JP2009130998A - Dc/dc変換回路の制御方式 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイオード逆回復時のサージ電圧や振動成分の低減を可能とし、IGBTモジュールの低耐圧化とノイズフィルタの小型化を図る。
【解決手段】IGBTモジュールの等の電力用半導体素子4,5をターンオンするとき、直流リアクトル2に流れている電流値が或る設定範囲内か否かを比較器CP2,CP3により判断し、或る設定範囲内にあると判断されたときは、半導体素子4,5のターンオン指令信号を出さないようにすることで、ダイオード逆回復時のサージ電圧を低減させる。
【選択図】図1
【解決手段】IGBTモジュールの等の電力用半導体素子4,5をターンオンするとき、直流リアクトル2に流れている電流値が或る設定範囲内か否かを比較器CP2,CP3により判断し、或る設定範囲内にあると判断されたときは、半導体素子4,5のターンオン指令信号を出さないようにすることで、ダイオード逆回復時のサージ電圧を低減させる。
【選択図】図1
Description
この発明は、直流電圧を異なる直流電圧に変換するDC/DC(直流/直流)変換回路の制御方式に関する。
図2に、この種の回路として、例えば特許文献1に開示の例を示す。
図2において、1は直流電源(電圧値をVbとする)、2は昇圧用DC(直流)リアクトル、3はスイッチ素子としてのIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)4,5およびこれらに逆並列接続されているダイオード6,7からなる電力用半導体モジュール、8は昇圧側の電圧安定化のためのコンデンサ(電圧値をEdとする)、9は負荷である。
図2において、1は直流電源(電圧値をVbとする)、2は昇圧用DC(直流)リアクトル、3はスイッチ素子としてのIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)4,5およびこれらに逆並列接続されているダイオード6,7からなる電力用半導体モジュール、8は昇圧側の電圧安定化のためのコンデンサ(電圧値をEdとする)、9は負荷である。
また、10,11はIGBT4,5を駆動するゲート駆動回路、12はシステムの制御回路で、DCリアクトル2と直列に接続された電流検出器13の検出値や、直流電圧Edの検出値に基づきIGBT4,5のオン・オフ信号を作成し、ゲート駆動回路10,11に信号を伝送する。また、14は電力用半導体モジュール3とコンデンサ8間の配線インダクタンスを示している。
さらに、制御回路12においては、直流電圧Edを制御するために、直流電圧Edの検出信号Dと直流電圧指令信号Ed*との差分を調節器(PI調節器など)AVRに入力し、その出力信号Aと信号発生器TRからの三角波Tとを比較器CP1にて比較し、その比較結果をIGBT4,5のオン・オフ信号SP(PWM信号:パルス幅変調信号)として出力する。また、反転器INは信号SPを反転した信号SRを出力する。
図2において、直流電圧源1から負荷9に電力を供給する場合は、IGBT5をオン・オフさせることで、下記(1)式に基づく昇圧動作が行なわれる。
Ed=(1/(1−α))Vb…(1)
図3(a),3(b)にIGBT5がオンまたはオフしている場合の電流経路(点線参照)を、また、図4(a),4(b)にIGBT5のオン・オフ指令信号に基づく、DCリアクトル2の電流波形例を示す。図4(a)は重負荷の場合、図4(b)は軽負荷の場合で、DCリアクトル2の電流値が増加しているときはIGBT5がオン、減少しているときはIGBT5がオフしているときである。
Ed=(1/(1−α))Vb…(1)
図3(a),3(b)にIGBT5がオンまたはオフしている場合の電流経路(点線参照)を、また、図4(a),4(b)にIGBT5のオン・オフ指令信号に基づく、DCリアクトル2の電流波形例を示す。図4(a)は重負荷の場合、図4(b)は軽負荷の場合で、DCリアクトル2の電流値が増加しているときはIGBT5がオン、減少しているときはIGBT5がオフしているときである。
図5に、IGBT5がターンオンする(ダイオード6が逆回復する)際の、ダイオード6の電流波形(IR)と、ダイオード6のカソード・アノード間電圧波形(VR)とを示す。図5(a)がIGBT5のターンオン電流値が大きい場合であり、図5(b)は小さい場合である。
図示のように、一般にダイオードは対向アームのIGBTのターンオン電流値(逆回復する際のダイオード電流値)が小さくなると、ダイオード自身の特性と配線インダクタンス(図2の符号14参照)の影響で、逆回復電圧波形(VR)は図5(b)のように、振動的となり高サージ電圧VRpeakが発生する。また、IGBTターンオン時の電流iと高サージ電圧VRpeakとは、例えば図6のような関係にあり、ある小電流領域で高くなることが知られている。
ところで、従来のような制御方式では、図7のように、DCリアクトルを流れている電流が減少している際の電流値を管理していないため、小電流でIGBTがターンオンするケースも発生し得る。そのため、図5(b)のような波形の発生を考慮した耐圧設計や、ノイズ設計をする必要があり、結果として高耐圧IGBTモジュール適用の必要性や、ノイズフィルタの大型化と言うような問題が発生し、システムがコストアップする要因ともなっている。
したがって、この発明の課題は、ダイオード逆回復時のサージ電圧と振動成分の低減を可能とし、IGBTモジュールの低耐圧化とノイズフィルタの小型化を図ることにある。
このような課題を解決するため、請求項1の発明では、直流電圧源から直流リアクトルと電力用半導体素子とを用いて、高電圧の直流に変換するDC/DC変換回路の制御方式において、
前記直流リアクトルに流れている電流値が或る設定範囲内か否かを判断する判定手段を設け、前記電力用半導体素子をターンオンさせる際に、前記判定手段により前記直流リアクトルに流れている電流値が或る設定範囲内にあると判断されたときは、前記電力用半導体素子のオン指令信号を無効とすることを特徴とする。
前記直流リアクトルに流れている電流値が或る設定範囲内か否かを判断する判定手段を設け、前記電力用半導体素子をターンオンさせる際に、前記判定手段により前記直流リアクトルに流れている電流値が或る設定範囲内にあると判断されたときは、前記電力用半導体素子のオン指令信号を無効とすることを特徴とする。
