JP2013033987A - 金属間ナノフレーク粒子による高処理能力の半導体前駆体層印刷 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 307
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 261
- 239000002060 nanoflake Substances 0.000 title abstract description 262
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 27
- 238000007639 printing Methods 0.000 title description 19
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 168
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 145
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000001995 intermetallic alloy Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 234
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 131
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 123
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 116
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 87
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 66
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 65
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 60
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 57
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 47
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 47
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 43
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 34
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 33
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 13
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 11
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 claims description 11
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910014103 Na-S Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910014147 Na—S Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910014589 Na—Se Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 167
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 abstract description 61
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 abstract description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 20
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 495
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 173
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 171
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 146
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 91
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 74
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 67
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 59
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 55
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 52
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 48
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 42
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 41
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 41
- -1 H 2 Chemical compound 0.000 description 38
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 38
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 26
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 26
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 23
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 17
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 16
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N digallium;selenium(2-) Chemical compound [Ga+3].[Ga+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 10
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 10
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 10
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 9
- 150000003388 sodium compounds Chemical class 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 8
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N indium(3+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[In+3].[In+3] AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229920000136 polysorbate Polymers 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 6
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 6
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N copper gallium Chemical compound [Cu].[Ga] CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 5
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCO RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N copper;sulfanylideneindium Chemical compound [Cu].[In]=S LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 229910001325 element alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000000374 eutectic mixture Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneindium Chemical compound [In]=S GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CUNWUEBNSZSNRX-RKGWDQTMSA-N (2r,3r,4r,5s)-hexane-1,2,3,4,5,6-hexol;(z)-octadec-9-enoic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO.OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O CUNWUEBNSZSNRX-RKGWDQTMSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N Caprylic acid Natural products CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- 229920001213 Polysorbate 20 Polymers 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXCIGYOXXCQVPM-UHFFFAOYSA-N [In]=S.[Na] Chemical compound [In]=S.[Na] AXCIGYOXXCQVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 235000010486 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Nutrition 0.000 description 3
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 3
- 235000010482 polyoxyethylene sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229920000053 polysorbate 80 Polymers 0.000 description 3
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 3
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 3
- JNYAEWCLZODPBN-JGWLITMVSA-N (2r,3r,4s)-2-[(1r)-1,2-dihydroxyethyl]oxolane-3,4-diol Chemical class OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O JNYAEWCLZODPBN-JGWLITMVSA-N 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZXPHDGHQXLXJC-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-5,6-dimethylheptane Chemical compound O=C=NC(C)(C)C(C)CCCCN=C=O VZXPHDGHQXLXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical compound C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 2
- XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N Melanin Chemical compound O=C1C(=O)C(C2=CNC3=C(C(C(=O)C4=C32)=O)C)=C2C4=CNC2=C1C XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N Sorbitan monopalmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- IJCWFDPJFXGQBN-RYNSOKOISA-N [(2R)-2-[(2R,3R,4S)-4-hydroxy-3-octadecanoyloxyoxolan-2-yl]-2-octadecanoyloxyethyl] octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC IJCWFDPJFXGQBN-RYNSOKOISA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 229940053200 antiepileptics fatty acid derivative Drugs 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004067 bulking agent Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNLHHZNOLUDEKQ-UHFFFAOYSA-N copper;selanylidenegallium Chemical compound [Cu].[Se]=[Ga] YNLHHZNOLUDEKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 2
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- ALCDAWARCQFJBA-UHFFFAOYSA-N ethylselanylethane Chemical compound CC[Se]CC ALCDAWARCQFJBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 239000000244 polyoxyethylene sorbitan monooleate Substances 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 229960005078 sorbitan sesquioleate Drugs 0.000 description 2
- 235000011078 sorbitan tristearate Nutrition 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QOQNJVLFFRMJTQ-UHFFFAOYSA-N trioctyl phosphite Chemical compound CCCCCCCCOP(OCCCCCCCC)OCCCCCCCC QOQNJVLFFRMJTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluorocyclohexane Chemical compound FC1(F)CCCCC1 ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2SC(C(=O)N)=CC2=C1 GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNPLUBHRSSFHT-RRHRGVEJSA-N 1-hexadecanoyl-2-octadecanoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)O[C@@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC PZNPLUBHRSSFHT-RRHRGVEJSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUHFRORXWCGZGE-KTKRTIGZSA-N 2-hydroxyethyl (z)-octadec-9-enoate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCCO MUHFRORXWCGZGE-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical class [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 6-chloro-2-n,2-n-diethylpyrimidine-2,4-diamine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(N)=CC(Cl)=N1 XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-UHFFFAOYSA-N 9,12-Octadecadienoic Acid Chemical compound CCCCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000012958 Amine synergist Substances 0.000 description 1
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017934 Cu—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N Decanoic acid Natural products CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001730 Moisture cure polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004909 Moisturizer Substances 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- RVGRUAULSDPKGF-UHFFFAOYSA-N Poloxamer Chemical compound C1CO1.CC1CO1 RVGRUAULSDPKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920002565 Polyethylene Glycol 400 Polymers 0.000 description 1
- 229920002701 Polyoxyl 40 Stearate Polymers 0.000 description 1
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- NWGKJDSIEKMTRX-AAZCQSIUSA-N Sorbitan monooleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O NWGKJDSIEKMTRX-AAZCQSIUSA-N 0.000 description 1
- HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N Sorbitan monostearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWHZIFQPPBDJPM-FPLPWBNLSA-M Vaccenic acid Natural products CCCCCC\C=C/CCCCCCCCCC([O-])=O UWHZIFQPPBDJPM-FPLPWBNLSA-M 0.000 description 1
