JP2012009816A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レンズ下に、下面に外部接続用電極を有する光センサが設けられた撮像装置において、工程数を少なくし、また加工プロセスに制約を受けにくいようにする。
【解決手段】光センサ１を、半導体基板２の下面に光電変換デバイス領域３および接続パッド４を有し、且つ、半導体基板２下に絶縁膜５、７を介して接続パッド３に接続された配線９および該配線９に接続された外部接続用電極としての柱状電極１２を有するものとする。この結果、半導体基板２の上面に光電変換デバイス領域３および該光電変換デバイス領域３に接続された接続パッド４を形成する場合と比較して、半導体基板２に、接続パッド４と配線９とを接続するための貫通電極を形成する必要がなく、これにより工程数を少なくすることができ、また加工プロセスに制約を受けにくいようにすることができる。
【選択図】図１

Description

この発明は撮像装置およびその製造方法に関する。

従来の撮像装置には、光センサ上に、枠状のスペーサを介して、下面にレンズを有するガラス板を取り付けたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、光センサは半導体基板を備えている。半導体基板の上面中央部には受光部が設けられている。半導体基板の上面周辺部には接続パッドが受光部に接続されて設けられている。

半導体基板の下面には配線が設けられている。例えばＣＭＯＳの場合、信号を電圧として取り出すため、配線は必須となっている。配線の一端部は、半導体基板の周辺部に設けられた貫通孔内に設けられた貫通電極を介して接続パッドに接続されている。配線のランドを除く半導体基板の下面には絶縁膜が設けられ、配線のランドは絶縁膜に設けられた開口部を介して露出されている。絶縁膜の開口部を介して露出された配線のランド下面には半田ボールが設けられている。

特開２０１０−５６２９２号公報

上記従来の撮像装置の製造方法では、まず、完成品としての撮像装置の半導体基板の厚さよりも厚い半導体ウエハを準備している。この場合、半導体ウエハの撮像装置形成領域の上面中央部には受光部が設けられ、その周囲には接続パッドが受光部に接続されて設けられている。

次に、半導体ウエハと同じサイズのガラス板の下面に複数のレンズが設けられたものを半導体ウエハ上に格子状のスペーサを介して取り付けている。次に、半導体ウエハの下面側を研削し、半導体ウエハの厚さを薄くしている。次に、半導体ウエハの撮像装置形成領域内の周辺部に貫通孔を形成している。次に、貫通孔内を含む半導体ウエハの下面に、電解メッキにより、配線および貫通電極を形成している。

次に、半導体ウエハの下面側に、開口部を有する絶縁膜を形成している。次に、絶縁膜の開口部を介して露出された配線のランド下面に半田ボールを形成している。次に、半導体ウエハ、格子状のスペーサおよび半導体ウエハと同じサイズのガラス板を切断し、複数個の撮像装置を得ている。

ところで、上記従来の撮像装置の製造方法では、半導体ウエハの撮像装置形成領域内の周辺部に貫通孔を形成する工程が半導体ウエハの下面へのレジスト膜の形成、レジスト膜への開口部の形成、レジスト膜をマスクとしたエッチングによる半導体ウエハへの貫通孔の形成、レジスト膜の剥離というように、工程数が比較的多いという問題がある。また、半導体ウエハの下面側を研削して半導体ウエハの厚さを薄くする工程の前に、補強のため、半導体ウエハ上に該半導体ウエハと同じサイズのガラス板を配置しなければならず、加工プロセスに制約を受けるという問題がある。

そこで、この発明は、工程数を少なくすることができ、また加工プロセスに制約を受けにくいようにすることができる撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明に係る撮像装置は、一方の面から光が入射するレンズユニットと、前記レンズユニットの他方の面側に設けられ、前記レンズユニットから出射した光が一方の面から入射する半導体基板と、前記半導体基板の他方の面側に設けられた光電変換デバイス領域および接続パッドと、を有する光センサと、を具備することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る撮像装置の製造方法は、半導体ウエハの一方の面に光電変換デバイス領域および接続パッドが設けられた光センサの前記半導体ウエハの他方の面に、レンズユニットを配置することを特徴とするものである。

