JP2009290000A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板20に、光電変換素子21と電界効果型トランジスタを含む画素42を複数配列した撮像画素部41と、撮像画素部41の周辺回路部55と、を設け、撮像画素部41の電界効果型トランジスタを駆動する配線層31−1〜31−4を複数積層した多層配線層29がシリコン基板20の第1面側に形成され、光電変換素子21の受光面がシリコン基板20の第2面側に配置された固体撮像装置14であって、第1面側から見て、シリコン基板20の少なくとも撮像画素部41を含む領域における配線の被覆率が100%となるように、多層配線層29を構成する各配線層31−1〜31−4の配線が配置される。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態の固体撮像装置を適用したカメラモジュールの一例を模式的に示す断面図であり、図2は、固体撮像装置の回路構成の一例を模式的に示す図である。このカメラモジュール10は、レンズホルダ112に保持されたレンズ111を有するレンズユニット11の下に、カバーガラス12と、CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)イメージセンサチップからなる裏面照射型の固体撮像装置14と、これらのレンズユニット11、カバーガラス12および固体撮像装置14を固定保持する筺体16と、を備える。固体撮像装置14の受光面とは反対側の下面には、外部接続端子としての半田ボール15が形成されている。また、カバーガラス12は、接着剤13によって固体撮像装置14の受光面側に固定され、固体撮像装置14の受光面側を保護している。
第1の実施の形態では、少なくとも撮像画素部での配線被覆率が100%となるようにダミー配線を配置した場合を示したが、ダミー配線を用いた遮光方法としては、表面側から入射する光の入射波長のうち、遮光したい範囲の光の最短波長、具体的には紫外線の最短波長(たとえば、300nm)以下となる配線(金属)間距離で配線を配置してもよい。つまり、多層配線層を構成する配線で被覆されていない領域を挟む隣接する配線間の距離が、紫外線の最短波長以下となるように、多層配線層を構成する各配線層の配線を配置するようにしてもよい。これは、光は波長よりも短い隙間を透過することができないからである。このような規則にしたがって、シリコン基板の表面に光が到達しないように多層配線層を形成することで、配線被覆率を100%としなくても、シリコン基板の受光面とは反対側や側面側から入射する光のうち、配線間距離以上の波長を有する光を遮光することが可能となる。この場合、より微細な設計ルールで形成されている下層配線(シリコン基板に近い側の配線層〜中ほどに位置する配線層)を用いてダミー配線パターンを形成し、遮光することが望ましい。
第1の実施の形態では、少なくとも撮像画素部での配線被覆率が100%となるようにダミー配線を配置するとともに、撮像画素部の周縁部にビアリングを形成する場合を説明した。この第3の実施の形態では、撮像画素部の周縁部にビアリングを形成しない場合について説明する。
多層配線層においては、多層配線間での寄生容量を低減させるために、層間絶縁膜の誘電率を低減させることが望まれている。しかし、一般的に低誘電率膜はヤング率が小さく、配線層を構成する金属材料(たとえば、Cu)と比較して1桁以上小さい。ヤング率が小さくなると、低誘電率膜の材料自体の機械的強度や低誘電率膜を含む積層膜の界面における密着強度が劣化するおそれが生じるという問題点があった。実際に、比誘電率の低い低誘電率膜を用いて層間絶縁膜を形成した場合に、固体撮像装置の層間絶縁膜でのクラックや界面剥がれなどの不良が生じるおそれがあった。そのため、従来では、多層配線層における層間絶縁膜には、酸化シリコンやシリコン窒化膜などの比誘電率の高い材料が使用されていた。そこで、この第4の実施の形態では、固体撮像装置の多層配線層における層間絶縁膜に比誘電率の小さい材料を使用しても、固体撮像装置の層間絶縁膜でのクラックや界面剥がれなどの不良を抑制することができる構造について説明する。
Claims (5)
- 半導体基板に、光電変換素子と電界効果型トランジスタを含む画素を複数配列した撮像画素部と、前記撮像画素部の周辺回路部と、を設け、前記撮像画素部の電界効果型トランジスタを駆動する配線層を複数積層した多層配線層が前記半導体基板の第1面側に形成され、前記光電変換素子の受光面が前記半導体基板の第2面側に配置された固体撮像装置であって、
前記第1面側から見て、前記半導体基板の少なくとも前記撮像画素部における配線の被覆率が100%となるように、前記多層配線層を構成する各配線層内の配線が配置されることを特徴とする固体撮像装置。 - 半導体基板に、光電変換素子と電界効果型トランジスタを含む画素を複数配列した撮像画素部と、前記撮像画素部の周辺回路部と、を設け、前記撮像画素部の電界効果型トランジスタを駆動する配線層を複数積層した多層配線層が前記半導体基板の第1面側に形成され、前記光電変換素子の受光面が前記半導体基板の第2面側に配置された固体撮像装置であって、
前記第1面側から見て、前記半導体基板の少なくとも前記撮像画素部での配線で被覆されていない領域を挟む前記多層配線層を構成する隣接する配線間の距離が、紫外線の最短波長以下となるように、前記多層配線層を構成する各配線層内の配線が配置されることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記撮像画素部に形成される前記多層配線層の周縁部に、紫外線以上の波長の光を反射する材料によって塀状のビアリングを備えることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記第1面側から見て、前記半導体基板の前記撮像画素部以外の領域で前記配線で被覆されていない領域を有する場合に、前記第1面側から見て前記配線で被覆されていない領域を挟む前記多層配線層を構成する隣接する配線間の距離が、紫外線の最短波長以下となるように、前記多層配線層を構成する各配線層内の配線が配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記多層配線層を構成する層間絶縁膜の少なくとも1層は、比誘電率が3.4以下の低誘電率材料によって構成されることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
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Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011091400A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
JP2011216865A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-27 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2012009816A (ja) * | 2010-05-28 | 2012-01-12 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012064709A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2012064703A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Sony Corp | 撮像素子および撮像装置 |
JP2013058661A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Sony Corp | 固体撮像素子および電子機器 |
WO2013077121A1 (ja) * | 2011-11-24 | 2013-05-30 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2013251713A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Canon Inc | 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法 |
JP2014135326A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-07-24 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
WO2014174994A1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
JP2014216930A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
JP2014216554A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
JP2015026786A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | ソニー株式会社 | 裏面照射型イメージセンサ、撮像装置、および電子機器 |
WO2015019931A1 (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JPWO2013115075A1 (ja) * | 2012-02-03 | 2015-05-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
JP2015128187A (ja) * | 2015-03-24 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US9153490B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device |
JP2016139818A (ja) * | 2016-03-04 | 2016-08-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2017199924A (ja) * | 2017-06-21 | 2017-11-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2019075441A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
WO2021193266A1 (ja) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