- ZBNRGEMZNWHCGA-PDKVEDEMSA-N [(2r)-2-[(2r,3r,4s)-3,4-bis[[(z)-octadec-9-enoyl]oxy]oxolan-2-yl]-2-hydroxyethyl] (z)-octadec-9-enoate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC ZBNRGEMZNWHCGA-PDKVEDEMSA-N 0.000 description 1
- LWZFANDGMFTDAV-BURFUSLBSA-N [(2r)-2-[(2r,3r,4s)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]-2-hydroxyethyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O LWZFANDGMFTDAV-BURFUSLBSA-N 0.000 description 1
- NWGKJDSIEKMTRX-BFWOXRRGSA-N [(2r)-2-[(3r,4s)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]-2-hydroxyethyl] (z)-octadec-9-enoate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)C1OC[C@H](O)[C@H]1O NWGKJDSIEKMTRX-BFWOXRRGSA-N 0.000 description 1
- HVUMOYIDDBPOLL-XGKPLOKHSA-N [2-[(2r,3r,4s)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]-2-hydroxyethyl] octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XGKPLOKHSA-N 0.000 description 1
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N acetylenediol Chemical compound OC#CO ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003916 acid precipitation Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000013011 aqueous formulation Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010296 bead milling Methods 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enenitrile Chemical compound C=CC=C.C=CC#N NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- SECPZKHBENQXJG-UHFFFAOYSA-N cis-palmitoleic acid Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O SECPZKHBENQXJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N dibromomethane Chemical compound BrCBr FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000010017 direct printing Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N elaidic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- VZCCETWTMQHEPK-QNEBEIHSSA-N gamma-linolenic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCC(O)=O VZCCETWTMQHEPK-QNEBEIHSSA-N 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910001009 interstitial alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001540 jet deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 1
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003701 mechanical milling Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 1
- 238000007760 metering rod coating Methods 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 239000011325 microbead Substances 0.000 description 1
- 239000004200 microcrystalline wax Substances 0.000 description 1
- 235000019808 microcrystalline wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000001333 moisturizer Effects 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- HWJHZLJIIWOTGZ-UHFFFAOYSA-N n-(hydroxymethyl)acetamide Chemical compound CC(=O)NCO HWJHZLJIIWOTGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000025 natural resin Substances 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SECPZKHBENQXJG-BQYQJAHWSA-N palmitelaidic acid Chemical compound CCCCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O SECPZKHBENQXJG-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920001993 poloxamer 188 Polymers 0.000 description 1
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 235000010483 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000249 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 235000010989 polyoxyethylene sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001818 polyoxyethylene sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000010988 polyoxyethylene sorbitan tristearate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001816 polyoxyethylene sorbitan tristearate Substances 0.000 description 1
- 229940099429 polyoxyl 40 stearate Drugs 0.000 description 1
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 description 1
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 229940035044 sorbitan monolaurate Drugs 0.000 description 1
- 235000011067 sorbitan monolaureate Nutrition 0.000 description 1
- 235000011069 sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001593 sorbitan monooleate Substances 0.000 description 1
- 229940035049 sorbitan monooleate Drugs 0.000 description 1
- 235000011071 sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001570 sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 229940031953 sorbitan monopalmitate Drugs 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- 239000001589 sorbitan tristearate Substances 0.000 description 1
- 229960004129 sorbitan tristearate Drugs 0.000 description 1
- 239000008347 soybean phospholipid Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011115 styrene butadiene Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003784 tall oil Substances 0.000 description 1
- 229920006027 ternary co-polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000003852 thin film production method Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N trans-p-Menthane-1,8-diol Chemical compound CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWHZIFQPPBDJPM-BQYQJAHWSA-N trans-vaccenic acid Chemical compound CCCCCC\C=C\CCCCCCCCCC(O)=O UWHZIFQPPBDJPM-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- UGZADUVQMDAIAO-UHFFFAOYSA-L zinc hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Zn+2] UGZADUVQMDAIAO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940007718 zinc hydroxide Drugs 0.000 description 1
- 229910021511 zinc hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002888 zwitterionic surfactant Substances 0.000 description 1
- DTOSIQBPPRVQHS-UHFFFAOYSA-N α-Linolenic acid Chemical compound CCC=CCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
【解決手段】平面状粒子はより容易に分散し、はるかに高密度のコーティングを形成し、次いで焼きなましにより、球状ナノ粒子から形成される対応物と比べて、より低温および/または短時間で溶融した高密度薄膜に変換される。平面状粒子は高いアスペクト比を有するナノフレークとなりうる。ナノフレークから生成される高密度薄膜は、とりわけ光起電性装置の形成にとって有用である。一実施形態ではインク中の少なくとも一セットの前記粒子は、少なくとも1つのIB−IIIB族元素によりなる金属間合金相を含む金属間フレーク粒子(マイクロフレークまたはナノフレーク)である。
【選択図】なし
Description
真空技術の使用には期待がもたれる。 この分野と、確実にCIGS非真空前駆体分野では、特にナノメーターのスケールの粒子(以下、ナノ粒子と呼ぶ)を取り扱う場合には球状の粒子が分散とコーティングに最も適しており、他の形状では分散安定性と薄膜の充填の点で好ましくないという広く普及した概念がある。従って、分散化学者とコーティング・エンジニアが力を注ぐプロセスと理論には球状粒子が含まれる。CIGS非真空前駆体に用いられる金属、特に純金属は高密度であるため、媒体中での良好な分散を実現するためには非常に小さなサイズが必要とされる。このことより、ひいては各成分が望ましい化学量論比を維持するためには同様のサイズを持つことが要求される。なぜならば、そうでない場合にはより大きな粒子が最初に沈降してしまうためである。さらに球体は体積当たりの充填単位による充填密度で、高い充填密度の達成に有用と考えられ、また高密度下においても、各粒子の接触は、正接点のみであり、粒子間の表面積での摩擦は非常に小さくなる。さらにまた、生成される薄膜で良好な原子の混合が望まれる場合、凝集を減らすためには最小の凝集(minimal flocculation)が好ましい。
しできることが見いだされた。さらに、懸濁を維持するために、継続的撹拌が必要な大きなマイクロフレーク粒子を用いる不安定な分散の場合でも良好なコーティングが生成できる。本発明の一実施形態では、安定な分散は基板がコーティングされるのに十分な時間分散状態にとどまるものである。一実施形態では、粒子の分散のために撹拌を含んでもよい。このことは、他の実施形態では分散から沈降が起きても、さらに撹拌および/または他の方法により使用時に再分散される状態を含む。
数値は、空隙容量を最小化するように充填された異なる直径の球体の自由体積に基づくものである。本発明の他の実施形態では、高密度薄膜は約30%以下の空隙容量を有する。他の実施形態では、空隙容量は20%以下である。さらに他の実施形態では、空隙容量は10%以下である。
密度を可能にする。前記ナノフレークの平面形状は、前記前駆体層中で少なくとも約90%の充填密度を可能にする。前記ナノフレークの平面形状は、前記前駆体層中で少なくとも約95%の充填密度を可能にする。充填密度は、質量/体積、固体分/体積または非空隙/体積のうちの任意のものでもよい。
約50nm以上の長さおよび/または最長の側面方向の長さを有することができる。前記各ナノフレークは約100nm以下の厚さを有することができる。他の実施形態では、平面状のナノフレークの長さは約500nmから1nmの間である。制限しない例として、ナノフレークは300nmから10nmの間の長さおよび/または最長の側面方向の長さを有することができる。他の実施形態では、ナノフレークは約200nmから約20nmの範囲の厚さを持つことができる。別の実施形態では、これらのナノフレークは100nmから10nmの範囲の厚さを持つことができる。一実施形態では、ナノフレークは約200nmから約20nmの範囲の厚さを持つことができる。ナノフレークは約50nm以下の厚さを持つことができる。ナノフレークは約20nm以下の厚さを持つことができる。前記ナノフレークは少なくとも5以上のアスペクト比を有することができる。前記ナノフレークは少なくとも10以上のアスペクト比を有することができる。前記マイクロフレークは少なくとも15以上のアスペクト比を有することができる。
加工圧は非減圧を任意に選択することができる。
とも一部の前記粒子は、金属間相に少なくとも1つのIB−IIIB族元素を含む金属間粒子である。上記実施形態のいずれでも、本明細書で述べられている金属間層を含むフレーク(マイクロフレークまたはナノフレーク)を使用することができる。
前記金属間物質は前記最終固溶体とその次に存在する中間固溶体との中間相のCu−Gaからなることができる。前記金属間γ1相の組成のCu−Ga(約31.8から約39.8重量%のGa)からなることができる。前記金属間γ2相の組成のCu−Ga(約36.0から約39.9重量%のGa)からなることができる。前記金属間はγ3相の組成のCu−Ga(約39.7から約−44.9重量%のGa)からなることができる。前記金属間はγ2相とγ3相の中間相のCu−Gaからなることができる。前記金属間は前記最終固溶体とγ1相の中間相のCu−Gaからなることができる。前記金属間θ相のCu−Ga(約66.7から約68.7重量%のGa)からなることができる。前記金属間物質はCu含有量の多いCu−Gaからなることができる。ガリウムがIIIB族元素として前記形態の懸濁ナノ球体に含まれることができる。ガリウムのナノ球体は、溶液中の液体ガリウムのエマルジョンの調製により生成できる。ガリウムのナノ球体は、室温未満の温度に急冷することで生成できる。
は、引き続き述べられる状況が起きる場合の例と、起きない場合の例を含むために、引き続き述べられる状況が起きても起きなくてもよいことを意味する。例えば、もし「装置は任意的に障壁薄膜の性質を含む」(if a device optionally contains a feature for a barrier film)の記載の場合、これは前記障壁薄膜の性質があっても無くてもよいことを意味し、従って前記記載は、装置が前記障壁薄膜の性質を有する構造と、前記障壁薄膜の性質を有さない構造の両者を含む。
(薄膜の生成法)
図1を参照しながら、本発明の半導体薄膜の生成法の1つを説明する。当然ながら、本発明の実施形態は前記半導体薄膜の生成に非真空技術が用いられる。しかしながら他の実施形態では前記薄膜の生成は真空環境下で行われ、非球状粒子を用いる本発明は非真空コ
ーティング技術にのみ限定されるものではない。
%以下の酸素を含むことができる。他の実施形態では前記ナノフレーク約0.5重量%以下の酸素を含むことができる。さらに他の実施形態では前記ナノフレーク約1.0重量%以下の酸素を含むことができる。またさらに他の実施形態では前記ナノフレーク約3.0重量%以下の酸素を含むことができる。他の実施形態では前記ナノフレーク約5.0重量%以下の酸素を含むことができる。
は構成する副層)は成分全体として所望の化学量論比を有するようにコントロールされた成分から製剤化された前駆体原料を用いて付着により形成される。副層を順次形成することによる層の形成法の1つの詳細については、同一出願人による同時係属中の2005年10月3日出願の米国特許出願第11/243,492(代理人整理番号:Attorney Docket No。NSL−040)明細書に記載されており、その全体は参照により本明細書に包含される。
による同時係属中の2006年2月23日出願の米国特許出願第 11/243,522号(代理人整理番号第NSL−046:Attorney Docket No. NSL−046)明細書に記載されており、参照によりその全体が本明細書に包含される。これにより付加層107(図1(c)中、空白部分として示される)が生成される。任意的に、付加的カルコゲンは以下の任意の組合せによっても添加することができる。すなわち、(1)溶液により付着できる全てのカルコゲン源、例えば前記前駆体層に混合された、または別個の層として付着されたSeまたはSのナノサイズまたはミクロサイズの粉末、(2)気化したカルコゲン(例えばSeまたはS)、(3)H2Se(H2S)雰囲気、(4)カルコゲン(例えば、SeまたはS)雰囲気、(5)H2雰囲気、(6)例えば、ジエチルセレニドや他の有機金属化合物のような有機セレン雰囲気、(7)CO等の他の還元的雰囲気、および(8)熱処理が含まれる。Se/(Cu+In+Ga+Se)で与えられる過剰のカルコゲンの前記マイクロフレークに対する化学量論比は、約0から約1000の範囲であることができる。
Dispersion”と題された米国特許出願第11/081,163号明細書の中で、この技法を開示し、その開示全体が参照により本明細書に包含される。
(Shtyrokov E I)、Sov. Phys. -Semicond. 9
1309ページ)、継続波レーザー(通常10−30W)(フェリス (Ferris S D) 「Laser−Solid Interactions and Laser Processing」(New York:AIP)1979年)、パルス化電子ビーム装置(カミンス (Kamins T I) Appl. Phys. Leti. 35282〜5ページ 1979年)、スキャニング電子ビームシステム(マクマホン (McMahonR A) J. Vac.Sci. Techno. 16 1840〜2ページ 1979年)、(レゴリニ (Regolini J L) Appl. Phys. Lett. 34 410ページ 1979年)、および他のビームシステム(ホジソン (Hodgson R T) Appl. Phys. Lett. 37 187〜9ページ 1980年)、黒鉛板ヒーター(ファン (Fan
J C C) Mater.Res.Soc. Proc. 4 751〜8ページ
1983年)(ガイス (M W Geis) Appl. Phys. Lett.
