一定の実施形態では、投影対物器械は、約2nm又はそれ未満の値よりも低い歪曲収差に対して補正される。
一部の実施形態では、回転軸回りの投影対物器械の回転にも関わらず、投影対物器械の測定を容易に実施することができる。例えば、投影対物器械(例えば、高NA投影対物器械)の実施形態は、投影対物器械が軸回りに回転する際に中心視野点の平行移動が僅かであるか又は全く生じない比較的小さいか又はゼロの物体−像シフトを有することができる。従って、投影対物器械が回転を受ける時に、視野位置を再定位する必要なく同じ視野位置で測定を繰返し実施することができる。
投影対物器械の実施形態は、可視及び紫外(UV)波長を含む様々な異なる波長における作動に適応させることができる。実施形態は、極UV(EUV)波長における作動に適応させることができる。更に、実施形態は、1つよりも多い波長における使用又はある一定の波長範囲にわたる使用に適応させることができる。
一部の実施形態では、陰影効果の視野依存性が低いか又は全くない反射投影対物器械を提供する。例えば、反射投影対物器械は、物体視野上で主光線の均一な照明角度をもたらす、対物面から遠くに(例えば、無限遠に)定位したそれらの入射瞳孔を有することがでる。それにより、主光線角度が物体視野にわたって変化する場合に生じる視野依存の陰影効果を低減又は回避することができる。代替的又は追加的に、投影対物器械は、投影対物器械内の各ミラーに対する子午断面の光線に対して、比較的小さい値の主光線入射角及び/又は小さい入射角変化を有することができ、その結果、各ミラーに対する平均反射率が上昇する。
他の特徴及び利点は、本説明、図面、及び特許請求の範囲から明らかであろう。
請求項又は下位請求項からの全ての又は選択された特徴は、特に有利な実施形態を形成するために組み合わせることができる。
光源110は、ツール100の望ましい作動波長λで光を供給するように選択される。一部の実施形態では、光源110は、KrFレーザ(例えば、約248nmの波長を有する)、又はArFレーザ(例えば、約193nmの波長を有する)のようなレーザ光源である。用いることができる非レーザ光源は、電磁スペクトルの青色又はUV部分、例えば、約365nm、約280nm、又は約227nmにおいて光を発するLEDのような発光ダイオード(LED)を含む。
対物面103は、投影対物器械101の長手寸法又はトラック長とも呼ばれる距離Lだけ像平面102から分離する。一般的にこの距離は、投影対物器械101の特定の設計及びツール100の作動波長に依存する。EUVリソグラフィのための設計されたツール等における一部の実施形態では、Lは、約1mから約3mの範囲内(例えば、約1.5mから約2.5mの範囲内)にある。ある一定の実施形態では、Lは、約1.9m又はそれ未満(例えば、約1.8m又はそれ未満、約1.7m又はそれ未満、約1.6m又はそれ未満、約1.5m又はそれ未満)のように2mよりも短い。Lは、約0.2m又はそれよりも大きい(例えば、約0.3m又はそれよりも大きく、約0.4m又はそれよりも大きく、約0.5m又はそれよりも大きく、約0.6m又はそれよりも大きく、約0.7m又はそれよりも大きく、約0.8m又はそれよりも大きく、約0.9m又はそれよりも大きく、約1m又はそれよりも大きい)ものとすることができる。
ここで、noは、基板150の表面に隣接する液浸媒体(例えば、空気、窒素、水、又は排気環境)の屈折率であり、θmaxは、投影対物器械101からの像形成光線の最大円錐体の半角である。
ここで、Rは、印刷することができる最小寸法であり、kは、プロセス因子と呼ばれる無次元定数である。kは、放射(例えば、偏光特性)、照明特性(例えば、部分干渉、環状照明、双極設定、四重極設定)、及びレジスト材料に関連する様々な因子に依存して変化する。一般的に、kは、約0.4から約0.8の範囲にあるが、ある一定の用途では0.4よりも低くし、0.8よりも高くすることができる。
更に、ある一定の実施形態では、歪曲収差は、像視野にわたって比較的小量だけ異なるものとすることができる。例えば、歪曲収差は、像視野にわたって約5nm又はそれ未満(例えば、約4nm又はそれ未満、約3nm又はそれ未満、約2nm又はそれ未満、約1nm又はそれ未満)だけ異なるものとすることができる。
一般的な投影対物器械101は、少なくとも4つのミラー(例えば、5つ又はそれよりも多くのミラー、6つ又はそれよりも多くのミラー、7つ又はそれよりも多くのミラー、8つ又はそれよりも多くのミラー、9つ又はそれよりも多くのミラー、10個又はそれよりも多くのミラー、11個又はそれよりも多くのミラー、12個又はそれよりも多くのミラー)を有する。対物器械の全てのミラーが対物面と像平面の間に位置決めされることが望ましい実施形態では、対物器械101は、一般的に偶数個のミラー(例えば、4つのミラー、6つのミラー、8つのミラー、10個のミラー)を有することになる。投影対物器械の全てのミラーが対物面と像平面の間に位置決めされたある一定の実施形態では、奇数個のミラーを用いることができる。例えば、1つ又はそれよりも多くのミラーを比較的大きい角度で傾斜させる場合には、投影対物器械は、奇数個のミラーを含むことができ、全てのミラーは、対物面と像平面の間に位置決めされる。
z’ = (R2 − (x’ − xc)2 − (y’ − yc)2)1/2 − zc
これは、座標(xc、yc、zc)を中心とする半径Rの球面表面に関する式である。
ここで、h2=x’2+y’2であり、A’jは、円錐表面からの回転対称基準表面の偏差を特徴付ける係数である。一般的に、基準表面をミラー表面に当て嵌めるために用いる非球面係数A’jの個数は、表面を計算するために用いるシステムのコンピュータパワー、利用可能時間、及び望ましい精度レベルに依存して異なるものとすることができる。一部の実施形態では、基準表面は、3次までの非球面係数を用いて計算することができる。ある一定の実施形態では、3次よりも高い(例えば、4次、6次)係数が用いられる。円錐及び非球面表面のパラメータ化に関する更に別の解説に対しては、例えば、「Optical Research Associates」(パサデナ、CA)より入手可能な「Code V」に関する製品マニュアルを参照されたい。
回転対称基準表面を判断した後に、ミラー表面上の付加的な点の間の局所距離を特定し、可視化することができる。回転対称基準表面の付加的な特性を特定することができる。例えば、回転非対称ミラー表面からの回転対称基準表面の最大偏差を特定することができる。
投影対物器械101内のミラーの第1及び第2の主曲率の合計は、比較的小さいものとすることができる。例えば、ミラーの第1及び第2の主曲率の合計の絶対値は、約10-3又はそれ未満(例えば、約5x10-4又はそれ未満、約3x10-4、約2x10-4又はそれ未満、約10-4又はそれ未満、5x10-5又はそれ未満、10-5又はそれ未満)とすることができる。
ここで、次式が成り立つ。
Zは、Z軸に平行な表面たるみであり(Z軸は、投影対物器械101内の基準軸105に対して平行であってもなくてもよく、すなわち、一般的に、投影対物器械101内の基準軸105に対して偏心及び傾斜する)、cは、頂点の曲率に対応する定数、kは円錐定数、Cjは単項式XmTnである。一般的に、c、k、及びCjの値は、投影対物器械101に対するミラーの望ましい光学的性質に基づいて特定される。更に、単項式の次数m+nは、必要に応じて異なるものとすることができる。高次の単項式は、一般的に投影対物器械設計に高レベルの収差をもたらすことができるが、一般的に特定における計算負荷が高い。一部の実施形態では、m+nは、10又はそれよりも大きい(例えば、15又はそれよりも大きく、20又はそれよりも大きい)である。下記に解説するように、自由形状ミラーの式におけるパラメータは、市販の光学設計ソフトウエアを用いて特定することができる。一部の実施形態では、m+nは、10よりも小さい(例えば、9又はそれ未満、8又はそれ未満、7又はそれ未満、6又はそれ未満、5又はそれ未満、4又はそれ未満、3又はそれ未満)。
一般的に、投影対物器械101は、正の屈折力を有する1つ又はそれよりも多くのミラーを含む。言い換えれば、ミラーの反射部分は凹表面を有し、凹面ミラーと呼ばれる。投影対物器械101は、2つ又はそれよりも多く(例えば、3つ又はそれよりも多く、4つ又はそれよりも多く、5つ又はそれよりも多く、6つ又はそれよりも多い)の凹面ミラーを含むことができる。また投影対物器械101は、負の屈折力を有する1つ又はそれよりも多くのミラーを含むことができる。これは、ミラーのうちの1つ又はそれよりも多くが凸面表面を有する反射部分を有することを意味する(凸面ミラーと呼ばれる)。一部の実施形態では、投影対物器械101は、2つ又はそれよりも多い(例えば、3つ又はそれよりも多く、4つ又はそれよりも多く、5つ又はそれよりも多く、6つ又はそれよりも多い)凸面ミラーを含む。
