JP2008181973A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】固体撮像装置の入射光方向の膜厚を薄くして、集光効率の劣化を防ぎ、製造コストを上昇させない固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１にフォトダイオード３を有する画素セルが配列された画素領域と、下層配線に接続されたパッド１４が形成されたパッド領域と、フォトダイオード３からの信号を転送する周辺回路領域とを備え、画素領域は、フォトダイオードの周辺部に遮光膜１３ａを有し、画素領域、パッド領域及び周辺回路領域は、半導体基板１の上部に形成された多層配線６、１３ａ、１３ｂを有する。パッド１４および遮光膜１３ａは、多層配線の最上層により形成される。
【選択図】図２

Description

本発明は、増幅型ＭＯＳセンサを用いた固体撮像装置において、特に、パッド耐性を兼ね備えた配線構造を有する固体撮像装置に関する。

固体撮像装置の一つとして、増幅型ＭＯＳセンサを用いた固体撮像装置が、注目されている。この固体撮像装置は、画素セルごとに、フォトダイオードで検出した画素信号をトランジスタで増幅するものであり、高感度という特徴をもつ。このような固体撮像装置では、二次元に配列された画素セルを有する画素領域に対して、水平走査または垂直走査を行う回路としてダイナミック型シフトレジスタが用いられ、回路の簡素化、高密度化及び低消費電力化が図られている。フォトダイオードで検出した信号は、読み出しトランジスタと呼ばれる固体撮像装置特有のトランジスタで読み出され、フローティングディフュージョン部にその信号電荷が蓄積される。蓄積された信号電荷は、増幅トランジスタにより増幅され、信号として出力される。

近年、固体撮像装置において、多画素化、画素セルの微細化、高機能化に伴い、配線数が増加している。画素セル領域において、配線の配置可能位置は限られ、配線数の増加に対して、配線の多層化が行われている。

また、近年、微細化に伴い、配線に使用される金属材料は、Ａｌを主成分とする合金からＣｕへと変更されてきている（例えば、参考文献１参照）。一般に、ＣＭＯＳシステムＬＳＩにＣｕが使われてきているため、ＣＭＯＳ回路を使用するＭＯＳセンサにおいても配線にＣｕが使われるようになってきている。配線にＣｕを用いると、層間絶縁膜にＣｕを埋め込むダマシン構造で作られるため、層間膜厚を薄く作ることができ、層間膜による入射光の減衰を抑えることができる。

図１０は、従来の多層配線が形成された固体撮像装置における（ａ）は画素領域、（ｂ）は固体撮像装置の外部に信号を取り出すためのパッド領域、（ｃ）は周辺回路領域の断面構造を示す断面図である。まず、画素領域の構成について説明する。シリコン基板１０１に素子分離１０２が形成されており、素子分離１０２の間に光電変換を行うフォトダイオード１０３が形成されている。フォトダイオード１０３は、画素領域に二次元アレイ状に配列されている。フォトダイオード１０３の上層、つまり、シリコン基板１０１の表面領域には、Ｐ型不純物で形成された表面シールド層１０４が形成されている。シリコン基板１０１上には、層間膜１０５が形成され、層間膜１０５上にＣｕを用いて形成された第一配線１０６及び、第一配線層間膜１０７が形成されている。

第一配線１０６及び、第一配線層間膜１０７上に、Ｃｕ原子の拡散を防止する第一拡散防止膜１０８が形成され、第一拡散防止膜１０８上に、第二配線層間膜１０９及びＣｕの第二配線１１０が形成されている。さらに、第二配線層間膜１０９及びＣｕの第二配線１１０上に第二拡散防止膜１１１が形成され、第二拡散防止膜１１１上に第三配線層間膜１１２、及びＣｕの第三配線１１３が形成されて、多層配線層を形成している。

第三配線層間膜１１２、及び第三配線１１３上に、第三拡散防止膜１１４が形成され、第三拡散防止膜１１４上に層間膜１１５が形成されている。層間膜１１５上に保護膜１１６、カラーフィルター１１７が形成されている。なお、層間膜１０５、１１５及び配線層間膜１０７、１０９、１１２には、ＳｉＯ₂膜、拡散防止膜１０８、１１１、１１４にはＳｉＣ膜、保護膜１１６にはＳｉＮ膜が用いられている。