この発明によれば、一方の面から光が入射するレンズユニットと、前記レンズユニットの他方の面側に設けられ、前記レンズユニットから出射した光が一方の面から入射する半導体基板と、前記半導体基板の他方の面側に設けられた光電変換デバイス領域および接続パッドと、を有する光センサと、を具備することにより、半導体基板に貫通電極を形成する必要がなく、ひいては工程数を少なくすることができ、また加工プロセスに制約を受けにくいようにすることができる。

この発明の第１実施形態としての撮像装置の断面図。 図１に示す撮像装置の製造方法の一例において、当初準備したものの一部の断面図。 図２に続く工程の断面図。 図３に続く工程の断面図。 図４に続く工程の断面図。 図５に続く工程の断面図。 図６に続く工程の断面図。 図７に続く工程の断面図。 図８に続く工程の断面図。 この発明の第１実施形態の他の例としての撮像装置の断面図。 この発明の第２実施形態としての撮像装置の断面図。 この発明の第２実施形態の他の例としての撮像装置の断面図。

（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての撮像装置の断面図を示す。この撮像装置は光センサ１を備えている。光センサ１はシリコン、または、Ｇａ（ガリウム）とＡｓ（砒素）の化合物からなる化合物半導体のガリウム砒素等からなる平面方形状の半導体基板２を備えている。半導体基板２の下面中央部にはＣＣＤ（電荷結合素子）やフォトダイオード、フォトトランジスタ等の素子を含む光電変換デバイス領域３が設けられている。半導体基板２の下面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド４が光電変換デバイス領域３に接続されて設けられている。

半導体基板２の周辺部および接続パッド２の中央部を除く半導体基板２の下面には酸化シリコン、窒化シリコン等からなるパッシベーション膜（絶縁膜）５が設けられ、接続パッド４の中央部はパッシベーション膜５に設けられた開口部６を介して露出されている。パッシベーション膜５の下面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜（絶縁膜）７が設けられている。パッシベーション膜５の開口部６に対応する部分における保護膜７には開口部８が設けられている。

保護膜７の下面には複数の配線９が設けられている。配線９は、保護膜７の下面に設けられた銅等からなる下地金属層１０と、下地金属層１０の下面に設けられた銅からなる上部金属層１１との２層構造となっている。配線９の一端部は、パッシベーション膜５および保護膜７の開口部６、８を介して接続パッド４に接続されている。

配線９のランド下面には銅からなる柱状電極（外部接続用電極）１２が設けられている。半導体基板２の周辺部下面および配線９を含む保護膜７の下面において柱状電極１２の周囲にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂からなる封止膜１３が設けられている。ここで、柱状電極１２は、その下面が封止膜１３の下面と面一乃至１〜２μｍ凹むように設けられている。

以上のように、光センサ１は、半導体基板２、光電変換デバイス領域３、接続パッド４、パッシベーション膜５、保護膜７、下地金属層１０および上部金属層１１からなる２層構造の配線９、柱状電極１２および封止膜１３を含んで構成されている。そして、光センサ１の柱状電極１２の下面には半田ボール１４が設けられている。

光センサ１の半導体基板２の上面には平面方形状の可視光線透過板２１が方形枠状の接着剤層２２を介して貼り付けられている。可視光線透過板２１は、赤外線カットフィルタの役目を持っており、赤外線反射タイプまたは赤外線吸収タイプのものからなり、その平面サイズは光センサ１の半導体基板２の平面サイズよりもやや小さくなっている。

可視光線透過板２１としては、ガラス、メタクリル樹脂、フルオレン系樹脂、シクロオレフィンポリマー、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート、透光性セラミック等、可視光を透過する材料であれば何でも良い。

可視光線透過板２１の上面にはレンズユニット２３が設けられている。レンズユニット２３は、枠状のレンズホルダ２４の内部に、光センサ１の光電変換デバイス領域３の上方に配置されるレンズ２５が設けられたものからなっている。そして、レンズユニット２３のレンズホルダ２４の下面は枠状の接着剤層２６を介して可視光線透過板２１の上面周辺部に貼り付けられている。図１において矢印で示すように、光は半導体基板２の他方の面に設けられたレンズユニット２３側から入射する。レンズ２５を通った光は光電変換デバイス領域３に集光し、配線９に伝送する。