投影対物器械1100は、対物面103からの結像放射を像平面102に4Xの縮小倍率で結像する。投影対物器械1100のトラック長は2000mmであり、結像放射の光路長は5337mmである。従って、トラック長に対する光路長の比率は、ほぼ2.67である。投影対物器械1100は、ミラー1120の近くに位置決めされた開口絞り1106を有する。
投影対物器械1100は、矩形の視野を有する。像側視野幅dxは、26mmである。像側視野長dyは、2mmである。投影対物器械1000は、31mmの物体−像シフトを有する。
対物面103から像平面102までの放射経路の順序でのミラーの屈折力は、以下の通りである。ミラー1110は正の屈折力を有する。ミラー1120は正の屈折力を有する。ミラー1130は負の屈折力を有する。ミラー1140は正の屈折力を有する。ミラー1150は負の屈折力を有する。ミラー1160は正の屈折力を有する。
中心視野点における主光線入射角は、ミラー1110、1120、1130、1140、1150、及び1160において、それぞれ、4.38°、4.03°、18.37°、7.74°、12.64°、及び5.17°である。子午断面における各ミラー上の最大入射角は、ミラー1110、1120、1130、1140、1150、及び1160において、それぞれ、6.48°、6.44°、20.05°、9.12°、21.76°、及び7.22°である。ミラー1110、1120、1130、1140、1150、及び1160におけるΔθは、それぞれ、4.27°、4.92°、4.09°、3.12°、19.37°、及び4.61°である。
投影対物器械1100の像側自由作業距離は、25mmである。物体側自由作業距離は163mmである。
投影対物器械1100に関するデータを下記の表3A及び表3Bに示している。表3Aは、光学データを示しており、一方、表3Bは、ミラー表面の各々における非球面定数を示している。表3A及び表3Bに向けて、ミラー名称を次のように関連付ける。ミラー1(M1)はミラー1110に対応する。ミラー2(M2)はミラー1120に対応する。ミラー3(M3)はミラー1130に対応する。ミラー4(M4)はミラー1140に対応する。ミラー5(M5)はミラー1150に対応する。ミラー6(M6)はミラー1160に対応する。
一般的に、ミラーによって反射したλの光の百分率は、ミラー表面上の光の入射角の関数として変化する。結像放射は、いくつかの異なる経路に沿って反射投影対物器械を通じて伝播するので、各ミラー上の光の入射角は異なるものとすることができる。凹面反射面401を含むミラー400の一部分を子午断面で示している図3を参照して、この効果を示す。結像放射は、光線410、420、及び430で示しているいくつかの異なる経路に沿って、表面401上へと入射する。光線410、420、及び430は、表面法線が異なる表面401の一部分の上に入射する。これらの部分における表面法線の方向をそれぞれ光線410、420、及び430に対応する線411、421、及び431で示している。光線410、420、及び430は、それぞれ角度θ410、θ420、及びθ430で表面401上に入射する。一般的に、角度θ410、θ420、及びθ430は、異なるものとすることができる。
投影対物器械101内の各ミラーにおいて、結像放射の入射角は、様々な種類で特徴付けることができる。1つの特徴付けは、投影対物器械101の子午断面における各ミラー上の子午光線の最大入射角である。子午光線は、子午断面内で延びる光線を意味する。一般的に、θは、投影対物器械101内の異なるミラーにおいて異なるものとすることができる。
一部の実施形態では、像側NAに対する最大値θmax(度における)の比率は、約100又はそれ未満(例えば、約80又はそれ未満、約70又はそれ未満、68又はそれ未満、約60又はそれ未満、約50又はそれ未満、約40又はそれ未満、約30又はそれ未満)とすることができる。
一部の実施形態では、像側NAに対する最大値θCR(max)(度における)の比率は、約100又はそれ未満(例えば、約80又はそれ未満、約70又はそれ未満、68又はそれ未満、約60又はそれ未満、約50又はそれ未満、約40又はそれ未満、約30又はそれ未満)とすることができる。
ある一定の実施形態では、ミラーは、約1、500mm又はそれ未満(例えば、約1、400nm又はそれ未満、約1、300mm又はそれ未満、約1、200mm又はそれ未満、約1、100mm又はそれ未満、約1、000mm又はそれ未満、約900mm又はそれ未満、約800mm又はそれ未満、約700mm又はそれ未満、約600mm又はそれ未満、約500mm又はそれ未満、約400mm又はそれ未満、約300mm又はそれ未満、約200mm又はそれ未満、約100mm又はそれ未満)の最大寸法を有する受光域を有することができる。ミラーは、約10mmよりも大きい(例えば、約20mm又はそれよりも大きく、約50mm又はそれよりも大きい)最大寸法を有する受光域を有することができる。
ある一定の実施形態では、投影対物器械101は、過走査ゼロで用いることができる。例えば、図7Cを参照すると、正方形のダイ部位740を露光させるために像視野730を用いる実施形態では、過走査ゼロで走査を達成することができる。
ここで、hoは、物体視野内の視野中心点の光軸からのx−y平面内の距離を意味し、Mは、投影対物器械の拡大倍率である。例えば、4Xの縮小(すなわち、M=0.25)を有し、視野中心点が光軸から120mmである投影対物器械では、doisは90mmである。
偏心及び/又は傾斜の後に、指定した光学性能基準に対して投影対物器械設計を最適化するように、各ミラーにおける自由形状を特定することができる。
一部の実施形態では、投影対物器械101は、視野絞りを含む。例えば、投影対物器械が中間像を含む実施形態では、視野絞りは、中間像に又はその近くに位置決めすることができる。
投影対物器械1200は、矩形の視野を有する。像側視野幅dxは26mmである。像側視野長dyは2mmである。投影対物器械1200の物体−像シフトはゼロである。
投影対物器械1200は、ミラー1240と1250の間に中間像をもたらす。
MxxMyで与えられる各ミラーの受光域の寸法は、ミラー1210において250mmx153mm、ミラー1020において70mmx69mm、ミラー1230において328mmx153mm、ミラー1240において325mmx112mm、ミラー1250において87mmx75mm、及びミラー1260において269mmx238mmである。
投影対物器械1200の像側自由作業距離は、40mmである。物体側自由作業距離は、439mmである。
投影対物器械1200では、dop-1/dop-2は、1.91である。更に、隣接ミラー対1240及び1250は、投影対物器械のトラック長の50%を超える分だけ分離している。また、ミラー1210と対物面103の間の距離は、投影対物器械のトラック長の50%よりも大きい。
投影対物器械1400は、矩形の視野を有する。像側視野幅dxは26mmである。像側視野長dyは2mmである。投影対物器械1000は、119mmの物体−像シフトを有する。
投影対物器械1300は、ミラー1340と1350の間に中間像をもたらす。
MxxMyで与えられる各ミラーの受光域の寸法は、ミラー1310において271mmx173mm、ミラー1320において69mmx65mm、ミラー1330において290mmx115mm、ミラー1340において272mmx66mm、ミラー1350において81mmx67mm、及びミラー1360において274mmx243mmである。
投影対物器械1300では、dop-1/dop-2は、1.63である。更に、隣接ミラー対1340及び1350は、投影対物器械のトラック長の50%を超える分だけ分離している。また、ミラー1310と対物面103の間の距離は、投影対物器械のトラック長の50%よりも大きい。
他の実施形態は、特許請求の範囲に説明している。
103 対物面
1100 マイクロリソグラフィ投影光学システム
1110、1120、1130、1140、1150、1160 光学要素
Claims (27)
- マイクロリソグラフィ投影光学システムであって、
−波長λを有する放射を対物面内の物体視野から像平面内の像視野に結像するように配列された複数の光学要素を含み、
−前記対物面から2.8mよりも遠くに位置する入射瞳を有し、
−光学システムの前記放射の経路が、前記対物面での法線に対して3°又はそれよりも大きい角度にある主光線を有する、
ことを特徴とする光学システム。 - 前記対物面においてテレセントリックであることを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記主光線は、前記対物面での前記法線に対して4°又はそれよりも大きい角度にあることを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 結像される反射性物体を前記物体視野に含むことを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 反射投影対物器械を有することを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記要素の少なくとも1つは、前記放射の経路に位置決めされた回転非対称表面を有する反射要素であり、