37 454ページ 1980年)、ランプシステム(コーエン (Cohen R L) Appl. Phys. Lett. 33 751〜3ページ 1978年)および走査水素炎システム(ダウニー (Downey D F) SolidState
Technol. 25 87〜93ページ 1982年)が含まれる。いくつかの本発明の実施形態では、非指向性の低密度システムを使用できる。他の方法として、他の公知のパルス化加熱プロセスが、米国特許第4,350,537号および4,356,384号明細書に記載されている。さらに、当然ながら、失効した米国特許第3,950,187号(“Method and apparatus involving pulsed electron beam processing of semiconductor devices”)および第4,082,958号(“Apparatus involving pulsed electron beam processing of semiconductor devices”)明細書に記載されるパルス化電子ビーム加工に含まれる方法と装置および太陽電池の急速熱加工は公有財産になっており、広く知られている。米国特許第4,729,962号明細書も、他の公知の太陽電池の急速熱加工方法を記載している。上記特許は、単一でまたは単一または複数の前述または同様の加工技術と組合せて、本発明のさまざまな実施形態に応用することができる。上記特許4,729,962号は、さらに他の公知の太陽電池のための急速熱加工方法を記載している。上記特許も単一で、または一以上の前述または同様の加工技術と組合せて、本発明のさまざまな実施形態に応用することができる。
が、H2Se雰囲気中か、H2とSeの混合雰囲気中で、1〜5℃/secの温度上昇速度、好ましくは5℃/secより大きい速度で、約225℃から約570℃の範囲の温度まで温度を上昇させ、約120秒間から20分間前記温度を維持して、セレン化と緻密化を一工程で行う工程を含むことができる。
気は異なることができる。制限しない例として、1つの雰囲気は任意的にVIB族元素を主成分とする雰囲気であってよい。一方他の制限しない例では、1つの雰囲気は本明細書に記載されている不活性雰囲気であってよい。多数工程で用いられる他の加工工程は、前記IB−IIIB−VIB薄膜表面改善のための湿式化学表面処理および/または前記IB−IIIB−VIB薄膜のバルクおよび表面改良のための追加的な急速加熱であってよい。
(ナノフレーク)
図2Aおよび2Bを参照し、本発明の前記ナノフレーク108の実施形態をさらに詳細に説明する。前記ナノフレーク108は各種の形状とサイズをとりうる。一実施形態では前記ナノフレーク108は、粒子の厚さと長さの比に関し大きなアスペクト比を有する。図2Aは粒子充填の密度を示している。図2Aは約20nmから約100nmの厚さを有するナノフレークを示す。あるナノフレークは約500nm以下の長さを有する。前記ナノフレークのアスペクト比は約10:1以上(最長の方向の長さと最短方向の長さの比率)である。
約80%の充填密度を生み出す。他の実施形態では前記ナノフレークの平面形状は前記前駆体層で少なくとも約90%の充填密度を生み出す。他の実施形態では前記ナノフレークの平面形状は前記前駆体層で少なくとも約95%の充填密度を生み出す。
当然ながら本発明の前記ナノフレーク108は形状および/またはサイズの選別により、より制御されたサイズと形状を提供することができる。ナノフレークのサイズ分布は、前記ナノフレークの平均長および/または平均厚からの1つの標準偏差が約250nmより少なくなるようにすることができる。別の実施形態ではナノフレークのサイズ分布は、前記ナノフレークの平均長および/または平均厚からの1つの標準偏差が約200nmより少なくなるようにすることができる。別の実施形態ではナノフレークのサイズ分布は、前記ナノフレークの平均長および/または平均厚からの1つの標準偏差が約150nmより少なくなるようにすることができる。別の実施形態ではナノフレークのサイズ分布は、前記ナノフレークの平均長および/または平均厚からの1つの標準偏差が約100nmより少なくなるようにすることができる。別の実施形態ではナノフレークのサイズ分布は、前記ナノフレークの平均長および/または平均厚からの1つの標準偏差が約50nmより少なくなるようにすることができる。さらに別の実施形態ではナノフレークのサイズ分布は、前記ナノフレークの平均長および/または平均厚からの1つの標準偏差が約10nmより少なくなるようにすることができる。本発明の別の実施形態では、ナノフレークの平均厚からの1つの標準偏差が約5nmより少なくなるようにすることができる。前記各ナノフレーク約250nm未満の厚さを有することができる。他の実施形態では前記各ナノフレーク約100nm未満の厚さを有することができる。別の実施形態では前記各ナノフレーク約50nm未満の厚さを有することができる。またさらに他の実施形態では前記各ナノフレーク約20nm未満の厚さを有することができる。その形状に関しては、前記ナノフレークは少なくとも約10以上のアスペクト比を持つことができる。他の実施形態では前記ナノフレークは少なくとも約15以上のアスペクト比を持つことができる。前記ナノフレークはランダムな平面形状および/またはランダムなサイズ分布を持つことができる。他の実施形態では前記ナノフレークは非ランダムな平面形状および/または非ランダムなサイズ分布を持つことができる。
(ナノフレークの生成)
図3を参照して、ナノフレーク108を生成する装置の一実施形態を説明する。ナノフ
レーク108は、限定はされないが、以下の各種の技術により得ることができる:ボールミル粉砕、ビーズミル粉砕、小媒体粉砕、撹拌ボールミル粉砕、遊星ミル粉砕、水平ボールミル粉砕、ぺブルミル粉砕、微粉砕、ハンマーリング、乾式製粉、湿式製粉、ジェットミル粉砕、または他のタイプの製粉等の粉砕技術であって、単独または組合せることにより、市販品で入手可能な所望の元素状、二成分または任意の組合せの原料にも適用が可能なものである。図3は製粉プロセスで用いられる前記ボール、ビーズまたは他の材料を使用する製粉システム130を含む粉砕機132の一実施形態を示す。前記システム130は前記原材料の加工に無酸素環境を提供するために閉鎖系であってもよい。無酸素環境維持のために、不活性ガス源134が前記閉鎖系と連結されることができる。前記製粉システム130は冷凍製粉を可能にするために、液体窒素または他の冷却源136(図中、点線内で示される)を設置するように構成されてもよい。他の方法として前記製粉システム130は加熱製粉プロセスを可能にするように構成されてもよい。加熱および/または冷却のサイクルを、前記製粉プロセスの中で行うことができる。任意的に、前記製粉はキャリアー液体および/または分散剤と前記粉末または加工される原材料の混合を含んでよい。本発明の一実施形態では、製粉により生成された前記ナノフレーク108は、限定はされないが、約20nmから約500nmの厚さを有することができる。他の実施形態では前記ナノフレークは約75nmから約100nmの厚さを有することができる。
ち−193℃であってよい。製粉時の温度制御により、溶媒、分散剤、原材料および/または前記製粉機の部品の間での化学反応を制御することができる。当然ながら前記に加え、温度は前記製粉プロセスの間異なる時間周期で変化することができる。制限しない例として、前記製粉では最初の製粉時間の期間は最初の温度に保ち、次いで他の温度に移り製粉の間その温度に保つことができる。
(1991),900−3ページ;(2)ギンレーら (Ginley et al)、Journal of Electronic Materials,Vol.27,No.5,1998年、433ページ;(3)ギンレーら (Ginley et al)、WO 99,378,32; 4)US 6,126,740]。これらの方法は、粉砕される原料の製造に使用できる。その他は、溶液付着に使用可能な前駆体であるサブミクロン単位のサイズの粒子の製造に使用できる。上記全ての文献は参照により全ての目的でその全体が本明細書に包含される。
(インクの調製)
前記前駆体層106に用いられる前記分散剤を製剤するために、前記ナノフレーク108を分散剤、界面活性剤、ポリマー、バインダー、架橋剤、乳化剤、乾燥剤、消泡剤、溶媒、充填剤、増量剤、増粘剤、薄膜コンディショナー、酸化防止剤、フロー剤、レベリング剤および保存剤から選択される1つまたは二以上化学物質と混合する。
ノールAを基礎とする樹脂、エポキシUV硬化樹脂、エステル、フェノールおよびクレゾール(ノボラック:Novolacs)またはフェノキシを基礎とする化合物)、エチレン アクリリック/メタクリル酸、E/AA、E/M/AAまたはエチレンビニルアセテート(EVA)等のエチレンを含む三成分共重合体、フッ化ポリマー、ゼラチン(例えば、ビー エー エス エフ コーポレーション(BASF Corpolation)(米国ニュージャージー州フローハム パーク(Florham Park,New Jersey)所在)のプルロニックF−68 (Pluronic F−68))、グリコール単量体、炭化水素樹脂(例えば、脂肪族、芳香族またはインデン等のクマロンを主成分とするもの)、マレイン酸樹脂、修飾ウレア、天然ゴム、天然樹脂およびガム、松脂、修飾フェノール樹脂、レゾール樹脂、ポリアミド、ポリブタジエン類(液体末端ヒドロキシ基)、ポリエステル類(飽和または不飽和の両方)、ポリオレフィン類、ポリウレタン(PU)イソシアネート類(例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)、イソホロンジイソシアネート(IPDI)、環状脂肪族、ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)、トルエンジイソシアネート(TDI)、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート(TMDI))、ポリウレタン(PU)ポリオール類(例えば、カプロラクトン、二量体を主成分とするポリエステル、ポリエステルまたはポリエーテル)、ポリエステルまたはポリエーテルを主成分とするポリウレタン(PU)分散剤(PUDs)、ポリウレタンプレポリマー類(例えば、カプロラクトン、二量体を主成分とするポリエステル、ポリエステル類、ポリエーテルおよびウレタンアクリレートを主成分とする化合物)、ポリエステルまたはポリエーテルのようなポリウレタン熱可塑性物(TPU)、ケイ酸塩(例えば、アルキルケイ酸塩または水ガラスを主成分とする化合物)、シリコーン(有機ケイ素化合物の重合体の総称)類(アミン官能基性、エポキシ官能基性、エトキシ官能基性、ヒドロキシ官能基性、メトキシ官能基性、シラノール官能基性またはシニル官能基性)、スチレン類(例えば、スチレン−ブタジエンのエマルジョンおよびスチレン/ビニル トルエン ポリマー類および共重合体)またはビニル化合物(例えば、ポリオレフィン類およびポリオレフィン誘導体、ポリスチレンおよびスチレン共重合体またはポリビニルアセテート(PVAC))が挙げられる。
