JP2008300578A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
現像後のレジストにおける線幅のばらつきを低減させるための技術を提供する。
【解決手段】
ウェハに対するレジストの塗布および前記ウェハに塗布されたレジストの現像を行う塗布現像装置との間で前記ウェハの受け渡しを行い、前記ウェハに塗布されたレジストを露光する露光装置であって、前記ウェハの露光が終了する第１の時刻に基づき、前記ウェハの露光後かつ前記レジストの現像前に前記塗布現像装置において行われる加熱処理を開始させるべき第２の時刻を算出し、前記第２の時刻の情報を前記塗布現像装置に送信する。
【選択図】図１
現像後のレジストにおける線幅のばらつきを低減させるための技術を提供する。
【解決手段】
ウェハに対するレジストの塗布および前記ウェハに塗布されたレジストの現像を行う塗布現像装置との間で前記ウェハの受け渡しを行い、前記ウェハに塗布されたレジストを露光する露光装置であって、前記ウェハの露光が終了する第１の時刻に基づき、前記ウェハの露光後かつ前記レジストの現像前に前記塗布現像装置において行われる加熱処理を開始させるべき第２の時刻を算出し、前記第２の時刻の情報を前記塗布現像装置に送信する。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体素子等の製造に用いられる露光装置に関するものである。
一般に、露光装置の露光光は、投影光学系の解像度を上げて、より微細なパターンを露光するため、波長を短くする傾向にある。
例えば、フッ素エキシマレーザ等のＫｒＦ以降の短波長の露光では、露光前のウェハにレジストを塗布し、露光後のウェハを現像する為にコータ・デベロッパ（ＣＤＳ）をインラインで接続して使うことが一般的である。
この理由は、化学耐性の低いレジストを使用するため、レジストがアンモニア等により劣化し、露光されるパターンの像性能に悪影響を及ぼすためである。
そのため、レジスト塗布後の時間を短縮すること、および一定に制御された環境下に置くことを目的として、インライン接続形式が採用されている。
集積回路が露光されるウェハがコータ・デベロッパに搬入されると、初めにコータ・デベロッパのレジスト塗布部において、ウェハにレジストが塗布される。
次に、ウェハは加熱部に送られ、一旦、プリベークとして高温加熱され、冷却部において冷却される。
その後、インターフェース部を介して、ウェハは露光装置に搬入される。
露光装置に搬入されたウェハはプリアライメント部で位置合わせされ、ウェハステージ上に載置される。
ウェハステージではウェハとレチクルのアライメントが行われ、その後、集積回路が露光される。
ウェハステージでウェハに集積回路が露光されると、ウェハはインターフェース部を介してコータ・デベロッパに戻される。
このウェハに対して露光終了後の加熱処理であるポスト・エクスポージャ・ベーキング処理（以下、ＰＥＢ処理とする）として加熱・冷却処理部で高温加熱処理が行われる。
その後、ウェハを冷却し、現像処理部で現像処理される。
なお、コータ・デベロッパのレジスト塗布部、加熱・冷却処理部、現像処理部間のウェハ受け渡しを行うウェハ搬送手段は、予め設定された時間を基にレジスト塗布部、加熱・冷却処理部、現像処理部間を動いている。
また、長期に渡ってデバイスの歩留まりを維持できる露光システムが特開２００５−１０１０１８号公報（特許文献１）において提案されている。
この露光システムは、ウェハに対するレジストの塗布及び現像を行うコータ・デベロッパと露光装置の本体チャンバ１２とが、内部にウェハの受け渡し部を有する受け渡し室によりインラインにて接続される。
特開２００５−１０１０１８号公報