ここで、レンズ２５は赤外線を良く透過し、光電変換デバイス領域３は高い赤外線感度を持っているので、光センサ１の感度は、主に、光電変換デバイス領域３の前にある赤外線をカットする可視光線透過板２１に左右される。可視光線透過板２１の赤外線反射率および赤外線吸収率はいずれも９０％以上である。従って、可視光線透過板２１の赤外線透過率は、１０％以下である。また、可視光線透過板２１は光電変換デバイス領域３を保護する役目も有している。反射若しくは吸収によりカットする赤外線の波長は、約０．７μｍから１０００μｍの範囲の周波数を帯びた電磁波である。また、可視光線透過板２１を透過する可視光線の波長は、３８０〜７８０ｎｍの範囲の周波数を帯びた電磁波である。

次に、この撮像装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態の半導体基板（以下、半導体ウエハ３１という）の下面に光電変換デバイス領域３、接続パッド４、パッシベーション膜５、保護膜７、下地金属層１０および上部金属層１１からなる２層構造の配線９、柱状電極１２および封止膜１３が形成されたものを準備する。

この準備したものの製造方法の一例について簡単に説明すると、まず、半導体ウエハ３１下に光電変換デバイス領域３、接続パッド４、パッシベーション膜５および保護膜７等を形成する。次に、その下面全体に無電解メッキにより下地金属層（１０）を形成する。次に、下地金属層（１０）をメッキ電流路とした電解メッキにより、上部金属層１１および柱状電極１２を形成する。次に、上部金属層１１をマスクとしたエッチングにより、上部金属層１１以外の領域における下地金属層（１０）を除去し、下地金属層１０および上部金属層１１からなる２層構造の配線９を形成する。次に、保護膜７の周囲における半導体ウエハ３１の下面および配線９を含む保護膜７の下面において柱状電極１２の周囲に封止膜１３を形成する。かくして、図２に示す準備したものが得られる。

この場合、半導体ウエハ３１に貫通電極を形成する必要がなく、したがって半導体ウエハ３１に貫通電極を形成する場合と比較して、工程数を少なくすることができる。ここで、図２に示す半導体ウエハ３１の厚さは、図１に示す半導体基板２の厚さよりも厚くなっている。また、図２において、符号３２で示す領域はダイシングストリートである。

次に、図３に示すように、柱状電極１２の下面に半田ボール１４を形成する。半田ボール１４の形成方法としては、まず、柱状電極１２の下面に半田ペーストを塗布し、あるいは半田ボールを搭載する。次に、リフローを行うことにより、柱状電極１２の下面に半田ボール１４を形成する。

次に、図４に示すように、保護テープ３３を準備する。この保護テープ３３は、基材フィルム３４の上面に紫外線硬化型で未硬化状態の粘着剤層３５が設けられたものからなっている。そして、半田ボール１４を含む封止膜１３の下面に保護テープ３３の未硬化状態の粘着剤層３５を貼り付ける。この場合、粘着剤層３５の厚さは半田ボール１４の高さよりも厚くなっている。したがって、この状態では、半田ボール１４は粘着剤層３５によって完全に覆われている。

次に、図５に示すように、チャック３６を準備する。チャック３６は、図示しない真空ポンプ等の真空源に接続され、チャック３６上に載置した部材を吸引して吸着保持するためのものである。次に、保護テープ３３の下面を、チャック３６上に載置して吸着保持させる。次に、半導体ウエハ３１の下面側を研削砥石（図示せず）を用いて適宜に研削し、半導体ウエハ３１の厚さを薄くする。この状態では、半導体ウエハ３１の下面側に封止膜１３を形成し、且つ、その下面側に保護テープ３３を貼り付け、更に保護テープ３３の下面をチャック３６で吸着保持しているので、半導体ウエハ３１の厚さを薄くしても、半導体ウエハ３１が反りにくいようにすることができる。この場合、補強用としてのガラス板を用いていないので、その分、加工プロセスに制約を受けにくいようにすることができる。

次に、図６に示すように、半導体ウエハ３１の上面においてダイシングストリート３２で囲まれた平面方形状の領域内の中央部に平面方形状の可視光線透過板２１を方形枠状の接着剤層２２を介して貼り付ける。ところで、封止膜１３の下面側に保護テープ３３が貼り付けられておらず、且つ、半導体ウエハ３１および封止膜１３の合計厚さが３５０〜３００μｍ以下である場合には、半導体ウエハ３１の反り量が大きくなり、可視光線透過板２１の貼り付けが困難となってしまう。これに対し、この実施形態では、封止膜１３の下面側に保護テープ３３を貼り付け、更に保護テープ３３の下面をチャック３６で吸着保持しているので、半導体ウエハ３１および封止膜１３の合計厚さが３５０〜３００μｍ以下であっても、半導体ウエハ３１の反り量が大きくなることがなく、可視光線透過板２１の貼り付けが困難となることもない。