60)、ソルビタン トリステアレート(Span 65)、ソルビタンモノオレエート(Span 80)、およびソルビタン トリオレエート(Span 85)等のソルビタンエステル類が挙げられ、これらをすべて、たとえばユニケマ(Uniqema)(米国デラウェア州ニューカッスル(New Castle,Delaware)所在)から入手することができる。他のポリマー性乳化剤には、ポリオキシエチレンモノステアレート(Myrj 45)、ポリオキシエチレンモノステアレート(Myrj 49)、ポリオキシル 40ステアレート(Myrj 52)、ポリオキシエチレンモノラウレート(PEG 400)、ポリオキシエチレンモノオレエート(PEG 400モノオレエート)およびポリオキシエチレンモノステアレート(PEG 400モノステアレート)、およびポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート(Tween 20)、ポリオキシエチレン ソルビタンモノラウレート(Tween 21)、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート(Tween 40)、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート(Tween 60)、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート(Tween 61)、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート(Tween 80)、ポ
リオキシエチレンソルビタンモノオレエート(Tween 81)およびポリオキシエチレンソルビタントリオレエート(Tween 85)等のTween シリーズの界面活性剤が含まれ、これらをすべて、たとえばユニケマ(Uniqema)(米国デラウェア州ニューカッスル(New Castle,Delaware)所在)から入手することができる。Arlacel、MyriおよびTweenは、アイ シー アイ アメリカンズ社(ICI Americans Inc.)(米国デラウェア州ウィルミントン(Wilmington,Delaware)所在)の登録商標である。前記コーティング/印刷プロセスの間各種のGa−Seの放出により、とりわけ前記印刷プロセスが高速で行われる場合に泡が形成されることがある。界面活性剤は液体-空気の接触面で泡に吸着
しそれを安定化して、泡の生成を加速する。消泡剤は泡の生成の開始を防止し、一方破泡剤は既に生成した泡を最小化または除去する。消泡剤には疎水性固体、脂肪酸、および特定の界面活性剤が含まれ、前記の全てが液体−空気接触面に貫通し泡の生成を遅らせる。消泡剤にはさらにケイ酸塩とシリコーンの両者とケイ素を含まない物質が含まれる。シリコーンを含まない物質には微晶質のワックス、鉱油、ポリマー性物質、シリカおよび界面活性剤を主成分とする物質が含まれる。
(ロールツーロール製造)
図4を参照し、本発明によるロールツーロール製造プロセスを説明する。前記ナノフレークを用いる本発明の実施形態はロールツーロール製造に適している。特にロールツーロール製造システム200では可撓性の基板201、例えばアルミニウム箔は、ローラー202から出発進行してローラー204に巻き取られる。供給されてからローラーに巻き取られるまでの間、前記基板201は一連のアプリケータ206A、206B、206C、例えば、マイクログラビアローラーおよびヒーター装置208A、208B、208Cを通過する。各アプリケータは例えば、上述のような前駆体層の異なる層または副層を付着する。前記ヒーター装置は、前記異なる層および/または副層の焼きなましによる高密度の薄膜の形成に用いられる。図4に図示されている例では、アプリケータ206Aおよび206Bは、前駆体層の異なる副層(前駆体層106のような)に適用することができる。ヒーター装置208Aおよび208Bは各副層に次の副層が付着される前の焼きなましに使用される。他の方法として、前記両副層を同時に焼きなますことができる。アプリケータ206Cは、任意的に上述のようにカルコゲンまたは合金または元素状粒子を含む材
料の追加層に適用することができる。ヒーター装置208Cは上述のように前記任意の追加層と前駆体層を加熱する。前記前駆体層(または副層)を付着し、次いで追加層を付着し、次いで三層全部を加熱し、前記光起電性光吸収体層に使用される前記IB−IIIB−カルコゲニド化合物薄膜を形成できることに注意されたい。前記ロールツーロール製造システムは継続的なロールツーロール製造および/またはセグメント化されたロールツーロール製造および/またはバッチモードのロールツーロール製造プロセスのどれでもよい。
(光起電性装置)
図5を参照し、上述のように製造された前記薄膜は、光起電性 装置、モジュール、またはソーラーパネルで光吸収体層として機能することができる。そのような光起電性 装置300の例が図4に示される。前記装置300は、ベース基板またはベース302、任意の接着層303、ベースまたは背後電極304、上記のタイプの薄膜を包含するp−型光吸収体層306、n−型半導体薄膜308および透明電極310を含む。例として、前記ベースbase基板302は金属箔、ポリイミド(PI)、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリエチレンナフタレン(PEN)、ポリエステル(PET)、関連するポリマー等のポリマーまたは金属化プラスチックで形成されることができる。制限しない例としては、関連するポリマーには、同様の構造および/または機能特性および/または材料特性を有するものが含まれる。前記ベース電極304は導電性材料で作成される。例としては、前記ベース電極304は厚さが約0.1ミクロンから約25ミクロンまでの金属層であってよい。任意の中間層303は、前記電極304と前記基板302の間に組み込まれることができる。任意的に、前記層303は前記基板302と前記電304間の物質の拡散を防止するための拡散障壁層であってよい。前記拡散障壁層303は導電層でも非導電層であってもよい。限定しない例として、前記層303は以下の各種の物質のどれから構成されてもよい:クロム、バナジウム、タングステン、およびガラス、または窒化物(窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ジルコニウム、および/または窒化ハフニウムを含む)、酸化物、炭化物、および/または上記の単一または複数の組合せ。この層の厚さは100nmから500nmの範囲であることができるが、この例には限定されない。いくつかの実施形態では前記層の厚さは100nmから300nmの範囲であってよい。任意的に、前記層の厚さは約150nmから約250nmの範囲であってよい。任意的に、前記層の厚さは約200nmであってよい。いくつかの実施形態では前記基板302の各側面側に二つの障壁層を用いることができる。任意的に、界面層を前記電極304の上に配置でき、前記界面層は、限定はされないが、クロム、バナジウム、タングステン、およびガラス、または窒化物(窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ジルコニウム、および/または窒化ハフニウムを含む)、酸化物、炭化物、および/または前記の単一または複数の組合せによる物質から構成されることができる。
に構成されることもできる。
初めて装置300が野外環境に設置可能となる。一実施形態では前記モジュール400は、その上に前記装置300が取り付けられる基板404を支持する枠402を含むことができる。このモジュール400は複数の装置300を一度に取り付けることを可能にすることにより取り付けプロセスを単純化する。他の方法として、柔軟な形状因子を援用することができる。当然ながら封入された装置および/または層が環境的影響からの防御に使用できる。制限しない例では、前記封入された装置および/または層は、とりわけ長期間の環境への暴露での湿気および/または酸素および/または酸性雨の前記装置への侵入を防ぐことができる。
(追加カルコゲン源)