例えば、フッ素エキシマレーザ等のＫｒＦ以降の短波長の露光では、露光前のウェハにレジストを塗布し、露光後のウェハを現像する為にコータ・デベロッパ（ＣＤＳ）をインラインで接続して使うことが一般的である。
この理由は、化学耐性の低いレジストを使用するため、レジストがアンモニア等により劣化し、露光されるパターンの像性能に悪影響を及ぼすためである。
そのため、レジスト塗布後の時間を短縮すること、および一定に制御された環境下に置くことを目的として、インライン接続形式が採用されている。
集積回路が露光されるウェハがコータ・デベロッパに搬入されると、初めにコータ・デベロッパのレジスト塗布部において、ウェハにレジストが塗布される。
次に、ウェハは加熱部に送られ、一旦、プリベークとして高温加熱され、冷却部において冷却される。
その後、インターフェース部を介して、ウェハは露光装置に搬入される。
露光装置に搬入されたウェハはプリアライメント部で位置合わせされ、ウェハステージ上に載置される。
ウェハステージではウェハとレチクルのアライメントが行われ、その後、集積回路が露光される。
ウェハステージでウェハに集積回路が露光されると、ウェハはインターフェース部を介してコータ・デベロッパに戻される。
このウェハに対して露光終了後の加熱処理であるポスト・エクスポージャ・ベーキング処理（以下、ＰＥＢ処理とする）として加熱・冷却処理部で高温加熱処理が行われる。
その後、ウェハを冷却し、現像処理部で現像処理される。
なお、コータ・デベロッパのレジスト塗布部、加熱・冷却処理部、現像処理部間のウェハ受け渡しを行うウェハ搬送手段は、予め設定された時間を基にレジスト塗布部、加熱・冷却処理部、現像処理部間を動いている。
また、長期に渡ってデバイスの歩留まりを維持できる露光システムが特開２００５−１０１０１８号公報（特許文献１）において提案されている。
この露光システムは、ウェハに対するレジストの塗布及び現像を行うコータ・デベロッパと露光装置の本体チャンバ１２とが、内部にウェハの受け渡し部を有する受け渡し室によりインラインにて接続される。
前述のように露光装置からインターフェース部を介してコータ・デベロッパに露光後のウェハを搬入し、この搬入されるタイミングが常に一定であれば、コータ・デベロッパ内のウェハ搬送手段も常に一定のタイミングでウェハを各処理装置に搬送する。
このため、ＰＥＢ処理までのウェハ処理時間を一定にすることができる。
しかし、実際には露光後のウェハをコータ・デベロッパに搬入するタイミングは一定とは限らない。
この原因は、レチクルやウェハのアライメントを行う時にリトライ処理が行われ、あるいは、ウェハにパターンを露光する時間が長く掛かること等による。
このように一定のタイミングでコータ・デベロッパにウェハが搬入されない場合、コータ・デベロッパのウェハ搬送手段は予め設定された時間を基に動作しているので、露光後のウェハを受け取ることができない。
また、受け取られなかったウェハは、次にコータ・デベロッパのウェハ搬送手段が来るまで待機することになる。
ここで、レジストが化学耐性の低いものである場合、インターフェース部にウェハが待機すると、次工程のＰＥＢ処理までの時間が一定にならず、現像処理で所定のパターンの線幅にならない場合が生じる。
また、露光のプロセス等を考慮して、ＰＥＢ処理を行う前の待機時間を最も露光処理に時間がかかった場合に設定することによりＰＥＢ処理までの時間を一定にすることも可能であるが、像性能の劣化やスループットが低下する。
そこで、本発明は、現像後のレジストにおける線幅のばらつきを低減させるための技術を提供することを例示的目的とする。
このため、ＰＥＢ処理までのウェハ処理時間を一定にすることができる。
しかし、実際には露光後のウェハをコータ・デベロッパに搬入するタイミングは一定とは限らない。