US11948952B2 (en) | 2010-09-30 | 2024-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device having projection regions from light shielding and photoelectric conversion |
WO2024101028A1 (ja) * | 2022-11-11 | 2024-05-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5438374B2 (ja) * | 2009-05-12 | 2014-03-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5150566B2 (ja) * | 2009-06-22 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびカメラモジュール |
JP5422455B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-02-19 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
US9406621B2 (en) * | 2010-06-10 | 2016-08-02 | Texas Instruments Incorporated | Ultraviolet energy shield for non-volatile charge storage memory |
JP5542543B2 (ja) | 2010-06-28 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2012044091A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Canon Inc | 撮像装置、撮像モジュール及びカメラ |
JP5644341B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2014-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および、その製造方法、電子機器 |
JP5633323B2 (ja) * | 2010-11-11 | 2014-12-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
KR101095945B1 (ko) * | 2011-02-03 | 2011-12-19 | 테쎄라 노쓰 아메리카, 아이엔씨. | 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 흡광 재료를 포함하는 이면 조사 센서 패키지 |
KR101133154B1 (ko) * | 2011-02-03 | 2012-04-06 | 디지털옵틱스 코포레이션 이스트 | 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 차등 높이 실리콘을 포함하는 이면 조사 센서 패키지 |
US20120241905A1 (en) * | 2011-03-25 | 2012-09-27 | Tang William W K | Substrate isolation structure |
US20120274811A1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | Dmitry Bakin | Imaging devices having arrays of image sensors and precision offset lenses |
EP2717561B1 (en) | 2011-05-24 | 2019-03-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element and camera system |
JP5794002B2 (ja) * | 2011-07-07 | 2015-10-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
US8748828B2 (en) * | 2011-09-21 | 2014-06-10 | Kla-Tencor Corporation | Interposer based imaging sensor for high-speed image acquisition and inspection systems |
JP2013187360A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP5926634B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2016-05-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
US9473719B2 (en) * | 2013-12-30 | 2016-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Protection layer in CMOS image sensor array region |
JP2015185823A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、及び、撮像装置 |
US9467606B2 (en) * | 2014-06-10 | 2016-10-11 | Omnivision Technologies, Inc. | Wafer level stepped sensor holder |
JP6682175B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2020-04-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
WO2018016181A1 (ja) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | ソニー株式会社 | 受光素子、受光素子の製造方法、撮像装置および電子機器 |
JP6691101B2 (ja) * | 2017-01-19 | 2020-04-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子 |
JP6910814B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2021-07-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
JP6947550B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2021-10-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN115145017B (zh) * | 2018-01-25 | 2023-12-22 | 台湾东电化股份有限公司 | 光学*** |
JP7175655B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-11-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子および測距モジュール |
TW202038456A (zh) * | 2018-10-26 | 2020-10-16 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固態攝像元件、固態攝像元件封裝及電子機器 |
US11573320B2 (en) * | 2019-02-20 | 2023-02-07 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light receiving element and ranging module |
JPWO2021166913A1 (ja) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015725A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
JP2004241495A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
JP2005209674A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Sony Corp | 電荷転送装置、電荷転送装置の製造方法および固体撮像装置 |
JP2008016733A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2008103572A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04235475A (ja) | 1991-01-10 | 1992-08-24 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH11326954A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP3722367B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2005-11-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
JP4499386B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2010-07-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型光検出素子の製造方法 |
JP4619705B2 (ja) * | 2004-01-15 | 2011-01-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP4349232B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2009-10-21 | ソニー株式会社 | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
JP4867152B2 (ja) | 2004-10-20 | 2012-02-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP4285432B2 (ja) | 2005-04-01 | 2009-06-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4752447B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