次に、保護テープ３３の下面に対するチャック３６による吸着保持を解除し、保護テープ３３をチャック３６上から取り去る。次に、図７に示すように、レンズユニット２３を準備する。レンズユニット２３は、枠状のレンズホルダ２４の内部にレンズ２５が設けられたものからなっている。そして、レンズユニット２３のレンズホルダ２４の下面を可視光線透過板２１の上面周辺部に枠状の接着剤層２６を介して貼り付ける。

次に、保護テープ３３の下面側から紫外線を照射し、未硬化状態の接着剤層３５を硬化させ、保護テープ３３を剥離可能状態とする。次に、半田ボール１４を含む封止膜１３の下面から保護テープ３３を剥離すると、図８に示すように、半田ボール１４を含む封止膜１３の下面が露出される。次に、図９に示すように、半導体ウエハ３１および封止膜１３をダイシングストリート３２に沿ってダイシングすると、図１に示す撮像装置が複数個得られる。

このようにして得られた撮像装置では、入射光の方向を矢印で示した通り、レンズユニット２３が設けられている半導体基板２の他方の面側から光が入射する裏面照射型の構造を有している。したがって、入射光は、レンズ２５を透過し、続いて可視光線透過板２１および半導体基板２を透過して、光電変換デバイス領域３に到達する。この様に、レンズと光センサとの間に配線がないため、レンズと光センサが近接しており、斜めの光も届きやすい構造になっている。この際、半導体基板２の一方の面に設けられた配線９や柱状電極１２は、光電変換デバイス領域３よりも下方にあるので、配線９や柱状電極１２によって光が遮られることがなく、効率を良くすることができる。このような訳で、平面視して、光電変換デバイス領域３と、配線９や柱状電極１２と、が重なって形成しても何ら問題はない。また、半導体基板２の厚さは薄いため、反りが発生しやすいが、柱状電極１２のある構造においては封止膜１３の厚さが厚いので、反りを抑制することができる。

なお、図２に示す状態において、各光センサ形成領域の電気的テストを行い、不良と判定された光センサ形成領域がある場合には、この不良と判定された光センサ形成領域に対して、図６および図７に示す工程において、可視光線透過板２１およびレンズユニット２３を取り付けないようにしてもよい。このようにした場合には、歩留りを向上することができる。

また、本実施形態では、半導体ウエハ３１の他方の面に対して、可視光線透過板２１の貼り付けやレンズユニット２３の取り付けを行ったが、ダイシング後の半導体基板２上に、個片化した可視光線透過板２１およびレンズユニット２３を取り付けて形成しても良い。また、本実施形態においては、光センサ１の半導体基板２とレンズユニット２３との間に可視光線透過板２１を設けたが、例えば、赤外線を１０％以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付のレンズ２５を用いることで、図１０に示すように、可視光線透過板２１を設けない薄型の構造にすることもできる。

（第２実施形態）
図１１はこの発明の第２実施形態としての撮像装置の断面図を示す。この撮像装置も矢印の方向から光が入射する裏面照射型の構造を有しており、図１に示す撮像装置と異なる点は、光センサ１において、柱状電極１２を省略した点である。この場合、配線９のランド（外部接続用電極）に対応する部分における封止膜１３には、半田ボール１４を配線９のランドに接続するための開口部１３ａが形成されている。

なお、封止膜１３はポリイミド系樹脂、ソルダーレジスト等によって形成するようにしてもよい。また、第１実施形態と同様に本実施形態においても、光センサ１の半導体基板２とレンズユニット２３との間に可視光線透過板２１を設けたが、例えば、赤外線を１０％以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付のレンズ２５を用いることで、図１２に示すように、可視光線透過板２１を設けない薄型の構造にすることができる。

以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は、これに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲を含むものである。以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。