この原因は、レチクルやウェハのアライメントを行う時にリトライ処理が行われ、あるいは、ウェハにパターンを露光する時間が長く掛かること等による。
このように一定のタイミングでコータ・デベロッパにウェハが搬入されない場合、コータ・デベロッパのウェハ搬送手段は予め設定された時間を基に動作しているので、露光後のウェハを受け取ることができない。
また、受け取られなかったウェハは、次にコータ・デベロッパのウェハ搬送手段が来るまで待機することになる。
ここで、レジストが化学耐性の低いものである場合、インターフェース部にウェハが待機すると、次工程のＰＥＢ処理までの時間が一定にならず、現像処理で所定のパターンの線幅にならない場合が生じる。
また、露光のプロセス等を考慮して、ＰＥＢ処理を行う前の待機時間を最も露光処理に時間がかかった場合に設定することによりＰＥＢ処理までの時間を一定にすることも可能であるが、像性能の劣化やスループットが低下する。
そこで、本発明は、現像後のレジストにおける線幅のばらつきを低減させるための技術を提供することを例示的目的とする。
前記課題を解決するための本発明の露光装置は、ウェハに対するレジストの塗布および前記ウェハに塗布されたレジストの現像を行う塗布現像装置との間で前記ウェハの受け渡しを行い、前記ウェハに塗布されたレジストを露光する露光装置であって、前記ウェハの露光が終了する第１の時刻に基づき、前記ウェハの露光後かつ前記レジストの現像前に前記塗布現像装置において行われる加熱処理を開始させるべき第２の時刻を算出し、前記第２の時刻の情報を前記塗布現像装置に送信することを特徴とする。
本発明によれば、例えば、現像後のレジストにおける線幅のばらつきを低減させるための技術を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
以下、図１を参照して、本発明の実施例１の露光装置を説明する。
半導体製造システムは、コータ・デベロッパ１と、本実施例１の露光装置２と、インターフェース部３から成る。
露光装置２は、ウェハＷに対するレジストの塗布およびウェハＷに塗布されたレジストの現像を行う塗布現像装置であるコータ・デベロッパ１との間でウェハの受け渡しを行い、ウェハＷに塗布されたレジストを露光する。
さらに、露光装置２は、ウェハＷの露光が終了する第１の時刻に基づき、ウェハＷの露光後かつレジストの現像前にコータ・デベロッパ１において行われる加熱処理を開始させるべき第２の時刻を算出し、第２の時刻の情報をコータ・デベロッパ１送信する。
さらに、露光装置２は、ショットレイアウトの情報に基づいて第１の時刻を算出する。
さらに、露光装置２は、ウェハＷの露光のための各処理の開始時刻の情報に基づいて第１の時刻を算出する。
コータ・デベロッパ１は、ウェハＷに対してレジスト塗布および現像を行う処理部である。
インターフェース部３は、コータ・デベロッパ１と露光装置２との間で、ウェハＷの受け渡しを行う装置である。
半導体製造システムは、コータ・デベロッパ１と、本実施例１の露光装置２と、インターフェース部３から成る。
露光装置２は、ウェハＷに対するレジストの塗布およびウェハＷに塗布されたレジストの現像を行う塗布現像装置であるコータ・デベロッパ１との間でウェハの受け渡しを行い、ウェハＷに塗布されたレジストを露光する。
さらに、露光装置２は、ウェハＷの露光が終了する第１の時刻に基づき、ウェハＷの露光後かつレジストの現像前にコータ・デベロッパ１において行われる加熱処理を開始させるべき第２の時刻を算出し、第２の時刻の情報をコータ・デベロッパ１送信する。
さらに、露光装置２は、ショットレイアウトの情報に基づいて第１の時刻を算出する。
さらに、露光装置２は、ウェハＷの露光のための各処理の開始時刻の情報に基づいて第１の時刻を算出する。
コータ・デベロッパ１は、ウェハＷに対してレジスト塗布および現像を行う処理部である。