前記回転非対称表面は、1つ又はそれよりも多くの位置で最良適合回転対称表面からλ又はそれよりも大きく偏位している、
ことを特徴とする請求項1に記載の光学システム。 - 回転非対称表面が、1つ又はそれよりも多くの位置で約10λ又はそれよりも大きく最良適合回転対称表面から偏位することを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 回転非対称表面が、1つ又はそれよりも多くの位置で約20nm又はそれよりも大きく最良適合回転対称表面から偏位することを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記複数の要素は、子午面を形成し、該要素は、該子午面に対して鏡面対称であることを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記複数の要素は、前記放射の経路に位置決めされた回転非対称表面を有する反射要素である2つの要素を含むことを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記複数の要素は、主光線角度の正の拡大を有する反射要素を2つよりも多く含まないことを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記複数の要素は、主光線角度の正の拡大を有する反射要素を1つよりも多く含まないことを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 約0.2又はそれよりも大きい像側開口数を有することを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記像平面において矩形視野を有し、
直交方向の各々における前記矩形視野は、約1mm又はそれよりも大きい最小寸法を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の光学システム。 - 前記像視野での静的歪曲収差が、約10nm又はそれ未満であることを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記像視野での波面誤差が、約λ/14又はそれ未満であることを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記主光線は、前記対物面において0.05°以内で互いに平行であることを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記複数の要素は、前記像平面においてテレセントリックであることを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 光学システムを通る前記放射の経路が、主光線によって特徴付けられ、光学システムの子午断面に対して、視野中心点の該主光線は、前記要素の各々の表面上へのθ度の最大入射角を有し、光学システムが、0.3よりも大きい像側開口数NAを有し、比率θ/NAは、68よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 約75mm又はそれ未満の物体−像シフトを有することを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- λで前記放射を対物面に供給するように構成された放射源を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 前記放射源からの放射を前記対物面に位置決めされた物体に向けるように配列された1つ又はそれよりも多くの要素を含む照明システムを更に含み、
前記照明システムは、光学システムの入射瞳孔に対応する位置に位置決めされた要素を含む、
ことを特徴とする請求項22に記載の光学システム。 - 請求項23に記載の光学システムと、
レチクルを前記光学システムが該レチクルを像平面に結像するように対物面に位置決めするように構成された第1の可動台と、
物品を前記レチクルの像が該物品の表面にあるように前記像平面に位置決めするように構成された第2の可動台と、
を含むことを特徴とするマイクロリソグラフィツール。 - EUVマイクロリソグラフィツールであって、
−波長λを有する放射を対物面内の物体視野から像平面内の像視野に結像するように配列された複数の光学要素、
を含み、
−光学システムが、前記対物面においてテレセントリックであり、
−ツールが、30nm又はそれ未満のλで前記放射を対物面に供給するように構成された放射源を含み、
−ツールが、前記放射源からの放射を前記対物面に位置決めされた物体に向けるように配列された1つ又はそれよりも多くの要素を有する照明システムを含む、
ことを特徴とするツール。 - 微細構造構成要素をマイクロリソグラフィにより製造する方法であって、
−少なくとも放射光感応材料の層を有する基板を準備する段階、
−投影されることになる構造を有するマスクを準備する段階、
−請求項24又は請求項25に記載のマイクロリソグラフィツールを準備する段階、
−前記マイクロリソグラフィツールを用いて前記マスクの少なくとも一部を前記層の区域上に投影する段階、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項26に記載の方法によって製造される微細構造構成要素。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US79338706P | 2006-04-07 | 2006-04-07 | |
US60/793387 | 2006-04-07 | ||
PCT/EP2006/008869 WO2007031271A1 (en) | 2005-09-13 | 2006-09-12 | Microlithography projection optical system, method for manufacturing a device and method to design an optical surface |
EPPCT/EP2006/008869 | 2006-09-12 | ||
PCT/EP2007/000068 WO2007115597A1 (en) | 2006-04-07 | 2007-01-05 | Microlithography projection optical system, tool and method of production |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013206713A Division JP5830508B2 (ja) | 2006-04-07 | 2013-10-01 | マイクロリソグラフィ投影光学システム、装置、及び製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009532725A true JP2009532725A (ja) | 2009-09-10 |
JP2009532725A5 JP2009532725A5 (ja) | 2012-11-15 |
JP5479890B2 JP5479890B2 (ja) | 2014-04-23 |
Family
ID=40381811
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009503431A Active JP5479890B2 (ja) | 2006-04-07 | 2007-01-05 | マイクロリソグラフィ投影光学システム、装置、及び製造方法 |
JP2009503430A Expired - Fee Related JP5479889B2 (ja) | 2006-04-07 | 2007-01-05 | デバイス製造用のマイクロリソグラフィ投影光学システム及び方法 |
JP2013206713A Expired - Fee Related JP5830508B2 (ja) | 2006-04-07 | 2013-10-01 | マイクロリソグラフィ投影光学システム、装置、及び製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009503430A Expired - Fee Related JP5479889B2 (ja) | 2006-04-07 | 2007-01-05 | デバイス製造用のマイクロリソグラフィ投影光学システム及び方法 |