（付記）
請求項１に記載の発明は、一方の面から光が入射するレンズユニットと、
前記レンズユニットの他方の面側に設けられ、前記レンズユニットから出射した光が一方の面から入射する半導体基板と、前記半導体基板の他方の面側に設けられた光電変換デバイス領域および接続パッドと、を有する光センサと、
を具備することを特徴とする撮像装置である。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記半導体基板と前記レンズユニットとの間に、可視光線透過率が９０％以上であり、赤外線透過率が１０％以下である可視光線透過材を具備することを特徴とする撮像装置である。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記可視光線透過材は、ガラス、メタクリル樹脂、フルオレン系樹脂、シクロオレフィンポリマー、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート、透光性セラミックのいずれかからなることを特徴とする撮像装置である。

請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３の何れか一項に記載の発明において、前記光センサは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記配線のランド下に設けられた柱状電極と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記柱状電極の周囲に設けられた封止膜とを備えていることを特徴とする撮像装置である。

請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記光センサの柱状電極下に半田ボールが設けられていることを特徴とする撮像装置である。

請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５の何れか一項に記載の発明において、前記光センサは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられ、且つ、前記外部接続用電極としてのランドを有する配線と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記配線のランドを除く領域に設けられた封止膜とを備えていることを特徴とする撮像装置である。

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記光センサの配線のランド下に半田ボールが設けられていることを特徴とする撮像装置である。

請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レンズユニットを構成するレンズは赤外線を１０％以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付であることを特徴とする撮像装置である。

請求項９に記載の発明は、半導体ウエハの一方の面に光電変換デバイス領域および接続パッドが設けられた光センサの前記半導体ウエハの他方の面に、レンズユニットを配置することを特徴とする撮像装置の製造方法である。

請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記半導体基板と前記レンズユニットとの間に、可視光線透過率が９０％以上であり、赤外線透過率は１０％以下である可視光線透過材を具備することを特徴とする撮像装置の製造方法である。

請求項１１に記載の発明は、請求項９または１０に記載の発明において、前記可視光線透過材は、ガラス、メタクリル樹脂、フルオレン系樹脂、シクロオレフィンポリマー、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート、透光性セラミックのいずれかからなることを特徴とする撮像装置の製造方法である。

請求項１２に記載の発明は、請求項９乃至１１の何れか一項に記載の発明において、前記接続パッドに接続された外部接続用電極が形成され、前記半導体ウエハをダイシングして撮像装置を複数個得ることを特徴とする撮像装置の製造方法である。

請求項１３に記載の発明は、請求項９乃至１２の何れか一項に記載の発明において、前記可視光線透過材を配置する工程の前に、前記外部接続用電極下に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法である。

請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の発明において、前記半田ボールを形成する工程の後に、前記半導体ウエハの上面側を研削する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法である。

請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記載の発明において、前記半田ボールを形成する工程の後で前記半導体ウエハの上面側を研削する工程の前に、前記半導体ウエハの前記半田ボール側に保護テープを貼り付ける工程を有し、且つ、前記レンズユニットを配置する工程の後に、前記保護テープを剥離する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法である。

請求項１６に記載の発明は、請求項１２乃至１５の何れか一項に記載の発明において、前記準備したものは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記配線のランド下に設けられた前記外部接続用電極としての柱状電極と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記柱状電極の周囲に設けられた封止膜と、を備えていることを特徴とする撮像装置の製造方法である。

請求項１７に記載の発明は、請求項１２乃至１６の何れか一項に記載の発明において、前記準備したものは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられ、且つ、前記外部接続用電極としてのランドを有する配線と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記配線のランドを除く領域に設けられた封止膜と、を備えていることを特徴とする撮像装置の製造方法である。

請求項１８に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記レンズユニットを構成するレンズは赤外線を１０％以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付であることを特徴とする撮像装置の製造方法である。

請求項１９に記載の発明は、請求項９乃至１８の何れか一項に記載の発明において、各光センサ形成領域の電気的テストを行い、不良と判定された光センサ形成領域がある場合には、この不良と判定された光センサ形成領域に対して、前記可視光線透過材および前記レンズユニットを配置しないようにすることを特徴とする撮像装置の製造方法であるである。

１ 光センサ
２ 半導体基板
３ 光電変換デバイス領域
４ 接続パッド
５ パッシベーション膜
７ 保護膜
９ 配線
１２ 柱状電極（外部接続用電極）
１３ 封止膜
１４ 半田ボール
２１ 可視光線透過板
２２ 接着剤層
２３ レンズユニット
２４ レンズホルダ
２５ レンズ
２６ 接着剤層
３１ 半導体ウエハ
３２ ダイシングストリート