インターフェース部３は、コータ・デベロッパ１と露光装置２との間で、ウェハＷの受け渡しを行う装置である。
コータ・デベロッパ１には、コータ・デベロッパ１のインターフェース部１ａと、Ｘ方向に形成された搬送路５０に沿って移動可能でかつ、昇降、回転自在なウェハ搬送ハンド４が設けられる。
搬送路５０の両側には、コータ・デベロッパ１に搬入されたウェハＷにレジストを塗布するレジスト塗布部５、ウェハＷにレジストを密着させるための加熱処理部６、冷却処理部７が設けられる。
搬送路５０の両側には、さらに、ＰＥＢ処理後のウェハＷの現像処理を行う現像処理部８、現像後のウェハＷの加熱を行う加熱処理部９、冷却処理部１０が設けられる。
また、コータ・デベロッパ１には、現像処理部８とインターフェース部３との間でウェハＷの受渡しを専門に行うウェハ搬送ハンド１１が設けられる。
インターフェース部３には、コータ・デベロッパ１からウェハＷを受け取るウェハインステーション１２、および露光装置２からウェハＷを受け取るウェハアウトステーション１３が設けられる。
搬送路５０の両側には、コータ・デベロッパ１に搬入されたウェハＷにレジストを塗布するレジスト塗布部５、ウェハＷにレジストを密着させるための加熱処理部６、冷却処理部７が設けられる。
搬送路５０の両側には、さらに、ＰＥＢ処理後のウェハＷの現像処理を行う現像処理部８、現像後のウェハＷの加熱を行う加熱処理部９、冷却処理部１０が設けられる。
また、コータ・デベロッパ１には、現像処理部８とインターフェース部３との間でウェハＷの受渡しを専門に行うウェハ搬送ハンド１１が設けられる。
インターフェース部３には、コータ・デベロッパ１からウェハＷを受け取るウェハインステーション１２、および露光装置２からウェハＷを受け取るウェハアウトステーション１３が設けられる。
インターフェース部３には、さらに、ウェハＷを搬送するためのＺ方向に移動可能でかつ、θ回転自在な第１の搬送手段である搬送ハンド１４、第２の搬送手段である搬送ハンド１５が別々に設けられる。
ウェハ搬送ハンド１４は、レジスト塗布後のウェハＷを露光装置２へ搬送する装置である。
ウェハ搬送ハンド１５は露光処理後のウェハＷを露光装置２から受け取り、ウェハアウトステーション１３へ搬送する装置である。
熱処理装置は、露光後のウェハＷを加熱処理し、さらに、ロードロック機構の内部はＰＥＢ処理後に高温になるため、露光前のウェハＷが熱処理装置を通過することは好ましくない。
また、毎回、ロードロック機構の内部の温度をウェハＷに影響の無い温度まで制御するとスループット低下するため、熱処理装置２４はウェハＷの搬出部に設置される。
なお、この場合には、露光前のウェハＷの面内温度の分布ムラを取り除くための図示されないウェハ温度制御装置が搬入側に設置される。
また、加熱処理したウェハＷを搬送すると、その搬送手段は熱を持つため、同一の搬送手段でコータ・デベロッパ１へインターフェース部３からウェハＷを搬入すると露光前のウェハＷに搬送手段から熱が伝達しウェハＷの面内温度分布にムラが生じる。
これにより、ウェハＷや露光ステージのチャックが変形し、アライメント精度、フォーカス精度が悪化する。
このため、インターフェース部３は、露光前のウェハＷをインターフェース部３から露光装置２へ搬入する第１の搬送手段１４と、ＰＥＢ処理後のウェハＷを露光装置２からインターフェース部３へ搬出する第２搬送手段の搬送ハンド１５を別々に設ける。
ウェハ搬送ハンド１４は、レジスト塗布後のウェハＷを露光装置２へ搬送する装置である。
ウェハ搬送ハンド１５は露光処理後のウェハＷを露光装置２から受け取り、ウェハアウトステーション１３へ搬送する装置である。
熱処理装置は、露光後のウェハＷを加熱処理し、さらに、ロードロック機構の内部はＰＥＢ処理後に高温になるため、露光前のウェハＷが熱処理装置を通過することは好ましくない。