KR101225317B1 (ko) | 2005-12-28 | 2013-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 구동 장치 및 방법 |
JP5151375B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2013-02-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法および撮像装置 |
-
2008
- 2008-05-29 JP JP2008141304A patent/JP5198150B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-16 US US12/404,675 patent/US8098312B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015725A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
JP2004241495A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
JP2005209674A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Sony Corp | 電荷転送装置、電荷転送装置の製造方法および固体撮像装置 |
JP2008016733A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2008103572A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011091400A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
US8958002B2 (en) | 2009-10-22 | 2015-02-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors |
JP2011216865A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-27 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
US9024405B2 (en) | 2010-03-17 | 2015-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor |
JP2012009816A (ja) * | 2010-05-28 | 2012-01-12 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US9197829B2 (en) | 2010-09-15 | 2015-11-24 | Sony Corporation | Solid state imaging device and electronic apparatus |
US9613997B2 (en) | 2010-09-15 | 2017-04-04 | Sony Corporation | Solid state imaging device and electronic apparatus |
US11863898B2 (en) | 2010-09-15 | 2024-01-02 | Sony Group Corporation | Solid state imaging device and electronic apparatus |
KR101732740B1 (ko) * | 2010-09-15 | 2017-05-04 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
KR101819415B1 (ko) | 2010-09-15 | 2018-01-16 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
JP2012064703A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Sony Corp | 撮像素子および撮像装置 |
US9647024B2 (en) | 2010-09-15 | 2017-05-09 | Sony Corporation | Solid state imaging device and electronic apparatus |
JP2012064709A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
US11948952B2 (en) | 2010-09-30 | 2024-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device having projection regions from light shielding and photoelectric conversion |
US9525004B2 (en) | 2011-07-19 | 2016-12-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device |
US9627429B2 (en) | 2011-07-19 | 2017-04-18 | Sony Corporation | Semiconductor device and electronic device having bonded substrates |
US9153490B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device |
JP2013058661A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Sony Corp | 固体撮像素子および電子機器 |
WO2013077121A1 (ja) * | 2011-11-24 | 2013-05-30 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
JPWO2013115075A1 (ja) * | 2012-02-03 | 2015-05-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
US10199414B2 (en) | 2012-02-03 | 2019-02-05 | Sony Corporation | Semiconductor device and electronic equipment |
US9634158B2 (en) | 2012-02-03 | 2017-04-25 | Sony Corporation | Semiconductor device and electronic equipment |
US9386251B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device, image pickup system, and method of driving image pickup device in which comparison start times are controlled |
JP2013251713A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Canon Inc | 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法 |
JP2014135326A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-07-24 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
WO2014174994A1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
US9520428B2 (en) | 2013-04-26 | 2016-12-13 | Olympus Corporation | Image pickup apparatus |
JP2014216930A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
JP2014216554A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
JP2015026786A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | ソニー株式会社 | 裏面照射型イメージセンサ、撮像装置、および電子機器 |
US9954023B2 (en) | 2013-08-08 | 2018-04-24 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
WO2015019931A1 (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2015035492A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2015128187A (ja) * | 2015-03-24 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2016139818A (ja) * | 2016-03-04 | 2016-08-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2017199924A (ja) * | 2017-06-21 | 2017-11-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2019075441A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
WO2021193266A1 (ja) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2024101028A1 (ja) * | 2022-11-11 | 2024-05-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8098312B2 (en) | 2012-01-17 |
JP5198150B2 (ja) | 2013-05-15 |
US20090295979A1 (en) | 2009-12-03 |
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