つぎに、図１０（ｂ）に示すパッド領域の構成について説明する。素子分離１０２に挟まれたシリコン基板１０１上の活性領域には、サリサイド膜１１８が形成されている。サリサイド膜１１８には、ＴｉやＣｏといった金属とシリコン基板１０１が反応して形成されたＴｉＳｉ、ＣｏＳｉが用いられている。シリコン基板１０１上には、画素領域と同様、層間膜１０５、第一配線１０６、第一配線層間膜１０７、第一拡散防止膜１０８、第二配線層間膜１０９、第二配線１１０、第二拡散防止膜１１１、第三配線層間膜１１２、第三配線１１３、第三拡散防止膜１１４、層間膜１１５、保護膜１１６、カラーフィルター１１７が順に形成されている。

層間膜１１５上には、電源電圧を印加するために、Ａｌ合金膜が用いられたパッド１２０が形成されている。

また、上記従来の固体撮像装置において、多層配線層（一般的にＳＬＳＩで用いられる配線層）と電源用のパッド１２０は別々に形成されており、多層配線層を形成した後に、パッド１２０が形成される。これは、画素領域に使用される配線層は、集光効率を考慮すると、できるだけ薄い方が良いため、パッド１２０に使用される厚い膜厚を配線層にそのまま使用することが出来ないためである。

パッド１２０上には、開口部１２１が形成されている。ヴィア１１９は、パッド１２０と第三配線１１３を接続し、外部電源電圧をＣｕの第三配線１１３へ伝達する。

つぎに、図１０（ｃ）に示す周辺回路領域の構成について説明する。素子分離１０２に挟まれたシリコン基板１０１上の活性領域には、サリサイド膜１１８が形成されている。シリコン基板１０１上の活性領域には、サリサイド膜１１８が形成されている。シリコン基板１０１上には、画素領域と同様、層間膜１０５、第一配線１０６、第一配線層間膜１０７、第一拡散防止膜１０８、第二配線層間膜１０９、第二配線１１０、第二拡散防止膜１１１、第三配線層間膜１１２、第三配線１１３、第三拡散防止膜１１４、層間膜１１５、保護膜１１６、カラーフィルター１１７が順に形成されている。

コンタクト１２２は、第一配線層１０６とサリサイド層１１８を接続している。コンタクト１２２は、デュアルダマシン法による製造が可能である（周辺回路領域には、様々なトランジスタが存在し、コンタクト１２２を介して第一配線層１０６と接続されているが、ここでは明記していない。）。ヴィア１２３は、第二配線１１０と第一配線１０６とを接続している。ヴィア１２４は、第三配線１１３と第二配線１１０を接続している。ヴィア１２３、１２４は、デュアルダマシン法による形成が可能である。

画素領域において、第一配線１０６及び第二配線１１０は、信号の電荷の読み出し制御のために用いられる。第三配線１１３は、周辺回路領域に入射光が漏れないようにするための遮光膜として用いられる。また、パッド領域において、第一配線１０６、第二配線１１０及び第三配線１１３は、周辺回路用配線の引き回しなどに用いられる。パッド１２０は、外部からの電圧印加に用いられる。また、周辺回路領域において、第一配線１０６、第二配線１１０及び第三配線１１３は、水平・垂直信号線などに用いられる。
特開２００５−３１１０１５号公報

しかしながら、上記従来の固体撮像装置は、多層配線化により、固体撮像装置の入射光の方向に厚くなり、入射光のフォトダイオードへの集光効率が低下する。

また、集光効率が低下するという問題に対し、層内レンズを設けることで集光効率を上げる構成の固体撮像装置が提案されている。また、フォトダイオードの直上の拡散防止膜を取り除いて、屈折率を一定にし、入射光の反射あるいは多重干渉の影響を低減させる構成の固体撮像装置が提案されている。しかし、製造プロセスが複雑となりコストが増大する。