当然ながら、ナノフレークを用いる本発明では、同時係属の米国特許出願第 11/290,633号明細書(代理人整理番号:Attorney Docket No.NSL−045)に記載されたと同様の追加のカルコゲン源を用いることができる。前記出願では前記前駆体物質は、1)限定はされないが、セレン化銅および/またはセレン化インジウムおよび/またはセレン化ガリウムのようなカルコゲニドおよび/または2)限定はされないが、約200nm以下のサイズのSeまたはSのナノ粒子のような追加のカルコゲン源を含む。限定しない一例では、前記カルコゲニドおよび/または前記追加カルコゲンは、ナノフレークおよび/またはナノフレークの形状であってよく、前記追加のカルコゲン源はフレークおよび/または非フレークであってよい。前記カルコゲニドのナノフレークは、限定はされないが、IB族元素との二成分カルコゲニドのナノ粒子(例えば、Cu−Se、Cu−SまたはCu−TeのようなIB族元素の非酸素カルコゲニド)および/またはIIIB族元素カルコゲニドのナノ粒子(例えば、Ga(Se、S、Te)、In(Se、S、Te)およびAl(Se、S、Te)のようなIIIB族元素の非酸素カルコゲニド)のような一または二成分以上の合金カルコゲニドを含む。他の実施形態では前記ナノフレークはCu−In、Cu−Ga、および/またはIn−Ga等のIBおよび/またはIIIB族元素のような非カルコゲニドであってよい。前記カルコゲンが比較的低温で融解する場合(例えば、Se:220℃、S :120℃)、前記カルコゲンは既に液相状態をとっているので前記ナノフレークと良好な接触を持つことができる。もし前記ナノフレークおよびカルコゲンが次いで十分加熱されると(例えば、約375℃で)、前記カルコゲンは前記カルコゲニドと反応して所望のIB−IIIB族元素カルコゲニド物質を生成する。
次いで図9(a)〜(e)を参照し、ナノフレークを使用する本発明の他の実施形態を説明する。図9(a)は基板602と、その上にナノフレーク前駆体層606が形成される接触層604を示す。追加のカルコゲン源は、限定はされないがナノフレーク前駆体層606上の元素状カルコゲン粒子607のような追加のカルコゲン源を含む別個の層608として提供される。一般性を失うことのない例として、前記カルコゲン粒子はセレン、硫黄またはテルルの粒子であってよい。図9(b)に示されるように、熱609が前記ナノフレークの前駆体層606と前記カルコゲン粒子を含む前記層608に加えられ、それらを前記カルコゲン粒子607が融解し、前記カルコゲン粒子607と前記前駆体層606の元素が反応するのに十分な温度まで加熱される。当然ながら、前記ナノフレークは、限定されないが、IB族元素、IIIB族元素および/またはVIB族元素等を含む各種の物質からできている。前記カルコゲン粒子607と前記前駆体層606の元素の反応により図9(c)に示されるIB−IIIB族元素カルコゲニド化合物による化合物薄膜610が形成される。好適には、前記IB−IIIB族元素カルコゲニド化合物はCuIn1−xGaxSe2(1−y)S2y(ここで0≦x≦1かつ0≦y≦1)である。当然ながら、いくつかの実施形態では前記前駆体層106は、前記層108の追加カルコゲン源による処理の前に焼結することができる。他の実施形態では、前記前駆体層106は予め加熱されず、前記層106と108は一緒に加熱される。
に湿式付着して前記層608を形成できるインクまたはペーストを調製するために、前記カルコゲン粒子607は溶媒、キャリアー、分散剤等と混合できる。他の方法として、前記カルコゲン粒子607を乾式プロセスで基板に付着し前記層608を形成することができる。カルコゲン粒子607を含む前記層608の加熱は例えば前記のRTAプロセスで行うことができる。
駆体層を付着し、次いでもう1つのSe付着を行い、最後に二回目のRTA処理を行うことができる。より一般的には、これには前駆体層を形成し(加熱または加熱なしで)、次いで追加カルコゲン源を前記層にコーティングし(次いで加熱または加熱しないで)、次いでもう1つの前駆体層を形成し(加熱または加熱しないで)、次いで追加カルコゲン源のもう1つの層を形成し(次いで加熱または加熱しないで)、そして所望の組成に達するか、または所望の結晶サイズが生成されるまで、所望の回数だけ繰り返すことが含まれる。限定しない一例では、この方法はガリウム濃度の向上に使用できる。他の実施形態ではこの方法は銅濃度の向上に使用できる。さらに他の実施形態ではこの方法はインジウム濃度の向上に使用できる。またさらに他の実施形態ではこの方法はセレン濃度の向上に使用できる。またさらに他の実施形態はではこの方法はセレン濃度の向上に使用できる。他の理由は、大きな結晶を得るために最初に銅に富む薄膜を成長させ、次いで銅の少ない層を加え始めて、化学量論比を元の状態に回復することである。もちろんこの実施形態は前記カルコゲンの前記前駆体層への付着を可能にするため、加工に含まれるどの工程とも組合せることができる。
次に図10(a)〜(c)を参照するが、当然ながら、さらに本発明の他の実施形態は前記ナノフレーク粒子がカルコゲン(IB族元素カルコゲニド、IIIB族元素カルコゲニドまたは他のカルコゲニド)に富むカルコゲニド粒子であることを含む。これらの実施形態では、前記カルコゲニド粒子自身に過剰のカルコゲンが含まれるため、別個のカルコゲン源は使用しなくともよい。限定しない一例では、IB族元素カルコゲニド、例えばCuxSey(ここでx<yである)の組成のセレン化銅である。このように、これはカルコゲンに富むカルコゲニドであり、前記前駆体の前記粒子が加工されるときに過剰量のセレンを供給できる。
レーク)と前記液体間の接触面積を増大させることである。第二に、カルコゲンの少ない薄膜を追加のカルコゲン源で処理することにより前記化学量論量の所望のカルコゲン量を加えることである。第三に、Seのようなカルコゲンは揮発性であり加工過程で不可避的に一部が損失されるためである。そのため、主目的は液体を生成することである。前記前駆体層の加工中に、さらに液体量を増加させる各種の他のルートが存在する。これらのルートは、限定されないが、以下の使用を含む:1)Cu2−xSeよりも、よりSeに富むCu−Se(>377℃、>523℃より高い温度ではより多くの液体);2)追加のSeを添加するときに、Cu2Se以上にSeに富むCu−Se(>220℃);3)In4Se3の組成と同一またはIn4Se3とIn1Se1の中間の組成のIn−Se(>550℃);4)追加のSeを添加するときに、In4Se3と同じ組成か、よりSeに富むもの(>220℃);5)InとIn4Se3の中間組成のIn−Se(>156℃、In元素が生成するため、好適には無酸素);6)Gaエマルジョン(>29℃、好適には無酸素);および困難であるが(しかし可能である)Ga−Se。Se蒸気を取り扱う必要はあるが、それでも上記の方法か比較しうる方法を用いて、追加の(カルコゲン)液体を前記前駆体層自身に生成することには多大な利点がある
図10(a)を参照するが、当然ながら前記インクは複数のタイプの粒子を含むことができる。図10(a)では、前記粒子704は第一のタイプの粒子であり、前記粒子706は第二のタイプの粒子である。限定しない一例では、前記インクは複数のタイプの粒子を含み、その中の一タイプの粒子だけがカルコゲニドでありカルコゲンに富むことができる。他の実施形態では前記インクは少なくと二つのタイプのカルコゲンに富むカルコゲニド粒子を含む複数の粒子中を含む。制限しない例として、前記インクはCuxSey(ここでx<y)とInaSeb(ここでa<b)を含むことができる。さらに他の実施形態では前記インクは複数の粒子704、706および708(点線で囲まれた部分)を含み、少なくとも三つのタイプのカルコゲニド粒子がインク内に含まれる。制限しない例としては、前記カルコゲンに富むカルコゲニド粒子はCu−Se、In−Se、および/またはGa−Seであってよい。前記三つの全てがカルコゲンに富む。前記所望の過剰量のカルコゲンを得るために、各種の方法を使用できる。もし前記インクに三つのタイプの粒子があると、当然ながら、全粒子がカルコゲニドまたはカルコゲンに富む必要はない。例えばCu−Seの1つのタイプしか含まないインクでも、インク中にはカルコゲンに富む粒子、例えばCuxSey(ここでx<y)と非カルコゲンに富む粒子、例えばCuxSey(ここでx>y)の混合物が存在する。制限しない例としては、混合物はCu1Se1の組成のセレン化銅粒子を含むことができる。
含まれるために必要な、加工中の損失量を補填するための最少量のカルコゲン:の合計より多い量である。限定はされないが、前記過剰のカルコゲンは加工温度下で液化するフラックスとして機能し、液化した過剰のカルコゲンは粒子での原子混合を増大させる。前記液化した過剰のカルコゲンは、さらにIBおよびIIIB族元素と反応する十分なカルコゲンの存在を保証する。前記過剰のカルコゲンは前記粒子またはフレークの「消化」(digest)または「可溶化」(solubilize)を助ける。過剰のカルコゲンは前記所望の薄膜が完全に形成される前に前記層から離脱する。
次に図11Aから11Cを参照するが、粒子または、限定されないがナノフレークのようなフレークを用いるさらに本発明の他の実施形態について説明する。この実施形態は、IB−IIIB族元素カルコゲニドの薄層を前記基板上に付着し、その上に形成される前記前駆体層からの薄膜成長のための結晶核生成面として機能させ、前記基板上での結晶の成長を改善する方法を提供する。前駆体層形成の前にこのIB−IIIB族元素カルコゲ
ニド結晶核生成層を付着し、コーティングし、または形成することができる。前記結晶核生成層は真空技術または非真空技術により形成できる。前記結晶核生成層の上面に形成された前記前駆体層は各種の技術、例えば、限定はされないが、本願に記載された複数のナノフレークを含むインク技術で製造できる。
(熱勾配による結晶核生成層)
次いで図12Aと12Bを参照するが、当然ながらナノフレークを主成分とする前駆体物質に用いられる結晶核生成層は、前記前駆体層850中に熱勾配を発生させることによ
