JP2009530288A - 特に黒色腫の処置のためのヘテロ環式有機化合物 - Google Patents

特に黒色腫の処置のためのヘテロ環式有機化合物 Download PDF

Info

Publication number
JP2009530288A
JP2009530288A JP2009500458A JP2009500458A JP2009530288A JP 2009530288 A JP2009530288 A JP 2009530288A JP 2009500458 A JP2009500458 A JP 2009500458A JP 2009500458 A JP2009500458 A JP 2009500458A JP 2009530288 A JP2009530288 A JP 2009530288A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound according
compound
kinase
substituted
raf
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009500458A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009530288A5 (ja
Inventor
デイビッド・ブライアント・バット
ルネ・ベルリ
グイド・ボルト
ジョルジョ・カラヴァッティ
ティモシー・マイケル・ラムジー
Original Assignee
ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト filed Critical ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト
Publication of JP2009530288A publication Critical patent/JP2009530288A/ja
Publication of JP2009530288A5 publication Critical patent/JP2009530288A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
    • C07D401/04Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61KPREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K31/00Medicinal preparations containing organic active ingredients
    • A61K31/33Heterocyclic compounds
    • A61K31/395Heterocyclic compounds having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins
    • A61K31/495Heterocyclic compounds having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins having six-membered rings with two or more nitrogen atoms as the only ring heteroatoms, e.g. piperazine or tetrazines
    • A61K31/505Pyrimidines; Hydrogenated pyrimidines, e.g. trimethoprim
    • A61K31/506Pyrimidines; Hydrogenated pyrimidines, e.g. trimethoprim not condensed and containing further heterocyclic rings
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P17/00Drugs for dermatological disorders
    • A61P17/02Drugs for dermatological disorders for treating wounds, ulcers, burns, scars, keloids, or the like
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P25/00Drugs for disorders of the nervous system
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P25/00Drugs for disorders of the nervous system
    • A61P25/06Antimigraine agents
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P27/00Drugs for disorders of the senses
    • A61P27/02Ophthalmic agents
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P29/00Non-central analgesic, antipyretic or antiinflammatory agents, e.g. antirheumatic agents; Non-steroidal antiinflammatory drugs [NSAID]
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P3/00Drugs for disorders of the metabolism
    • A61P3/08Drugs for disorders of the metabolism for glucose homeostasis
    • A61P3/10Drugs for disorders of the metabolism for glucose homeostasis for hyperglycaemia, e.g. antidiabetics
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P35/00Antineoplastic agents
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P43/00Drugs for specific purposes, not provided for in groups A61P1/00-A61P41/00
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P9/00Drugs for disorders of the cardiovascular system
    • A61P9/04Inotropic agents, i.e. stimulants of cardiac contraction; Drugs for heart failure
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P9/00Drugs for disorders of the cardiovascular system
    • A61P9/10Drugs for disorders of the cardiovascular system for treating ischaemic or atherosclerotic diseases, e.g. antianginal drugs, coronary vasodilators, drugs for myocardial infarction, retinopathy, cerebrovascula insufficiency, renal arteriosclerosis
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/14Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing three or more hetero rings

Abstract

本発明は、ある種の化合物が、MAPキナーゼシグナル伝達経路において機能するチロシンおよびセリン/スレオニンキナーゼおよびキナーゼ様タンパク質、例えばRAFキナーゼ、セリン/スレオニンキナーゼを阻害するとの発見に関し、これらの化合物を含む組成物、およびチロシンおよびセリン/スレオニンキナーゼおよびキナーゼ類似物依存性疾患、例えば血管形成、癌および心肥大を処置するためのこれらを使用する方法に関する。
【化1】