JP2013206713A Expired - Fee Related JP5830508B2 (ja) | 2006-04-07 | 2013-10-01 | マイクロリソグラフィ投影光学システム、装置、及び製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US20090052073A1 (ja) |
EP (2) | EP2005249A1 (ja) |
JP (3) | JP5479890B2 (ja) |
KR (1) | KR101475956B1 (ja) |
CN (1) | CN101416117B (ja) |
TW (2) | TWI498664B (ja) |
WO (2) | WO2007115596A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011109096A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Nikon Corp | 反射結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
WO2011065374A1 (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-03 | 株式会社ニコン | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0602897D0 (en) * | 2006-02-13 | 2006-03-22 | Jagotec Ag | Improvements In Or Relating To Dry Powder Inhaler Devices |
CN101416117B (zh) | 2006-04-07 | 2014-11-05 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投影光学***、工具及其制造方法 |
DE102007033967A1 (de) * | 2007-07-19 | 2009-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv |
DE102007045396A1 (de) * | 2007-09-21 | 2009-04-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Bündelführender optischer Kollektor zur Erfassung der Emission einer Strahlungsquelle |
DE102007062198A1 (de) | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | Katoptrisches Objektiv zur Abbildung eines im Wesentlichen linienförmigen Objektes |
EP2541324B1 (en) | 2008-03-20 | 2016-04-13 | Carl Zeiss SMT GmbH | Optical system |
DE102008033340B3 (de) * | 2008-07-16 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik |
DE102008042438B4 (de) * | 2008-09-29 | 2010-11-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens zwei Arbeitszuständen |
KR101478400B1 (ko) | 2009-03-06 | 2015-01-06 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 조명 광학 시스템 및 마이크로리소그래피용 광학 시스템 |
WO2010115500A1 (en) | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging optics and projection exposure installation for microlithography with an imaging optics of this type |
DE102009034028A1 (de) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
US8600186B2 (en) * | 2010-04-26 | 2013-12-03 | City University Of Hong Kong | Well focused catadioptric image acquisition |
US8317344B2 (en) | 2010-06-08 | 2012-11-27 | Nikon Corporation | High NA annular field catoptric projection optics using Zernike polynomial mirror surfaces |
EP2598931B1 (en) * | 2010-07-30 | 2020-12-02 | Carl Zeiss SMT GmbH | Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type |
JP5695197B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2015-04-01 | 東友ファインケム株式会社 | 露光システム |
DE102010062597A1 (de) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Abbildungssystem |
US9939633B2 (en) * | 2011-03-31 | 2018-04-10 | Next Scan Technology Bvba | Flat field telecentric scanner with diffraction limited performance |
KR102330570B1 (ko) | 2012-02-06 | 2021-11-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 반사 결상 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
DE102012219545A1 (de) * | 2012-10-25 | 2014-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungssystem für EUV-Lithographie und Verfahren zum Betreiben des Projektionsbelichtungssystems |
US20140218704A1 (en) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | Nikon Corporation | High na (numerical aperture) rectangular field euv catoptric projection optics using tilted and decentered zernike polynomial mirror surfaces |
DE102014208770A1 (de) * | 2013-07-29 | 2015-01-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik |
US10226173B2 (en) * | 2014-07-07 | 2019-03-12 | University Of Rochester | System and method for real-time montaging from live moving retina |
EP3221897A1 (en) | 2014-09-08 | 2017-09-27 | The Research Foundation Of State University Of New York | Metallic gratings and measurement methods thereof |
DE102014223811B4 (de) * | 2014-11-21 | 2016-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils |
CN105068381A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-11-18 | 江苏影速光电技术有限公司 | 一种曝光机光阑承载结构及曝光机光阑更换方法 |