本発明は、固体撮像装置の入射光方向の膜厚を薄くして、集光効率の劣化を防ぎ、製造コストを上昇させない固体撮像装置を提供することを目的とする。

本発明の固体撮像装置は、半導体基板にフォトダイオードを有する画素セルが配列された画素領域と、下層配線に接続されたパッドが形成されたパッド領域と、前記フォトダイオードからの信号を転送する周辺回路領域とを備え、前記画素領域は、フォトダイオードの周辺部に遮光膜を有し、前記画素領域、前記パッド領域及び前記周辺回路領域は、前記半導体基板の上部に形成された多層配線を有する。上記課題を解決するために、前記パッドおよび前記遮光膜は、前記多層配線の最上層により形成されたことを特徴とする。

本発明によれば、パッドと同じ層に配線を設けることにより、固体撮像装置の入射光方向の膜厚を薄くして、集光効率の劣化を防ぎ、製造コストを上昇させない固体撮像装置を提供することができる。

本発明の固体撮像装置において、前記遮光膜は、配線として用いられる構成にすることもできる。

また、前記多層配線は、前記半導体基板に近い層の配線がＣｕを用いて形成され、前記多層配線の最上層がＡｌまたはＡｌを主成分とする材料により形成された構成にすることもできる。

また、前記半導体基板に形成されたトランジスタのゲート電極が配線を形成する構成にすることもできる。

また、前記パッドは、厚さが４００ｎｍ以上である構成にすることもできる。

また、０．１８μｍ以下のプロセス技術を用いて形成された構成にすることもできる。

また、前記多層配線は、前記画素領域においては２層であり、前記周辺回路領域においては３層以上である構成にすることもできる。

また、前記周辺回路領域における最上層配線層の一層下の配線層は０．２５μｍ以上のプロセス技術に対応する線幅で形成されている構成にすることもできる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の画素領域の構成を示す平面図である。なお、見やすくするため、パッド、カラーフィルターなど一部の構成を省略している。フォトダイオード３は、入射光量を電荷量に変換する。読み出しトランジスタゲート電極３３は、フォトダイオード３で生成された電荷の読み出し制御を行う。フローティングディフュージョン部４１は、読み出された電荷量に応じた電圧を増幅トランジスタ４２に印加し、増幅トランジスタ４２により画素信号が生成される。リセットトランジスタゲート電極３４は、印加される電圧により、フローティングディフュージョン部４１の電圧をリセット制御する。また、リセットトランジスタゲート電極３４を形成する導電層は、リセット配線として用いられる。

図２は、図１におけるＡ−Ａ'断面の（ａ）は入射光を受光する画素領域、（ｂ）はパッド領域、（ｃ）は画素領域で得られた画素信号を転送する周辺回路領域における構成を示す断面図である。図３は、図１におけるＢ−Ｂ'断面の（ａ）は画素領域、（ｂ）はパッド領域、（ｃ）は画素信号を転送する周辺回路領域における構成を示す断面図である。

図２（ａ）は、画素領域の断面構成を示す。シリコン基板１に素子分離２が形成されており、素子分離２に挟まれたシリコン基板１に光電変換を行うフォトダイオード３が形成されている。フォトダイオード３を有する画素セルが、二次元アレイ状に配列されている。フォトダイオード３の上層、つまり、シリコン基板１の表面領域には、Ｐ型不純物が含まれた表面シールド層４が形成されている。

シリコン基板１上には、層間膜５が形成され、層間膜５上にＣｕの第一配線６及び、第一配線層間膜７が形成されている。第一配線６及び、第一配線層間膜７上に、第一配線６のＣｕ原子の拡散を防止する第一拡散防止膜８が形成され、第一拡散防止膜８上に、層間膜１２が形成されている。

層間膜１２上にＡｌを用いて形成された遮光膜１３ａが形成されている。遮光膜１３ａは、入射光が周辺回路領域に入射して誤動作を起こさせることのないように、フォトダイオード３上以外の領域（フォトダイオードの周辺部）に配置されている。また、遮光膜１３ａは、配線としても用いられている。層間膜１２及び遮光膜１３ａの上に、ＳｉＮ膜が用いられた保護膜１５が形成されている。保護膜１５上に、特定波長（色）を透過させるカラーフィルター１６が形成されている。層間膜５、第一層間絶縁膜７及び層間膜１２にはＳｉＯ₂膜が用いられている。第一配線層６は、Ｃｕを用いて形成され、第一配線層６の膜厚は約２００ｎｍ程度である。

図２（ｂ）は、パッドが形成されたパッド領域の断面構成を示す。素子分離２に挟まれたシリコン基板１上の活性領域には、サリサイド膜１８が形成されている。サリサイド膜１８には、ＴｉやＣｏといった金属とシリコン基板が反応して形成されたＴｉＳｉ、ＣｏＳｉが用いられている。シリコン基板１上には、画素領域と同様、層間膜５、第一配線６、第一配線層間膜７、第一拡散防止膜８、層間膜１２、保護膜１５、カラーフィルター１６が順に形成されている。

層間膜１２上には、電源電圧を印加するために、Ａｌが用いられたパッド１４が形成されている。パッド１４は、検査工程におけるプローブカードに付随するプローブ針の接触圧力や組立のワイヤーボンディングにおけるダメッジに対して強度を持たせるために、十分な膜厚が必要であり、４００ｎｍ以上あることが望ましい。パッド１４上の保護膜１５およびカラーフィルター１６には、プローブ針がパッド１４に接触可能とするために、開口部１７が設けられている。

図２（ｃ）は、周辺回路領域における断面構成を示す。素子分離２に挟まれたシリコン基板１上の活性領域には、サリサイド膜１８が形成されている。シリコン基板１上には、画素領域と同様、層間膜５、第一配線６、第一配線層間膜７、第一拡散防止膜８、層間膜１２が順に形成されている。層間膜１２上に、Ａｌを用いて形成された最上配線１３ｂが形成されている。最上配線１３ｂ上に保護膜１５およびカラーフィルター１６が順に形成されている。

コンタクト１９は、第一配線層６とサリサイド層１８を接続している。コンタクト１９は、デュアルダマシン法による製造が可能である。ヴィア２１は、最上配線１３ｂと第一配線６を接続している。ヴィア２１は、デュアルダマシン法による製造が可能である。

図３（ａ）に示すように、画素領域における図１に示すＢ−Ｂ'断面の構成は、半導体基板１の素子分離２の間の一部にフォトダイオード３が形成されている。フォトダイオード３が形成された領域の半導体基板１の表面には、表面シールド層４が形成されている。表面シールド層４に隣接した領域に、読み出しトランジスタ３１が形成されている。読み出しトランジスタ３１は、フォトダイオード３で生成された信号電荷を読み出し制御する。読み出しトランジスタ３１は、半導体基板１上に形成されたゲート酸化膜３２とゲート酸化膜３２上に形成された読み出しトランジスタゲート電極３３を有している。

半導体基板１の読み出しトランジスタ３１に隣接した領域には、信号電荷の電荷量を電圧に変換するためのフローティングディフュージョン部４１が形成されている。リセットトランジスタゲート電極３４は、素子分離２上に配線として形成され、電圧が印加されることにより、フローティングディフュージョン部４１の電荷量のリセットを制御する。

図３（ｂ）に示すように、パッド領域については、図２（ｂ）と同様である。

図３（ｃ）に示すように、周辺回路領域には、トランジスタ３５が形成されている。トランジスタ３５のチャネル領域には、サリサイド膜１８が形成されていない。トランジスタ３５は、半導体基板１上に形成されたゲート酸化膜３２と、ゲート酸化膜３２上に形成されたゲート電極３６を有している。ゲート電極３６は、コンタクト１９により第一配線６と接続され、コンタクト１９との接続部には、サリサイド膜３６ａが形成されている。

以上のように、多層配線の最上層は、画素領域において、遮光膜および最上配線１３ａとして機能し、パッド領域においては、パッド１４として機能し、周辺回路領域では、最上配線１３ｂとして機能している。

また、リセットトランジスタゲート電極３４を形成する導電層が、配線として用いられている。従来、固体撮像装置において、画素セル内のゲート電極は、配線として用いられずに、ゲート電極からその上層のＡｌなどからなる配線へ引き上げ、裏打ちして使用されている。本実施の形態では、延長されて形成されたリセットトランジスタゲート電極３４を配線として用いることで配線数を低減している。

そのため、それぞれに対応した配線層を個別に形成する必要がなく、図１０に示す従来の固体撮像装置において、層間絶縁膜が５層必要であったのに対し、本実施の形態に係る固体撮像装置においては３層あればよく、固体撮像装置を薄くすることができる。したがって、層間絶縁膜による入射光の吸収および散乱を抑制し、入射光の受光量を向上することができるとともに、製造コストを低減することができる。

また、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法においては、層間膜１２上にＡｌの層を形成し、パターニングすることにより、最上配線１３ａ、１３ｂ及びパッド１４を同一工程で形成する。このため、工程数を減らすことができる。
（実施の形態２）
図４は、実施の形態２における固体撮像装置の、（ａ）は画素領域、（ｂ）はパッド領域、（ｃ）は周辺回路領域の構成を示す断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置において、実施の形態１に係る固体撮像装置と同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

図４（ａ）に示すように、画素領域において、第一拡散防止膜８上に第二配線層間膜９が形成され、第二配線層間膜９と層間膜１２上に最上配線１３ａ及び保護膜１５が形成されている。第二配線層間膜９は、層間膜１２と同様にＳｉＯ₂膜が用いられている。

図４（ｂ）に示すように、パッド領域において、第二配線層間膜９上に、Ｃｕを用いた第二配線１０が形成されている。第二配線１０上には、第二配線１０のＣｕ原子の拡散を抑える第二拡散防止膜１１が形成されている。第二拡散防止膜１１上には、層間膜１２が形成されている。

図４（ｃ）に示すように、周辺回路領域において、層間膜９上に、第二配線１０が形成され、第二配線１０上に第二拡散防止膜１１が形成されている。ヴィア２０は、第一配線層６と第二配線１０を電気的に接続する。第二拡散防止膜１１上には、層間膜１２が形成され、層間膜１２上には最上配線１３ｂ及び保護膜１５が形成されている。ヴィア２１は、第二配線１０と最上配線１３ｂを電気的に接続する。

第二配線１０は、０．２５μｍ以上のプロセス技術により形成され、第一配線層６は、０．１８μｍ以下のプロセス技術により形成されている。

以上のように周辺回路部では、第一配線６、第二配線１０、最上配線１３ｂによって多層配線層が形成されており、パッド１４と最上配線１３ａ、１３ｂは同一金属膜より形成されている。図４（ａ）における最上配線１３ａは、周辺回路を構成する配線、及び入射光が周辺回路領域に入らないように遮光膜としての役割を担っている。

次に、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。図５〜図９は、本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。

図５は、第二配線層間膜９が形成された直後の状態を示し、この構成は上記したとおりであるから説明を省略する。つぎに、図６に示すように、第二配線層間膜９に第二配線１０、第二拡散防止膜１１を形成する。つぎに、フォトレジストを用いて、パターンニングを行い、図７に示すように、画素領域に形成された第二拡散防止膜１１を選択的に除去する。つぎに、図８に示すように層間膜１２を形成する。画素領域においては、第二配線層間膜９の上に層間膜１２が直接形成されることになる。

つぎに、層間膜１２上にＡｌ膜を形成し、パターンニングすることにより、図９に示すように、画素領域および周辺回路領域に、最上配線１３ａ、１３ｂを形成し、パッド領域に、パッド１４を形成する。最上配線１３ａ、１３ｂとパッド１４は、同一工程により形成される。画素領域における最上配線１３ａは、入射光がフォトダイオード３のみに入射するように、フォトダイオード３上にのみ開口している。このように形成されることにより、最上配線１３ａは、カラーフィルター１６を通過した入射光が周辺回路領域に入るのを防ぐ、遮光膜としても機能する。

つぎに、図４に示すように、層間膜１２、最上配線１３ａ、１３ｂ、パッド１４上に保護膜１５を形成する。つぎに、保護膜１５上にフォトレジストを形成し、パッド領域における保護膜１５をパターンニングすることにより、開口部１７を形成する。つぎに、保護膜１５上にカラーフィルター１６を形成し、開口部１７に対応する箇所のカラーフィルター１６をエッチングにより除去する。以上のような製造方法により、本実施の形態に係る固体撮像装置が製造される。

