JP2008530807A5 - - Google Patents
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Claims (27)
- 支持体(50)と、第1半導体チップ(10)と、第2半導体チップ(20)とを有するパワー半導体アセンブリであって、
上記第1半導体チップ(10)は、第1主接続部(11)および第2主接続部(12)を上記第1半導体チップ(10)の互いに向かい合う各面にそれぞれ配置されて有し、
上記第2半導体チップ(20)は、第1主接続部(21)および第2主接続部(22)を上記第2半導体チップ(20)の互いに向かい合う各面にそれぞれ配置されて有し、
上記支持体(50)は、パターン化された金属層(60)が設けられた第1面(51)を有し、上記第1面(51)は、第1部分(61)と上記第1部分(61)から間隔を空けた第2部分(62)とを備え、
上記第1半導体チップ(10)は、上記支持体(50)の第1面(51)上に配置され、上記第1半導体チップ(10)の第2主接続部(12)を介して第1部分(61)に機械的および導電的に接続されており、
上記第2半導体チップ(20)は、上記支持体(50)の第1面(51)上に配置され、上記第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22)を介して第2部分(62)に機械的および導電的に接続されており、
上記第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)と、上記第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)とは、互いに導電的に接続されており、外部の負荷(100)または外部の供給電圧に接続するために備えられた第1コンタクト用接続部(71)とも導電的に接続されており、
上記第1半導体チップ(10)および上記第2半導体チップ(20)はハーフブリッジを形成し、
第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)および第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)は互いに導電的に接続されており、
上記第1半導体チップ(10)の制御入力部(13)を駆動するための第1駆動回路(81)、および、
上記第2半導体チップ(20)の制御入力部(23)を駆動するための第2駆動回路(82)を含み、
上記第1駆動回路(81)および上記第2駆動回路(82)は、上記第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)と、上記第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)とに導電的に接続されている、パワー半導体アセンブリ。 - 上記支持体(50)の第1面(51)に向かい合う第2面(52)が、金属体(70)に対し、伝熱的に接触している、請求項1に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 上記金属体(70)は、放熱板、蓄熱器、金属板、または、金属薄膜として形成されている、請求項2に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 上記金属体は接地されている、請求項2または3に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 正の供給電圧(U1+)に接続するために設けられている第2コンタクト用接続部(72)と、
負の供給電圧(U1−)に接続するために設けられている第3コンタクト用接続部(73)とを有し、
上記第2コンタクト用接続部(72)は、上記第1半導体チップ(10)の第2主接続部(12)に導電的に接続され、
上記第3コンタクト用接続部(73)は、上記第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22)に導電的に接続され、
上記第2コンタクト用接続部(72)および上記第3コンタクト用接続部(73)は、上記第1半導体チップ(10)から離れた上記第2半導体チップ(20)の側、または、上記第2半導体チップ(20)から離れた上記第1半導体チップ(10)の側に配置されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 上記第2コンタクト用接続部(72)から第1コンタクト用接続部(71)までの電流路、および、第1コンタクト用接続部(71)から第3コンタクト用接続部(73)までの電流路は、互いにほぼ逆方向に電流が流れるように設定されている、請求項5に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 上記第1半導体チップ(10)は、nチャネル型電界効果トランジスタであり、そのソース端子は第1半導体チップ(10)の上記第1主接続部(11)を構成し、上記nチャネル型電界効果トランジスタのドレイン端子は上記第1半導体チップ(10)の第2主接続部(12)を構成しているか、または、
上記第1半導体チップ(10)は、pチャネル型電界効果トランジスタであり、そのドレイン端子は上記第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)を構成し、上記pチャネル型電界効果トランジスタのソース端子は上記第1半導体チップ(10)の第2主接続部(12)を構成しているか、または、
上記第1半導体チップ(10)は、バイポーラnpn型トランジスタであり、そのエミッタ接続部は上記第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)を構成し、上記バイポーラnpn型トランジスタのコレクタ接続部は上記第1半導体チップ(10)の第2主接続部(12)を構成しているか、または、
上記第1半導体チップ(10)は、バイポーラpnp型トランジスタであり、そのコレクタ接続部は上記第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)を構成し、上記バイポーラpnp型トランジスタのエミッタ接続部は上記第1半導体チップ(10)の第2主接続部(12)を構成しているか、または、
上記第1半導体チップ(10a〜c)は、サイリスタであり、そのカソードは上記第1半導体チップ(10a〜c)の第1主接続部(11a〜c)を構成し、上記サイリスタのアノードは上記第1半導体チップ(10a〜c)の第2主接続部(12a〜c)を構成している、請求項1〜6のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 上記第2半導体チップ(20)は、pチャネル型電界効果トランジスタであり、そのソース端子は上記第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)を構成し、上記pチャネル型電界効果トランジスタのドレイン端子は上記第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22)を構成しているか、または、