CN105511075B (zh) * | 2016-01-13 | 2017-10-13 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种大视场摆扫二维像移补偿双通道成像仪光学*** |
FR3060135A1 (fr) * | 2016-12-13 | 2018-06-15 | Thales Sa | Telescope compact presentant une pluralite de focales compense par des composants optiques aspheriques |
DE102018200167A1 (de) * | 2018-01-08 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Pupillenfacettenspiegel, Beleuchtungsoptik und optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage |
CN110187596B (zh) * | 2019-06-26 | 2021-05-04 | 业成科技(成都)有限公司 | 光学投影装置与电子设备 |
CN110908098B (zh) * | 2019-11-11 | 2021-10-01 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种大视场消畸变离轴反射光学***及设计方法 |
CN112330556B (zh) * | 2020-11-03 | 2022-04-19 | 燕山大学 | 一种基于有理贝塞尔曲面的球幕投影几何校正方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100703A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法、並びに反射縮小投影光学系 |
JP2003015040A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2003045782A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Canon Inc | 反射型縮小投影光学系及びそれを用いた露光装置 |
JP2003233001A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004022722A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
Family Cites Families (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4650292A (en) * | 1983-12-28 | 1987-03-17 | Polaroid Corporation | Analytic function optical component |
EP0153903B1 (de) * | 1984-02-29 | 1988-11-09 | Heinrich-Hertz-Institut für Nachrichtentechnik Berlin GmbH | Nachrichtensystem für Bildkonferenzen |
US5071240A (en) * | 1989-09-14 | 1991-12-10 | Nikon Corporation | Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image |
US5063586A (en) * | 1989-10-13 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | Apparatus for semiconductor lithography |
US5309276A (en) * | 1991-08-29 | 1994-05-03 | Optical Research Associates | Catoptric optical system including concave and convex reflectors |
US5361292A (en) * | 1993-05-11 | 1994-11-01 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Condenser for illuminating a ring field |
JPH0736959A (ja) | 1993-07-15 | 1995-02-07 | Hitachi Ltd | 自由曲面光学系の設計方法 |
JP3358097B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2002-12-16 | 株式会社ニコン | X線投影露光装置 |
US6166866A (en) | 1995-02-28 | 2000-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type optical system |
EP0730180B1 (en) | 1995-02-28 | 2002-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type of zoom lens |
US6021004A (en) | 1995-02-28 | 2000-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type of zoom lens |
US6229595B1 (en) | 1995-05-12 | 2001-05-08 | The B. F. Goodrich Company | Lithography system and method with mask image enlargement |
US5815310A (en) * | 1995-12-12 | 1998-09-29 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture ring field optical reduction system |
US6522475B2 (en) | 1996-02-15 | 2003-02-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Zoom lens |
IT1294312B1 (it) * | 1997-08-07 | 1999-03-24 | Sgs Thomson Microelectronics | Processo per la fabbricazione di un dispositivo di memoria non volatile programmabile elettricamente |
US6240158B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-05-29 | Nikon Corporation | X-ray projection exposure apparatus with a position detection optical system |
US6226346B1 (en) * | 1998-06-09 | 2001-05-01 | The Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging systems with balanced distortion |
JP2000091209A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4238390B2 (ja) | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
US6858853B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US7006595B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-02-28 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Illumination system particularly for microlithography |
DE19923609A1 (de) * | 1998-05-30 | 1999-12-02 | Zeiss Carl Fa | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie |
US6577443B2 (en) * | 1998-05-30 | 2003-06-10 | Carl-Zeiss Stiftung | Reduction objective for extreme ultraviolet lithography |
US6072852A (en) * | 1998-06-09 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography |
US6142641A (en) * | 1998-06-18 | 2000-11-07 | Ultratech Stepper, Inc. | Four-mirror extreme ultraviolet (EUV) lithography projection system |
JP2000098230A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小結像光学系、該光学系を備えた露光装置および、該光学系を用いた露光方法 |
JP2000098228A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法、並びに反射縮小投影光学系 |
US6213610B1 (en) * | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
JP2000100694A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
US7151592B2 (en) * | 1999-02-15 | 2006-12-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
WO2002048796A2 (en) | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for euv lithography |
EP1772775B1 (de) * | 1999-02-15 | 2008-11-05 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
US6600552B2 (en) * | 1999-02-15 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss Smt Ag | Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus |
US6033079A (en) * | 1999-03-15 | 2000-03-07 | Hudyma; Russell | High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography |
JP2000286189A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法 |
US6426506B1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-07-30 | The Regents Of The University Of California | Compact multi-bounce projection system for extreme ultraviolet projection lithography |
JP4212721B2 (ja) * | 1999-06-10 | 2009-01-21 | 三菱電機株式会社 | 広角反射光学系 |
US6557443B1 (en) * | 1999-09-09 | 2003-05-06 | Larue Mark C. | Bar feeder for machining center |
JP2001185480A (ja) | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
TWI240849B (en) * | 2000-02-10 | 2005-10-01 | Asml Netherlands Bv | Object positioning method for a lithographic projection apparatus |
JP2002015979A (ja) | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP4741115B2 (ja) * | 2000-08-14 | 2011-08-03 | イーリス エルエルシー | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 |
DE10052289A1 (de) * | 2000-10-20 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv |
EP1327172A1 (de) | 2000-10-20 | 2003-07-16 | Carl Zeiss | 8-spiegel-mikrolithographie-projektionsobjektiv |
DE60206908T2 (de) | 2001-01-09 | 2006-07-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionssystem für die extrem-ultraviolettlithographie |
US6387723B1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-05-14 | Silicon Light Machines | Reduced surface charging in silicon-based devices |
JP4349550B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2009-10-21 | フジノン株式会社 | 反射型投映用光学系 |
TW594043B (en) | 2001-04-11 | 2004-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reflection type optical apparatus and photographing apparatus using the same, multi-wavelength photographing apparatus, monitoring apparatus for vehicle |
JP4134544B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2008-08-20 | 株式会社ニコン | 結像光学系および露光装置 |
JP3581689B2 (ja) | 2002-01-31 | 2004-10-27 | キヤノン株式会社 | 位相測定装置 |
EP1333260A3 (en) | 2002-01-31 | 2004-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Phase measuring method and apparatus |
JP2003233005A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003233002A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
US6989922B2 (en) * | 2002-06-21 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Deformable mirror actuation system |
JP2004031808A (ja) | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 露光装置の投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置及び該露光装置を用いた露光方法 |
JP2004029625A (ja) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP3938040B2 (ja) | 2002-12-27 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004252358A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系及び露光装置 |
JP2004252363A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系 |