本実施の形態の固体撮像装置は、配線が第一配線層６、第二配線１０及び最上配線１３ａ、１３ｂで形成され、最上配線１３ａ、１３ｂは、パッド１４と同一工程により形成される。そのため、それぞれに対応した配線層を個別に形成する必要がなく、従来５層必要であった層間絶縁膜が、層間膜５、第一配線層間膜７、第二配線層間膜９、層間膜１２の４層に低減でき、層間膜厚全体を薄くすることができる。したがって、フォトダイオード３の受光量が増加し、感度を向上する。

また、周辺回路領域における第二配線層（例えば、０．２５μｍ以上のプロセス技術）１０は、一般的に第一配線層（例えば、０．１８μｍ以下のプロセス技術）６よりも設計寸法が緩和されたルールで設計されているため、配線幅が大きくなり、ヴィア２１と接触する面積が増加する。したがって、ヴィア２１とのコンタクト性能が向上し、信頼性を高めることができる。

なお、本実施の形態において、最上配線１３ａ、１３ｂおよびパッド１４は、Ａｌで形成された場合を示したが、Ａｌ合金膜にようにＡｌを主成分とする材料であってもよい。

また、本実施の形態では、画素領域では、配線が２層、周辺回路領域では配線が３層である場合を示したが、これらの場合に限定せず、周辺回路領域に配線が４層以上あってもよい。

本発明は、信頼性の高いパッド耐性を有し、高感度であるという利点を有し、固体撮像装置として利用可能である。

本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の平面図 同上固体撮像装置のＡ−Ａ'断面の構成を示す断面図 同上固体撮像装置のＢ−Ｂ'断面の構成を示す断面図 本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置の構成を示す断面図 同上固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図 図５に示す工程のつぎの工程を示す断面図 図６に示す工程のつぎの工程を示す断面図 図７に示す工程のつぎの工程を示す断面図 図８に示す工程のつぎの工程を示す断面図 従来の固体撮像装置の構成を示す断面図

符号の説明

１ 半導体基板
２ 素子分離
３ フォトダイオード
４ 表面シールド層
５、１２ 層間膜
６ 第一配線
７ 第一配線層間膜
８ 第一拡散防止膜
９ 第二配線層間膜
１０ 第二配線
１１ 第二拡散防止膜
１３ａ 遮光膜
１３ｂ 最上配線
１４ パッド
１５ 保護膜
１６ カラーフィルター
１７ 開口部
１８、３６ａ サリサイド膜
１９ コンタクト
２０、２１ ヴィア
３１ 読み出しトランジスタ
３２ ゲート酸化膜
３３ 読み出しトランジスタゲート電極
３４ リセットトランジスタゲート電極
３５ トランジスタ
３６ ゲート電極
４１ フローティングディフュージョン部
４２ 増幅トランジスタ

Claims (8)

1. 半導体基板にフォトダイオードを有する画素セルが配列された画素領域と、
   下層配線に接続されたパッドが形成されたパッド領域と、
   前記フォトダイオードからの信号を転送する周辺回路領域とを備え、
   前記画素領域は、前記フォトダイオードの周辺部に遮光膜を有し、
   前記画素領域、前記パッド領域及び前記周辺回路領域は、前記半導体基板の上部に形成された多層配線を有する固体撮像装置において、
   前記パッドおよび前記遮光膜は、前記多層配線の最上層により形成されたことを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記遮光膜は、配線として用いられる請求項１記載の固体撮像装置。
3. 前記多層配線は、前記半導体基板に近い層の配線がＣｕを用いて形成され、前記多層配線の最上層がＡｌまたはＡｌを主成分とする材料により形成され請求項１または２に記載の固体撮像装置。
4. 前記半導体基板に形成されたトランジスタのゲート電極が配線を形成する請求項１〜３のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
5. 前記パッドは、厚さが４００ｎｍ以上である請求項１〜４のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
6. ０．１８μｍ以下のプロセス技術を用いて形成された請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像装置。
7. 前記多層配線は、前記画素領域においては２層であり、前記周辺回路領域においては３層以上である請求項６に記載の固体撮像装置。
8. 前記周辺回路領域における最上層配線層の一層下の配線層は０．２５μｍ以上のプロセス技術に対応する線幅で形成されている請求項６または７に記載の固体撮像装置。

Images