り形成することもできる。制限しない例では、前記結晶核生成層852は、前記前駆体層の上部から開始して形成できる。または任意的に前記結晶核生成層854を前記前駆体層の下部から開始して形成できる。本発明の一実施形態では、前記結晶核生成層は、前記前駆体層および/または前駆体層の積層で、最初のIB−IIIB−VIB族元素化合物の結晶の成長が他の場所での成長よりも優先的に行われる層として観察されるものである。前記結晶核生成層852または854は、前記前駆体層の一部分が結晶の発生を開始させるのに十分な温度に達するように前記前駆体層に熱勾配を発生させることにより形成される。前記結晶核生成層は、基板の全域でピンホールやその他の異形の発生を最小化しながら、さらに結晶の成長を促進する実質的に平面構造を有する結晶核生成面の形態をとることができる。
(化学勾配による核形成層)
次いで図13A〜13Fを参照し、さらに本発明によるさらなるナノフレーク前駆体物質での結晶核生成層の形成方法を詳細に説明する。本発明の実施形態では、前記前駆体物質の各層の組成は、ある層で他の層よりも早く結晶生成が開始できるように選択できる。当然ながら、結晶核生成層形成を促進するように前記各種の結晶核生成層の形成方法を組合せることができる。制限しない例では、前記熱勾配法と化学勾配法を組合せて結晶核生成層の形成を促進できる。前記熱勾配法、化学勾配法および/または薄膜結晶核生成層法
を単一または複数の組合せで用いることが想像できる。
記両前駆体層をコーティングした後に一度の積層の加熱プロセスのみで)利用可能なSeの勾配を作ることができる。例えば、前記一番目のコーティングのための前駆体はCuxSey(ここで、xは二番目のコーティング中のものより大きい)の組成を持つことができる。または、次式中でxが大きいほど高い濃度(重量基準)のセレン化粒子を持つようなCuxSey粒子の混合物を含むこともできる。この実施形態では好適には各層は前記目標の化学量論を持つ。なぜならば前記C/I/G比率が各前駆体層で同一に保たれるからである。再び、この二番目の前駆体層918は好適には非真空法で形成されるが、当然ながら任意的に蒸発、スパッタリング、ALD等の他の手段でも形成できる。
きなましプロセスで加えることができる。図13Fに示されるように、前記カルコゲン源と前記IBおよびIIIB族元素の反応はIB−IIIB族元素カルコゲニド化合物の薄膜930を形成する。好適には前記IB−IIIB族元素カルコゲニド化合物はCuzIn1−xGaxSe2(1−y)S2y(ここで、0≦x≦1、0≦y≦1、および0.5≦y≦1.5)の組成式を持つ。
トリウム、および下記の酸のナトリウム塩:ブタン酸、ヘキサン酸、オクタン酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ヘキサデカン酸、9−ヘキサデセン酸、オクタデカン酸、9−オクタデセン酸、11−オクタデセン酸、9,12−オクタデカジエン酸、9,12,15−オクタデカトリエン酸および/または6,9,12−オクタデカトリエン酸、を含む。
(低下した融解温度)
さらに本発明の他の実施形態では、前記粒子またはフレーク元素の比率は、より望まれる材料物性を生成させるために変更できる。限定しない一例では、この実施形態は、所望の元素の化学量論比を用い、前記インクに用いられる前記粒子の融解温度を低下させることを含むことができる。制限しない例として、IB族元素カルコゲニドについて前記IB族元素の量と前記カルコゲンの量を制御して、生成物を相図中の低下した融解温度を持つ部分に移動させることができる。このように、CuxSeyでは、前記のxとyの値を、相図を参照し決定して、低下した融解温度を有する物質を生成するように選択できる。下記物質の相図は、ASMによる ASM Handbook,Volume 3 Alloy Phase Diagrams(1992)に掲載されており、参照により全ての目的で全体が国際的また包括的に本願に包含される。いくつかの特定の例はページ 2−168、2−170、2−176、2−178、2−208、2−214、2−257、およびまたは2−259に見出される。
する。従って、追加のSe源はセレン化ガリウムを含む液体の生成を促進するために加えることができる。
(カルコゲン蒸気環境)
次に図15Aを参照し、さらに本発明の他の実施形態について説明する。ナノフレーク前駆体物質を使用するこの実施形態では、当然ながら、カルコゲン蒸気からの超過圧が前記薄膜の加工と結晶成長の改善のためのカルコゲン雰囲気の供給に用いられる。図15Aは加工室1050、接触層1054を有する基板1052と前駆体層1056を示す。追加のカルコゲン源1058は前記加工室に含まれ、線で示されるカルコゲン蒸気1060を発生する温度まで加熱される。本発明の一実施形態では、前記カルコゲン蒸気は、雰囲気中に、加工温度下および加工圧力下でのカルコゲン分圧を維持するために要求される、カルコゲンの蒸気圧以上のカルコゲン分圧を持つように供給され、前記前駆体層からのカルコゲン損失を最小化し、もし必要であれば前記前駆体層に追加のカルコゲンを供給する。前記分圧は、前記加工室1050または前記前駆体層1056の温度の関数として決定される。当然ながら、前記カルコゲン蒸気は前記加工室1050内で非真空圧下に使用できる。一実施形態では加工室の圧力はほぼ大気圧であってよい。理想気体の法則であるPV=nRTに従うと、当然ながら前記温度は前記蒸気圧に影響する。一実施形態ではこのカルコゲン蒸気は、一部または完全に密閉された加工室に配置されたカルコゲン源1062または前記加工室に連結されたカルコゲン源1062から供給される。より開放された加工室を使う他の実施形態では、前記カルコゲン雰囲気はカルコゲン蒸気の発生源の供給
により提供されることができる。前記カルコゲン蒸気は前記薄膜中にカルコゲンを保つことを助けるため、または前記前駆体層の変換のためのカルコゲンを供給する。このように前記カルコゲン蒸気は過剰のカルコゲンを供給するために使うことも使わないこともできる。いくつかの実施形態では、このことは薄膜により多くのカルコゲンを追加するよりも、薄膜中のカルコゲンのレベルを保つために機能することができる。任意的に、これはカルコゲンを供給しないと無カルコゲンまたは無セレン状態になる前駆体層に導入されるカルコゲンとして使用される。前記カルコゲン蒸気への暴露は非真空環境下で行うことができる。前記カルコゲン蒸気への暴露は、大気圧下で行うことができる。これらの条件は本明細書に記載されるどの実施形態にも適用することができる。前記カルコゲンは、キャリアーガスにより前記加工室に運ばれることができる。前記キャリアーガスは、窒素、アルゴン等の不活性ガスであってよい。このカルコゲン雰囲気システムはロールツーロールシステムでの使用に適応可能である。
金属間物質の混合物を含む粒子であり、または金属粒子と金属間粒子であり、または前記の混合物であってよい。
薄膜の品質向上のために前駆体物質として層915に用いることができる。図6Fとの関連で前述したように、図19は層932をさらに使用できることを示している。上記でナトリウムの含有量に関して示唆された全ての方法は、図17〜19に示される実施形態での使用に適合することができる。
を提供できる。前記フレーク1600は、高度に効率的な積層(Z軸方向での実質的に均一な厚さによる)および高い表面積(XおよびY軸方向)を提供する。このことにより、より迅速な反応、より良好な動力学、より均一な生成物/薄膜/化合物がもたらされる(より少ない片側伝播と共に)。図23Aおよび23Bに示されるプレートレット1602では前記利点を全く示さない。
前記範囲に包含される部分的範囲を含み、あたかも各数値が明示的に列挙されているかのように柔軟に解釈されるべきである。例えば「約1nmから約200nmのサイズ範囲」という表現は、単に約1nmと約200nmという限界のみが明示的に示されるとのみ解釈するべきではなく、さらに個別のサイズである、2nm、3nm、4nm等および部分範囲である10nmから50nm、20nmから100nm、等々も含まれると解釈すべきである。
行して権利を与えられないと認めていると解釈することはできない。さらに、前記の提供した刊行日は、実際のものとは異なることがあり個別日確認されるべきである。本明細書で言及される全ての刊行物は参照により、その刊行物の引用された部分に関係する構造および/または方法を開示する目的でその全体が本願に包含される。以下の刊行物も参照により全ての目的でその全体が本願に包含される:2005年11月29日出願の“CHALCOGENIDE SOLAR CELLS” と題される米国特許出願第11/290,633号明細書、2004年2月19日出願の“SOLUTION−BASED FABRICATION OF PHOTOVOLTAIC CELL”と題される米国特許出願第10/782,017号明細書、2004年9月18日出願の“COATED NANOPARTICLES AND QUANTUM DOTS FOR SOLUTION−BASED FABRICATION OF PHOTOVOLTAIC CELLS”と題される米国特許出願第10/943,657号明細書、2006年2月23日出願の第11/361,433および2006年3月30日出願の第11/394,849号明細書であり、参照により前記の開示全体は本願に包含される。
Claims (16)
- 粒子の50%以上がIB、IIIBおよび/またはVIB族元素から選ばれる少なくとも一つの元素を含む非球状の平面形状フレークとなるように、前記粒子を粉砕する工程であって、前記フレークはそれぞれ3ミクロン未満で0.5ミクロンより長い長さ、および100nm未満の厚さを有するものとなる、前記粒子を粉砕する工程と、