上記第2半導体チップ(20)は、nチャネル型電界効果トランジスタであり、そのドレイン端子は上記第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)を構成し、上記nチャネル型電界効果トランジスタのソース端子は上記第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22)を構成しているか、または、
上記第2半導体チップ(20)は、バイポーラpnp型トランジスタであり、そのエミッタ接続部は第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)を構成し、上記バイポーラpnp型トランジスタのコレクタ接続部は第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22)を構成しているか、または、
上記第2半導体チップ(20)は、バイポーラnpn型トランジスタであり、そのコレクタ接続部は上記第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)を構成し、上記バイポーラnpn型トランジスタのエミッタ接続部は上記第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22)を構成しているか、または、
上記第2半導体チップ(20a〜c)は、サイリスタであり、そのアノードは上記第2半導体チップ(20a〜c)の第1主接続部(21a〜c)を構成し、上記サイリスタのカソードは上記第2半導体チップ(20a〜c)の第2主接続部(22a〜c)を構成している、請求項1〜7のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 上記第1半導体チップ(10)は、nチャネル型電界効果トランジスタであり、そのソース端子は上記第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)を構成し、上記nチャネル型電界効果トランジスタのドレイン端子は上記第1半導体チップ(10)の第2主接続部(12)を構成しているか、または、
上記第1半導体チップ(10)は、バイポーラnpn型トランジスタであり、そのエミッタ接続部は上記第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)を構成し、上記バイポーラnpn型トランジスタのコレクタ接続部は上記第1半導体チップ(10)の第2主接続部(12)を構成しており、および、
上記第2半導体チップ(20)は、pチャネル型電界効果トランジスタであり、そのソース端子は上記第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)を構成し、上記pチャネル型電界効果トランジスタのドレイン端子は上記第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22)を構成しているか、または、
上記第2半導体チップ(20)は、バイポーラpnp型トランジスタであり、そのエミッタ接続部は上記第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)を構成し、上記バイポーラpnp型トランジスタのコレクタ接続部は上記第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22)を構成している、請求項1〜6のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 上記第1半導体チップ(10a〜c)は、p型に制御されたサイリスタであり、そのカソードは上記第1半導体チップ(10a〜c)の第1主接続部(11a〜c)を構成し、上記p型に制御されたサイリスタのアノードは上記第1半導体チップ(10a〜c)の第1主接続部(12a〜c)を構成しており、および、
上記第2半導体チップ(20a〜c)は、n型に制御されたサイリスタであり、そのアノードは上記第2半導体チップ(20a〜c)の第1主接続部(21a〜c)を構成し、上記n型に制御された上記サイリスタのカソードは上記第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22a〜c)を構成している、請求項1〜8のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 上記第1半導体チップ(10)および/または上記第2半導体チップ(20)は、MOSFETである、請求項7〜9のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 上記第1半導体チップ(10)および/または上記第2半導体チップ(20)は、IGBTである、請求項7〜9のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 上記第1駆動回路(81)および上記第2駆動回路(82)は、上記第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)と、上記第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)との電位(UL)に関連づけられて、それぞれ、上記第1半導体チップ(10)および上記第2半導体チップ(20)を駆動するものである、請求項1〜12のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 第1ダイオード(30、30a〜c)を含み、
上記第1ダイオード(30、30a〜c)のアノード(32、32a〜c)は、上記第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)に導電的に接続され、p型ウェルとして形成されている、請求項1〜13のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 第1ダイオード(30、30a〜c)を含み、
上記第1ダイオード(30、30a〜c)のカソード(31、31a〜c)は、上記第1半導体チップ(10)の第2主接続部(12)に導電的に接続され、n型ウェルとして形成されている、請求項1〜13のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 第2ダイオード(40、40a〜c)を含み、
上記第2ダイオード(40、40a〜c)のアノード(42、42a〜c)は、上記第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22)に導電的に接続され、p型ウェルとして形成されている、請求項1〜15のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 第2ダイオード(40、40a〜c)を含み、