JP2004258541A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Canon Inc | 反射型光学系 |
JP4428947B2 (ja) | 2003-06-30 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 結像光学系 |
JP2005055553A (ja) | 2003-08-08 | 2005-03-03 | Nikon Corp | ミラー、温度調整機構付きミラー及び露光装置 |
US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
JP2005166778A (ja) | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Canon Inc | 露光装置、デバイスの製造方法 |
JP2005172988A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
DE10359576A1 (de) | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung einer optischen Einheit |
DE10360414A1 (de) * | 2003-12-19 | 2005-07-21 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Projektionsobjektiv sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
US7114818B2 (en) | 2004-05-06 | 2006-10-03 | Olympus Corporation | Optical system, and electronic equipment that incorporates the same |
WO2006069725A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille |
DE102005042005A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
TWI308644B (en) | 2004-12-23 | 2009-04-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Hochaperturiges objektiv mlt obskurierter pupille |
JP2006245147A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR100604942B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2006-07-31 | 삼성전자주식회사 | 비축상(off-axis) 프로젝션 광학계 및 이를 적용한극자외선 리소그래피 장치 |
EP1924888B1 (en) | 2005-09-13 | 2013-07-24 | Carl Zeiss SMT GmbH | Microlithography projection optical system, method for manufacturing a device and method to design an optical surface |
DE102006003375A1 (de) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Gruppenweise korrigiertes Objektiv |
CN101416117B (zh) | 2006-04-07 | 2014-11-05 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投影光学***、工具及其制造方法 |
-
2007
- 2007-01-05 CN CN200780012528.9A patent/CN101416117B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-05 EP EP07702604A patent/EP2005249A1/en not_active Withdrawn
- 2007-01-05 JP JP2009503431A patent/JP5479890B2/ja active Active
- 2007-01-05 WO PCT/EP2007/000067 patent/WO2007115596A1/en active Application Filing
- 2007-01-05 WO PCT/EP2007/000068 patent/WO2007115597A1/en active Application Filing
- 2007-01-05 EP EP07702605A patent/EP2005250B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-05 JP JP2009503430A patent/JP5479889B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-15 TW TW103118396A patent/TWI498664B/zh active
- 2007-02-15 TW TW096105706A patent/TWI451186B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-09-18 US US12/233,384 patent/US20090052073A1/en not_active Abandoned
- 2008-09-23 US US12/235,957 patent/US8970819B2/en active Active
- 2008-11-07 KR KR1020087027380A patent/KR101475956B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-02-08 US US12/702,040 patent/US20100134907A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-10-01 JP JP2013206713A patent/JP5830508B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-06 US US14/298,185 patent/US20140327898A1/en not_active Abandoned
- 2014-09-25 US US14/496,367 patent/US9482961B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100703A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法、並びに反射縮小投影光学系 |
JP2003015040A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2003045782A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Canon Inc | 反射型縮小投影光学系及びそれを用いた露光装置 |
JP2003233001A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004022722A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011109096A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Nikon Corp | 反射結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
WO2011065374A1 (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-03 | 株式会社ニコン | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JPWO2011065374A1 (ja) * | 2009-11-24 | 2013-04-18 | 株式会社ニコン | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2016001308A (ja) * | 2009-11-24 | 2016-01-07 | 株式会社ニコン | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US9557548B2 (en) | 2009-11-24 | 2017-01-31 | Nikon Corporation | Image-forming optical system, exposure apparatus, and device producing method |