Claims (19)

1. 一方の面から光が入射するレンズユニットと、
   前記レンズユニットの他方の面側に設けられ、前記レンズユニットから出射した光が一方の面から入射する半導体基板と、前記半導体基板の他方の面側に設けられた光電変換デバイス領域および接続パッドと、を有する光センサと、
   を具備することを特徴とする撮像装置。
2. 請求項１に記載の発明において、前記半導体基板と前記レンズユニットとの間に、可視光線透過率が９０％以上であり、赤外線透過率が１０％以下である可視光線透過材を具備することを特徴とする撮像装置。
3. 請求項２に記載の発明において、前記可視光線透過材は、ガラス、メタクリル樹脂、フルオレン系樹脂、シクロオレフィンポリマー、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート、透光性セラミックのいずれかからなることを特徴とする撮像装置。
4. 請求項１乃至３の何れか一項に記載の発明において、前記光センサは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記配線のランド下に設けられた柱状電極と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記柱状電極の周囲に設けられた封止膜とを備えていることを特徴とする撮像装置。
5. 請求項４に記載の発明において、前記光センサの柱状電極下に半田ボールが設けられていることを特徴とする撮像装置。
6. 請求項１乃至５の何れか一項に記載の発明において、前記光センサは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられ、且つ、前記外部接続用電極としてのランドを有する配線と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記配線のランドを除く領域に設けられた封止膜とを備えていることを特徴とする撮像装置。
7. 請求項６に記載の発明において、前記光センサの配線のランド下に半田ボールが設けられていることを特徴とする撮像装置。
8. 請求項１に記載の発明において、前記レンズユニットを構成するレンズは赤外線を１０％以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付であることを特徴とする撮像装置。
9. 半導体ウエハの一方の面に光電変換デバイス領域および接続パッドが設けられた光センサの前記半導体ウエハの他方の面に、レンズユニットを配置することを特徴とする撮像装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の発明において、前記半導体基板と前記レンズユニットとの間に、可視光線透過率が９０％以上であり、赤外線透過率は１０％以下である可視光線透過材を具備することを特徴とする撮像装置の製造方法。
11. 請求項９または１０に記載の発明において、前記可視光線透過材は、ガラス、メタクリル樹脂、フルオレン系樹脂、シクロオレフィンポリマー、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート、透光性セラミックのいずれかからなることを特徴とする撮像装置の製造方法。
12. 請求項９乃至１１の何れか一項に記載の発明において、前記接続パッドに接続された外部接続用電極が形成され、前記半導体ウエハをダイシングして撮像装置を複数個得ることを特徴とする撮像装置の製造方法。
13. 請求項９乃至１２の何れか一項に記載の発明において、前記可視光線透過材を配置する工程の前に、前記外部接続用電極下に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
14. 請求項１３に記載の発明において、前記半田ボールを形成する工程の後に、前記半導体ウエハの上面側を研削する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
15. 請求項１４に記載の発明において、前記半田ボールを形成する工程の後で前記半導体ウエハの上面側を研削する工程の前に、前記半導体ウエハの前記半田ボール側に保護テープを貼り付ける工程を有し、且つ、前記レンズユニットを配置する工程の後に、前記保護テープを剥離する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
16. 請求項１２乃至１５の何れか一項に記載の発明において、前記準備したものは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記配線のランド下に設けられた前記外部接続用電極としての柱状電極と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記柱状電極の周囲に設けられた封止膜と、を備えていることを特徴とする撮像装置の製造方法。
17. 請求項１２乃至１６の何れか一項に記載の発明において、前記準備したものは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられ、且つ、前記外部接続用電極としてのランドを有する配線と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記配線のランドを除く領域に設けられた封止膜と、を備えていることを特徴とする撮像装置の製造方法。
18. 請求項９に記載の発明において、前記レンズユニットを構成するレンズは赤外線を１０％以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付であることを特徴とする撮像装置の製造方法。
19. 請求項９乃至１８の何れか一項に記載の発明において、各光センサ形成領域の電気的テストを行い、不良と判定された光センサ形成領域がある場合には、この不良と判定された光センサ形成領域に対して、前記可視光線透過材および前記レンズユニットを配置しないようにすることを特徴とする撮像装置の製造方法。

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