JP4605554B2 - ドライエッチング用マスク材 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ等の磁性材料をエッチングする工程において使用するエッチング用マスク材に関するものであり、更に詳しくは、磁気ディスクへの書き込みに使用される磁気ヘッド、集積化磁気メモリー等の製造に有用な、ドライエッチング用の新しいマスク材に関し、特にＧＭＲ（巨大磁気抵抗）や、ＴＭＲ（トンネリング磁気抵抗）といった磁気抵抗素子を構成する磁性多層薄膜のドライエッチングによる微細加工に用いられるマスク材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＤＲＡＭ並みの集積密度でＳＲＡＭ並みの高速性を持ち、かつ無制限に書き換え可能なメモリとして注目されている集積化磁気メモリであるＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）及び磁気ヘッドには、主に数ｎｍ程度の非磁性又は磁性薄膜の積層で構成されているＴＭＲ（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）膜が使用されている。
【０００３】
このＴＭＲ膜を構成するＮｉＦｅやＣｏＦｅのように数ｎｍ程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材についての提案はこれまで少なかった。
【０００４】
ドライエッチング用のマスクとして、特開平１１−９２９７１号には、一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスを用いたプラズマによる反応性イオンエッチング用マスクとして、チタン、マグネシウム、アルミニウム、ゲルマニウム、白金、パラジウム及びこれらのそれぞれを、もしくは２種以上を主成分とする合金あるいは化合物のうちの少なくとも１種以上で構成されるマスクが提案されている。しかし、特開平１１−９２９７１号では、エッチング特性として重要な選択比について言及されておらず、又、ＴＭＲ素子等の全体の生産工程を視野に入れた最適なマスク材の検討はなされていなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＴＭＲ膜を構成するＮｉＦｅやＣｏＦｅのように数ｎｍ程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、ＴＭＲ素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提案することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
今日広く半導体製造工程の微細加工の手段として用いられているＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）と呼ばれるドライエッチングの一手法は、エッチングガスのプラズマ中に、被加工物を置き、電界を加えることにより、化学的作用と物理的作用とを同時に生起させて特定の物質のみエッチングするものである。
【０００７】
原理的には、マスクに覆われていない被加工物の表面に垂直に入射するイオンによるスパッタリング作用、蒸発作用という物理的作用によって、また、プラズマ中で発生したエッチングガスのイオン、ラジカルなどの化学的活性種が被加工物の表面に衝突あるいは吸着し、被加工物と化学反応を起こし、低い結合エネルギーを持つ表面反応層が形成されるという化学的作用によって生じた揮発性の高い生成物が脱離することにより進行しているものと考えられている。
【０００８】
本願の発明者は、前記特開平１１−９２９７１号の中で、最も望ましい物質として提案されているＴｉを用いて研究を進め、本発明のドライエッチングが主にスパッタリングにより進行していると考えられることを見出だした。
【０００９】
ＮｉＦｅやＦｅ等の磁性材料のエッチングにおいて、エッチング速度を保ちながらマスクとの選択比（磁性材料のエッチング速度／マスクのエッチング速度）を大きくすることは一般的に難しいとされているにもかかわらず、エッチングガスに一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスを用い、Ｔｉをマスク材にすると特異的にＴｉのエッチング速度が遅く、大きな選択比をとることができる（図１）。
【００１０】
本願発明者はこれについて研究を進めた結果、以下の二つの効果が相乗されてこのような結果がもたらされるものであることが分かった。
【００１１】
第一の効果は、被エッチング材である磁性材料とＴｉのスパッタ率の差である。
【００１２】
一般にＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉといった磁性を示す金属と比較してＴｉのスパッタ率は低いことが知られている。例えば、Ａｒイオン５００ｅＶでのスパッタ率は、Ｃｏが１．２、Ｆｅが１．１又は０．８４、Ｎｉが１．４５又は１．３３であるのに対し、Ｔｉは、０．５１と低い。
【００１３】
すなわち、前述したようにスパッタリング作用が支配的になっていると考えられるドライエッチングにおいて、Ｔｉが特異的に大きな選択比をとることができるのは、第一に、磁性を示す金属と比較してＴｉのスパッタ率が低いということによるものと考えられる。
【００１４】
したがって、被エッチング材料が磁性材料である場合、前述したようにスパッタリング作用が支配的となるドライエッチングにおいて、高い選択比を確保するには、前記のＴｉのように被エッチング材料に比べてスパッタ率の小さい材料をマスク材としてまず採用することが重要である。
【００１５】
磁性材料のエッチングにおいて、エッチングガスに一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスを用い、Ｔｉをマスク材にすると、特異的にＴｉのエッチング速度が遅く、大きな選択比をとることができるという結果をもたらす第２の効果は、以下に説明するように、プラズマ化した一酸化炭素ガスと含窒素化合物ガスの混合ガスにより、マスク材のＴｉがより安定な状態に改質されることである。
【００１６】
本願発明者が、Ｔｉのエッチング速度が遅いことを更に調べたところ、図２図示のように、エッチングガスが、含窒素化合物のガス（ＮＨ３ガス、Ｎ２ガス）だけの場合よりも、一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスの場合の方が特にエッチング速度が遅く、大きな選択比がとれることが分かった。
【００１７】
また、図１、図２に示された実験結果より、ＮＨ３ガスの流量比が大きくなるほど、つまり、一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスにおけるＣＯガスの流量比が小さくなるほど対Ｔｉ選択比が低下し（図１）、ＮＨ３ガスやＮ２ガスのみのように一酸化炭素（ＣＯガス）が全く入らない条件では対Ｔｉ選択比は低いことが分かった（図２）。
【００１８】
すなわち、エッチングガスが、一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスの場合に、対Ｔｉ選択比が高い（大きい）のは、一酸化炭素（ＣＯガス）が多いほど、磁性材料であるＮｉＦｅと比較してＴｉのエッチング速度が低下しているためと考えられる。
【００１９】
更に、本願発明者の実験によれば、あまりイオン入射エネルギーが違わない条件、例えば、図１の実験結果が得られた条件の下では、ＳｉＯ２のエッチング速度は、ＮｉＦｅやＦｅといった磁性膜と同じような挙動を示す。このことからも、一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスにおいて対Ｔｉ選択比が高くなるのは、磁性材料のエッチング速度が極めて高いからではなく、むしろＴｉのエッチング速度が一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスにおいて小さいためであるということが考えられる。
【００２０】
そこで、発明者は、一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスの場合に、対Ｔｉ選択比が高く（大きく）なるのは、Ｔｉ表面の変質と考え、エッチングガスとして一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスを使用したドライエッチング処理後のＴｉ膜の深さ方向のＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析を行った。その結果、エッチング処理後のＴｉ膜は、表面近傍数ｎｍ程度が高濃度に窒化し、また全体的に炭化していることが確認できた。
【００２１】
すなわち、一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスをエッチングガスとして使用する場合にＴｉ膜のエッチング速度が低下するのは、マスク材として用いられているＴｉの炭化と、窒化の２つが関与し、プラズマ状態にある一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスであるエッチングガスにより、マスク材であるＴｉ膜が窒化物、あるいは炭化物となり、化学的にあるいは構造的により安定になることで、スパッタ率が更に減少したためであると考えられた。
【００２２】
そこで、前記のＴｉのように被エッチング材料に比べてスパッタ率の小さい材料であることの他に、窒化物、又は炭化物を形成したときにより化学的、あるいは構造的な安定性を示す物性として、原子間のエネルギーに関係すると考えられる融点、あるいは沸点に注目し、周期律表のＩＶ〜ＶＩ族の金属の中で、単体金属のときよりも窒化物あるいは炭化物に変化したときに、融点あるいは沸点が上昇する金属材料であることが高い選択比を持つためのもう一つの条件であると推測し、この発明を完成させた。
【００２３】
【発明の実施の形態】
この発明が提案するドライエッチング用マスク材は、一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして使用し磁性材料をドライエッチングする際のマスク用材料において、当該材料が窒化物あるいは炭化物に変化したときに融点又は沸点が上昇する金属からなることを特徴とするものである。
【００２４】
前記における金属は、具体的には、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）のいずれかとすることができる。
【００２５】
これらいずれの金属も、下記の表１の通り、磁性を示す金属と比較してスパッタ率が低く、かつ、単体金属より窒化物あるいは炭化物になったときに融点又は沸点が上昇するものであり、一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして用いるドライエッチングにおいて、ＮｉＦｅやＣｏＦｅ等の磁性材料に対して高い選択比を示す傾向があり、磁性材料に対するドライエッチング用マスク材として良好である。
【００２６】
【表１】
Figure 0004605554
なお、前記表１における融点と沸点は、「ＣＲＣ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ」（Ｅｄｉｔｏｒ−ｉｎ−Ｃｈｉｅｆ：Ｒｏｂｅｒｔ Ｃ． Ｗｅａｓｔ， ＣＲＣ Ｐｒｅｓｓ， Ｉｎｃ． （１９８８））による。また、スパッタ率は、「薄膜作成の基礎（第３版）」（麻蒔 立男 日刊工業新聞社）による。
【００２７】
前記の金属中、特に、Ｔａは、以下の理由からＴＭＲ素子を構成する磁性材料に対するドライエッチング用マスク材として有効である。
【００２８】
図３は、ＴＭＲ用の磁性膜を構成するＮｉＦｅ膜、ＣｏＦｅ膜のＴａに対する選択比を測定したものであるが、ＣｏＦｅ膜のＴａに対する選択比は１０倍以上となっており、ＴａをＮｉＦｅ膜、ＣｏＦｅ膜などの磁性材料をエッチングする際のマスク材として採用し得ることが確認できる。
【００２９】
一方、ＴＭＲ素子を構成する磁性薄膜は、素子として酸化による特性劣化を防ぎ化学的安定性等を確保するために、その表面に保護膜と呼ばれる導電性を有する非磁性の薄膜が形成されており、この保護膜には、通常Ｔａが使用されている。Ｔａが保護膜として使用される理由は、Ｔａが保護膜としての安定性を有する他に、Ｔａ膜を下地膜とした場合、その上に積層して形成されるＮｉＦｅ等の、素子として重要な働きをする磁性膜が好ましいとされる配向面で成長するからである。
【００３０】
そこで、この発明が提案するドライエッチング用マスク材としてＴａを用いることにより、ＴＭＲ素子の微細加工を行う過程において、ＴＭＲ素子の保護膜として形成されるＴａがマスクとして使用されているので、ＴＭＲ素子の微細加工終了後にマスクを除去する必要がなくなり、これをそのまま残して保護膜として使用できる。
【００３１】
すなわち、この発明が提案するドライエッチング用マスク材として良好な磁性膜形成に必要な下地膜でもあるＴａを用いると、マスクに用いられたＴａがＴＭＲ素子の構成要素（保護膜）となるので、エッチング終了後にマスクを除去する工程が不要になり、生産工程の短縮化、簡略化につながり、マスク用としてだけ別の材料を用意する必要がなくなり、設備、材料に関わるコストの削減を図ることができる。
【００３２】
なお、前記において、反応性ガスとして用いる一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスにアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、キセノン（Ｘｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、ネオン（Ｎｅ）等の第三のガスを添加ガスとして添加してもよい。これらの第三のガスを添加することにより、前述の一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスを希釈し、過度のガスの解離やエッチング生成物の再解離、再付着をコントロールすることができる。
【００３３】
ただし、図４に示すように、一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスに対するＡｒガスの添加量が大きいほど対Ｔｉ選択比は小さくなり、この傾向は、本発明において採用している単体金属より窒化物あるいは炭化物に変化したときに融点又は沸点が上昇する金属（Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ）においても示されるので、Ａｒガスのような前述した第三のガスを一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスに添加する場合、その添加量は８０％以下とすることが望ましい。
【００３４】
【実験例】
一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして使用し磁性材料をドライエッチングする際のマスク用材料として本発明が提案するタンタル（Ｔａ）を採用した場合について、ＴＭＲ素子に対して、図５に示すようなヘリコン波プラズマ源搭載のエッチング装置を用いてエッチングを行った。
【００３５】
図６にＴＭＲ素子の基本的な構造を示す。
【００３６】
ＴＭＲ素子を特徴付けるＴＭＲ構造は、膜厚が１ｎｍの絶縁層であるＡｌ２Ｏ３膜を挟んで、ピン層（Ａｌ２Ｏ３の上層）とフリー層（Ａｌ２Ｏ３の下層）と呼ばれる２つのＣｏＦｅからなる強磁性層（膜厚は、ピン層が５ｎｍ、フリー層が１０ｎｍ）と、ピン層の上層で反強磁性層のＦｅＭｎ（膜厚２０ｎｍ）からなる。なお、ここでは、ＴＭＲ素子の基本原理、動作の説明は省略する。
【００３７】
更に、生産工程中、大気と接する最上層には、ＴＭＲ素子の保護層であり、かつ、絶縁層であるＡｌ２Ｏ３を含めた磁性層のドライエッチング用のマスクでもあるＴａが積層している。Ｔａは、ドライエッチング後、保護層としての膜厚を確保させるため、エッチング前は９ｎｍの膜厚に積層される。保護層（Ｔａ）、反強磁性層（ＦｅＭｎ）、強磁性層（ＣｏＦｅ）、絶縁層（Ａｌ２Ｏ３）は、一般的にはスパッタリングで順次形成される。
【００３８】
まず、図６（ａ）図示の構成のＴＭＲ素子に対して、ＳＦ６ガスを用いて、ＰＲをマスクとして、Ｔａ膜をエッチングし、図６（ｂ）図示のように形成されたＴａ膜を絶縁層であるＡｌ２Ｏ３を含めた磁性層（ＦｅＭｎ、ＣｏＦｅ）のマスクとした。このプロセスは以下のように行った。
【００３９】
図５図示の真空容器２内を排気系２１によって排気し、不図示のゲートバルブを開けて図６（ａ）図示の構成のＴＭＲ素子となるＴＭＲ膜を積層したウェーハ９を真空容器２内に搬入し、対象物ホルダー４に保持し、温度制御機構４１により所定温度に維持した。次に、ガス導入系３を動作させ、図５には不図示のＳＦ６ガスを溜めているボンベから不図示の配管、バルブ、流量調整器を介して、所定の流量のエッチングガス（ＳＦ６）を真空容器２内へ導入する。導入されたエッチングガスは、真空容器２内を経由して誘電体壁容器１１内に拡散する。ここで、プラズマ源１を動作させる。プラズマ源１は、真空容器２に対して内部空間が連通するようにして気密に接続された誘電体壁容器１１と、誘電体壁容器１１内にヘリコン波を誘起する２ターンのアンテナ１２と、アンテナ１２に不図示の整合器を介して伝送路１５によって接続され、アンテナ１２に供給する高周波電力（ソース電力）を発生させるプラズマ用高周波電源１３と、誘電体壁容器１１内に所定の磁界を生じさせる電磁石１４等とから構成されている。プラズマ用高周波電源１３が発生させた高周波が伝送路１５によってアンテナ１２に供給された際に、２ターンのアンテナ１２に互いに逆向きの電流が流れ、この結果、誘電体壁容器１１の内部にヘリコン波が誘起される。このヘリコン波のエネルギーがエッチングガスに与えられてヘリコン波プラズマが形成される。なお、真空容器２の側壁の外側には、多数の側壁用磁石２２が、真空容器２の側壁を臨む面の磁極が隣り合う磁石同士で互いに異なるように周方向に多数並べて配置され、これによってカスプ磁場が真空容器２の側壁の内面に沿って周方向に連なって形成され、真空容器２の側壁の内面へのプラズマの拡散が防止されている。この時、同時に、バイアス用高周波電源５を作動させて、エッチング処理対象物であるウェーハ９に負の直流分の電圧であるセルフバイアス電圧が与えられ、プラズマからウェーハ９の表面へのイオン入射エネルギーを制御している。前記のようにして形成されたプラズマが誘電体壁容器１１から真空容器２内に拡散し、ウェーハ９の表面付近にまで達する。この際、ウェーハ９の表面がエッチングされる。
【００４０】
なお、以上のＳＦ６を用いたＰＲマスクによるＴａ膜のエッチングプロセスは、エッチングガス（ＳＦ６）の流量：３２６ｍｇ／ｍｉｎ．（５０ｓｃｃｍ）、ソース電力：１０００Ｗ、バイアス電力：１００Ｗ、真空容器２内の圧力：０．５Ｐａ、ウェーハ９の温度：５０℃で行った。
【００４１】
次に、ＣＯガスとＮＨ３ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いて、前記のプロセスによって形成されたＴａマスクで磁性膜をエッチングした。
【００４２】
このプロセスも、図５図示のヘリコン波プラズマ源搭載のエッチング装置を用いて行うものであるが、前記のプロセスにおいて、図示しないガス導入系を動作させてＳＦ６ガスをエッチングガスとして真空容器２内へ導入したプロセスを、ガス導入系３を動作させて、図５図示のＣＯガスを溜めているボンベ３１ａ及びＮＨ３ガスを溜めているボンベ３１ｂから、配管３２、バルブ３３、流量調整器３４を介して、所定の混合比及び流量のエッチングガス（ＣＯガス及びＮＨ３ガスの混合ガス）を真空容器２内へ導入するプロセスに変更し、他は、前述のプロセスと同様にエッチングを行い、図６（ｃ）図示のＴＭＲ素子を得た。
【００４３】
このＴａ膜マスクによる磁性膜のエッチングプロセスは、エッチングガスの流量：ＣＯガス：１２．５ｍｇ／ｍｉｎ．（１０ｓｃｃｍ）、ＮＨ３ガス：２２．８ｍｇ／ｍｉｎ．（３０ｓｃｃｍ）、ソース電力：３０００Ｗ、バイアス電力：１２００Ｗ、真空容器２内の圧力：０．８Ｐａ、ウェーハ９の温度：１００℃で行ったものである。
【００４４】
以上のプロセスにてＴＭＲ素子をエッチングしたところ、パターン側壁への付着膜は発生しなかった。
【００４５】
一方、ＴＭＲ素子をＡｒガスを用いてＰＲマスクでエッチングしたところ、パターン側壁に付着膜が生じていた。
【００４６】
この結果、図３に示すように、一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして使用し、ＴＭＲ素子を構成する磁性材料をドライエッチングする際のマスク用材料としてＴｉと同等以上のエッチング性能（ＣｏＦｅエッチング速度：６３．１ｎｍ／ｍｉｎ．、Ｔａエッチング速度：５．７ｎｍ／ｍｉｎ．、選択比（対ＣｏＦｅ）：１１）が得られ、エッチング後、膜厚５ｎｍの保護膜としてＴａ膜をそのまま残した。
【００４７】
更に、Ｔａをマスク材として用いると、ドライエッチングにより発生する反応生成物に起因するパターン側壁への付着物が低減されるため、テーパー角も大きく、パターン側壁への付着物の少ないエッチングを行えることが示された。
【００４８】
以上、この発明の好ましい実施の形態、実験例を説明したが、本発明は、前述した実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲において、種々の形態に変更可能である。
【００４９】
例えば、一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとし、本発明が提案するＴａ等の金属を、ＴＭＲ素子を構成する磁性薄膜のドライエッチング用のマスク材として用いる場合、ＴＭＲ素子の構成は、図６図示の構成に限定されるものではない。
【００５０】
また、前記実験例では、エッチング装置としてヘリコン波プラズマ源搭載のエッチング装置を用いたが、エッチング装置はこれに限られるものではなく、平行平板型ＲＩＥ、マグネトロンＲＩＥ、ＥＣＲ、ＩＣＰなどを用いることができる。
【００５１】
【発明の効果】
この発明によれば、ＴＭＲ膜を構成するＮｉＦｅやＣｏＦｅのように数ｎｍ程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、ＴＭＲ素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスにおけるエッチング速度の実験結果を表すグラフ。
【図２】ＮｉＦｅエッチング速度と対Ｔｉ選択比の反応性ガスによる相違を表すグラフ。
【図３】ＴＭＲ素子用磁性膜のＣＯ／ＮＨ３エッチング特性を表すグラフ。
【図４】エッチング速度と対Ｔｉ選択比のＡｒガス添加量依存度を表すグラフ。
【図５】本発明のＴａマスクでＣＯ＋ＮＨ３ガスを用いて磁性膜のエッチングを行う際に使用できるエッチング装置の概略構成図。
【図６】本発明のＴａマスクを用いてＴＭＲ素子のエッチングを行う際のプロセスを表す図であって、
（ａ）は、プロセス開始前の断面概略図、
（ｂ）は、ＰＲをマスクとしてＴａ膜をエッチングした状態の断面概略図、
（ｃ）は、Ｔａマスクで、磁性膜をエッチングした状態の断面概略図。
【符号の説明】
１ プラズマ源
２ 真空容器
３ ガス導入系
４ 対象物ホルダー
５ バイアス用高周波電源
９ ウェーハ
１１ 誘電体壁容器
１２ アンテナ
１３ プラズマ用高周波電源
１４ 電磁石
１５ 伝送路
２１ 排気系
２２ 側壁用磁石
３１ａ、３１ｂ ボンベ
３２ 配管
３３ バルブ
３４ 流量調整器
４１ 温度制御機構

Claims (1)

  1. 絶縁層を挟んで、該絶縁層の上層のピン層と該絶縁層の下層のフリー層とからなる強磁性層とを含むＴＭＲ構造体を有するＴＭＲ磁性素子の製造方法において、
    窒化物あるいは炭化物に変化したときに融点又は沸点が上昇する金属であるタンタルの金属からなるマスクで、前記ＴＭＲ構造体を形成するための積層体をマスクする工程、そして
    一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして使用して前記マスクされた前記積層体をドライエッチングしてＴＭＲ構造体を形成する工程とからなり、
    前記ＴＭＲ構造体上層の保護膜をドライエッチング工程後の前記タンタルマスクで構成しているＴＭＲ磁性素子の製造方法。
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