US9939733B2 (en) | 2009-11-24 | 2018-04-10 | Nikon Corporation | Image-forming optical system, exposure apparatus, and device producing method |
KR101946596B1 (ko) * | 2009-11-24 | 2019-02-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20190016125A (ko) * | 2009-11-24 | 2019-02-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US10228623B2 (en) | 2009-11-24 | 2019-03-12 | Nikon Corporation | Image-forming optical system, exposure apparatus, and device producing method |
KR102074476B1 (ko) * | 2009-11-24 | 2020-02-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20200015812A (ko) * | 2009-11-24 | 2020-02-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US10866522B2 (en) | 2009-11-24 | 2020-12-15 | Nikon Corporation | Image-forming optical system, exposure apparatus, and device producing method |
KR102223843B1 (ko) | 2009-11-24 | 2021-03-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20210025715A (ko) * | 2009-11-24 | 2021-03-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR102290738B1 (ko) | 2009-11-24 | 2021-08-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20210102486A (ko) * | 2009-11-24 | 2021-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR102438345B1 (ko) | 2009-11-24 | 2022-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US11467501B2 (en) | 2009-11-24 | 2022-10-11 | Nikon Corporation | Image-forming optical system, exposure apparatus, and device producing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5830508B2 (ja) | 2015-12-09 |
WO2007115596A1 (en) | 2007-10-18 |
JP5479890B2 (ja) | 2014-04-23 |
TWI451186B (zh) | 2014-09-01 |
US20090051890A1 (en) | 2009-02-26 |
TWI498664B (zh) | 2015-09-01 |
JP2009532724A (ja) | 2009-09-10 |
KR101475956B1 (ko) | 2014-12-23 |
EP2005250B1 (en) | 2012-11-07 |
EP2005249A1 (en) | 2008-12-24 |
CN101416117A (zh) | 2009-04-22 |
US8970819B2 (en) | 2015-03-03 |
JP5479889B2 (ja) | 2014-04-23 |
US20140327898A1 (en) | 2014-11-06 |
US9482961B2 (en) | 2016-11-01 |
CN101416117B (zh) | 2014-11-05 |
US20100134907A1 (en) | 2010-06-03 |
JP2014038350A (ja) | 2014-02-27 |
WO2007115597A1 (en) | 2007-10-18 |
KR20090040257A (ko) | 2009-04-23 |
US20090052073A1 (en) | 2009-02-26 |
EP2005250A1 (en) | 2008-12-24 |
US20150049319A1 (en) | 2015-02-19 |
TW201433874A (zh) | 2014-09-01 |
TW200739243A (en) | 2007-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5830508B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影光学システム、装置、及び製造方法 | |
JP5689147B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 | |
JP2009532725A5 (ja) | ||
JP2009532724A5 (ja) | ||
JP5269079B2 (ja) | 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物系 | |
JP5746259B2 (ja) | 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物系 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120326 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120626 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120703 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120726 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120802 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120827 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120903 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20120926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130401 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130628 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130705 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130723 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130730 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130902 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130909 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5479890 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |