JP2009528682A5

JP2009528682A5 -

Info

Publication number: JP2009528682A5
Application number: JP2008556573A
Authority: JP
Filing date: 2007-02-23
Publication date: 2010-04-15

Claims

粒子の約５０％以上がＩＢ族元素、ＩＩＩＡ族元素、およびＶＩＡ族元素のうちの少なくとも１つから選ばれる少なくとも１つの元素を含む非球状の平面形状フレークであるとともに、前記インクに含まれるＩＢ族元素、ＩＩＩＡ族元素およびＶＩＡ族元素の全体量は、前記インク中で所望の化学量論比を有している、粒子からインクを調製する工程と、
前駆体層を形成すべく前記インクにより基板をコーティングする工程と、
高密度の薄膜を形成すべく好適な雰囲気下で前記前駆体層を加工する１つ以上の工程とを備える方法。
前記インクは分散された形態にある、請求項１に記載の方法。
少なくとも前記インク中の一部の前記粒子が少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ族元素の金属間合金相を含む金属間ナノフレーク粒子である、請求項１又は２に記載の方法。
前記金属間相が最終固溶体相及び固溶体相のいずれでもない、請求項３に記載の方法。
金属間粒子に含まれるＩＢ族元素が、全粒子中のＩＢ族元素の約５０モル％未満である請求項１に記載の方法。
前記金属間物質がＣｕ _１Ｉｎ _２、δ相のＣｕ _１Ｉｎ _２、δ相のＣｕ _１Ｉｎ _２とＣｕ _１６Ｉｎ _９で定義される相の中間の組成、Ｃｕ _１Ｇａ _２、中間固溶体のＣｕ _１Ｇａ _２、Ｃｕ _６８Ｇａ _３８、Ｃｕ _７０Ｇａ _３０、Ｃｕ _７５Ｇａ _２５、前記最終固溶体とその隣の中間固溶体の中間の相の組成のＣｕ−Ｇａ、γ _１相（約３１．８〜約３９．８重量％Ｇａ）の組成のＣｕ−Ｇａ、γ _２相（約３６．０〜約３９．９重量％Ｇａ）の組成のＣｕ−Ｇａ、γ _３相（約３９．７〜約−４４．９重量％Ｇａ）の組成のＣｕ−Ｇａ、θ相（約６６．７〜約６８．７重量％Ｇａ）の組成のＣｕ−Ｇａ、γ _２相とγ _３相の中間の組成のＣｕ−Ｇａ、最終固溶体とγ _１相の中間の組成のＣｕ−Ｇａ、及びＣｕに富むＣｕ−Ｇａからなる群のいずれか１つを含む請求項１に記載の方法。
ＩＩＩＡ族元素としてガリウムが懸濁ナノ球体の形状で組み込まれる請求項３に記載の方法。
前記ガリウムのナノ球体が溶液中の液体ガリウムのエマルジョンを生成す
ることにより形成される請求項７記載の方法。
前記ガリウムが室温未満の温度まで急冷される請求項７記載の方法。
さらに、アルミニウム、テルル、または硫黄から選ばれる１つ以上の元素状粒子の混合物を添加する工程を備える、請求項１に記載の方法。
前記好適な雰囲気が、セレン、硫黄、テルル、Ｈ _２、ＣＯ、Ｈ _２Ｓｅ、Ｈ _２Ｓ、Ａｒ、およびＮ _２からなるグループのうちの少なくとも１つの元素または化合物、または前記の組合せまたは混合物を含む請求項１に記載の方法。
一以上のクラスの前記粒子がアルミニウム（Ａｌ）、硫黄（Ｓ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、またはリチウム（Ｌｉ）からなるグループから選ばれる一以上の無機物質によりドープされる請求項１に記載の方法。
粒子の約過半数がＩＢ族元素、ＩＩＩＡ族元素、およびＶＩＡ族元素から選ばれる少なくとも１つの元素を含む非球状の平面形状ナノフレークである、請求項１に記載の方法。
さらに、前記ナノフレークをセレンおよび／またはセレン化物を含む少なくとも１つの層でコーティングすることを含む請求項１３に記載の方法。
前記ナノフレークが少なくとも１０以上のアスペクト比を有する請求項１３に記載の方法。
前記ナノフレークが少なくとも１５以上のアスペクト比を有する請求項１３に記載の方法。
前記ナノフレークがナトリウムを含む請求項１３に記載の方法。
前記ナノフレークがＣｕ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｎａ、Ｇａ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｇａ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｎａ、Ｎａ−Ｓｅ、Ｃｕ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｎａ−Ｓ、Ｃｕ−Ｓ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｓ−Ｎａ、Ｇａ−Ｓ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｇａ−Ｓ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓ−Ｎａ、またはＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓ−Ｎａのうち少なくとも１つの物質を含む請求項１３に記載の方法。
請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法に従って製造される、太陽電池。