JP2009016371A - シールド機能付きモジュールの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 複数の半導体装置形成領域を有するベース板1上に、複数のシールドカバー部82aおよびそれらを連結する連結部82bを有するシールドカバー形成体82を配置する。そして、シールドカバー形成体82の連結部82b等を切断ライン81に沿って切断すると、シールドカバー付きの半導体装置が複数個得られる。
【選択図】 図6
Description
請求項2に記載の発明は、シールド機能付きモジュールの製造方法であって、請求項1に記載の発明において、前記シールドカバー形成体の連結部を前記切断ラインおよび前記上層配線に接合する工程は、半田または導電性接着材を用いて行なうことを特徴とする。 請求項3に記載の発明は、シールド機能付きモジュールの製造方法であって、複数のモジュール形成領域を有するベース板と、前記ベース板上の各モジュール形成領域に設けられた配線と、個片化するための切断ラインおよびその両側に対応する部分における前記ベース板に設けられた貫通孔内に前記配線に接続されて設けられたグラウンド層と、を備え、前記ベース板上の各モジュール形成領域にそれぞれ電子部品を前記配線に接続させて配置する工程と、前記ベース板の複数のモジュール形成領域に対応する部分に複数のシールドカバー部を有し、且つ、前記ベース板の貫通孔に対応する部分において相隣接する前記シールドカバー部の各一部をその下側においてU字状に連結する連結脚部を有するシールドカバー形成体を用意し、前記シールドカバー形成体の各シールドカバー部で前記ベース板上の各モジュール形成領域に設けられた前記電子部品を覆った状態で、前記シールドカバー形成体の連結脚部を前記ベース板の貫通孔内に配置して前記グラウンド層に接合する工程と、前記切断ラインに沿って切断して脚部付きシールドカバーを有するモジュールを複数個得る工程と、を有することを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、シールド機能付きモジュールの製造方法であって、請求項3に記載の発明において、前記シールドカバー形成体の連結脚部を前記ベース板の貫通孔内に配置して前記グラウンド層に接合する工程は、前記ベース板の貫通孔内に充填した導電性接着材を用いて行なうことを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、シールド機能付きモジュールの製造方法であって、複数のモジュール形成領域を有するベース板と、前記ベース板上に設けられ、個片化するための切断ラインの両側における相隣接する前記モジュール形成領域に設けられた配線と、を備え、前記ベース板上の各モジュール形成領域にそれぞれ電子部品を前記配線に接続させて配置する工程と、前記電子部品を含む前記ベース板上に封止膜を形成する工程と、前記切断ラインおよびその両側に対応する部分における前記封止膜に凹部を形成し、且つ、前記凹部の形成により前記上層配線を露出させる工程と、前記凹部内を含む前記封止膜の上面にシールド膜を前記上層配線に接続させて形成する工程と、前記切断ラインに沿って切断してシールド膜を有するモジュールを複数個得る工程と、を有することを特徴とする。
請求項6に記載の発明は、シールド機能付きモジュールの製造方法であって、複数のモジュール形成領域を有するベース板と、前記ベース板上に設けられ、そのうちの、個片化するための切断ラインの両側における相隣接する前記モジュール形成領域に設けられた配線と、を備え、前記ベース板上の各モジュール形成領域にそれぞれ電子部品を前記配線に接続させて配置する工程と、前記電子部品を含む前記ベース板上に封止膜を形成する工程と、前記切断ラインおよびその両側に対応する部分における前記封止膜に第1の凹部を形成し、且つ、前記第1の凹部の形成により前記配線を露出させる工程と、前記第1の凹部内を含む前記封止膜の上面にシールド膜を前記配線に接続させて形成する工程と、前記第1の凹部の部分に形成された前記シールド膜の前記切断ラインおよびその両側に対応する部分に前記第1の凹部よりも幅狭の第2の凹部を形成する工程と、前記第2の凹部内を含む前記シールド膜の上面に酸化防止膜を形成する工程と、前記切断ラインに沿って切断して酸化防止膜付きシールド膜を有するモジュールを複数個得る工程と、を有することを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、シールド機能付きモジュールの製造方法であって、請求項5または6に記載の発明において、前記シールド膜は導電性ペイントの塗布によって形成することを特徴とする。
請求項8に記載の発明は、シールド機能付きモジュールの製造方法であって、請求項1〜7のいずれかに記載の発明において、前記電子部品はアナログ系回路部を構成し、切断前の前記ベース板下の各モジュール形成領域にデジタル系回路部を構成する半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する半導体構成体が設けられていることを特徴とする。
図1はこの発明の第1実施形態としての半導体装置(シールド機能付きモジュール)の断面図を示す。この半導体装置は、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる平面方形状のベース板1を備えている。ベース板1の下面には、ベース板1のサイズよりもある程度小さいサイズの平面方形状の半導体構成体2の上面がダイボンド材からなる接着層3を介して接着されている。
図9はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、上層オーバーコート膜34、ベース板1、絶縁層21、下層絶縁膜22および下層オーバーコート膜26の4つの側壁の各中央部に平面方形状の溝91を設け、溝91内に下地金属層93および上部金属層94からなる上下導通部(グラウンド層)92を設け、上下導通部92の側面にシールドカバー73の4つの側面の各下端部中央部に設けられた脚部73c(図10参照)をその間に設けられた導電性接着材95を介して接合させた点である。この場合、上下導通部92は、上層配線31のうちのグラウンド配線31aと下層配線24のうちのグラウンド配線24aとに接続されている。
図17はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体51およびチップ部品71を含む上層オーバーコート膜34の上面にエポキシ系樹脂等からなる封止膜96を設け、上層オーバーコート膜34の第3の開口部37を介して露出されたグラウンド配線31aの接続パッド部上面および封止膜96の表面にシールド膜97を設けた点である。
図23はこの発明の第4実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図17に示す半導体装置と異なる点は、シールド膜97の表面にエポキシ系樹脂等からなる酸化防止膜99を設けた点である。
半導体構成体2は、半導体構成体51のように、配線の接続パッド部(外部接続用電極)がオーバーコート膜の開口部を介して露出された構造であってもよい。また、半導体構成体51は、半導体構成体2のように、柱状電極を有する構造であってもよい。さらに、半導体構成体2、51のうちの少なくとも一方は、シリコン基板の下面に設けられた接続パッド下に柱状電極が形成された構造であってもよい。
2 半導体構成体
21 絶縁層
22 下層絶縁膜
24 下層配線
26 下層オーバーコート膜
28 半田ボール
31 上層配線
31a グラウンド配線
34 上層絶縁膜
42 上下導通部
51 半導体構成体
71 チップ部品
73 シールドカバー
81 切断ライン
82 シールドカバー形成体
82a シールドカバー部
82b 連結部
83c 連結脚部
91a 貫通孔
92 上下導通部
95 導電性接着材
96 封止膜
97 シールド膜
99 酸化防止膜
Claims (8)
- 複数のモジュール形成領域を有するベース板と、前記ベース板上の各モジュール形成領域に設けられた配線と、を備え、
前記ベース板上の各モジュール形成領域にそれぞれ電子部品を前記配線に接続させて配置する工程と、
前記ベース板の複数のモジュール形成領域に対応する部分に複数のシールドカバー部を有し、且つ、個片化するための切断ラインおよびその両側に対応する部分に相隣接する前記シールドカバー部を連結する連結部を有するシールドカバー形成体を用意し、前記シールドカバー形成体の連結部を前記切断ラインおよびその両側に対応する部分に設けられた前記配線に接合する工程と、
前記切断ラインに沿って切断してシールドカバーを有するモジュールを複数個得る工程と、
を有することを特徴とするシールド機能付きモジュールの製造方法。 - 請求項1に記載の発明において、前記シールドカバー形成体の連結部を前記切断ラインおよび前記配線に接合する工程は、半田または導電性接着材を用いて行なうことを特徴とするシールド機能付きモジュールの製造方法。
- 複数のモジュール形成領域を有するベース板と、前記ベース板上の各モジュール形成領域に設けられた配線と、個片化するための切断ラインおよびその両側に対応する部分における前記ベース板に設けられた貫通孔内に前記上層配線に接続されて設けられたグラウンド層と、を備え、
前記ベース板上の各モジュール形成領域にそれぞれ電子部品を前記配線に接続させて配置する工程と、
前記ベース板の複数のモジュール形成領域に対応する部分に複数のシールドカバー部を有し、且つ、前記ベース板の貫通孔に対応する部分において相隣接する前記シールドカバー部の各一部をその下側においてU字状に連結する連結脚部を有するシールドカバー形成体を用意し、前記シールドカバー形成体の各シールドカバー部で前記ベース板上の各モジュール形成領域に設けられた前記電子部品を覆った状態で、前記シールドカバー形成体の連結脚部を前記ベース板の貫通孔内に配置して前記グラウンド層に接合する工程と、
前記切断ラインに沿って切断して脚部付きシールドカバーを有するモジュールを複数個得る工程と、
を有することを特徴とするシールド機能付きモジュールの製造方法。 - 請求項3に記載の発明において、前記シールドカバー形成体の連結脚部を前記ベース板の貫通孔内に配置して前記グラウンド層に接合する工程は、前記ベース板の貫通孔内に充填した導電性接着材を用いて行なうことを特徴とするシールド機能付きモジュールの製造方法。
- 複数のモジュール形成領域を有するベース板と、前記ベース板上に設けられ、個片化するための切断ラインの両側における相隣接する前記モジュール形成領域に設けられた配線と、を備え、
前記ベース板上の各モジュール形成領域にそれぞれ電子部品を前記配線に接続させて配置する工程と、
前記電子部品を含む前記ベース板上に封止膜を形成する工程と、
前記切断ラインおよびその両側に対応する部分における前記封止膜に凹部を形成し、且つ、前記凹部の形成により前記配線を露出させる工程と、
前記凹部内を含む前記封止膜の上面にシールド膜を前記配線に接続させて形成する工程と、
前記切断ラインに沿って切断してシールド膜を有するモジュールを複数個得る工程と、
を有することを特徴とするシールド機能付きモジュールの製造方法。 - 複数のモジュール形成領域を有するベース板と、前記ベース板上に設けられ、個片化するための切断ラインの両側における相隣接する前記モジュール形成領域に設けられた配線と、を備え、
前記ベース板上の各モジュール形成領域にそれぞれ電子部品を前記配線に接続させて配置する工程と、
前記電子部品を含む前記ベース板上に封止膜を形成する工程と、
前記切断ラインおよびその両側に対応する部分における前記封止膜に第1の凹部を形成し、且つ、前記第1の凹部の形成により前記配線を露出させる工程と、
前記第1の凹部内を含む前記封止膜の上面にシールド膜を前記上層配線に接続させて形成する工程と、
前記第1の凹部の部分に形成された前記シールド膜の前記切断ラインおよびその両側に対応する部分に前記第1の凹部よりも幅狭の第2の凹部を形成する工程と、
前記第2の凹部内を含む前記シールド膜の上面に酸化防止膜を形成する工程と、
前記切断ラインに沿って切断して酸化防止膜付きシールド膜を有するモジュールを複数個得る工程と、
を有することを特徴とするシールド機能付きモジュールの製造方法。 - 請求項5または6に記載の発明において、前記シールド膜は導電性ペイントの塗布によって形成することを特徴とするシールド機能付きモジュールの製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の発明において、前記電子部品はアナログ系回路部を構成し、切断前の前記ベース板下の各モジュール形成領域にデジタル系回路部を構成する半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する半導体構成体が設けられていることを特徴とするシールド機能付きモジュールの製造方法。
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