この発明によれば、ダイオード逆回復時のサージ電圧値の低減や、振動成分の低減が可能となるため、従来方式に比してIGBTモジュールの低耐圧化と、発生ノイズの低減によるノイズフィルタの小型化が可能となり、結果としてシステムの高信頼化や低コスト化が可能になるという利点がもたらされる。
図1はこの発明の実施の形態を示す回路図である。
図からも明らかなように、図2の制御回路12に対し、アンド回路AN1,AN3とナンド回路AN2とSRフリップフロップ回路FFと比較器CP2,3等を付加した制御回路12Aを設けた点が特徴である。
従って、DCリアクトル2に流れている電流を検出器13にて検出した信号SIが、比較器CP2,3の設定値SE1,SE2にて定まる或る設定範囲内(逆回復時のサージ電圧が高くなる電流範囲)のときは、アンド回路AN3の出力はハイ(H)レベルとなる。
図からも明らかなように、図2の制御回路12に対し、アンド回路AN1,AN3とナンド回路AN2とSRフリップフロップ回路FFと比較器CP2,3等を付加した制御回路12Aを設けた点が特徴である。
従って、DCリアクトル2に流れている電流を検出器13にて検出した信号SIが、比較器CP2,3の設定値SE1,SE2にて定まる或る設定範囲内(逆回復時のサージ電圧が高くなる電流範囲)のときは、アンド回路AN3の出力はハイ(H)レベルとなる。
一方、SRフリップフロップ回路FFは、比較器CP1の出力信号がロー(L)の場合にセットされ、PWM信号SPが“H”でリセットされる。つまり、IGBT5にオフ指令が入力されている間は、回路FFの出力はハイ(H)レベルとなる。従って、ナンド回路AN2からは、アンド回路AN3の出力信号と回路FFの出力信号が同時にHレベルのときにLレベルの信号が出力され、アンド回路AN1に入力される。アンド回路AN1では、入力信号SPとナンド回路AN2からの信号STが同時にHレベルにならないと、Hレベルの信号を出力しない。
すなわち、IGBT5がオフ期間中において、従来の制御回路12から出力されるオン指令信号SPと、DCリアクトル電流が或る設定範囲外のときHとなる信号STが同時にHレベルにならないと、IGBT5のターンオン指令信号は出力されない構成となっている。
これにより、IGBT5がオフ時において、DCリアクトル電流が或る設定範囲内の場合は、IGBT5のターンオン指令信号は出力されないこと(無効)になる。その結果、DCリアクトル電流が概ね0Aまたは或る設定範囲外になるまで、遅延されることになる。
なお、以上ではハード回路で構成したが、ソフト的に実現することも可能であるのは言うまでもない。
これにより、IGBT5がオフ時において、DCリアクトル電流が或る設定範囲内の場合は、IGBT5のターンオン指令信号は出力されないこと(無効)になる。その結果、DCリアクトル電流が概ね0Aまたは或る設定範囲外になるまで、遅延されることになる。
なお、以上ではハード回路で構成したが、ソフト的に実現することも可能であるのは言うまでもない。
1…直流電源(Vb)、2…昇圧用DC(直流)リアクトル、3…電力用半導体モジュール、4,5…IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、6,7…ダイオード、8…コンデンサ、9…負荷、10,11…ゲート駆動回路、12,12a…制御回路、13…電流検出器、14…配線インダクタンス、AVR…調節器、TR…信号発生器、IN…反転器、CP1〜CP3…比較器、AN1,AN3…アンド回路、AN2…ナンド回路、FF…フリップフロップ回路。
Claims (1)
- 直流電圧源から直流リアクトルと電力用半導体素子とを用いて、高電圧の直流に変換するDC/DC変換回路の制御方式において、
前記直流リアクトルに流れている電流値が或る設定範囲内か否かを判断する判定手段を設け、前記電力用半導体素子をターンオンさせる際に、前記判定手段により前記直流リアクトルに流れている電流値が或る設定範囲内にあると判断されたときは、前記電力用半導体素子のオン指令信号を無効とすることを特徴とするDC/DC変換回路の制御方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007301422A JP2009130998A (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | Dc/dc変換回路の制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007301422A JP2009130998A (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | Dc/dc変換回路の制御方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009130998A true JP2009130998A (ja) | 2009-06-11 |
Family
ID=40821386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007301422A Pending JP2009130998A (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | Dc/dc変換回路の制御方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2009130998A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012205491A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | スイッチング電源回路 |
-
2007
- 2007-11-21 JP JP2007301422A patent/JP2009130998A/ja active Pending
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