DE9203000U1 - Halbleiteranordnung mit mehreren Halbleiterkörpern - Google Patents
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Description
92 G 8 O 2 5 DE
eupec GmbH + Co.KG
Siemens Aktiengesellschaft
Siemens Aktiengesellschaft
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung mit den Merkmalen:
a) - einem elektrisch isolierenden Substrat,
b) - auf dem Substrat sind Leiterbahnen angeordnet,
c) - mit mehreren Halbleiterkörpern, von denen je ein Hauptkontakt
elektrisch mit einer der Leiterbahnen verbunden ist, d) - mit den Leiterbahnen sind mindestens zwei bandförmige
Anschlußleiter für den Laststrom verbunden, die an der von den Leiterbahnen abgewandten Seite je eine Anschlußlasche tragen,
e) - die Anschlußleiter sind bezüglich ihrer Hauptfläche nahe
beieinander und mindestens teilweise parallel zueinander angeordnet.
Eine solche Halbleiteranordnung ist z. B. in der EP 0 277 546 und der EP 0 427 143 beschrieben worden. Die eng benachbarte
Anordnung der den Laststrom führenden bandförmigen Anschlußleiter vermindert die interne Induktivität der Halbleiteranordnung.
Ziel der Erfindung ist eine weitere Verminderung der internen Induktivität des Laststromkreises.
25
25
Dieses Ziel wird dadurch erreicht, daß die Breite der Hauptflächen
der Anschlußleiter annähernd so groß ist wie die innere Weite eines die Anschlußleiter umschließenden Gehäuses.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Figuren 1 bis 6 näher erläutert. Es zeigen:
35
Figur 1 - eine perspektivische Ansicht einer Halbleiteranordnung mit bandförmigen Anschlußleitern
92G8 0 25DE
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Figur 2 - einen Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel Figur 3 - die Aufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel
Figur 4 - die in der Anordnung nach Figur 3 verwirklichte Schaltung
Figur 5 - ein anderes Ausführungsbeispiel und
Figur 5 - ein anderes Ausführungsbeispiel und
Figur 6 - die im Ausführungsbeispiel nach Figur 5 enthaltene Schaltung
Die Halbleiteranordnung nach Figur 1 enthält eine metallene Grundplatte 1, auf der ein isolierendes Substrat 2 aufgebracht
ist. Dieses besteht üblicherweise aus Aluminiumoxid Al2 O^ oder
Aluminiumnitrid AlN. Auf dem Substrat 2 sind Leiterbahnen 3, 4, 5, 6, 7 angeordnet. Auf den Leiterbahnen, 3, 6 sind Halbleiterkörper
8 befestigt. Es kann sich hierbei um MOSFET, bipolare Transistoren oder auch um IGBT (Isolated Gate Bipolar
Transistors) handeln. Einer ihrer Hauptkontakte, nämlich die Drain-Kontakt bzw. Kollektor-Kontakte sind elektrisch und
mechanisch mit den Leiterbahnen 3, 6 verbunden. Die anderen Hauptkontakte, nämlich die Source-Kontakte bzw. Emitter-Kontakte,
sind mit den Leiterbahnen 4 bzw. 7 über Bonddrähte 10 verbunden. Die Leiterbahn 5 dient zur Kontaktierung der
Gate-Kontakte über Bonddrähte 9.
Die Leiterbahnen 3, 4, 6, 7 führen den Laststrom der Halbleiteranordnung.
Mit den Leiterbahnen 4, 7 und 3, 6 sind band- oder plattenförmige Anschlußleiter 11 bzw. 12 elektrisch und
mechanisch verbunden. Die Anschlußleiter bestehen z. B. aus Kupferblech, ihre sichtbaren Hauptflächen sind mit 16 bzw.
bezeichnet. Am oberen Ende tragen die Anschlußleiter 11, 12 Anschlußlaschen 13 bzw. 14.
Die Anschlußleiter 11, 12, sind in bekannter Weise dicht beieinander
angeordnet, um die Induktivität des Laststromkreises gering zu halten. Ihr Abstand a ihrer Hauptflächen ist so
gewählt, daß die Isolationsfestigkeit (Spannungsfestigkeit) noch gewährleistet ist. Ihre Breite b ist sehr viel größer,
als dies aus Gründen der Stromtragfähigkeit erforderlich ist.
92 G 8 O 2 5 DE „__„ ._ ,.
Insbesondere 1st sie annähernd so groß wie die lichte Weite w des die Halbleiteranordnung einschließenden Gehäuses 18. Dies
ist in Figur 2 gezeigt. Annähernd so groß heißt, daß die Breite b nur so viel kleiner gewählt wird als die Weite w, daß
der Zusammenbau des Gehäuses nicht erschwert wird.
Die Anschlußleiter 11, 12 sind, wie in Figur 1 angedeutet, in der Mitte der Bodenplatte 1 angeordnet. Sie können entweder
über die ganze Länge oder nur über einen Teil ihrer Länge in der angegebenen Breite dimensioniert sein. Unter "Länge" ist
dabei die Richtung von den Leiterbahnen zu den Anschlußlaschen gemeint. Die Laschen sind zweckmäßigerweise schmaler als die
Anschlußleiter und können auf der Oberseite eines Gehäuses in der gleichen Richtung abgebogen sein und in Längsrichtung der
Anordnung gesehen nebeneinanderliegen.
In der Anordnung nach Figur 1 sind gleichartige Halbleiterkörper vorgesehen, sie sind alle parallel geschaltet.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist in Figur 3 dargestellt. Auf den Leiterbahnen 3, 6 ist wieder je ein Halbleiterkörper
8, das heißt ein MOSFET, ein Bipolartransistor oder ein IGBT angeordnet. Auf den gleichen Leiterbahnen sitzt auch jeweils
der Halbleiterkörper 15 einer Diode. Der Kollektor-Kontakt bzw. Drain-Kontakt des Halbleiterkörpers 8 ist mit den Leiterbahnen
3 bzw. 6 verbunden. Ebenso ist der Kathodenkontakt der Dioden 15 mit den Leiterbahnen 3 bzw. 6 verbunden. Ihr Anoden-Kontakt
ist über Bonddrähte mit den Leiterbahnen 4 bzw. 7 verbunden, ebenso ist der Emitter-Kontakt bzw. Source-Kontakt der
Halbleiterkörper 8 über Bonddrähte mit den Leiterbahnen 4 bzw. 7 verbunden. Die Gate-Kontakte der Halbleiterkörper 8 sind
elektrisch mit der Leiterbahn 5 verbunden. Die Anschlußleiter 13, 14 sind entsprechend der Anordnung nach Figur 1 und 2 ausgebildet,
d.h. ihre Breite ist von den Leiterbahnen zu den Anschlußlaschen gesehen größer als die Summe der von ihnen jeweils
kontaktierten Leiterbahnen und annähernd so breit wie die lichte Weite eines die Anordnung einschließenden Gehäuses.
92G80 25.DE _, „
Die Anordnung stellt eine Parallelschaltung von IGBT mit jeweils einer antiparallel geschalteten Diode 15 dar. Auf der
Metallplatte 1 können mehrere der in Figuren 3 gezeigten Anordnungen vorhanden sein.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist in Figur 5 dargestellt. Hier sind auf einer Metallplatte 1 zwei voneinander getrennte
isolierende Substrate 20, 30 angeordnet. Das Substrat 20 trägt Leiterbahnen 21, 22, 23 und 24. Das Substrat 30 trägt Leiterbahnen
31, 32, 33 und 34. Auf den Leiterbahnen 23, 33 sind Halbleiterkörper 25 bzw. 35 angeordnet und mit ihrem Drain-Kontakt
bzw. Kollektor-Kontakt elektrisch mit diesen verbunden. Auf den Leiterbahnen 23, 33 sitzen Dioden 27, 37; sie
sind mit ihren Kathoden-Kontakte mit den entsprechenden Leiterbahnen verbunden. Auf den Leiterbahnen 21, 31 sitzen weitere
Dioden 26, 36; ihre Anoden-Kontakte sind mit diesen Leiterbahnen elektrisch und mechanisch verbunden. Die Kathoden-Kontakte
der Dioden 26, 36 sind über Bonddrähte mit den Leiterbahnen 23, 33 verbunden, die Anoden-Kontakte der Dioden
27, 37 über Bonddrähte mit den Leiterbahnen 22, 32 und die Emitter-Kontakte bzw. Source-Kontakte der IGBT bzw. MOSFET
25, 35 über Bonddrähte mit den Leiterbahnen 22 und 32. Die Gate-Anschlüsse der Halbleiterkörper 25, 35 sind mit den
Leiterbahnen 24, 34 kontaktiert.
Die Leiterbahnen 21, 31 sind mit einem Anschlußleiter 39 verbunden,
die Leiterbahnen 22, 32 mit einem Anschlußleiter 38 und die Leiterbahnen 23, 33 mit einem Anschlußleiter 40. Die
Hauptflächen der Anschlußleiter 38, 39 und 40 sind wie in den vorausgehenden Ausführungsbeispielen dicht beieinander angeordnet.
Die Breite der Anschlußleiter ist ebenso wie in den vorangehenden Ausführungsbeispielen größer als die Summe der
von ihnen kontaktierten Leiterbahnen und annähernd so breit wie die lichte Weite eines die Anordnung einschließenden Gehäuses.
Im Ausführungsbeispiel nach Figur 5 reichen die Anschlußleiter
92 G 8 O 2 5 DE
38 und 40 nicht bis an den Rand der Metallplatte 1. Sie können jedoch ohne weiteres gleich breit ausgeführt werden.
Die mit der Anordnung nach Figur 5 verwirklichte Schaltung ist in Figur 6 dargestellt. Es handelt sich hier um einen Brückenzweig,
bei dem der untere Teil aus einer Parallelschaltung zweier IGBT 25, 35 besteht. Der obere Teil der Brückenschaltung
besteht aus parallel geschalteten Dioden 26, 36. Diese dienen als Freilaufdioden in einem Umrichter. Die Anoden der
Dioden und die Kollektor-Anschlüsse der IGBT sind mit einem
Wechselstromanschluß verbunden. Dabei entspricht der Plus-Anschluß den Leiterbahnen 21, 31, der Minus-Anschluß den Leiterbahnen
22, 32 und der Wechselspannungsanschluß den Leiterbahnen 23, 33. Auch die Anordnung nach Figur 5 kann mehrfach auf
einer Metallplatte 1 angeordnet werden.
Claims (3)
1. Halbleiteranordnung mit den Merkmalen:
a) - einem elektrisch isolierenden Substrat (2) b) - auf dem Substrat sind Leiterbahnen (3, A, 5, 7, 6)
angeordnet,
c) - mehreren Halbleiterkörpern (8), von denen je ein Hauptkontakt
elektrisch mit einer der Leiterbahnen (3,6) verbunden ist,
d) - mit den Leiterbahnen sind mindestens zwei bandförmige Anschlußleiter (11, 12) für den Laststrom verbunden, die an der von den Leiterbahnen abgewandten Seite je eine Anschlußlasche (13, IA) tragen,
d) - mit den Leiterbahnen sind mindestens zwei bandförmige Anschlußleiter (11, 12) für den Laststrom verbunden, die an der von den Leiterbahnen abgewandten Seite je eine Anschlußlasche (13, IA) tragen,
e) - die Anschlußleiter sind bezüglich ihrer Hauptflächen (16, 17) nahe beieinander und mindestens teilweise parallel
zueinander angeordnet,
dadurch gekennzeichnet, daß die Breite (b) der Hauptflächen (16, 17) der Anschlußleiter
annähernd so groß ist wie die innere Weite (w) eines die Anschlußleiter (11, 12) umschließenden Gehäuses (18).
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Anschlußlaschen (13, IA) kleiner ist als
die Breite der Hauptflächen (16, 17) der Anschlußleiter (11, 12)
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußlaschen (13, IA) in die gleiche Richtung
weisen und auf dem Gehäuse nebeneinander angeordnet sind.
A. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der Abstand (a) der Anschlußleiter voneinander derart gewählt ist, daß die elektrische Isolation gewährleistet ist.
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