Description

要約
本発明は、ある種の化合物が、MAPキナーゼシグナル伝達経路において機能するチロシンおよびセリン/スレオニンキナーゼおよびキナーゼ様タンパク質、例えばRAFキナーゼ、セリン/スレオニンキナーゼを阻害し、制御しおよび/または調節するとの発見に関し、これらの化合物を含む組成物、およびチロシンおよびセリン/スレオニンキナーゼおよびキナーゼ類似物(kinase-like)依存性疾患、例えば血管形成、癌および心肥大の処置のためにそれらを使用する方法に関する。
背景
細胞は、それらの細胞外環境の種々の様相を、種々のシグナル伝達経路を使用することにより核に伝達している。これらのシグナルの多くはタンパク質キナーゼにより伝達され、それはホスフェート基の伝達を通して種々の因子を活性化する。適当なキナーゼ活性の阻害によるシグナル伝達の妨害は、bcr−ablキナーゼの阻害剤であり、そのメシレート塩として商品名GLEEVEC(米国で)またはGLIVECの下に市販されているイマチニブにおいて証明されている通り、臨床的利点を有し得る。
MAPキナーゼシグナル伝達経路は、当分野で、増殖因子がそれらの増殖のためのシグナルを、細胞外環境から細胞核に伝達するための経路の一つとして知られている。増殖因子は、細胞表面上に位置する経膜受容体を活性化し、それが次いでカスケードを開始し、それによりRASが活性化され、そしてRAFキナーゼが膜に招集され、その場所でそれが活性化し、続いてMEKキナーゼを活性化し、それが次いでERKキナーゼを活性化する。活性化ERKキナーゼは核に移動でき、そこで、それは種々の遺伝子転写因子を活性化する。この経路の異常は、遺伝子転写変化、細胞増殖に至り得て、アポトーシスを負に制御し、増殖性および血管新生シグナルを伝達することにより腫瘍発現(tumorogenicity)に関与する。RAFキナーゼ阻害剤は、MAPキナーゼシグナル伝達経路を介したシグナル伝達を遮断することが示されている。
RAFキナーゼファミリーは、RAF−1としても既知のC−RAF、B−RAFおよびA−RAFの3メンバーを有することが知られている。B−RAFキナーゼが、試験した黒色腫細胞株の59%を含むヒト癌において、数種の体細胞点突然変異の一つにより一般的に活性化されることが報告されている。Davies, H. et al, Nature 417, 949-954 (2002)参照。本発明は、RAFキナーゼファミリーの1種以上のメンバーを効率的に阻害する化合物のクラスの発見に関する。
本化合物のRAFキナーゼ阻害特性は、それらを、異常MAPキナーゼシグナル伝達経路により特徴付けられる増殖性疾患、特にRAFキナーゼの過剰発現またはRAFキナーゼの活性化変異により特徴付けられる多くの癌、例えば変異したB−RAFを有する黒色腫、とりわけ変異したB−RAFがV599E変異体である黒色腫の治療のための治療剤として有用とする。本発明はまた、本化合物での、異常MAPキナーゼシグナル伝達経路により特徴付けられる他の状態、特にB−RAFが変異している状態、例えば変異したB−RAFを有する良性母斑(Nevi moles)の処置方法も提供する。
記載
本発明の第一の局面は、医薬として使用するための式(I)
Figure 2009530288
〔式中、
、A、A、Aの各々は、独立してNまたはC−Rから選択され、ここで、RはHまたはCの置換基部分であり、そして、A、AおよびAの少なくとも1個はNであり;
XはN−H、置換アミノ、OまたはSから選択される架橋部分であり;
は芳香環の置換基であり、そしてnは0〜4の整数であり;
YおよびDは、独立してO、S、CH、NH、R置換C、またはR置換Nから選択され、
はYおよびDを含む環の置換基であり、そしてrは0から環の有効原子価の最大数までの整数であり;
はヒドロカルビルおよびヘテロ環から選択される部分であり;
TはH、ハロゲン、O−R、S−R、SO−RSO−R、SO−N(R)、SO−N10およびSO−ハロゲンから選択され、ここで、Rは水素、置換または非置換脂肪族、シクロ脂肪族、ヘテロシクリルまたはアリールから選択され;そしてRは置換または非置換脂肪族、シクロ脂肪族、またはアリールであり、そしてNおよびR10は、一体となって、窒素Nを含む4、5、6、7または8員ヘテロ環式環であり;そしてpは0〜5の整数である。〕
の化合物またはその薬学的に許容される塩、エステルまたはプロドラッグを提供する。
本発明の第二の局面は、式(I)
Figure 2009530288
〔式中、
、A、A、Aの各々は、独立して、NまたはC−Rから選択され、ここで、RはHまたはCの置換基部分であり、そして、A、AおよびAの少なくとも1個はNであり;
XはN−H、置換アミノ、OまたはSから選択される架橋部分であり;
は芳香環の置換基であり、そしてnは0〜4の整数であり;
YおよびDは、独立してO、S、CH、NH、R置換C、またはR置換Nから選択され、
はYおよびDを含む環の置換基であり、そしてrは0から環の有効原子価の最大数までの整数であり;
はヒドロカルビルおよびヘテロ環から選択される部分であり;
TはH、ハロゲン、O−R、S−R、SO−RSO−R、SO−N(R)、SO−NR10およびSO−ハロゲンから選択され、ここで、Rは水素、置換または非置換脂肪族、シクロ脂肪族、ヘテロシクリルまたはアリールから選択され;そしてRは置換または非置換脂肪族、シクロ脂肪族、またはアリールであり、そしてNR10は含窒素ヘテロ環式環であり;そしてpは0〜5の整数である。〕
の化合物またはその薬学的に許容される塩、エステルまたはプロドラッグを提供し、
ここで、該化合物は:
Figure 2009530288
ではない。
好ましくはRが存在し(nは0ではない)、そして、独立してハロゲン、低級アルキル、ハロ−低級アルキル、カルボキシ、エステル化カルボキシ、ヒドロキシ、エーテル化またはエステル化ヒドロキシ、低級アルコキシ、フェニル、置換フェニル、低級アルカノイル、置換または非置換アミン、アミノ、一または二置換アミノ、アミジノ、ウレイド、メルカプト、N−ヒドロキシ−アミジノ、グアニジノ、アミジノ−低級アルキル、スルホ、スルファモイル、カルバモイル、シアノ、シアノ−低級アルキル、アゾ(N=N=N)およびニトロから独立して選択される。
(複数個存在するときは、各Rが独立して)は、好ましくはOH、O−アルキル、SH、S−アルキル、ハロゲン、置換または非置換アミン、CFおよびC−Cアルキルから選択される。最も好ましくはnが1である。
は、好ましくは置換または非置換脂肪族、脂環式、または芳香族部分、例えばシクロアルキル、ヘテロシクリルアルキル、フェニル、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピリジル、インドール、イソインドール、インダゾール、プリン、インドリジジン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、プテリジン、キノリジジンから選択される。好ましくはRは芳香族である。特にRは置換または非置換フェニル、イミダゾリル、ピロリル、オキサゾリルおよびイソオキサゾリルから選択され、とりわけRはフェニルまたは置換フェニルであり、ここで、該置換基は低級アルキル(C−C)、ハロゲン、OH、低級アルコキシ、NH、SH、S−アルキル、SO−アルキル、SO−アルキル、NH−アルキル、N−ジアルキル、カルボキシルまたはCFを含む。
故に、好ましくはX−R−(T)
Figure 2009530288
である。
Tは、好ましくはハロゲン、O−アルキル、O−アルキル−ハロゲン、SO−R、SO−NHR、SO−NR10およびSO−ハロゲン(ここで、ハロゲンは好ましくは塩素である)から選択し得る。
およびRは、好ましくは独立して、低級アルキル、とりわけC、C、CまたはCアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロlアルキル、低級アルケニル、低級アルキニル、低級アルコキシ、とりわけメトキシまたはエトキシ、低級アルカノイル、カルボキシ、アミノ、一または二置換アミノ、環状基、例えばフェニル、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピリジル、インドール、イソインドール、インダゾール、プリン、インドリジジン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、ピペリジル、プテリジン、キノリジジン、ピペラジニル、ピロリジン、モルホリニルおよびチオモルホリニルから選択し得る。
好ましくはRおよびRは、置換または非置換アルキルまたは置換または非置換アリールである。特にRは直鎖または分枝鎖アルキル、シクロアルキル、直鎖または分枝鎖ハロ−アルキル、アルコキシ、カルボキシアルキル、またはアルキルアミノであり得る。
最も好ましくは、Rはフェニルであり、そしてTは架橋基Xに対してパラ位に位置する。
TがO−Rであり、そしてRがフェニルであるとき、好ましくはTは架橋基Xに対してメタ位に位置する。
好ましくはpは1である。
特に好ましくはTは式(i)から(x):
Figure 2009530288
(式中、qは1〜4の整数であり、そしてsは0〜4の整数である)
から選択される部分である。
好ましくはAおよびAがNであり、そしてAおよびAがC−Rである。AおよびAがC−Hであるのが、とりわけ好ましい。
好ましくはXがN−Hである。
好ましくはRがOHである。
好ましくはYがCHである。好ましくはDがCHである。
好ましくは各RおよびR(存在するとき)は、各々、水素、ハロゲン、低級脂肪族(とりわけ低級アルキル)、ハロ−低級アルキル、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、エーテル化またはエステル化ヒドロキシ、低級アルコキシ、所望により置換されていてよい脂環式基または所望により置換されていてよい芳香族基、低級アルカノイルオキシ、低級アルカノイル、アミノ、一または二置換アミノ、アミジノ、ウレイド、メルカプト、N−ヒドロキシ−アミジノ、グアニジノ、アミジノ−低級アルキル、スルホ、スルファモイル、カルバモイル、シアノ、シアノ−低級アルキル、アゾ(N=N=N)およびニトロから独立して選択される。最も好ましくはrが0である。しかしながら、rが0ではないとき、好ましくはR(複数個存在するときは、それぞれのR)は、独立して、好ましくはOH、O−アルキル、SH、S−アルキル、ハロゲン、CFおよびC−Cアルキルから選択される。
本発明の好ましい態様において、式(I).II
Figure 2009530288
の部分は、テトラヒドロキノリン部分であり、ここで、好ましくはr=0である。好ましくはn=1である。好ましくはRがOHであり、従って、該部分はヒドロキシテトラヒドロキノリン、最も具体的に1,2,3,4−テトラヒドロキノリン−5−オール(式(I.III):
Figure 2009530288
である。
好ましい化合物は、式(II)、(III)および(IV):
Figure 2009530288
の化合物を含み、好ましくは、XがNHであり、Rがフェニルであり、nが1であり、および/またはpが1である。
他の好ましい化合物は、式(V):
Figure 2009530288
を有し、好ましくはAおよびAがNであり、そして、AおよびAがC−Rである。
さらに好ましい化合物は、式(VI)、(VII)および(VIII):
Figure 2009530288
を有し、好ましくはnが1である。
なおさらに好ましい化合物は、式(IX)
Figure 2009530288
を有する。
式(VI)から(IX)の化合物について、好ましくはpが1であり、そしてXがNHである。
他の好ましい化合物は:
式(X)
Figure 2009530288
〔式中、GがR、NHRまたはNR10であり、そして好ましくはXがNHである〕;
式(XI);
Figure 2009530288
および式(XII)
Figure 2009530288
の化合物を含む。
好ましくは、式(XII)の化合物において、TがO−Rである。
好ましくは、化合物(XI)および(XII)において、XがNHである。
本発明の第三の局面は、式:
Figure 2009530288
の化合物の製造方法であって、以下の反応スキームを含む方法を提供する:
Figure 2009530288
〔工程2はオプションであり、実施するとき、T’はTの前駆体であり、そしてR1’はRの前駆体であるかまたはRであり、そしてX、R、R、TおよびPは上記の通りである。〕。
好ましくはXがNHである。
好ましくはRがフェニルである。
好ましくはpが1である。
好ましくはR1’がOHである。
一つの好ましい態様において、TがSO−Gであり、ここで、GがR、NHRまたはNR10であり、そしてRおよびR10が、本発明の第一の局面において定義した通りである。
他の好ましい態様において、TがO−Rであり、ここで、Rが、本発明の第一の局面において定義した通りである。
好ましくは後者の態様においてX−R−(T)
Figure 2009530288
である。
本発明の他の局面は、
、A、AおよびAがNまたはCRであり、ここで、A、AおよびAの少なくとも1個がNであり;
XがN−R、OまたはSであり;
がOH、−O−アルキル、−SH、−S−アルキル、ハロゲン、置換または非置換アミン、−CFまたは−C−C−アルキルであり;
YがO、S、CRまたはNRであり;
DがO、S、CRまたはNRであり;
がアルキル、脂環式(alicycle)、ヘテロ環、脂肪芳香族性(aliaromatic)、ヘテロ(hetereo)芳香族性であり、これら全て置換されていてもされていなくてもよく;
TがH、−SO−NH−Rまたは−SO−Rであり;
がH、アルキルまたはアリールであり、これは置換されていてもされていなくてもよく;
がHまたはアルキル(alky)またはC(O)−O−C−Phであり;
nが0−4である;
式(I)の化合物またはその互変異性体、またはその塩である。
具体的に好ましいのは、、
およびAがNであり;
およびAがCHであり;
YがCHまたは−NH−C(O)−O−C−PhのようなNRであり;
XがNHであり;
DがCHであり;
がOH、Cl、MeまたはFであり;
がフェニル、イミダゾリル、ピロリル、オキサゾリルまたはイソキサゾール(isoxzole)であり、ここで、フェニルは、非置換であるか、または1個、2個または3個の−OMe基、Cl、CF、−SMe、OH、−O−[CH]−ピリジン、−O−[CH]−Clまたは−O−[CH]−モルホリノで置換されていてよく;そして
がH、CNMe、COH、−Nピペリジニル(pipeidinyl)、Me、Me(t−ブチル)、CCOOHまたはエチル(イソプロピル)であり;
がHであり;
nが0または1である;
式(I)の化合物またはその互変異性体、またはその塩である。
より一般的に、本明細書の文脈の範囲内で、式(IからXII)の化合物を記載するためにここで使用する一般的用語は、特記しない限り、以下の意味を有する。
ヒドロカルビルは、好ましくは最大20個の炭素原子、とりわけ最大12個の炭素原子を有するとして定義し得る。ヒドロカルビル基は、直鎖または分枝鎖脂肪族、例えばアルキル、アルケニルまたはアルキニルであってよく;それらは脂環式(すなわち脂肪族−環状)、例えばシクロアルキルであってよく;それらは芳香族、例えばフェニルであってよい。ヒドロカルビル基は、脂肪族、脂環式および芳香族部分から選択される2個以上の部分の組合せ、例えば少なくとも1個のアルキル基と芳香族基の組合せを含んでよい。いくつかの例では、ヒドロカルビル基は、所望により1個以上の鎖内ヘテロ原子、例えば−O−で中断されていてよく、故に、例えば、エーテル結合を形成する。
一または二置換アミノ部分は、アミノが所望によりヒドロカルビル部分で置換されていてよいと定義してよく、該ヒドロカルビル部分は、例えば、低級アルキル、とりわけC、C、CまたはCアルキル、シクロアルキル、とりわけシクロヘキシル、アルキル−カルボキシ、カルボキシ、低級アルカノイル、とりわけアセチル、炭素環式基、例えばシクロヘキシルまたはフェニル、ヘテロ環式基から選択され;ここで、該ヒドロカルビル部分は、非置換であるか、または、例えば低級アルキル(C、C、C、C、C、CまたはC)、ハロゲン、OH、低級アルコキシ、NH、SH、S−アルキル、SO−アルキル、SO−アルキル、NH−アルキル、N−ジアルキル、カルボキシル、CFで置換されており、ここで、アルキルは、0−3回O、S、Nで中断されている、所望により置換されていてよい分枝鎖、非分枝鎖または環状C1−6であり得る。
ここで使用する用語メルカプトは、一般構造−S−R(式中、Rは、ここに記載のH、アルキル、炭素環式(carbocylic)基およびヘテロ環式基から選択される)の部分を規定する。
ここで使用する用語グアニジノは、一般構造−NHR−C(NH)NHの部分および、特に、水素がアルキル、例えばメチルまたはエチルで置換されているその誘導体を規定する。
ここで使用する用語アミジノは、一般構造−C(NH)NHの部分および、特に、水素がアルキル、例えばメチルまたはエチルで置換されているその誘導体を規定する。
アルキルは、好ましくは最大20個、より好ましくは最大12個の炭素原子を有し、直鎖であるかまたは1回以上分枝しており;好ましいのは、低級アルキル、とりわけ好ましいのは、C−C−アルキル、特にメチル、エチルまたはi−プロピルまたはt−ブチルである。ここで、アルキルは、1個以上の置換基で置換されていてよい。非置換アルキル、好ましくは低級アルキルが、とりわけ好ましい。
アルキルは、所望により、1個以上の鎖内ヘテロ原子、例えば−O−で中断されていてよく、故に、例えば、エーテル結合を形成する。
置換アルキルは、直前に定義したアルキル、とりわけ低級アルキル、好ましくはメチルであり;ここで、主としてハロゲン、とりわけフッ素、アミノ、N−低級アルキルアミノ、N,N−ジ−低級アルキルアミノ、N−低級アルカノイルアミノ、ヒドロキシ、シアノ、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、およびフェニル−低級アルコキシカルボニルから成る群から選択される、1個以上、とりわけ3個までの置換基が存在し得る。トリフルオロメチルがとりわけ好ましい。一つの化合物のクラスは、アルキルがヘテロ環式環、例えばピラジン環で置換されている置換アルキルを含み、故に、アルキレン−het基、すなわち−CH−Hetを形成し、該アルキル基は、ヘテロ環と第二部分の間のリンカーとして有効に働く。
用語“低級”は、アルキル、アルコキシ、アルキルアミン、アルキルチオなどのような置換基に関するとき、最大7個(7個を含む)、とりわけ1個から最大4個(4個を含む)の炭素原子を有するラジカルを意味し、当該ラジカルは非分枝であるか、1個所以上分枝している。
低級アルキル、低級アルコキシ、モノ−またはジ−低級アルキルアミノ、低級アルキルチオおよびアルキル部分を含む他の置換基のアルキル部分は、とりわけC−Cアルキル、例えばn−ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、n−プロピル、イソプロピル、メチルまたはエチルである。このようなアルキル置換基は、特記しない限り、非置換であるか、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、低級アルコキシ、C、C、C、CまたはCシクロアルキル、アミノ、またはモノ−またはジ−低級アルキルアミノで置換されている。
ハロ−低級アルキル、ハロ−低級アルキルオキシ、ハロ−低級アルキルチオなどは、アルキル部分がハロゲンで一乃至完全に置換されているアルキル部分を有する、置換基を意味する。ハロ−低級アルキル、ハロ−低級アルキルオキシ、ハロ−低級アルキルチオなどは、置換低級アルキル、置換低級アルコキシ、置換低級アルキルチオなどに含まれる。
置換アルキル、ヒドロキシ−低級アルキル、とりわけ2−ヒドロキシエチル、および/またはハロ−低級アルキルに対応する部分の中で、とりわけトリフルオロメチルまたは2,2,2−トリフルオロエチルが好ましい。
脂環式基は、とりわけ3個、4個、5個、6個または7個の環内炭素原子を含み、非芳香族性であるが、飽和でも不飽和でもよい炭素環式基である。好ましい脂環式基は、シクロアルキル基を含み、それは好ましくはC−C10−シクロアルキル、とりわけシクロプロピル、ジメチルシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはシクロヘプチルであり、シクロアルキルは非置換であるか、1個以上、とりわけ1個、2個または3個の置換基で置換されている。
芳香族基は、ヘテロ環または炭素環であり、該ラジカルの芳香環炭素原子に位置する結合を介して結合している(または所望により連結基、例えば−O−または−CH−を介して結合している)。好ましくは、芳香族基は炭素環式であり、16個を超えない炭素原子の環系を有し、好ましくは単、二または三環式であり、完全にまたは一部置換されていてよく、例えば少なくとも2個の置換基で置換されていてよい。好ましくは、芳香族基は、フェニル、ナフチル、インデニル、アズレニルおよびアントリルから選択され、好ましくは各場合非置換であるか、または低級アルキル、とりわけメチル、エチルまたはn−プロピル、ハロ(とりわけフルオロ、クロロ、ブロモまたはヨード)、ハロ−低級アルキル(とりわけトリフルオロメチル)、ヒドロキシ、低級アルコキシ(とりわけメトキシ)、ハロ−低級アルコキシ(とりわけ2,2,2−トリフルオロエトキシ)、アミノ−低級アルコキシ(とりわけ2−アミノ−エトキシ)、低級アルキル(とりわけメチルまたはエチル)カルバモイル、N−(ヒドロキシ−低級アルキル)−カルバモイル(とりわけN−(2−ヒドロキシエチル)−カルバモイル)および/またはスルファモイル置換アリール、とりわけ対応する置換または非置換フェニルで置換されている。
置換芳香族基は、一般に、1−5個、好ましくは1個または2個の置換基で置換されている芳香族基である。適当な置換基は、アミノ、モノ−またはジ−低級アルキル置換アミノ(ここで、低級アルキル置換基は非置換でも、アルキル基について上記の置換基でさらに置換されていてもよい)、ハロゲン、低級アルキル、置換低級アルキル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、置換低級アルコキシ、ニトロ、シアノ、メルカプト、低級アルキルチオ、ハロ−低級アルキルチオ、ヘテロシクリル、ヘテロアリール、ヘテロシクリルアルキル、ヘテロアリールアルキル、低級アルカノイル、カルバモイル、およびN−モノ−またはN,N−ジ−低級アルキル置換カルバモイルから選択され、これに限定されず、ここで、低級アルキル置換基は、非置換であるか、またはさらに置換されていてもよい。
ヘテロ環は、16個以下の環員を有する芳香環または環系、好ましくは5〜7員の環である。ヘテロ環はまた、3〜10員非芳香環または環系を含み、好ましくは5または6員非芳香環であり、これは、完全にまたは一部飽和されていてもよい。各場合、環は窒素、酸素および硫黄から成る群から選択される1個、2個または3個のヘテロ原子を含み得る。ヘテロ環は、非置換であるか、または1個以上、とりわけ1〜3個、例えば1個の、同一または異なる置換基で置換されている。ヘテロ環上の重要な置換基は、ハロゲン、例えば、フッ素または塩素;モノ−またはジ−低級アルキル置換アミノ(ここで、アルキル基は非置換であるか、またはハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、低級アルコキシ、C−Cシクロアルキル、ヘテロ環式ラジカルまたはヘテロアリールラジカルで置換されている);低級アルキル、例えばメチルまたはエチル;ハロ−低級アルキル、例えばトリフルオロメチル;低級アルコキシ、例えばメトキシまたはエトキシ;ハロ−低級アルコキシ、例えば、トリフルオロメトキシ;低級アルキルチオ、例えばメチルメルカプト、ハロ−低級アルキルチオ、例えばトリフルオロメチルチオ、ヘテロアリールラジカル、ヘテロアリール−低級アルキレン、ヘテロ環式ラジカルまたはヘテロ環式−低級アルキレンから成る群から選択されるものである。
ヘテロ環は、とりわけ、オキシラニル、アジリニル、1,2−オキサチオラニル、イミダゾリル、チエニル、フリル、テトラヒドロフリル、ピラニル、チオピラニル、チアントレニル、イソベンゾフラニル、ベンゾフラニル、クロメニル、2H−ピロリル、ピロリル、ピロリニル、ピロリジニル、イミダゾリル、イミダゾリジニル、ベンゾイミダゾリル、ピラゾリル、ピラジニル、ピラゾリジニル、ピラノイル、チアゾリル、イソチアゾリル、ジチアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピペリジル、とりわけピペリジン−1−イル、ピペラジニル、とりわけピペラジン−1−イル、ピリダジニル、モルホリニル、とりわけモルホリノ、チオモルホリニル、とりわけチオモルホリノ、インドーリジニル、イソインドリル、3H−インドリル、インドリル、ベンゾイミダゾリル、クマリル、インダゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、プリニル、4H−キノリジニル、イソキノリル、キノリル、テトラヒドロキノリル、テトラヒドロイソキノリル、デカヒドロキノリル、オクタヒドロイソキノリル、ベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリル、キナゾリニル、キナゾリニル、シンノリニル、プテリジニル、カルバゾリル、β−カルボリニル、フェナントリジニル、アクリジニル、ペリミジニル、フェナントロリニル、フラザニル、フェナジニル、フェノチアジニル、フェノキサジニル、クロメニル、イソクロマニルおよびクロマニルから成る群から選択されるラジカルであり、これらのラジカルの各々は、非置換であるか、または低級アルキル、とりわけメチルまたはtert−ブチル、低級アルコキシ、とりわけメトキシ、およびハロ、とりわけブロモまたはクロロから成る群から選択される1〜2個のラジカルで置換されている。非置換ヘテロシクリル、とりわけピペリジル、ピペラジニル、チオモルホリノまたはモルホリノが好ましい。
ハロゲンは、とりわけフッ素、塩素、臭素またはヨウ素、特にフッ素、塩素または臭素、特にフッ素である。
シクロアルキルは、好ましくはC−C10−シクロアルキル、とりわけシクロプロピル、ジメチルシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはシクロヘプチルであり、シクロアルキルは、非置換であるか、または1個以上、とりわけ1〜3個の置換基で置換されている。
ヘテロシクリルアルキルは、1個以上の環内ヘテロ原子を含む以外シクロアルキルの通りであり、ピペリジル、ピペラジニル、ピロリジン、モルホリニルにより例示され得る。
エステル化カルボキシは、とりわけ低級アルコキシカルボニル、例えばtert−ブトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニル、フェニル−低級アルコキシカルボニル、またはフェニルオキシカルボニルである。
アルカノイルは、1級アルキルカルボニル、とりわけ低級アルカノイル、例えばアセチルである。特に、アルカノイル基は、置換基、例えばCO−Rで置換されていてよい。
複数表現での化合物、塩などの記載は、常に1個の化合物、1個の塩などを含むと理解すべきである。
本明細書および特許請求の範囲を通して、用語“含む”および“包含する”およびその語尾変化、例えば“含み”および“含んで”は、“含むが、限定されない”ことを意味し、他の部分、付加物、要素、整数または工程を除外することを意図しない(そして除外しない)。
全ての不斉炭素原子は、(R)−、(S)−または(R,S)−立体配置、好ましくは(R)−または(S)−立体配置で存在できる。何らかの不飽和を有するラジカルは、cis−、trans−または(cis、trans)形態で存在する。本化合物は、故に、異性体混合物としてまたは純粋異性体として、好ましくはエナンチオマー−純粋ジアステレオマーとして存在できる。
本発明は、開示の化合物の可能性のある互変異性体にも関する。
立体異性混合物、例えばジアステレオマー混合物は、それらの対応する異性体に、適当な分離方法により、それ自体既知の方法で分割できる。ジアステレオマー混合物は、例えばそれらの個々のジアステレオマーに、分別結晶、クロマトグラフィー、溶媒分配、および類似の方法で分割できる。この分割は、出発化合物または式Iもしくは式IIからXIIの化合物の各々のレベルで行い得る。エナンチオマーは、例えばエナンチオマー−純粋キラル酸との塩形成によるジアステレオマー塩の形成を介して、またはキラルリガンドのクロマトグラフ支持体を使用したクロマトグラフィー、例えばHPLCにより、分割できる。
塩は、とりわけ式(I)の化合物の薬学的に許容される酸付加塩である。このような塩は、例えば、塩基性窒素原子を有する式(I)の化合物と、好ましくは有機または無機酸との酸付加塩として、とりわけ薬学的に許容される塩として形成される。適当な無機酸は、例えば、ハロゲン化水素酸、例えば塩酸;硫酸;またはリン酸である。適当な有機酸は、例えば、カルボン酸、ホスホン酸、スルホン酸またはスルファミン酸、例えば酢酸、プロピオン酸、オクタン酸、デカン酸、ドデカン酸、グリコール酸、乳酸、2−ヒドロキシ酪酸、グルコン酸、グルコースモノカルボン酸、フマル酸、コハク酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グルカル酸、ガラクタル酸、アミノ酸、例えばグルタミン酸、アスパラギン酸、N−メチルグリシン、アセチルアミノ酢酸、N−アセチルアスパラギン、N−アセチルシステイン、ピルビン酸、アセト酢酸、ホスホセリン、2−または3−グリセロリン酸、マレイン酸、ヒドロキシマレイン酸、メチルマレイン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、サリチル酸、1−または3−ヒドロキシナフチル−2−カルボン酸、3,4,5−トリメトキシ安息香酸、2−フェノキシ安息香酸、2−アセトキシ安息香酸、4−アミノサリチル酸、フタル酸、フェニル酢酸、グルクロン酸、ガラクツロン酸、メタン−またはエタン−スルホン酸、2−ヒドロキシエタンスルホン酸、エタン−1,2−ジスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、2−ナフタレンスルホン酸、1,5−ナフタレンスルホン酸、N−シクロヘキシルスルファミン酸、N−メチル−、N−エチル−またはN−プロピル−スルファミン酸、または他の有機プロトン酸、例えばアスコルビン酸である。
単離および精製目的で、薬学的に許容されない塩、例えばピクリン酸塩または過塩素酸塩を使用することも可能である。薬学的に許容される塩または遊離化合物のみが(所望により医薬組成物の形で)治療的に使用され、それゆえ、これらが好ましい。
遊離形および、中間体として、例えば新規化合物の精製にまたはそれらの同定のために使用される塩を含むそれらの塩の形の新規化合物の間の密接な関係から、前記および後記で遊離化合物に対する全ての言及はまた、適当であり、好都合である限り、対応する塩も含むと理解すべきである。
本発明の化合物は、シグナル伝達に関与するチロシンおよびセリン/スレオニンキナーゼおよびキナーゼ様タンパク質を阻害し、制御しおよび/または調節し、本化合物を含む組成物は、哺乳動物におけるチロシンおよびセリン/スレオニンキナーゼおよびキナーゼ類似物依存性疾患、例えば血管形成、癌、腫瘍増殖、アテローム性動脈硬化症、加齢性黄斑変性症、糖尿病性網膜症、炎症性疾患、神経外傷性疾患、慢性神経変性、疼痛、偏頭痛または心肥大などの処置に有用であることが判明した。
具体的に、本発明の化合物は、IKK、PDGF−R、Kdr、c−Src、Her−1、Her−2、c−Kit、c−Abl、Ins−r、Tek、Flt−1、Flt−3、Flt−4、c−AbiおよびFGFR−1、Eph受容体(例えばEphB4)、CDK1、CDK2およびRETを、10マイクロモルで>70%阻害で阻害する。さらに具体的に、本化合物は、変異体を含むRAFキナーゼファミリーを、1−1000nMの範囲のIC50値で阻害する。
典型的に、患者は、MAPキナーゼ経路を介した過剰なシグナル伝達により特徴付けられる疾患に罹患している哺乳動物、一般にヒトである。これは、ウェスタンブロット分析または免疫組織化学のような方法により、経路のメンバーに対する特異的抗体の活性化状態により測定できる。このような方法は当業者に既知である。
一般に、MAPキナーゼシグナル伝達経路を介した過剰なシグナル伝達により特徴付けられる疾患は、増殖性疾患、特に上昇したRAFキナーゼ活性により特徴付けられる癌、例えば野生型B−またはC−RAFキナーゼを過剰発現する、または活性化変異RAFキナーゼ、例えば変異B−RAFキナーゼを発現する癌である。変異したRAFキナーゼが検出されている癌は、黒色腫、結腸直腸癌、卵巣癌、神経膠腫、腺癌、サルコーマ、乳癌および肝臓癌を含む。変異したB−RAFキナーゼは、とりわけ多くの黒色腫で優勢である。
本発明によって、疾患組織サンプルを患者から、例えば、生検または切除の結果として採り、試験して、該組織が変異RAFキナーゼ、例えば変異B−RAFキナーゼを産生するか、または野生型RAFキナーゼ、例えば野生型B−またはC−RAFキナーゼを過剰発現するか否かを決定する。該試験が、変異RAFキナーゼが産生されているかまたはRAFキナーゼが該疾患組織で過剰産生されていることを示すならば、該患者を、有効RAF阻害量のここに記載のRAF阻害化合物の投与により処置する。
しかしながら、カスケード中の他のキナーゼが、該経路における過剰シグナル伝達の原因であるならば、RAFキナーゼ阻害化合物でMAPキナーゼシグナル伝達経路を下方制御することも可能である。故に、本発明は、さらに、RAFキナーゼの活性化変異または過剰発現以外の理由が原因のMAPキナーゼシグナル伝達経路における過剰なシグナル伝達により特徴付けられる疾患の処置に関する。
組織サンプルを、一般的に当分野で既知の方法により試験する。例えば、B−RAF変異を、アレル特異的PCR、DHPLC、質量分析により検出し、野生型B−またはC−RAFの過剰発現を、免疫組織化学、免疫蛍光、またはウェスタンブロット分析により検出する。B−RAF変異の特に検出方法は、ポリメラーゼ連鎖反応を基礎にした方法である。同様の方法を使用して、カスケード中の他のキナーゼが変異しているかまたは過剰発現しているか否かを決定できる。
本発明の特に重要な局面は、黒色腫の処置方法であって、(a)患者からの黒色腫組織を試験して、該黒色腫組織が変異RAFキナーゼを発現するかまたは野生型RAFキナーゼを過剰発現するか否かを決定し、そして、(b)該黒色腫組織が野生型RAFキナーゼを過剰発現するか、または活性化変異B−RAFキナーゼを発現することが判明したならば、該患者を、有効RAFキナーゼ阻害量のここに記載のRAF阻害化合物で処置することを含む、方法に関する。
この態様の重要な局面は、黒色腫の処置方法であって、(a)患者からの黒色腫組織を試験して、該黒色腫組織がB−RAFキナーゼまたはC−RAFキナーゼ活性を過剰発現するか否かを決定し、そして(b)該黒色腫組織がB−RAFキナーゼまたはC−RAFキナーゼ活性を過剰発現することが判明したならば、該患者を、有効RAFキナーゼ阻害量のここに記載のRAF阻害化合物で処置することを含む、方法に関する。
この態様の他の重要な局面は、黒色腫の処置方法であって、(a)患者からの黒色腫組織を試験して、該黒色腫組織が変異B−RAFキナーゼを発現するか否かを決定し、そして(b)該黒色腫組織が変異B−RAFキナーゼを発現することが判明したならば、該患者を、有効RAFキナーゼ阻害量のここに記載のRAF阻害化合物で処置することを含む、方法に関する。
一般に、B−RAFキナーゼ変異は、引用したDaviesらの文献に記載のものの一つである。これらの変異は表1に要約する。
故に、本発明は、特には、患者からの組織サンプルにおけるB−RAFキナーゼ遺伝子またはタンパク質の変異を検出し、そして、患者を、有効B−RAFキナーゼ阻害化合物、とりわけ、ここに記載の化合物で処置することを含む、活性化変異B−RAFキナーゼにより特徴付けられる疾患の処置方法に関する。
故に、本発明は、さらに、黒色腫の処置に使用するための、(例えば式IからXIIの)化合物に関する。より具体的に、本発明は、活性化変異B−RAFキナーゼにより特徴付けられる疾患の処置に使用するための化合物に関する。
Figure 2009530288
さらに、本発明は、黒色腫の処置に使用するための医薬の製造における、(例えば式IからXIIの)化合物の使用を提供する。より具体的に、本発明は、活性化変異B−RAFキナーゼにより特徴付けられる疾患の処置に視由生するための医薬の製造における、化合物の使用を提供する。
本発明の重要な局面は、変異B−RAFキナーゼが表1に記載の変異、とりわけV599E変異を示す場合を含む。
本発明の特に重要な局面は、疾患が黒色腫であり、そして変異B−RAFキナーゼが表1に記載の変異、とりわけV599E変異を示す場合を含む。
従って、本発明は、患者からの組織サンプルにおける、変異B−RAFキナーゼにより特徴付けられる疾患の処置方法であって、B−RAFキナーゼ遺伝子におけるG1388A、G1388T、G1394C、G1394A、G1394T、G1403C、G1403A、G1753A、T1782G、G1783C、C1786G、T1787G、T1796AおよびTG1796−97ATから選択される変異、またはRAFキナーゼタンパク質における対応する変異を検出し、該患者を、ここに記載の有効B−RAFキナーゼ阻害化合物で処置することを含む、方法を含む。
本発明は、さらに、式(I)の化合物、またはより具体的に式(II)から(XII)の化合物のいずれか1個とRAFキナーゼを接触させることを含む、RAFキナーゼの阻害方法に関する。好ましくは、RAFキナーゼはB−またはC−RAFキナーゼ、または変異RAFキナーゼ、とりわけ変異B−RAFキナーゼ、特にV599E変異体である。RAFキナーゼは、単離されていても細胞環境中にあってもよい。
式(I)の化合物、およびより具体的に式(II)から(XII)の化合物は、上記の通り、価値ある薬理学的特性を有する。
本発明の化合物は、単独で、または、他の抗癌剤、例えば腫瘍血管形成を阻害する化合物、例えば、プロテアーゼ阻害剤、上皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、血管内皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤など;細胞毒性剤、例えばプリンおよびピリミジン類似体代謝拮抗剤のような代謝拮抗剤;微小管安定化剤および抗有糸***アルカロイドのような有糸***阻害剤;白金配位錯体;抗腫瘍抗生物質;アルキル化剤、例えば窒素マスタードおよびニトロソウレア;内分泌剤、例えばアドレノコルチコステロイド、アンドロゲン、抗アンドロゲン、エストロゲン、抗エストロゲン、アロマターゼ阻害剤、ゴナドトロピン放出ホルモンアゴニストおよびソマトスタチンアナログおよび過剰発現されているおよび/または他の方法で腫瘍細胞中で上方制御されている特異的代謝経路に関与する酵素または受容体を標的とする化合物、例えばATPおよびGTPホスホジエステラーゼ阻害剤、タンパク質キナーゼ阻害剤、例えばセリン、スレオニンおよびチロシンキナーゼ阻害剤、例えば、Abelsonタンパク質チロシンキナーゼおよび種々の増殖因子、それらの受容体およびキナーゼ阻害剤、例えば、上皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、血管内皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、線維芽細胞増殖因子阻害剤、インシュリン様増殖因子受容体阻害剤および血小板由来増殖因子受容体キナーゼ阻害剤など;メチオニンアミノペプチダーゼ阻害剤、プロテアソーム阻害剤、シクロオキシゲナーゼ阻害剤、例えば、シクロオキシゲナーゼ−1または−2阻害剤、およびヒストンデアセチラーゼ阻害剤と組み合わせて投与してよい。
本発明の化合物はまた放射線療法、免疫療法、外科的処置またはそれらの組合せと投与してもよい。腫瘍寛解後の患者の状態を維持するための処置または、例えば危険な患者における場合の科学予防的処置でさえ可能である。
本発明の化合物は、ヒトの(予防的および、好ましくは、治療的)処置だけではなく、例えば商業的に有用な動物、例えば齧歯類、例えばマウス、ウサギまたはラット、またはモルモットのような他の温血動物の処置への使用も意図する。
一般に、本発明はまたRAFキナーゼ活性の阻害における、式(I)の化合物の使用、およびより具体的に式(II)から(XII)の化合物の使用にも関する。
本発明の化合物は、好ましくは医薬組成物中の活性成分として投与する。異常MAPキナーゼシグナル伝達経路により特徴付けられる疾患、とりわけ、腫瘍疾患、最も具体的に黒色腫を有する温血動物、とりわけヒトまたは商業的に有用な哺乳動物に投与するのに適した、式(I)の化合物、または塩形成基が存在するときその薬学的に許容される塩を、RAFキナーゼ、特に変異RAFキナーゼの阻害に有効な量で、少なくとも1種の薬学的に許容される担体と共に含む、医薬組成物が好ましい。
また、処置を必要とする、とりわけ腫瘍疾患および他の増殖性疾患を有する、温血動物、とりわけヒトまたは商業的に有用な哺乳動物におけるこのような疾患の予防的またはとりわけ治療的処置のための、活性成分として新規式(I)の化合物、またはその薬学的に許容される塩を、記載の疾患に対して予防的またはとりわけ治療的に有効な量で含む、医薬組成物も好ましい。
医薬組成物は、約1%から約95%活性成分を含み、1回投与形態である投与形態は、好ましくは約20%から約90%活性成分を含み、1回投与形態ではない投与形態は、好ましくは約5%から約20%活性成分を含む。単位投与形態は、例えば、糖衣錠、錠剤、アンプル、バイアル、坐薬またはカプセルである。他の投与形態は、例えば、軟膏、クリーム、ペースト、フォーム、チンキ、リップスティック、液滴、スプレー、分散などである。例は、約0.05gから約1.0gの活性成分を含むカプセルである。
本発明の医薬組成物は、個々にそれ自体既知の複数工程を用いて、例えば慣用の混合、造粒、糖衣、溶解または凍結乾燥工程の手段により製造する。
活性成分の溶液に加えて、また懸濁液または分散、とりわけ等張性水性溶液、分散または懸濁液を好ましくは使用し、それは、例えば、活性成分を単独で、または担体、例えばマンニトールと共に含む凍結乾燥組成物の場合、使用前に調製できる。本医薬組成物は滅菌してよくおよび/または賦形剤、例えば防腐剤、安定化剤、湿潤剤および/または乳化剤、可溶化剤、浸透圧調整用塩および/または緩衝剤を含んでよく、それ自体既知の方法で、例えば慣用の溶解または凍結乾燥法の手段により製造する。記載の溶液または懸濁液は、増粘物質、例えばナトリウムカルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、デキストラン、ポリビニルピロリドンまたはゼラチン、または可溶化剤、例えばTween 80[ポリオキシエチレン(20)ソルビタンモノオレエート;ICI Americas, Inc, USAの商標]を含み得る。
油中懸濁液は、油性成分として注射目的で慣用的な植物油、合成油または半合成油を含む。このようなものとして、とりわけ、酸成分として8〜22個、とりわけ12〜22個の炭素原子を有する長鎖脂肪酸を含む液体脂肪酸エステル、例えばラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マーガリン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸または対応する不飽和酸、例えばオレイン酸、エライジン酸、エルカ酸、ブラシジン酸またはリノール酸を、所望により抗酸化剤、例えばビタミンE、β−カロテンまたは3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシトルエンの添加と共に含むものを特記し得る。これらの脂肪酸エステルのアルコール要素は、最大6個の炭素原子を有し、一価または多価、例えば一価、二価または3価アルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールまたはペンタノールまたはそれらの異性体だけでなく、とりわけグリコールおよびグリセロールである。特記し得る脂肪酸エステルの例は:エチルオレエート、イソプロピルミリステート、イソプロピルパルミテート、“Labrafil M 2375”(Gattefosse, Parisのポリオキシエチレングリセロールトリオレエート)、“Labrafil M 1944 CS”(杏仁油の加アルコール分解により製造した不飽和ポリグリコール化グリセリドであり、グリセリドおよびポリエチレングリコールエステルから成る;Gattefosse, France)、“Labrasol”(TCMの加アルコール分解により製造した飽和ポリグリコール化グリセリドであり、グリセリドおよびポリエチレングリコールエステルから成る;Gattefosse, France)および/または“Miglyol 812”(Huels AG, GermanyのCからC12の鎖長を有する飽和脂肪酸のトリグリセリド)だけでなく、とりわけ植物油、例えば綿実油、アーモンド油、オリーブ油、ヒマシ油、ゴマ油、ダイズ油、およびとりわけ、落花生油である。
注射用組成物の製造は、慣用の方法で滅菌条件下に行い、これはまたそれらの、例えばアンプルまたはバイアルへの充填および容器の密封にも適用される。
経口投与用医薬組成物は、例えば、活性成分と1種以上の固体担体を合わせ、適当であれば得られた混合物を造粒し、望むならば、該混合物または顆粒を、適当であればさらなる賦形剤を添加後に、錠剤または糖衣錠コアに加工することにより得ることができる。
適当な担体は、とりわけ増量剤、例えば糖、例えばラクトース、サッカロース、マンニトールまたはソルビトール、セルロース製剤および/またはリン酸カルシウム、例えばリン酸三カルシウムまたはリン酸水素カルシウム、また結合剤、例えばデンプン、例えばコーン、小麦、米またはジャガイモデンプン、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ナトリウムカルボキシメチルセルロースおよび/またはポリビニルピロリドン、および/または、望むならば、崩壊剤、例えば上記デンプン、またカルボキシメチルデンプン、架橋ポリビニルピロリドン、アルギン酸またはその塩、例えばアルギン酸ナトリウムである。さらなる賦形剤は、とりわけ流動調節剤および平滑剤、例えばケイ酸、タルク、ステアリン酸またはその塩、例えばステアリン酸マグネシウムまたはカルシウム、および/またはポリエチレングリコール、またはその誘導体である。
糖衣錠コアは、所望により腸溶性の、コーティングを施し得て、とりわけ、タルク、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコールおよび/または二酸化チタンを含み得る濃縮糖溶液、または適当な有機溶媒または溶媒混合物中のコーティング溶液、または、腸溶性コーティングのために、適当なセルロース製剤、例えば酢酸フタル酸セルロースまたはヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレートの溶液を使用する。着色剤または色素を、例えば同定目的でまたは活性成分の異なる量を示すために、錠剤または糖衣錠コーティングに添加してよい。
経口投与用医薬組成物はまた硬ゼラチンカプセルおよびゼラチンと可塑剤、例えばグリセロールまたはソルビトールから成る軟密封カプセルである。硬ゼラチンカプセルは、例えば、増量剤、例えばコーンデンプン、結合剤および/または流動促進剤、例えばタルクまたはステアリン酸マグネシウム、および所望により安定化剤と混合した顆粒の形の活性成分を含み得る。軟カプセルにおいて、活性成分は、好ましくは適当な液体賦形剤、例えば脂肪油、パラフィン油または液体ポリエチレングリコールまたはエチレングリコールまたはプロピレングリコールの脂肪酸エステルに溶解または懸濁させ、それは同様に、例えばポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル・タイプのような安定化剤および崩壊剤を添加することが可能である。
適当な直腸投与可能医薬組成物は、例えば、活性成分と坐薬基剤から成る坐薬である。適当な坐薬基剤は、例えば、天然または合成トリグリセリド、パラフィン炭化水素、ポリエチレングリコールまたは高級アルカノールである。
非経腸投与について、とりわけ、水可溶性形、例えば水可溶性塩の形の活性成分の水性溶液、または、増粘剤、例えばナトリウムカルボキシメチルセルロース、ソルビトールおよび/またはデキストラン、および、望むならば、安定化剤を含む水性注射用懸濁液が適する。活性成分、所望により賦形剤と共に、凍結乾燥の形でもあり得て、適当な溶媒の添加により、非経腸投与前に溶液とし得る。
例えば、非経腸のために使用する溶液は、輸液溶液としても使用できる。
好ましい防腐剤は、例えば、抗酸化剤、例えばアスコルビン酸、または殺菌剤、例えばソルビン酸または安息香酸である。
本発明は、とりわけ異常MAPキナーゼシグナル伝達経路、とりわけRAFキナーゼの阻害に応答する疾患、とりわけ対応する腫瘍疾患を処置する工程または方法に関する。式(I)の化合物は、それ自体で、または医薬組成物の形で、好ましくは記載の疾患に対する有効量で、そのような処置を必要とする温血動物、例えばヒトに、予防的にまたは治療的に投与でき、本化合物はとりわけ医薬組成物の形で使用する。約70kgの体重の場合、1日量約0.1gから約5g、好ましくは約0.5gから約2gの本発明の化合物を投与する。
各特定の場合の好ましい投与量、組成物および医薬製剤(医薬)の製造は、上記である。
本発明の化合物は、好ましくは、以下の例示的反応スキームに従い製造し、該方法の各個々の工程は、当業者には一般的な観点で既知である。
本発明の方法を示す一般的スキームは上記である。上記スキームのより具体的なバリエーションを以下に示す(スキームG):
Figure 2009530288
R基の例は、以下のスキーム1および2に示す通り、硫黄を含む基である:
Figure 2009530288
スキーム1の反応の特定の例を以下に示す:
Figure 2009530288
本発明に従う第三のスキームを以下に示す:
Figure 2009530288
反応スキーム3の特定の例を以下のスキーム4に示す。
Figure 2009530288
製造方法を、ここで、1−{2−[3−(3−クロロ−プロポキシ)−フェニルアミノ]−ピリミジン−4−イル}−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オールおよび種々の1−{2−[3−(スルホニル、スルファニルおよびスルホンアミノ)−フェニルアミノ]−ピリミジン−4−イル}−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール誘導体の具体的製造を参照して説明する。
融点試験および質量分光学評価の結果も示す。
1−{2−[3−(3−クロロ−プロポキシ)−フェニルアミノ]−ピリミジン−4−イル}−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール
中間体合成:
[3−(3−クロロ−プロポキシ)−フェニル]−(4−クロロ−ピリミジン−2−イル)−アミン:
Figure 2009530288
22.98g(161.64mmol)2−メチルスルファニル−ピリミジン−4−オールの90mL DMEU溶液の100℃への加熱は透明溶液をもたらす。ここで、30g(161.64mmol)3−(3−クロロ−プロポキシ)−フェニルアミンを添加する。100℃での加熱を15時間続ける。反応混合物の10mLフラクションを水性重炭酸ナトリウムに注ぎ、酢酸エチルで抽出する。溶媒蒸発後、褐色油状物を10mL DMEUに溶解し、35mL POClを添加する。反応混合物を70℃で2時間加熱後、それを水性ビカーボネート溶液に注意深く注ぐ。酢酸エチルでの抽出、続くシリカフラッシュクロマトグラフィー(溶離剤:ヘキサン:酢酸エチル1:1)により、1.60g(収率約50%)の表題化合物を褐色油状物として得る。
1H NMR:(DMSO d6, 400 MHz):10.03 (s, 1H), 8.45 (d, 1H), 7.44 (t, 1H), 7.29 (dd, 1H), 7.21 (t, 1H), 6.97 (d, 1H), 6.61 (dd, 1H), 4.07 (t, 2H), 3.80 (t, 2H), 2.18 (quint, 2H)。
1−{2−[3−(3−クロロ−プロポキシ)−フェニルアミノ]−ピリミジン−4−イル}−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール:
Figure 2009530288
200mg(0.617mmol)[3−(3−クロロ−プロポキシ)−フェニル]−(4−クロロ−ピリミジン−2−イル)−アミンおよび100mg(0.617mmol)3−(3−クロロ−プロポキシ)−フェニルアミンを、そのまま(neat)で100℃で20分で加熱する。超音波の助けを借りて、得られる樹脂を酢酸エチルおよび水性重炭酸ナトリウムの混合物に溶解する。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、蒸発させる。溶離剤としてジクロロメタン/酢酸エチル(10:1)を使用したシリカクロマトグラフィーにより、160mg(収率58%)の表題化合物を黄色泡状物として得る。
1H NMR (DMSO d6, 400 MHz):9.43 (s, 1H), 9.13 (s, br, 1H), 7.91 (d, 1H), 7.47 (m, 1H), 7.17 (d, 1H), 7.04 (t, 1H), 6.90 (t, 1H), 6.72 (d, 1H), 6.51 (d, 1H), 6.42 - 6.38 (m, 2H), 3.96 (t, 2H), 3.88 (dd, 2H), 3.71 (t, 2H), 2.53 (t, 2H), 2.09 (quint, 2H), 1.78 (m, 2H)。
MS:ES+:411 1塩素原子について(M+1)アイソトープパターン。
1−{2−[3−(スルホニル、スルファニルおよびスルホンアミノ)−フェニルアミノ]−ピリミジン−4−イル}−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール誘導体
中間体合成:
Figure 2009530288
(4−クロロ−ピリミジン−2−イル)−フェニル−アミン
2−フェニルアミノ−ピリミジン−4−オール(1.309g、7mmol)を35mLのアセトニトリルに懸濁し、3.5mL(14mmol)のジオキサン中の4m塩酸溶液(Aldrich)および1.6mL(17.5mmol)オキシ塩化リンで、窒素下、室温で処理する。混合物を還流下3時間撹拌し、冷却し、酢酸エチルで希釈する。得られる溶液を飽和重炭酸ナトリウム溶液および塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、蒸発させる。残渣を、酢酸エチル/ヘキサン2:8を使用したシリカゲルフラッシュクロマトグラフィーにより精製する。表題化合物を86%収率(1.5g)で得る:m.p. 134−135℃;MS(ES+)m/z(M+H)+1 206。
4−(4−クロロ−ピリミジン−2−イルアミノ)−ベンゼンスルホニルクロライド
3.2mL(48mmol)クロロスルホン酸を、窒素下0℃に冷却する。これに、(4−クロロ−ピリミジン−2−イル)−フェニル−アミン(1.15g、5.6mmol)を、撹拌下少しずつ添加する。添加完了後、混合物を15分、0℃、2時間、室温および15分、60℃で撹拌する。黄色溶液を冷却し、100gのクラッシュアイスにゆっくり添加する。氷が完全に溶けた後、固体を濾取し、水で洗浄し、真空下乾燥させる。表題化合物を74%収率(1.26g)で得る:m.p. 192−195℃;MS(ES+)m/z(M+H)+1 300(MS溶液をメタノール中に構築したため、対応するメチルスルホネート)。
Figure 2009530288
N−シクロヘキシル−4−[4−(5−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−ベンゼンスルホンアミド
560mg(1.5mmol)4−(4−クロロ−ピリミジン−2−イルアミノ)−N−シクロヘキシル−ベンゼンスルホンアミドおよび225mg(1.52mmol)1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オールの混合物を、溶媒無しで、油浴中、15分、200℃で加熱する。褐色粘性混合物を最初に室温に、次いでドライアイスで冷却し、固化物質を粉砕する。この固体を5%クエン酸溶液と撹拌し、濾過し、飽和重炭酸ナトリウム溶液に再懸濁し、再び濾過し、最後に水で洗浄する。この物質を酢酸エチル/ヘキサン8:2を使用するシリカゲルフラッシュクロマトグラフィーに付す。純粋フラクションを溜め、蒸発させ、メタノール中で数分撹拌し、濾過し、トルエンおよびジイソプロピルエーテルの混合物に再懸濁し、再び濾過し、真空下乾燥させる。表題化合物を20%収率(150mg)で得る:m.p. 236−238℃;MS(ES+)m/z(M+H)+1 480。
出発物質4−(4−クロロ−ピリミジン−2−イルアミノ)−N−シクロヘキシル−ベンゼンスルホンアミド
600mg(2mmol)4−(4−クロロ−ピリミジン−2−イルアミノ)−ベンゼンスルホニルクロライドを60mLのジクロロメタンに懸濁し、室温で0.57mL(5mmol)シクロヘキシルアミンで処理する。全ての物質がゆっくり溶液に溶け、約15分撹拌後、微小針状結晶が現れ始める。撹拌を合計2時間続け、次いで混合物をジクロロメタンで希釈し、5%クエン酸および塩水で洗浄する。有機相を乾燥させ(NaSO)、蒸発させる。表題化合物を99%収率(706mg)で得る:m.p. 202−204℃;MS(ES+)m/z(M+H)+1 367。
以下の実施例を、N−シクロヘキシル−4−[4−(5−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−ベンゼンスルホンアミドについて上記のものに準じたシーケンスを使用して合成する:
Figure 2009530288
Figure 2009530288
(3−クロロフェニル)−[4−(3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イル]−アミンヒドロクロライド:
Figure 2009530288
2−(3−クロロ−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−オール
2−メチルスルファニル−ピリミジン−4−オール(568mg、4mmol)および3−クロロnアニリン(0.47mL、4mL)を混合し、30分、170℃で加熱する。得られる溶液を冷却し、0.1m塩酸でトリチュレートし、濾過し、水で洗浄し、真空下乾燥させる。表題化合物を59%収率(520mg)で得る:m.p. 250−252℃;MS(ES+)m/z(M+H)+1 222。
(3−クロロ−フェニル)−(4−クロロ−ピリミジン−2−イル)−アミン
2−(3−クロロ−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−オール(444mg、2mmol)を、6mL オキシ塩化リンに室温で少しずつ添加する。混合物を70℃で1時間加熱し、冷却し、過剰のオキシ塩化リンを減圧下蒸発させる。残渣を酢酸エチルに溶解し、飽和炭酸ナトリウム溶液および塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、蒸発させる。表題化合物を91%収率(440mg)で得る:m.p. 112−114℃;MS(ES+)m/z(M+H)+1 240,242。
(3−クロロ−フェニル)−[4−(3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イル]−アミンヒドロクロライド
(3−クロロ−フェニル)−(4−クロロ−ピリミジン−2−イル)−アミン(360mg、1.5mmol)の1mLのジオキサン溶液を223mg(1.5mmol)1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オールで処理する。混合物を2時間、80℃、次いで18時間、100℃で加熱する。溶媒を蒸発させ、残渣を、酢酸エチル/ヘキサン1:1に懸濁させ、数分撹拌し、濾過した。表題化合物を29%収率(150mg)で得る:m.p. 250−252℃;MS(ES+)m/z(M+H)+1 353。
以下の実施例を、(3−クロロフェニル)−[4−(3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イル]−アミンヒドロクロライドについて上記のものに準じたシーケンスを使用して合成する。表中の化合物を遊離塩基として単離する。
Figure 2009530288
Figure 2009530288
1−[2−(4−メタンスルホニル−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール(1−[2−(4−メチルスルファニル−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オールの酸化産物)
Figure 2009530288
1−[2−(4−メチルスルファニル−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール(364mg、1mmol)を10mLのジクロロメタンに0℃で懸濁する。m−クロロ過安息香酸(FLUKA 25800、590mg、2.4mmol)を添加し、混合物を0℃で45分撹拌する。100mgのNaSOを添加し、反応混合物を次いでジクロロメタンおよび水に分配する。有機層を分離し、飽和重炭酸ナトリウム、水および塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、蒸発させる。粗物質を最初に酢酸エチルを使用したシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー、次いで、0.5%TFA含有アセトニトリル/水勾配を使用した逆相カラムのMPLCで精製する。表題化合物を6%収率(25mg)で得る:m.p. 242−245℃;MS(ES+)m/z(M+H)+1 353。
本発明の範囲内のさらなる化合物は以下である:
1−[2−(3,4,5−トリメトキシ−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール
4−[4−(5−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−ベンゼンスルホンアミド
1−[2−(3,4,5−トリメトキシ−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−6−オール
1−[2−(3,5−ジメトキシ−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール
1−[2−(3,4,5−トリメトキシ−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−7−オール
4−[4−(6−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−N−(2−ヒドロキシ−エチル)−ベンゼンスルホンアミド
{4−[4−(5−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−ベンゼンスルホニルアミノ}−酢酸
1−[2−(3,5−ジメトキシ−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−6−オール
4−[4−(6−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−ベンゼンスルホンアミド
4−[4−(5−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−N−(2−ヒドロキシ−エチル)−3−メチル−ベンゼンスルホンアミド
1−[2−(3−クロロ−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール
[4−(3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イル]−(3,4,5−トリメトキシ−フェニル)−アミン
1−[2−(4−メタンスルホニル−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−7−オール
1−[2−(4−メチルスルファニル−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール
1−(2−フェニルアミノ−ピリミジン−4−イル)−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール
1−[2−(3−ヒドロキシ−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール
4−[4−(5−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−3−メチル−N−(3−メチル−ブチル)−ベンゼンスルホンアミド
4−[4−(5−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−N−ピリジン−4−イルメチル−ベンゼンスルホンアミド
1−{2−[3−(2−イミダゾール−1−イル−エトキシ)−フェニルアミノ]−ピリミジン−4−イル}−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール
1−{2−[3−(3−クロロ−プロポキシ)−フェニルアミノ]−ピリミジン−4−イル}−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−6−オール
4−[4−(5−クロロ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−ベンゼンスルホンアミド
1−{2−[3−(3−モルホリン−4−イル−プロポキシ)−フェニルアミノ]−ピリミジン−4−イル}−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール
4−[4−(3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−ベンゼンスルホンアミド
4−[4−(6−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−N−(3−メチル−ブチル)−ベンゼンスルホンアミド
[4−(6−メチル−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イル]−(3,4,5−トリメトキシ−フェニル)−アミン
1−{2−[3−(3−クロロ−プロポキシ)−フェニルアミノ]−ピリミジン−4−イル}−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−7−オール
[4−(7−メチル−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イル]−(3,4,5−トリメトキシ−フェニル)−アミン
4−[4−(6−メチル−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−ベンゼンスルホンアミド
[4−(3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イル]−(2,3−ジメトキシ−ベンジル)−アミン
4−[4−(5−ヒドロキシ−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−6−メチル−ピリミジン−2−イルアミノ]−ベンゼンスルホンアミド
3−[4−(3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−フェノール
4−[4−(6−フルオロ−2−メチル−3,4−ジヒドロ−2H−キノリン−1−イル)−ピリミジン−2−イルアミノ]−N−(3−メチル−ブチル)−ベンゼンスルホンアミド
1−[2−(3,4,5−トリメトキシ−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−8−オール
[1−(2−フェニルアミノ−ピリミジン−4−イル)−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−3−イル]−カルバミン酸ベンジルエステル
1−[2−(4−トリフルオロメチル−フェニルアミノ)−ピリミジン−4−イル]−1,2,3,4−テトラヒドロ−キノリン−5−オール
乾燥充填カプセル
各々上記の式(I)の化合物の1種を活性成分として0.25g含む5000個のカプセルを、以下の通り製造する:
Figure 2009530288
製造法
記載の物質を粉砕し、0.6mmメッシュサイズを篩過させる。混合物の0.33g分を、カプセル充填機を使用してゼラチンカプセルに入れる。
軟カプセル
各々上記の式(I)の化合物の1種を活性成分として0.05g含む5000個の軟ゼラチンカプセルを、以下の通り製造する:
Figure 2009530288
製造法
活性成分を粉砕し、PEG 400(約380−420のMrを有するポリエチレングリコール、Fluka, Switzerland)およびTween(登録商標)80(ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、Atlas Chem. Ind. Inc., USA、Fluka, Switzerlandから供給)に懸濁し、粉砕機で約1−3μmの粒径まで挽く。混合物の0.43g分を、次いで、カプセル充填機を使用して軟ゼラチンカプセルに充填する。
均等物
本発明は、現在最も実際的で好ましい態様と見なされるものに関連して記載しているが、本発明は、開示の態様に限定されるものではなく、むしろ逆に、添付の特許請求の範囲の精神および範囲内に含まれる種々の改変および同等な処理を包含すると意図される。

Claims (85)

  1. 医薬として使用するための、式(I)
    Figure 2009530288
    〔式中、
    、A、A、Aの各々は、独立してNまたはC−Rから選択され、ここで、RはHまたはCの置換基部分であり、A、AおよびAの少なくとも1個はNであり;
    XはN−H、置換アミノ、OまたはSから選択される架橋部分であり;
    は芳香環の置換基であり、そしてnは0〜4の整数であり;
    YおよびDは、独立してO、S、CH、NH、R置換C、またはR置換Nから選択され、
    は、YおよびDを含む環の置換基であり、そしてrは0から環の有効原子価の最大数までの整数であり;
    はヒドロカルビルおよびヘテロ環から選択される部分であり;
    TはH、ハロゲン、O−R、S−R、SO−RSO−R、SO−N(R)、SO−NR10およびSO−ハロゲンから選択され、ここで、Rは水素、置換または非置換アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクリルまたはアリールから選択され;そしてRは置換または非置換アルキル、シクロアルキル、またはアリールであり、そしてNR10は含窒素ヘテロ環式環であり;そしてpは0〜5の整数である。〕
    の化合物またはその薬学的に許容される塩、エステルまたはプロドラッグ。
  2. 式(I)
    Figure 2009530288
    〔式中、
    、A、A、Aの各々は、独立してNまたはC−Rから選択され、ここで、RはHまたはCの置換基部分であり、A、AおよびAの少なくとも1個はNであり;
    XはN−H、置換アミノ、OまたはSから選択される架橋部分であり;
    は芳香環の置換基であり、そしてnは0〜4の整数であり;
    YおよびDは、O、S、CH、NH、R置換C、またはR置換Nから独立して選択され、
    はYおよびDを含む環の置換基であり、そしてrは0から環の有効原子価の最大数までの整数であり;
    はヒドロカルビルおよびヘテロ環から選択される部分であり;
    TはH、ハロゲン、O−R、S−R、SO−RSO−R、SO−N(R)、SO−NR10およびSO−ハロゲンから選択され、ここで、Rは水素、置換または非置換アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクリルまたはアリールから選択され;そしてRは置換または非置換アルキル、シクロアルキル、またはアリールであり、そしてNR10は含窒素ヘテロ環式環であり;そしてpは0〜5の整数である。
    ここで、化合物は:
    Figure 2009530288
    ではない。〕
    の化合物またはその薬学的に許容される塩、エステルまたはプロドラッグ。
  3. およびAがNであり、そしてAおよびAがC−Rである、請求項1または2に記載の化合物。
  4. およびAがC−Hである、請求項1、2または3に記載の化合物。
  5. XがN−Hである、請求項1から4のいずれかに記載の化合物。
  6. (複数個存在するときは、各Rが独立して)はOH、O−アルキル、SH、S−アルキル、ハロゲン、置換または非置換アミン、CFおよびC−Cアルキルから選択される、請求項1から5のいずれかに記載の化合物。
  7. がOHである、請求項6に記載の化合物。
  8. nが1である、請求項1から7のいずれかに記載の化合物。
  9. YがCHである、請求項1から8のいずれかに記載の化合物。
  10. DがCHである、請求項1から9のいずれかに記載の化合物。
  11. が置換または非置換脂肪族、脂環式、または芳香族部分から選択される、請求項1から10のいずれかに記載の化合物。
  12. が芳香族である、請求項1から11のいずれかに記載の化合物。
  13. が置換または非置換フェニル、イミダゾリル、ピロリル、オキサゾリルおよびイソオキサゾリルから選択される、請求項12に記載の化合物。
  14. がフェニルである、請求項12に記載の化合物。
  15. pが1である、請求項1から14のいずれかに記載の化合物。
  16. pが1であり、そしてTが架橋基Xに対してパラ位に位置する、請求項14に記載の化合物。
  17. Tがハロゲン、O−アルキル、O−アルキル−ハロゲン、SO−R、SO−NHR、SO−NR10およびSO−ハロゲンから選択される、請求項1から16のいずれかに記載の化合物。
  18. ハロゲンが塩素である、請求項17に記載の化合物。
  19. が置換または非置換アルキルまたは置換または非置換アリールである、請求項17に記載の化合物。
  20. が直鎖または分枝鎖アルキル、シクロアルキル、直鎖または分枝鎖ハロ−アルキル、アルコキシ、カルボキシアルキル、またはアルキルアミノである、請求項17に記載の化合物。
  21. Tが式(i)から(x):
    Figure 2009530288
    〔式中、qは1から4の整数であり、そしてsは0〜4の整数である。〕
    から選択される部分である、請求項17に記載の化合物。
  22. rが0である、請求項1から21のいずれかに記載の化合物。
  23. 式(II)、(III)および(IV):
    Figure 2009530288
    の化合物から選択される、請求項1または2に記載の化合物。
  24. XがNHである、請求項23に記載の化合物。
  25. がフェニルである、請求項23または24に記載の化合物。
  26. nが1である、請求項23、24または25に記載の化合物。
  27. pが1である、請求項23、24、25または26に記載の化合物。
  28. 式(V):
    Figure 2009530288
    である、請求項1または2に記載の化合物。
  29. およびAがNであり、そしてAおよびAがC−Rである、請求項28に記載の化合物。
  30. 式(VI)、(VII)および(VIII):
    Figure 2009530288
    の化合物から選択される、請求項1または2に記載の化合物。
  31. nが1である、請求項30に記載の化合物。
  32. 式(IX)
    Figure 2009530288
    の化合物である、請求項1または2に記載の化合物。
  33. pが1である、請求項30、31または32に記載の化合物。
  34. XがNHである、請求項30、31、32または33に記載の化合物。
  35. 式(X)
    Figure 2009530288
    〔式中、GはR、NHRまたはNR10である。〕
    の化合物である、請求項1または2に記載の化合物。
  36. XがNHである、請求項35に記載の化合物。
  37. 式(XI)
    Figure 2009530288
    の化合物である、請求項1または2に記載の化合物。
  38. 式(XII)
    Figure 2009530288
    の化合物である、請求項1または2に記載の化合物。
  39. TがO−Rである、請求項38に記載の化合物。
  40. XがNHである、請求項37、38または39に記載の化合物。
  41. 1種以上のチロシンおよびセリン/スレオニンキナーゼおよびキナーゼ類似物(kinase-like)依存性疾患の処置に使用するための、請求項1から40のいずれかに記載の化合物。
  42. 温血動物におけるIKK、PDGF−R、Kdr、c−Src、Her−1、Her−2、c−Kit、c−Abl、Ins−r、Tek、Flt−1、Flt−3、Flt−4、c−AbiおよびFGFR−1、Eph受容体(例えばEphB4)、CDK1、CDK2およびRET活性の阻害に使用するための、請求項1から40のいずれかに記載の化合物。
  43. 温血動物におけるRAFキナーゼ活性阻害に使用するための、請求項42に記載の化合物。
  44. 該疾患が、血管形成、癌、腫瘍増殖、アテローム性動脈硬化症、加齢性黄斑変性症、糖尿病性網膜症、炎症性疾患、神経外傷性疾患、慢性神経変性、疼痛、偏頭痛または心肥大の1種以上から選択される、請求項41に記載の化合物。
  45. 黒色腫の処置に使用するための、請求項1から44のいずれかに記載の化合物。
  46. 活性化変異B−RAFキナーゼにより特徴付けられる疾患の処置に使用するための、請求項1から45のいずれかに記載の化合物。
  47. チロシンおよびセリン/スレオニンキナーゼおよびキナーゼ類似物依存性疾患の処置用医薬の製造のための、請求項1から40のいずれかに記載の化合物の使用。
  48. 血管形成、癌、腫瘍増殖、アテローム性動脈硬化症、加齢性黄斑変性症、糖尿病性網膜症、炎症性疾患、神経外傷性疾患、慢性神経変性、疼痛、偏頭痛または心肥大の処置用医薬の製造のための、請求項1から40のいずれかに記載の化合物の使用。
  49. 黒色腫の処置用医薬の製造のための、請求項1から40のいずれかに記載の化合物の使用。
  50. 活性化変異B−RAFキナーゼにより特徴付けられる疾患の処置用医薬の製造のための、請求項1から40のいずれかに記載の化合物の使用。
  51. 該化合物を単独で投与する、請求項47から50のいずれかに記載の使用。
  52. 該化合物を少なくとも1種の他の抗癌剤と組み合わせて投与する、請求項47から50のいずれかに記載の化合物。
  53. 該少なくとも1種の他の抗癌剤が、プロテアーゼ阻害剤、上皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、血管内皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、細胞毒性剤、有糸***阻害剤、白金配位錯体、抗腫瘍抗生物質、アルキル化剤、内分泌剤、アンドロゲン、抗アンドロゲン、エストロゲン、抗エストロゲン、アロマターゼ阻害剤、ゴナドトロピン放出ホルモンアゴニストおよびソマトスタチンアナログ、ならびに過剰発現されているおよび/または他の方法で腫瘍細胞中で上方制御されている特異的代謝経路に関与する酵素または受容体を標的とする化合物、タンパク質キナーゼ阻害剤、スレオニンおよびチロシンキナーゼ阻害剤、上皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、血管内皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、線維芽細胞増殖因子阻害剤、インシュリン様増殖因子受容体阻害剤、血小板由来増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、メチオニンアミノペプチダーゼ阻害剤、プロテアソーム阻害剤、シクロオキシゲナーゼ阻害剤、およびヒストンデアセチラーゼ阻害剤から選択される、請求項52に記載の使用。
  54. 請求項1から40のいずれかに記載の化合物を含む、医薬組成物。
  55. 約1%から約95%の請求項1から40のいずれかに記載の化合物を含む、請求項54に記載の医薬組成物。
  56. 約20%から約90%の請求項1から40のいずれかに記載の化合物を含む、請求項54または55に記載の医薬組成物。
  57. 約5%から約20%活性成分を含む、請求項54、55または56に記載の医薬組成物。
  58. 注射により投与するための、請求項54から57のいずれかに記載の医薬組成物。
  59. 請求項1から40のいずれかに記載の化合物の溶液、懸濁液または分散物を含む、請求項58に記載の医薬組成物。
  60. さらに担体を含む、請求項58または59に記載の医薬組成物。
  61. 該担体がマンニトールを含む、請求項60に記載の医薬組成物。
  62. 油中懸濁液を含む、請求項59、60または61に記載の医薬組成物。
  63. 経口投与用の、請求項54から57のいずれかに記載の医薬組成物。
  64. さらに固体担体を含む、請求項63に記載の医薬組成物。
  65. さらにゼラチンおよび可塑剤を含む、請求項64に記載の医薬組成物。
  66. 直腸投与用の、請求項54から57のいずれかに記載の医薬組成物。
  67. さらに坐薬基剤を含む、請求項66に記載の医薬組成物。
  68. 請求項1から40のいずれかに記載の化合物および少なくとも1種の抗癌剤を含む、医薬組成物。
  69. 請求項1から40のいずれかに記載の化合物と少なくとも1種の抗癌剤の組合せ。
  70. 抗癌剤がプロテアーゼ阻害剤、上皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、血管内皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、細胞毒性剤、有糸***阻害剤、白金配位錯体、抗腫瘍抗生物質、アルキル化剤、内分泌剤、アンドロゲン、抗アンドロゲン、エストロゲン、抗エストロゲン、アロマターゼ阻害剤、ゴナドトロピン放出ホルモンアゴニストおよびソマトスタチンアナログ、ならびに過剰発現されているおよび/または他の方法で腫瘍細胞中で上方制御されている特異的代謝経路に関与する酵素または受容体を標的とする化合物、タンパク質キナーゼ阻害剤、スレオニンおよびチロシンキナーゼ阻害剤、上皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、血管内皮細胞増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、線維芽細胞増殖因子阻害剤、インシュリン様増殖因子受容体阻害剤、血小板由来増殖因子受容体キナーゼ阻害剤、メチオニンアミノペプチダーゼ阻害剤、プロテアソーム阻害剤、シクロオキシゲナーゼ阻害剤、およびヒストンデアセチラーゼ阻害剤から選択される、請求項68に記載の医薬組成物または請求項69に記載の組合せ。
  71. 温血動物、例えばヒトに、治療的有効量の請求項1から40のいずれかに記載の化合物を投与することを含む、チロシン、セリン/スレオニンキナーゼまたはキナーゼ類似物依存性疾患の処置方法。
  72. 同時にまたは別の時点で1種以上の抗癌剤を投与することをさらに含む、請求項71に記載の方法。
  73. 黒色腫の処置方法であって、
    (a)患者からの黒色腫組織を試験して、該黒色腫組織が変異RAFキナーゼを発現するかまたは野生型RAFキナーゼを過剰発現するか否かを決定し、そして
    (b)該黒色腫が野生型RAFキナーゼを過剰発現するか、または活性化変異B−RAFキナーゼを発現することが判明したならば、該患者を、有効RAFキナーゼ阻害量の請求項1から40のいずれかに記載のRAF阻害化合物で処置する
    ことを含む、方法。
  74. 黒色腫の処置方法であって、
    (a)患者からの黒色腫組織を試験して、該黒色腫組織がB−RAFキナーゼまたはC−RAFキナーゼ活性を過剰発現するか否かを決定し、そして
    (b)該黒色腫組織がB−RAFキナーゼまたはC−RAFキナーゼ活性を過剰発現することが判明したならば、該患者を、有効RAFキナーゼ阻害量の請求項1から40のいずれかに記載のRAF阻害化合物で処置する
    ことを含む、方法。
  75. 黒色腫の処置方法であって、
    (a)患者からの黒色腫組織を試験して、該黒色腫組織が変異B−RAFキナーゼまたはC−RAFキナーゼ活性を発現するか否かを決定し、そして
    (b)該黒色腫組織が変異B−RAFキナーゼを発現することが判明したならば、該患者を、有効RAFキナーゼ阻害量の請求項1から40のいずれかに記載のRAF阻害化合物で処置する
    ことを含む、方法。
  76. 患者からの組織サンプルにおけるB−RAFキナーゼ遺伝子またはタンパク質の変異を検出し、そして、患者を、有効B−RAFキナーゼ阻害量の請求項1から40のいずれかに記載の化合物で処置することを含む、活性化変異B−RAFキナーゼにより特徴付けられる疾患の処置方法。
  77. MAPキナーゼシグナル伝達経路を介する過剰なシグナル伝達により特徴付けられる疾患を有する患者の処置方法であって、該患者に有効RAFキナーゼ阻害量の請求項1から40のいずれかに記載の化合物を投与することを含む、方法。

  78. Figure 2009530288
    の化合物の製造方法であって、以下の反応スキームを含む、方法:
    Figure 2009530288
    〔工程2はオプションであり、実施するとき、T’はTの前駆体であり、そしてR1’はRの前駆体であるかまたはRであり、そしてX、R、R、TおよびPは請求項1に定義の通りである。〕。
  79. XがNHである、請求項78に記載の方法。
  80. がフェニルである、請求項78または79に記載の方法。
  81. pが1である、請求項78、79または80に記載の方法。
  82. 1’がOHである、請求項78から81のいずれかに記載の方法。
  83. TがSO−Gであり、ここで、GがR、NHRまたはNR10であり、そしてRおよびR10が請求項1に定義の通りである、請求項78から82のいずれかに記載の方法。
  84. TがO−Rであり、ここで、Rが請求項1で定義の通りである、請求項78から83のいずれかに記載の方法。
  85. X−R−(T)
    Figure 2009530288
    である、請求項84に記載の方法。
JP2009500458A 2006-03-16 2007-03-14 特に黒色腫の処置のためのヘテロ環式有機化合物 Pending JP2009530288A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78317506P 2006-03-16 2006-03-16
PCT/US2007/006424 WO2007109045A1 (en) 2006-03-16 2007-03-14 Heterocyclic organic compounds for the treatment of in particular melanoma

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009530288A true JP2009530288A (ja) 2009-08-27
JP2009530288A5 JP2009530288A5 (ja) 2010-04-22

Family

ID=38222743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009500458A Pending JP2009530288A (ja) 2006-03-16 2007-03-14 特に黒色腫の処置のためのヘテロ環式有機化合物

Country Status (11)

Country Link
US (2) US20090069360A1 (ja)
EP (1) EP2001864A1 (ja)
JP (1) JP2009530288A (ja)
KR (1) KR20090052301A (ja)
CN (1) CN101563336A (ja)
AU (1) AU2007227602A1 (ja)
BR (1) BRPI0710181A2 (ja)
CA (1) CA2644356A1 (ja)
MX (1) MX2008011661A (ja)
RU (1) RU2008140382A (ja)
WO (1) WO2007109045A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014510068A (ja) * 2011-03-02 2014-04-24 リード ディスカバリー センター ゲーエムベーハー 薬学的活性化二置換トリアジン誘導体
US9242937B2 (en) 2011-03-02 2016-01-26 Bayer Intellectual Property Gmbh Pharmaceutically active disubstituted pyridine derivatives
US9896655B2 (en) 2008-12-03 2018-02-20 The Scripps Research Institute Methods of enhancing cell survival of stem cells

Families Citing this family (165)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060281712A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Chi-Feng Yen Pyrimidine compounds
US8193206B2 (en) 2005-06-14 2012-06-05 Taigen Biotechnology Co., Ltd. Pyrimidine compounds
US7879683B2 (en) * 2007-10-09 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus of creating airgap in dielectric layers for the reduction of RC delay
PL2268635T3 (pl) 2008-04-21 2015-11-30 Taigen Biotechnology Co Ltd Związki heterocykliczne
WO2010085246A1 (en) * 2009-01-21 2010-07-29 Praecis Pharmaceuticals Inc 2,4-diamino-1,3,5-triazine and 4, 6-diamino-pyrimidine derivatives and their use as aggrecanase inhibitors
NZ596445A (en) 2009-06-24 2013-04-26 Boehringer Ingelheim Int New compounds, pharmaceutical composition and methods relating thereto
JP2012530758A (ja) 2009-06-24 2012-12-06 ベーリンガー インゲルハイム インターナショナル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 新規化合物、医薬組成物及びそれに関する方法
BR122019024201B1 (pt) 2010-05-20 2021-08-03 Array Biopharma Inc Composto macrocíclico como inibidores de trk quinase, seu uso, e composição farmacêutica
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
KR20120058113A (ko) * 2010-11-29 2012-06-07 삼성전자주식회사 자기 터널 접합 구조체의 제조 방법 및 이를 이용하는 자기 메모리 소자의 제조 방법
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US9082695B2 (en) 2011-06-06 2015-07-14 Avalanche Technology, Inc. Vialess memory structure and method of manufacturing same
US8419953B1 (en) * 2011-06-28 2013-04-16 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for removing an antiferromagnetic seed structure
US8709956B2 (en) 2011-08-01 2014-04-29 Avalanche Technology Inc. MRAM with sidewall protection and method of fabrication
US8796795B2 (en) 2011-08-01 2014-08-05 Avalanche Technology Inc. MRAM with sidewall protection and method of fabrication
US8536063B2 (en) 2011-08-30 2013-09-17 Avalanche Technology Inc. MRAM etching processes
KR20130034260A (ko) * 2011-09-28 2013-04-05 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치의 제조방법
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
KR101881932B1 (ko) * 2011-12-07 2018-07-27 삼성전자주식회사 자기 소자 및 그 제조 방법
RS59420B1 (sr) * 2011-12-30 2019-11-29 Hanmi Pharmaceutical Co Ltd Derivati tieno[3,2-d]pirimidina sa inhibitornom aktivnošću za proteinske kinaze
US8574928B2 (en) 2012-04-10 2013-11-05 Avalanche Technology Inc. MRAM fabrication method with sidewall cleaning
CN102786512A (zh) * 2012-05-31 2012-11-21 中国人民解放军军事医学科学院毒物药物研究所 N-芳基不饱和稠环叔胺类化合物及其制备方法和抗肿瘤应用
US8883520B2 (en) 2012-06-22 2014-11-11 Avalanche Technology, Inc. Redeposition control in MRAM fabrication process
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9166154B2 (en) 2012-12-07 2015-10-20 Avalance Technology, Inc. MTJ stack and bottom electrode patterning process with ion beam etching using a single mask
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
CN103113349B (zh) * 2013-03-15 2014-11-12 中国药科大学 4-咪唑基喹啉类及喹唑啉酮类芳香化酶抑制剂、制备方法和医药用途
WO2014172639A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Ruga Corporation Raf kinase inhibitors
US9493879B2 (en) * 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
WO2015031564A2 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 University Of Utah Substituted-1h-benzo[d]imidazole series compounds as lysine-specfic demethylase 1 (lsd1) inhibitors
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
KR102101954B1 (ko) 2013-11-05 2020-05-29 삼성전자주식회사 자기터널접합을 포함하는 자기 기억 소자
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
CN103738914B (zh) * 2014-01-09 2016-01-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Mems器件的制造方法
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
KR102105702B1 (ko) 2014-04-04 2020-04-29 삼성전자주식회사 자기 기억 소자
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US10003014B2 (en) 2014-06-20 2018-06-19 International Business Machines Corporation Method of forming an on-pitch self-aligned hard mask for contact to a tunnel junction using ion beam etching
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US20160260889A1 (en) 2015-03-03 2016-09-08 International Business Machines Corporation Magnetic Tunnel Junction Patterning Using Low Atomic Weight Ion Sputtering
AU2016291676B2 (en) 2015-07-16 2020-04-30 Array Biopharma, Inc. Substituted pyrazolo[1,5-a]pyridine compounds as RET kinase inhibitors
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9685604B2 (en) * 2015-08-31 2017-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Magnetoresistive random access memory cell and fabricating the same
KR102323252B1 (ko) 2015-10-07 2021-11-08 삼성전자주식회사 식각 부산물 검사 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
US9905751B2 (en) * 2015-10-20 2018-02-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Magnetic tunnel junction with reduced damage
CN106676532B (zh) * 2015-11-10 2019-04-05 江苏鲁汶仪器有限公司 金属刻蚀装置及方法
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10872760B2 (en) * 2016-07-26 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cluster tool and manufacuturing method of semiconductor structure using the same
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
TWI704148B (zh) 2016-10-10 2020-09-11 美商亞雷生物製藥股份有限公司 作為ret激酶抑制劑之經取代吡唑并[1,5-a]吡啶化合物
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
JOP20190077A1 (ar) 2016-10-10 2019-04-09 Array Biopharma Inc مركبات بيرازولو [1، 5-a]بيريدين بها استبدال كمثبطات كيناز ret
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
WO2018136663A1 (en) 2017-01-18 2018-07-26 Array Biopharma, Inc. Ret inhibitors
US11168090B2 (en) 2017-01-18 2021-11-09 Array Biopharma Inc. Substituted pyrazolo[1,5-a]pyrazines as RET kinase inhibitors
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
JOP20190213A1 (ar) 2017-03-16 2019-09-16 Array Biopharma Inc مركبات حلقية ضخمة كمثبطات لكيناز ros1
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
TWI791053B (zh) 2017-10-10 2023-02-01 美商亞雷生物製藥股份有限公司 6-(2-羥基-2-甲基丙氧基)-4-(6-(6-((6-甲氧基吡啶-3-基)甲基)-3,6-二氮雜雙環[3.1.1]庚-3-基)吡啶-3-基)吡唑并[1,5-a]吡啶-3-甲腈之結晶形式及其醫藥組合物
TWI812649B (zh) 2017-10-10 2023-08-21 美商絡速藥業公司 6-(2-羥基-2-甲基丙氧基)-4-(6-(6-((6-甲氧基吡啶-3-基)甲基)-3,6-二氮雜雙環[3.1.1]庚-3-基)吡啶-3-基)吡唑并[1,5-a]吡啶-3-甲腈之調配物
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US11603374B2 (en) 2018-01-18 2023-03-14 Array Biopharma Inc. Substituted pyrrolo[2,3-d]pyrimidines compounds as ret kinase inhibitors
CN111630054B (zh) 2018-01-18 2023-05-09 奥瑞生物药品公司 作为RET激酶抑制剂的取代的吡唑并[3,4-d]嘧啶化合物
CA3087972C (en) 2018-01-18 2023-01-10 Array Biopharma Inc. Substituted pyrazolyl[4,3-c]pyridinecompounds as ret kinase inhibitors
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
JP2022500383A (ja) 2018-09-10 2022-01-04 アレイ バイオファーマ インコーポレイテッド Retキナーゼ阻害剤としての縮合複素環式化合物
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US11121173B2 (en) 2019-10-24 2021-09-14 International Business Machines Corporation Preserving underlying dielectric layer during MRAM device formation
US11271036B2 (en) 2020-06-24 2022-03-08 Sandisk Technologies Llc Memory device containing dual etch stop layers for selector elements and method of making the same
US11849647B2 (en) 2021-03-04 2023-12-19 International Business Machines Corporation Nonmetallic liner around a magnetic tunnel junction

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002056888A2 (en) * 2001-01-17 2002-07-25 Novartis Ag Assay method, tnf modulator and its use
JP2002539120A (ja) * 1999-03-06 2002-11-19 アストラゼネカ アクチボラグ ピリミジン化合物
JP2003515602A (ja) * 1999-11-30 2003-05-07 ファイザー・プロダクツ・インク 免疫抑制薬として有用な2,4−ジアミノピリミジン化合物
US20030191307A1 (en) * 1999-11-30 2003-10-09 Blumenkopf Todd A. 2,4-Diaminopyrimidine compounds useful as immunosuppressants
WO2005026130A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 Novartis Ag 2,4-di (phenylamino) pyrimidines useful in the treatment of proliferative disorders

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3233604A1 (de) * 1982-09-10 1984-03-22 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Quartaere pyrimido(4,5-b)chinoliniumsalze und verfahren zu ihrer herstellung
US5854116A (en) * 1987-01-20 1998-12-29 Ohmi; Tadahiro Semiconductor apparatus
HU206337B (en) * 1988-12-29 1992-10-28 Mitsui Petrochemical Ind Process for producing pyrimidine derivatives and pharmaceutical compositions
DE4029648A1 (de) * 1990-09-19 1992-03-26 Hoechst Ag 4-anilino-pyrimidine, verfahren zu ihrer herstellung, sie enthaltende mittel und ihre verwendung als fungizide
PT992501E (pt) * 1995-09-22 2003-01-31 Wakunaga Pharma Co Ltd Derivados de acido piridonacarboxilico como agentes antibacterianos
EP1218360B1 (en) * 1999-10-07 2008-05-28 Amgen Inc., Triazine kinase inhibitors
CN1429222A (zh) * 2000-02-17 2003-07-09 安姆根有限公司 激酶抑制剂
JP4605554B2 (ja) * 2000-07-25 2011-01-05 独立行政法人物質・材料研究機構 ドライエッチング用マスク材
US6815248B2 (en) * 2002-04-18 2004-11-09 Infineon Technologies Ag Material combinations for tunnel junction cap layer, tunnel junction hard mask and tunnel junction stack seed layer in MRAM processing

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002539120A (ja) * 1999-03-06 2002-11-19 アストラゼネカ アクチボラグ ピリミジン化合物
JP2003515602A (ja) * 1999-11-30 2003-05-07 ファイザー・プロダクツ・インク 免疫抑制薬として有用な2,4−ジアミノピリミジン化合物
US20030191307A1 (en) * 1999-11-30 2003-10-09 Blumenkopf Todd A. 2,4-Diaminopyrimidine compounds useful as immunosuppressants
WO2002056888A2 (en) * 2001-01-17 2002-07-25 Novartis Ag Assay method, tnf modulator and its use
WO2005026130A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 Novartis Ag 2,4-di (phenylamino) pyrimidines useful in the treatment of proliferative disorders

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9896655B2 (en) 2008-12-03 2018-02-20 The Scripps Research Institute Methods of enhancing cell survival of stem cells
US10351822B2 (en) 2008-12-03 2019-07-16 The Scripps Research Institute Methods of enhancing cell survival of stem cells
US10975352B2 (en) 2008-12-03 2021-04-13 The Scripps Research Institute Methods of enhancing cell survival of stem cells
JP2014510068A (ja) * 2011-03-02 2014-04-24 リード ディスカバリー センター ゲーエムベーハー 薬学的活性化二置換トリアジン誘導体
US9242937B2 (en) 2011-03-02 2016-01-26 Bayer Intellectual Property Gmbh Pharmaceutically active disubstituted pyridine derivatives

Also Published As

Publication number Publication date
US20100022030A1 (en) 2010-01-28
AU2007227602A1 (en) 2007-09-27
EP2001864A1 (en) 2008-12-17
WO2007109045A1 (en) 2007-09-27
BRPI0710181A2 (pt) 2011-08-09
MX2008011661A (es) 2008-09-22
CN101563336A (zh) 2009-10-21
CA2644356A1 (en) 2007-09-27
US7955870B2 (en) 2011-06-07
US20090069360A1 (en) 2009-03-12
RU2008140382A (ru) 2010-04-27
KR20090052301A (ko) 2009-05-25
WO2007109045A8 (en) 2009-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009530288A (ja) 特に黒色腫の処置のためのヘテロ環式有機化合物
CN105308033B (zh) Jak2和alk2抑制剂及其使用方法
KR101675984B1 (ko) 티에노디아제핀 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 및 이를 유효성분으로 포함하는 약학적 조성물
JP6556369B2 (ja) ピリミジン又はピリドピロドン類化合物、及びその応用
ES2338557T3 (es) Derivados de la 2-aminopirimidina utilizados como inhibidores de la raf cinasa.
JP5475949B2 (ja) ハロアリール置換アミノプリン、その組成物、およびそれによる治療の方法
KR101892574B1 (ko) 디아릴아세틸렌 히드라지드 함유 티로신 키나제 억제제
US20090306107A1 (en) Organic Compounds
EP2315767B1 (fr) Derives de pyridino-pyridinones, leur preparation et leur application en therapeutique
TW201429957A (zh) 用於激酶調節及其適應症之化合物及方法
CN102399220A (zh) 三并环类PI3K和mTOR双重抑制剂
JP2020023554A (ja) ピリミジン化合物及びその医薬用途
CN109415341A (zh) 作为TGF-βR1抑制剂的苯并三氮唑衍生的α,β不饱和酰胺类化合物
CN107056755B (zh) 五元杂环酰胺类wnt通路抑制剂
JP2020530833A (ja) ピロロピリミジン及びピロロピリジン誘導体
JP2014526524A (ja) キナーゼ阻害剤としてのピリジン化合物
KR102369925B1 (ko) 구조적으로 제한된 PI3K 및 mTOR 억제제
JP2020523348A (ja) プロテインキナーゼ阻害剤としてのアミノチアゾール化合物
CN107151233B (zh) 含腙的嘧啶类衍生物及其用途
TWI691500B (zh) 作為tyro3、axl和mertk(tam)家族受體酪胺酸激酶抑制劑之雜環化合物
RU2780168C1 (ru) Новое производное пиридо [3,4-d] пиримидин-8-она, обладающее ингибирующей протеинкиназы активностью, и фармацевтическая композиция для предупреждения, облегчения или лечения рака, содержащее указанное выше
CN107556267A (zh) 新型噻唑衍生物类化合物、其制备方法、药物组合物及其制药用途
CN115141202A (zh) 嘧啶并吡嗪酮化合物及其用途
WO2014040243A1 (zh) N-取代苯基-n'-取代杂环脲类化合物及其作为抗癌药物的应用

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100308

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121030

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130423