上記第2ダイオード(40、40a〜c)のカソード(41、41a〜c)は、上記第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)に導電的に接続され、n型ウェルとして形成されている、請求項1〜15のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 正の供給電圧(U1+)を供給するために設けられた第2コンタクト用接続部(72)、および、負の供給電圧(U1−)を供給するために設けられた第3コンタクト用接続部(73)を含み、
上記第2コンタクト用接続部(72)は、上記第1半導体チップ(10)の第2主接続部(12)に導電的に接続され、
上記第3コンタクト用接続部(73)は、上記第2半導体チップ(20)の第2主接続部(22)に導電的に接続され、
上記第2コンタクト用接続部(72)および上記第3コンタクト用接続部(73)は、上記第1半導体チップ(10)から離れた、上記第2半導体チップ(20)の側、または、上記第2半導体チップ(20)から離れた、上記第1半導体チップ(10)の側に、配置されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 上記第1半導体チップ(230a〜c)は、n型に制御されたサイリスタであり、そのアノードは、上記第1半導体チップ(230a〜c)の第1主接続部(231a〜c)を構成し、上記n型に制御されたサイリスタのカソードは、上記第1半導体チップ(230a〜c)の第2主接続部(232a〜c)を構成しており、
上記第2半導体チップ(240a〜c)は、p型に制御されたサイリスタであり、そのカソードは、上記第2半導体チップ(240a〜c)の第1主接続部(241a〜c)を構成し、上記p型に制御されたサイリスタのアノードは、上記第2半導体チップ(240a〜c)の第2主接続部(242a〜c)を構成している、請求項1〜4のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 上記ハーフブリッジは、整流器である、請求項19に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 単一のトランスを含有する直流−直流コンバータを有し、第1駆動回路(81)および第2駆動回路(82)に接続され、上記第1駆動回路(81)および上記第2駆動回路(82)に電圧を供給するために設けられた電圧供給ユニット(99)を含む、請求項1または20に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 一次側と、上記一次側から電気的に絶縁している二次側とを有する駆動ユニット(90)を含み、
上記二次側は、上記第1駆動回路(81)の入力部、および、上記第2駆動回路(82)の入力部に導電的に接続されている、請求項1、20または21に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 上記駆動ユニット(90、90´)は、フォトカプラまたはトランスを有する、請求項22に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 上記二次側、上記第1駆動回路(81)および上記第2駆動回路(82)は、1つの共通のチップハウジング内、または、1つの共通の集積回路内に配置されている、請求項22または23に記載のパワー半導体アセンブリ。
- 上記第1半導体チップ(10)の第1主接続部(11)および上記第2半導体チップ(20)の第1主接続部(21)は、金属薄膜(75)により導電的に接続されている、請求項3〜24のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。
- さらに、上記第1半導体チップ(10)を保護するために、上記第1半導体チップ(10)の負荷経路に対して並列に逆方向に接続された第1ダイオード(30)と、
上記第2半導体チップ(20)を保護するために、上記第2半導体チップ(20)の負荷経路に対して並列に逆方向に接続された第2ダイオード(40)とを備え、
上記第1半導体チップ(10)および上記第2半導体チップ(20)は、上記第1ダイオード(30)および上記第2ダイオード(40)の間に配置されている、請求項1〜13のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。 - 上記第1半導体チップ(10)および上記第2半導体チップ(20)が、同時にON状態に切り換わることを防止するラッチ回路を含む、請求項1〜26のいずれか1項に記載のパワー半導体アセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005007373A DE102005007373B4 (de) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | Leistungshalbleiterbaugruppe |
PCT/EP2006/000457 WO2006087065A2 (de) | 2005-02-17 | 2006-01-19 | Leistungshalbleiterbaugruppe |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008530807A JP2008530807A (ja) | 2008-08-07 |
JP2008530807A5 true JP2008530807A5 (ja) | 2011-02-10 |
JP4685884B2 JP4685884B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=35789263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007555474A Expired - Fee Related JP4685884B2 (ja) | 2005-02-17 | 2006-01-19 | パワー半導体アセンブリ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8472949B2 (ja) |
JP (1) | JP4685884B2 (ja) |
DE (1) | DE102005007373B4 (ja) |
WO (1) | WO2006087065A2 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2005
- 2005-02-17 DE DE102005007373A patent/DE102005007373B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-19 WO PCT/EP2006/000457 patent/WO2006087065A2/de active Application Filing
- 2006-01-19 JP JP2007555474A patent/JP4685884B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-19 US US11/816,340 patent/US8472949B2/en active Active
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