JP6910814B2 - 固体撮像装置および電子機器 - Google Patents
固体撮像装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6910814B2 JP6910814B2 JP2017030743A JP2017030743A JP6910814B2 JP 6910814 B2 JP6910814 B2 JP 6910814B2 JP 2017030743 A JP2017030743 A JP 2017030743A JP 2017030743 A JP2017030743 A JP 2017030743A JP 6910814 B2 JP6910814 B2 JP 6910814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- vertical signal
- connection wiring
- pixels
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 101100191136 Arabidopsis thaliana PCMP-A2 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100243108 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PDI1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100048260 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) UBX2 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 101710170230 Antimicrobial peptide 1 Proteins 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 101100476641 Homo sapiens SAMM50 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100035853 Sorting and assembly machinery component 50 homolog Human genes 0.000 description 1
- 238000002583 angiography Methods 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0651—Function
- H01L2224/06515—Bonding areas having different functions
- H01L2224/06517—Bonding areas having different functions including bonding areas providing primarily mechanical bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/09—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0951—Function
- H01L2224/09515—Bonding areas having different functions
- H01L2224/09517—Bonding areas having different functions including bonding areas providing primarily mechanical support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/808—Bonding techniques
- H01L2224/80894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
- H01L2224/80895—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces between electrically conductive surfaces, e.g. copper-copper direct bonding, surface activated bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/808—Bonding techniques
- H01L2224/80894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
- H01L2224/80896—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces between electrically insulating surfaces, e.g. oxide or nitride layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
本技術の第2の側面においては、画素が行列状に配列された画素アレイと、画素列単位で設けられた複数の垂直信号線と、前記画素において画素信号を出力する出力トランジスタ毎に設けられ、前記垂直信号線の少なくともいずれかと直交し、前記出力トランジスタと、前記垂直信号線のいずれか1つとに接続される接続配線とを備える固体撮像装置において、前記垂直信号線、前記接続配線、および前記出力トランジスタは、それぞれ異なるメタル層に形成され、前記垂直信号線と前記接続配線とは、ビアを介して接続され、前記接続配線は、前記画素毎に設けられ、前記接続配線と同一線上に延在し、所定の固定電位をとるシールド配線がさらに設けられ、前記接続配線および前記シールド配線の全長は、前記画素列毎に設けられた前記垂直信号線全てと直交する長さであって、前記画素毎に同一の長さとされる。
2.第1の実施の形態
3.第2の実施の形態
4.第3の実施の形態
5.第4の実施の形態
6.第5の実施の形態
7.電子機器の構成例
8.イメージセンサの使用例
図1は、本技術を適用した固体撮像装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。図1の固体撮像装置は、例えば、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサとして構成される。
図7は、第1の実施の形態の画素および垂直信号線の構成例を示す回路図である。
図13は、第2の実施の形態の画素および垂直信号線の構成例を示す回路図である。
図15は、第3の実施の形態の画素および垂直信号線の構成例を示す回路図である。
次に、第4の実施の形態の画素および垂直信号線の構成について説明する。
図18は、第5の実施の形態の画素および垂直信号線の構成例を示す回路図である。
図20は、本技術を適用した電子機器である撮像装置の構成例を示すブロック図である。
次に、本技術を適用したイメージセンサの使用例について説明する。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
(1)
画素が行列状に配列された画素アレイと、
画素列単位で設けられた複数の垂直信号線と、
前記画素において画素信号を出力する出力トランジスタ毎に設けられ、前記垂直信号線の少なくともいずれかと直交する接続配線と
を備え、
前記接続配線は、前記出力トランジスタと、前記垂直信号線のいずれか1つとに接続される
固体撮像装置。
(2)
前記垂直信号線、前記接続配線、および前記出力トランジスタは、それぞれ異なるメタル層に形成され、
前記垂直信号線と前記接続配線とは、ビアを介して接続される
(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記接続配線は、前記画素毎に設けられ、
前記接続配線の長さは、前記画素列毎に設けられた前記垂直信号線全てと直交する長さであって、前記画素毎に同一の長さである
(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記接続配線は、前記画素毎に設けられ、
前記接続配線と同一線上に延在し、所定の固定電位をとるシールド配線をさらに備え、
前記接続配線および前記シールド配線の全長は、前記画素列毎に設けられた前記垂直信号線全てと直交する長さであって、前記画素毎に同一の長さである
(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記接続配線は、前記画素列を構成する所定数の前記画素毎に、前記同一線上で所定の配置をとる
(4)に記載の固体撮像装置。
(6)
前記接続配線は、前記所定数の前記画素を繰り返し単位として、前記同一線上で周期的に異なる配置をとる
(5)に記載の固体撮像装置。
(7)
前記繰り返し単位を構成する前記画素それぞれの前記接続配線は、互いに異なる前記垂直信号線に接続される
(6)に記載の固体撮像装置。
(8)
前記繰り返し単位を構成する前記画素の数以下の前記画素は、1つのFD(フローティングディフュージョン)を共有する
(6)または(7)に記載の固体撮像装置。
(9)
1画素列の前記画素は、縦2画素共有の構成を採る
(8)に記載の固体撮像装置。
(10)
縦m×横nの前記画素は、1つのFD(フローティングディフュージョン)を共有し、
前記接続配線は、前記FDを共有する前記画素の画素行毎に設けられ、
前記接続配線の長さは、n画素列毎に設けられた前記垂直信号線のうちの所定数と直交する長さである
(2)に記載の固体撮像装置。
(11)
画素が行列状に配列された画素アレイと、
画素列単位で設けられた複数の垂直信号線と、
前記画素において画素信号を出力する出力トランジスタ毎に設けられ、前記垂直信号線の少なくともいずれかと直交する接続配線と
を備え、
前記接続配線は、前記出力トランジスタと、前記垂直信号線のいずれか1つとに接続される固体撮像装置を有する
を備える電子機器。
Claims (8)
- 画素が行列状に配列された画素アレイと、
画素列単位で設けられた複数の垂直信号線と、
前記画素において画素信号を出力する出力トランジスタ毎に設けられ、前記垂直信号線の少なくともいずれかと直交し、前記出力トランジスタと、前記垂直信号線のいずれか1つとに接続される接続配線と
を備え、
前記垂直信号線、前記接続配線、および前記出力トランジスタは、それぞれ異なるメタル層に形成され、
前記垂直信号線と前記接続配線とは、ビアを介して接続され、
前記接続配線は、前記画素毎に設けられ、
前記接続配線の長さは、前記画素列毎に設けられた前記垂直信号線全てと直交する長さであって、前記画素毎に同一の長さである
固体撮像装置。 - 画素が行列状に配列された画素アレイと、
画素列単位で設けられた複数の垂直信号線と、
前記画素において画素信号を出力する出力トランジスタ毎に設けられ、前記垂直信号線の少なくともいずれかと直交し、前記出力トランジスタと、前記垂直信号線のいずれか1つとに接続される接続配線と
を備え、
前記垂直信号線、前記接続配線、および前記出力トランジスタは、それぞれ異なるメタル層に形成され、
前記垂直信号線と前記接続配線とは、ビアを介して接続され、
前記接続配線は、前記画素毎に設けられ、
前記接続配線と同一線上に延在し、所定の固定電位をとるシールド配線をさらに備え、
前記接続配線および前記シールド配線の全長は、前記画素列毎に設けられた前記垂直信号線全てと直交する長さであって、前記画素毎に同一の長さである
固体撮像装置。 - 前記接続配線は、前記画素列を構成する所定数の前記画素毎に、前記同一線上で所定の配置をとる
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記接続配線は、前記所定数の前記画素を繰り返し単位として、前記同一線上で周期的に異なる配置をとる
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記繰り返し単位を構成する前記画素それぞれの前記接続配線は、互いに異なる前記垂直信号線に接続される
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記繰り返し単位を構成する前記画素の数以下の前記画素は、1つのFD(フローティングディフュージョン)を共有する
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 1画素列の前記画素は、縦2画素共有の構成を採る
請求項6に記載の固体撮像装置。 - 画素が行列状に配列された画素アレイと、
画素列単位で設けられた複数の垂直信号線と、
前記画素において画素信号を出力する出力トランジスタ毎に設けられ、前記垂直信号線の少なくともいずれかと直交し、前記出力トランジスタと、前記垂直信号線のいずれか1つとに接続される接続配線と
を備え、
前記垂直信号線、前記接続配線、および前記出力トランジスタは、それぞれ異なるメタル層に形成され、
前記垂直信号線と前記接続配線とは、ビアを介して接続され、
前記接続配線は、前記画素毎に設けられ、
前記接続配線の長さは、前記画素列毎に設けられた前記垂直信号線全てと直交する長さであって、前記画素毎に同一の長さである固体撮像装置
を有する電子機器。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017030743A JP6910814B2 (ja) | 2017-02-22 | 2017-02-22 | 固体撮像装置および電子機器 |
EP18707443.0A EP3586366B1 (en) | 2017-02-22 | 2018-02-08 | Solid-state image pickup device and electronic apparatus |
KR1020197021774A KR102510117B1 (ko) | 2017-02-22 | 2018-02-08 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
US16/485,234 US10840278B2 (en) | 2017-02-22 | 2018-02-08 | Solid-state image pickup device and electronic apparatus |
PCT/JP2018/004289 WO2018155197A1 (en) | 2017-02-22 | 2018-02-08 | Solid-state image pickup device and electronic apparatus |
CN201880009515.4A CN110235255B (zh) | 2017-02-22 | 2018-02-08 | 固态摄像器件和电子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017030743A JP6910814B2 (ja) | 2017-02-22 | 2017-02-22 | 固体撮像装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018137603A JP2018137603A (ja) | 2018-08-30 |
JP6910814B2 true JP6910814B2 (ja) | 2021-07-28 |
Family
ID=61283285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017030743A Active JP6910814B2 (ja) | 2017-02-22 | 2017-02-22 | 固体撮像装置および電子機器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10840278B2 (ja) |
EP (1) | EP3586366B1 (ja) |
JP (1) | JP6910814B2 (ja) |
KR (1) | KR102510117B1 (ja) |
CN (1) | CN110235255B (ja) |
WO (1) | WO2018155197A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11985443B2 (en) * | 2018-11-21 | 2024-05-14 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image sensor |
JP6957559B2 (ja) * | 2019-06-24 | 2021-11-02 | キヤノン株式会社 | 半導体装置および機器 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5130946B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-01-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、カメラ及び電子機器 |
JP5198150B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP5029624B2 (ja) | 2009-01-15 | 2012-09-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP4881987B2 (ja) * | 2009-10-06 | 2012-02-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
TWI515885B (zh) * | 2009-12-25 | 2016-01-01 | 新力股份有限公司 | 半導體元件及其製造方法,及電子裝置 |
JP2013045879A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
JP5862126B2 (ja) | 2011-09-06 | 2016-02-16 | ソニー株式会社 | 撮像素子および方法、並びに、撮像装置 |
WO2013084406A1 (ja) | 2011-12-08 | 2013-06-13 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
JP2013187360A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
WO2014002366A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2014127519A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Sony Corp | 固体撮像素子、及び、電子機器 |
JP5813047B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム。 |
JP6238558B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-11-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム。 |
JP5874777B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2016-03-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP6457738B2 (ja) | 2014-05-02 | 2019-01-23 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2016012905A (ja) * | 2014-06-02 | 2016-01-21 | ソニー株式会社 | 撮像素子、撮像方法、および電子機器 |
JP2016005068A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
-
2017
- 2017-02-22 JP JP2017030743A patent/JP6910814B2/ja active Active
-
2018
- 2018-02-08 CN CN201880009515.4A patent/CN110235255B/zh active Active
- 2018-02-08 WO PCT/JP2018/004289 patent/WO2018155197A1/en unknown
- 2018-02-08 US US16/485,234 patent/US10840278B2/en active Active
- 2018-02-08 KR KR1020197021774A patent/KR102510117B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-08 EP EP18707443.0A patent/EP3586366B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102510117B1 (ko) | 2023-03-15 |
EP3586366B1 (en) | 2022-11-23 |
CN110235255A (zh) | 2019-09-13 |
KR20190116276A (ko) | 2019-10-14 |
JP2018137603A (ja) | 2018-08-30 |
EP3586366A1 (en) | 2020-01-01 |
WO2018155197A1 (en) | 2018-08-30 |
US10840278B2 (en) | 2020-11-17 |
US20190371841A1 (en) | 2019-12-05 |
CN110235255B (zh) | 2024-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6848436B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、並びに電子機器 | |
JP2023014076A (ja) | 撮像装置 | |
JP6856974B2 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
JP6984687B2 (ja) | 固体撮像素子、および電子装置 | |
JP7131602B2 (ja) | 半導体装置、固体撮像装置、撮像装置、および電子機器 | |
JP2021153335A (ja) | 固体撮像素子及び電子機器 | |
JP6910814B2 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
WO2016158440A1 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
WO2021065561A1 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210330 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210608 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210707 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6910814 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |