JP2009528681A5 - - Google Patents
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Claims (16)
- ＩＢ族元素カルコゲニドおよび／またはＩＩＩＡ族元素カルコゲニド粒子を含む前駆体物質を形成する工程と、
前記前駆体物質の前駆体層を基板表面上に形成する工程と、
前記前駆体物質の粒子を実質的に無酸素のカルコゲン雰囲気下にて、前記カルコゲニド粒子が反応して前記カルコゲニド粒子からカルコゲンを放出するに十分な加工温度まで加熱し、前記カルコゲンが液体状態をとりフラックスとして挙動して、元素の混合を増大させて、所望の化学量論比ＩＢ−ＩＩＩＡ族元素カルコゲニド薄膜を形成する工程とを備え、
前記前駆体物質中の少なくとも一組の前記粒子が少なくとも一つのＩＢ−ＩＩＩＡ族元素の金属間合金相を含む金属間粒子であることを含む方法。 - 金属間粒子中のＩＢ族元素が前記全粒子中のＩＢ族元素の５０モル％未満である請求項１に記載の方法。
- 前記金属間物質がＣｕ １ Ｉｎ ２ を含む請求項１に記載の方法。
- 前記金属間物質がδ相のＣｕ １ Ｉｎ ２ とＣｕ １６ Ｉｎ ９ で定義される相の中間の組成を有する請求項１に記載の方法。
- 前記金属間物質がＣｕ １ Ｇａ ２ を含む請求項１に記載の方法。
- 前記金属間物質中間固溶体のＣｕ １ Ｇａ ２ を含む請求項１に記載の方法。
- 前記金属間が、γ １ 相（約３１．８〜約３９．８重量％Ｇａ）の組成のＣｕ−Ｇａを含む請求項１に記載の方法。
- 前記金属間がγ ２ 相（約３６．０〜約３９．９重量％Ｇａ）の組成のＣｕ−Ｇａを含む請求項１に記載の方法。
- 前記金属間がγ ３ 相（約３９．７〜約−４４．９重量％Ｇａ）の組成のＣｕ−Ｇａを含む請求項１に記載の方法。
- 前記金属間がθ相（約６６．７〜約６８．７重量％Ｇａ）の組成のＣｕ−Ｇａを含む請求項１に記載の方法。
- 前記好適な雰囲気が、セレン、硫黄、テルル、Ｈ ２ 、ＣＯ、Ｈ ２ Ｓｅ、Ｈ ２ Ｓ、Ａｒ、およびＮ ２ からなるグループの内の少なくとも一つの元素または化合
物、または前記の組合せまたは混合物を含む請求項１に記載の方法。 - 複数のクラスの前記粒子がアルミニウム（Ａｌ）、硫黄（Ｓ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、またはリチウム（Ｌｉ）からなるグループから選ばれる複数の無機物質によりドープされる請求項１に記載の方法。
- 前記生成するＩＢ−ＩＩＩＡ族元素カルコゲニド薄膜中で、ＩＢ族元素に対するＩＩＩＡ族元素のモル数の比率が約０．８０より大きく約１．０未満である請求項１に記載の方法。
- 前記粒子が約５．０重量パーセントより多い酸素を含まない請求項１に記載の方法。
- 反応させることが、前記粒子を反応させるために少なくとも部分的に前記粒子を融解させることを含む請求項１に記載の方法。
- 前記前駆体層中のＩＢ族元素カルコゲニドはＣｕ ｘ Ｓｅ ｙ を含み、前記前駆体層中のＩＢ族元素カルコゲニドはＣｕ ｚ Ｓｅ ｙ （ここでｘ＞ｚ）を含む請求項１に記載の方法。
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