前記粒子からインクを調製する工程であって、少なくとも前記インク中の一部の前記粒子が少なくとも1つのIB−IIIA族元素の金属間合金相を含む金属間フレーク粒子であって前記金属間物質がCu1In2、δ相のCu1In2、δ相のCu1In2とCu16In9で定義される相の中間の組成、Cu1Ga2、中間固溶体のCu1Ga2、Cu68Ga38、Cu70Ga30、Cu75Ga25、前記最終固溶体とその隣の中間固溶体の中間の相の組成のCu−Ga、γ1相(約31.8〜約39.8重量%Ga)の組成のCu−Ga、γ2相(約36.0〜約39.9重量%Ga)の組成のCu−Ga、γ3相(約39.7〜約−44.9重量%Ga)の組成のCu−Ga、θ相(約66.7〜約68.7重量%Ga)の組成のCu−Ga、γ2相とγ3相の中間の組成のCu−Ga、最終固溶体とγ1相の中間の組成のCu−Ga、及びCuに富むCu−Gaからなる群のいずれか1つを含む、インクを調整する工程と、
前駆体層を形成すべく前記インクにより基板をコーティングする工程と、
高密度の薄膜を形成すべく好適な雰囲気下で前記前駆体層を加工する1つ以上の工程とを備える、方法。 - 前記インクは分散された形態にある、請求項1に記載の方法。
- 前記金属間相が最終固溶体相及び固溶体相のいずれでもない、請求項1に記載の方法。
- 金属間粒子に含まれるIB族元素が、全粒子中のIB族元素の約50モル%未満である請求項1に記載の方法。
- IIIA族元素としてガリウムが懸濁ナノ球体の形状で組み込まれる請求項1に記載の方法。
- 前記ガリウムのナノ球体が溶液中の液体ガリウムのエマルジョンを生成することにより形成される請求項5記載の方法。
- 前記ガリウムが室温未満の温度まで急冷される請求項5記載の方法。
- さらに、アルミニウム、テルル、または硫黄から選ばれる1つ以上の元素状粒子の混合物を添加する工程を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記好適な雰囲気が、セレン、硫黄、テルル、H2、CO、H2Se、H2S、Ar、およびN2からなるグループのうちの少なくとも1つの元素または化合物、または前記の組合せまたは混合物を含む請求項1に記載の方法。
- 一以上のクラスの前記粒子がアルミニウム(Al)、硫黄(S)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、またはリチウム(Li)からなるグループから選ばれる一以上の無機物質によりドープされる、請求項1に記載の方法。
- さらに、前記フレークをセレンおよび/またはセレン化物を含む少なくとも1つの層でコーティングすることを含む請求項11に記載の方法。
- 前記フレークが少なくとも10以上のアスペクト比を有する請求項1に記載の方法。
- 前記フレークが少なくとも15以上のアスペクト比を有する請求項1に記載の方法。
- 前記フレークがナトリウムを含む請求項1に記載の方法。
- 前記フレークがCu−Na、In−Na、Ga−Na、Cu−In−Na、Cu−Ga−Na、In−Ga−Na、Na−Se、Cu−Se−Na、In−Se−Na、Ga−Se−Na、Cu−In−Se−Na、Cu−Ga−Se−Na、In−Ga−Se−Na、Cu−In−Ga−Se−Na、Na−S、Cu−S−Na、In−S−Na、Ga−S−Na、Cu−In−S−Na、Cu−Ga−S−Na、In−Ga−S−Na、またはCu−In−Ga−S−Naのうち少なくとも1つの物質を含む請求項1に記載の方法。
- 請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法に従って製造される、太陽電池。
Applications Claiming Priority (18)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/361,515 | 2006-02-23 | ||
US11/361,522 US20070166453A1 (en) | 2004-02-19 | 2006-02-23 | High-throughput printing of chalcogen layer |
US11/361,521 | 2006-02-23 | ||
US11/361,497 US20070163638A1 (en) | 2004-02-19 | 2006-02-23 | Photovoltaic devices printed from nanostructured particles |
US11/361,497 | 2006-02-23 | ||
US11/361,515 US20070163640A1 (en) | 2004-02-19 | 2006-02-23 | High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-rich chalcogenides |
US11/361,433 US7700464B2 (en) | 2004-02-19 | 2006-02-23 | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles |
US11/361,433 | 2006-02-23 | ||
US11/361,103 | 2006-02-23 | ||
US11/361,522 | 2006-02-23 | ||
US11/361,521 US20070163383A1 (en) | 2004-02-19 | 2006-02-23 | High-throughput printing of nanostructured semiconductor precursor layer |
US11/361,103 US20070169809A1 (en) | 2004-02-19 | 2006-02-23 | High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of low-melting chalcogenides |
US11/395,668 US8309163B2 (en) | 2004-02-19 | 2006-03-30 | High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor and inter-metallic material |
US11/394,849 US20070163641A1 (en) | 2004-02-19 | 2006-03-30 | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic nanoflake particles |
US11/395,668 | 2006-03-30 | ||
US11/394,849 | 2006-03-30 | ||
US11/395,438 US20070163643A1 (en) | 2004-02-19 | 2006-03-30 | High-throughput printing of chalcogen layer and the use of an inter-metallic material |
US11/395,438 | 2006-03-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008556573A Division JP2009528682A (ja) | 2006-02-23 | 2007-02-23 | 金属間ナノフレーク粒子による高処理能力の半導体前駆体層印刷 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013033987A true JP2013033987A (ja) | 2013-02-14 |
Family
ID=38459767
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008556573A Pending JP2009528682A (ja) | 2006-02-23 | 2007-02-23 | 金属間ナノフレーク粒子による高処理能力の半導体前駆体層印刷 |
JP2012220990A Pending JP2013033987A (ja) | 2006-02-23 | 2012-10-03 | 金属間ナノフレーク粒子による高処理能力の半導体前駆体層印刷 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008556573A Pending JP2009528682A (ja) | 2006-02-23 | 2007-02-23 | 金属間ナノフレーク粒子による高処理能力の半導体前駆体層印刷 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1997150A2 (ja) |
JP (2) | JP2009528682A (ja) |
CN (2) | CN101443919B (ja) |
WO (1) | WO2007101138A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160059159A (ko) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지 광흡수층 제조용 금속 칼코게나이드 나노 입자 및 및 이의 제조방법 |
CN109830549A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-05-31 | 广东工业大学 | 一种硫化铟/石墨烯复合薄膜及其制备方法和应用 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8354294B2 (en) * | 2006-01-24 | 2013-01-15 | De Rochemont L Pierre | Liquid chemical deposition apparatus and process and products therefrom |
JP2012507872A (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | フェイ プーン、ハク | ハイブリッド透明導電性電極 |
JP5137794B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2013-02-06 | 京セラ株式会社 | 薄膜太陽電池の製法 |
JP5317648B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2013-10-16 | 京セラ株式会社 | 薄膜太陽電池の製法 |
JP2010129648A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | 薄膜太陽電池の製法 |
JP5383162B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2014-01-08 | 京セラ株式会社 | 薄膜太陽電池の製法 |
WO2010085553A1 (en) * | 2009-01-21 | 2010-07-29 | Purdue Research Foundation | Selenization of precursor layer containing culns2 nanoparticles |
JP2010225985A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Fujifilm Corp | 光電変換半導体層とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池 |
AU2010279659A1 (en) * | 2009-08-04 | 2012-03-01 | Precursor Energetics, Inc. | Methods for photovoltaic absorbers with controlled stoichiometry |
KR101610382B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2016-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
FR2964044B1 (fr) * | 2010-08-26 | 2012-09-14 | Commissariat Energie Atomique | Emulsion de metal liquide |
EP2617064A4 (en) * | 2010-09-15 | 2014-07-09 | Precursor Energetics Inc | METHOD AND DEVICES FOR DEPOSITION FOR PHOTOVOLTAIC ELEMENTS |
TWI538235B (zh) * | 2011-04-19 | 2016-06-11 | 弗里松股份有限公司 | 薄膜光伏打裝置及製造方法 |
US10944018B2 (en) * | 2012-07-20 | 2021-03-09 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Semiconductor film and semiconductor element |
CN113324970B (zh) * | 2021-04-25 | 2023-04-21 | 中国科学技术大学 | 一种结构可调的高热点三维网筛纳米拉曼基底及其制备、应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040219730A1 (en) * | 2001-04-16 | 2004-11-04 | Basol Bulent M. | Method of forming semiconductor compound film for fabrication of electronic device and film produced by same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0743686A3 (en) * | 1995-05-15 | 1998-12-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Precursor for semiconductor thin films and method for producing semiconductor thin films |
US6127202A (en) * | 1998-07-02 | 2000-10-03 | International Solar Electronic Technology, Inc. | Oxide-based method of making compound semiconductor films and making related electronic devices |
JP2001044464A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Ib―IIIb―VIb2族化合物半導体層の形成方法、薄膜太陽電池の製造方法 |
JP4341124B2 (ja) * | 1999-11-25 | 2009-10-07 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20030041893A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Solar cell, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same |
JP2004087535A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Sony Corp | 結晶質半導体材料の製造方法および半導体装置の製造方法 |
CN100411195C (zh) * | 2003-04-11 | 2008-08-13 | 索尼株式会社 | 光电转换器件的制作方法 |
CN1295765C (zh) * | 2004-03-04 | 2007-01-17 | 上海交通大学 | 光伏半导体薄膜渡液及光伏半导体薄膜的制备方法 |
-
2007
- 2007-02-23 WO PCT/US2007/062766 patent/WO2007101138A2/en active Application Filing
- 2007-02-23 JP JP2008556573A patent/JP2009528682A/ja active Pending
- 2007-02-23 EP EP07757448A patent/EP1997150A2/en not_active Withdrawn
- 2007-02-23 CN CN200780014617.7A patent/CN101443919B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-23 CN CN201410025475.6A patent/CN103824896A/zh active Pending
-
2012
- 2012-10-03 JP JP2012220990A patent/JP2013033987A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040219730A1 (en) * | 2001-04-16 | 2004-11-04 | Basol Bulent M. | Method of forming semiconductor compound film for fabrication of electronic device and film produced by same |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160059159A (ko) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지 광흡수층 제조용 금속 칼코게나이드 나노 입자 및 및 이의 제조방법 |
KR101723062B1 (ko) | 2014-11-18 | 2017-04-04 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지 광흡수층 제조용 금속 칼코게나이드 나노 입자 및 이의 제조방법 |
CN109830549A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-05-31 | 广东工业大学 | 一种硫化铟/石墨烯复合薄膜及其制备方法和应用 |
CN109830549B (zh) * | 2018-12-13 | 2021-01-05 | 广东工业大学 | 一种硫化铟/石墨烯复合薄膜及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101443919A (zh) | 2009-05-27 |
EP1997150A2 (en) | 2008-12-03 |
JP2009528682A (ja) | 2009-08-06 |
WO2007101138A2 (en) | 2007-09-07 |
CN103824896A (zh) | 2014-05-28 |
WO2007101138A3 (en) | 2008-10-23 |
WO2007101138A9 (en) | 2008-12-31 |
CN101443919B (zh) | 2014-03-05 |
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