また、毎回、ロードロック機構の内部の温度をウェハＷに影響の無い温度まで制御するとスループット低下するため、熱処理装置２４はウェハＷの搬出部に設置される。
なお、この場合には、露光前のウェハＷの面内温度の分布ムラを取り除くための図示されないウェハ温度制御装置が搬入側に設置される。
また、加熱処理したウェハＷを搬送すると、その搬送手段は熱を持つため、同一の搬送手段でコータ・デベロッパ１へインターフェース部３からウェハＷを搬入すると露光前のウェハＷに搬送手段から熱が伝達しウェハＷの面内温度分布にムラが生じる。
これにより、ウェハＷや露光ステージのチャックが変形し、アライメント精度、フォーカス精度が悪化する。
このため、インターフェース部３は、露光前のウェハＷをインターフェース部３から露光装置２へ搬入する第１の搬送手段１４と、ＰＥＢ処理後のウェハＷを露光装置２からインターフェース部３へ搬出する第２搬送手段の搬送ハンド１５を別々に設ける。
同様の理由により、ＰＥＢ処理後のウェハＷをインターフェース部３からコータ・デベロッパ１へ搬出する専用の第３の搬送手段であるウェハ搬送ハンド１１はコータ・デベロッパに別に設けられる。
露光前のウェハＷにインターフェース部３のウェハの搬入用搬送手段から熱が伝達することを防止するために、露光前にウェハＷの温度制御を行うよりも、第１の搬送手段と第２の搬送手段と第３の搬送手段を分けて別々に設ける。
これにより、ウェハＷの面内温度のムラが少なくなり、温度制御時間を短縮する。
さらに、露光装置２とコータ・デベロッパ１間で通信手段５１によりウェハＷの処理状況の情報を共有し、露光装置２からウェハＷが搬出される時にコータ・デベロッパ１のウェハＷの搬出用の第３の搬送手段が露光装置とのウェハ受け渡し位置に移動する。
これにより、コータ・デベロッパ１のウェハＷの搬出用の第３の搬送手段であるウェハ搬送ハンド１１での空振りを防ぎスループット低下を防ぐ。
露光前のウェハＷにインターフェース部３のウェハの搬入用搬送手段から熱が伝達することを防止するために、露光前にウェハＷの温度制御を行うよりも、第１の搬送手段と第２の搬送手段と第３の搬送手段を分けて別々に設ける。
これにより、ウェハＷの面内温度のムラが少なくなり、温度制御時間を短縮する。
さらに、露光装置２とコータ・デベロッパ１間で通信手段５１によりウェハＷの処理状況の情報を共有し、露光装置２からウェハＷが搬出される時にコータ・デベロッパ１のウェハＷの搬出用の第３の搬送手段が露光装置とのウェハ受け渡し位置に移動する。
これにより、コータ・デベロッパ１のウェハＷの搬出用の第３の搬送手段であるウェハ搬送ハンド１１での空振りを防ぎスループット低下を防ぐ。
露光装置２にはインターフェース部３からウェハＷを受け取るインラインインステーション１６、手動でウェハキャリアを搭載する手動搬入搬出ポート１７が設けられる。
露光装置２には、さらに、ウェハステージ１８にウェハＷを送り込む前にウェハＷの位置合わせを行うプリアライメント装置１９、露光処理前のウェハＷをインラインインステーション１６が設けられる。
露光装置２には、さらに、手動搬入搬出ポート１７からプリアライメント装置１９に搬入するウェハ搬送ハンド２０、プリアライメント後のウェハＷをウェハステージ１８に供給するウェハ供給ハンド２１が設けられる。
露光装置２には、さらに、露光処理後のウェハＷを回収ステーション２２まで搬送するウェハ回収ハンド２３、回収ステーション２２から熱処理装置２４へウェハＷを搬送するウェハ回収ハンド２５等が設けられる。
インラインインステーション１６には、オーバーレイ精度を向上するためにレジスト塗布後のウェハＷを露光装置２内の空間温度と等しくし、温度差によるウェハＷの形状の伸び等の変化を防ぐための不図示のウェハ温度調整手段を備えている。
熱処理装置２４には、露光後のウェハＷのＰＥＢ処理を行うための加熱・冷却機能が備えられる。
また、ＰＥＢ処理を行うため、熱的に他の処理部と遮断する必要がある。
このため、熱処理装置２４は、発熱の問題を考慮して、露光空間に影響の無いように、ウェハＷの受け渡しをするロードロック機構を備えたチャンバ２４ａで囲われ、熱処理装置２４と露光される空間とが分離される。
チャンバ２４ａの内部の雰囲気を調節するための図示されない温度調節装置、さらに、チャンバ２４ａの内部の雰囲気を置換する図示されない装置を備える。
熱処理装置をウェハの受け渡しをするためのロードロック機構をチャンバで囲う。
さらに、ロードロック機構は、その内部の雰囲気の温度を調整し、必要に応じてその内部の雰囲気を置換する。
露光装置２には、さらに、ウェハステージ１８にウェハＷを送り込む前にウェハＷの位置合わせを行うプリアライメント装置１９、露光処理前のウェハＷをインラインインステーション１６が設けられる。
露光装置２には、さらに、手動搬入搬出ポート１７からプリアライメント装置１９に搬入するウェハ搬送ハンド２０、プリアライメント後のウェハＷをウェハステージ１８に供給するウェハ供給ハンド２１が設けられる。
露光装置２には、さらに、露光処理後のウェハＷを回収ステーション２２まで搬送するウェハ回収ハンド２３、回収ステーション２２から熱処理装置２４へウェハＷを搬送するウェハ回収ハンド２５等が設けられる。
インラインインステーション１６には、オーバーレイ精度を向上するためにレジスト塗布後のウェハＷを露光装置２内の空間温度と等しくし、温度差によるウェハＷの形状の伸び等の変化を防ぐための不図示のウェハ温度調整手段を備えている。
熱処理装置２４には、露光後のウェハＷのＰＥＢ処理を行うための加熱・冷却機能が備えられる。
また、ＰＥＢ処理を行うため、熱的に他の処理部と遮断する必要がある。
このため、熱処理装置２４は、発熱の問題を考慮して、露光空間に影響の無いように、ウェハＷの受け渡しをするロードロック機構を備えたチャンバ２４ａで囲われ、熱処理装置２４と露光される空間とが分離される。
チャンバ２４ａの内部の雰囲気を調節するための図示されない温度調節装置、さらに、チャンバ２４ａの内部の雰囲気を置換する図示されない装置を備える。
熱処理装置をウェハの受け渡しをするためのロードロック機構をチャンバで囲う。
さらに、ロードロック機構は、その内部の雰囲気の温度を調整し、必要に応じてその内部の雰囲気を置換する。
次に、図１を参照して、上記の本実施例１の露光装置を有する半導体製造システムにおけるウェハ処理の流れを説明する。
パターンを露光するウェハＷがコータ・デベロッパ１に搬入されると、コータ・デベロッパ１のレジスト塗布部５においてウェハＷにレジストが塗布される。
その後、加熱部６においてウェハＷを加熱してプリベークし、冷却部７でウェハＷを冷却する。
冷却されたウェハＷはインターフェース部３を介して露光装置２のインラインインステーション１６に搬入される。
搬入されたウェハＷはインラインインステーション１６でウェハＷの面内温度を均一、かつ露光空間の温度と等しくなるように温度調節が行われる。
次に、ウェハＷはウェハ搬送ハンド２０により、プリアライメント装置１９へ搬入され、ウェハＷの位置合わせが行われる。
プリアライメントされたウェハＷはウェハ供給ハンド２１により、ウェハステージ１８に搬入され、アライメント処理が行われた後、パターンが露光される。
露光が終了したウェハＷはウェハ回収ハンド２３により、ウェハ回収ステーション２２に搬送される。
次にウェハＷはウェハ回収ハンド２５により、熱処理装置２４に搬送される。
パターンを露光するウェハＷがコータ・デベロッパ１に搬入されると、コータ・デベロッパ１のレジスト塗布部５においてウェハＷにレジストが塗布される。
その後、加熱部６においてウェハＷを加熱してプリベークし、冷却部７でウェハＷを冷却する。
冷却されたウェハＷはインターフェース部３を介して露光装置２のインラインインステーション１６に搬入される。
搬入されたウェハＷはインラインインステーション１６でウェハＷの面内温度を均一、かつ露光空間の温度と等しくなるように温度調節が行われる。
次に、ウェハＷはウェハ搬送ハンド２０により、プリアライメント装置１９へ搬入され、ウェハＷの位置合わせが行われる。
プリアライメントされたウェハＷはウェハ供給ハンド２１により、ウェハステージ１８に搬入され、アライメント処理が行われた後、パターンが露光される。
露光が終了したウェハＷはウェハ回収ハンド２３により、ウェハ回収ステーション２２に搬送される。
次にウェハＷはウェハ回収ハンド２５により、熱処理装置２４に搬送される。
次に、熱処理装置２４でのＰＥＢ処理を説明する。
ウェハ搬入前の熱処理装置２４のロードロック内雰囲気温度はロードロック機構を開けた際に露光空間温度に影響を与えないように露光空間内温度と等しくなるように調節される。
ウェハ回収ステーション２２からウェハＷの搬送が開始されると、露光装置２側のロードロック機構の扉が開き、熱処理装置２４上にウェハＷが搬入される。
ウェハ回収ハンド２５の退避後、露光装置２側の扉は閉められ、ＰＥＢ処理である加熱・冷却処理が行われる。
ＰＥＢ処理後、インターフェース部３側の扉が開き、インターフェース部３のウェハ搬送ハンド１５によりウェハアウトステーション１３へ搬送される。
露光装置２よりインターフェース部３へ搬出されたウェハＷはコータ・デベロッパ１の第３の搬送手段であるウェハ搬送ハンド１１により現像部８に搬送され、現像処理が行われる。
その後、ウェハＷは、加熱処理部９、冷却処理部１０を経てコータ・デベロッパ１から搬出される。
ウェハ搬入前の熱処理装置２４のロードロック内雰囲気温度はロードロック機構を開けた際に露光空間温度に影響を与えないように露光空間内温度と等しくなるように調節される。
ウェハ回収ステーション２２からウェハＷの搬送が開始されると、露光装置２側のロードロック機構の扉が開き、熱処理装置２４上にウェハＷが搬入される。
ウェハ回収ハンド２５の退避後、露光装置２側の扉は閉められ、ＰＥＢ処理である加熱・冷却処理が行われる。
ＰＥＢ処理後、インターフェース部３側の扉が開き、インターフェース部３のウェハ搬送ハンド１５によりウェハアウトステーション１３へ搬送される。
露光装置２よりインターフェース部３へ搬出されたウェハＷはコータ・デベロッパ１の第３の搬送手段であるウェハ搬送ハンド１１により現像部８に搬送され、現像処理が行われる。
その後、ウェハＷは、加熱処理部９、冷却処理部１０を経てコータ・デベロッパ１から搬出される。
以上のように、本実施例１の露光装置２内でＰＥＢ処理までを行うことにより、露光終了からＰＥＢ処理までの時間が一定となる。
また、インターフェース部３とコータ・デベロッパ１の間でウェハの受渡しを行う専用の第３の搬送手段であるウェハ搬送ハンド１１を設ける。
これにより、インターフェース部３のウェハアウトステーション１３上や露光装置２の熱処理装置２４でウェハが待機状態になることを防止し、全体の処理時間が最短になる。
この結果、現像後のパターンの像性能劣化およびパターン線幅のばらつきを防止する。
また、インターフェース部３とコータ・デベロッパ１の間でウェハの受渡しを行う専用の第３の搬送手段であるウェハ搬送ハンド１１を設ける。
これにより、インターフェース部３のウェハアウトステーション１３上や露光装置２の熱処理装置２４でウェハが待機状態になることを防止し、全体の処理時間が最短になる。
この結果、現像後のパターンの像性能劣化およびパターン線幅のばらつきを防止する。
次に、図２を参照して、本発明の実施例２の露光装置を有する半導体製造システムを説明する。
本実施例２の露光装置を有する半導体製造システムは基本的に図１の半導体製造システムの構成と同様の構成である。
コータ・デベロッパ２６では、本実施例１における第３の搬送手段であるウェハ搬送ハンド１１が削除され、熱処理装置３３が構成される。
インターフェース部２８はコータ・デベロッパ２６と露光装置２７との間でウェハＷの受渡しを行うウェハステーション３７、露光装置とウェハＷの受渡しを行う搬送ハンド３８がそれぞれ１つ構成されている。
本実施例２の露光装置２７は、ウェハＷに対するレジストの塗布およびウェハＷに塗布されたレジストの現像を行う塗布現像装置であるコータ・デベロッパ２６との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェース部２８を有する。
以上の構成により、ウェハＷに塗布されたレジストを露光する。
さらに、露光装置２７は、ウェハＷの露光後かつレジストの現像前のウェハＷに塗布されたレジストを加熱処理する熱処置部である熱処理装置３３を有する。
さらに、露光装置２７の熱処理装置３３は、ウェハＷに塗布されたレジストを、加熱処理した後に冷却する。
さらに、露光装置２７の熱処理装置３３は、ロードロック機構を有する。
さらに、露光装置２７は、塗布現像装置であるコータ・デベロッパ２６との間でウェハＷの受け渡しを行うためのインターフェース部２８を有する。
このインターフェース部２８は、露光前のウェハＷを搬入するための第１の搬送手段であるウェハ搬送ハンド４３と、熱処理装置３３により加熱処理されたウェハＷを搬出するための第２の搬送手段であるウェハ搬送ハンド２９とを有する、
本実施例２の露光装置２７では、本実施例１のＰＥＢ処理を行う熱処理装置２４、ウェハ回収ハンド２５が削除されている。
また、露光装置２７には各処理部でのウェハＷの処理状況の情報を集めて露光処理終了時期を算出し、ＰＥＢ処理までの時間が一定かつ最短になるようにコータ・デベロッパへＰＥＢ処理の開始時間の指令を行うプロセス制御部４７を備える。
また、コータ・デベロッパ２６と露光装置２７の間ではウェハＷの処理状況等の各種情報をやり取りする通信手段５１を備える。
本実施例２の露光装置を有する半導体製造システムは基本的に図１の半導体製造システムの構成と同様の構成である。
コータ・デベロッパ２６では、本実施例１における第３の搬送手段であるウェハ搬送ハンド１１が削除され、熱処理装置３３が構成される。
インターフェース部２８はコータ・デベロッパ２６と露光装置２７との間でウェハＷの受渡しを行うウェハステーション３７、露光装置とウェハＷの受渡しを行う搬送ハンド３８がそれぞれ１つ構成されている。
本実施例２の露光装置２７は、ウェハＷに対するレジストの塗布およびウェハＷに塗布されたレジストの現像を行う塗布現像装置であるコータ・デベロッパ２６との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェース部２８を有する。
以上の構成により、ウェハＷに塗布されたレジストを露光する。
さらに、露光装置２７は、ウェハＷの露光後かつレジストの現像前のウェハＷに塗布されたレジストを加熱処理する熱処置部である熱処理装置３３を有する。
さらに、露光装置２７の熱処理装置３３は、ウェハＷに塗布されたレジストを、加熱処理した後に冷却する。
さらに、露光装置２７の熱処理装置３３は、ロードロック機構を有する。
さらに、露光装置２７は、塗布現像装置であるコータ・デベロッパ２６との間でウェハＷの受け渡しを行うためのインターフェース部２８を有する。
このインターフェース部２８は、露光前のウェハＷを搬入するための第１の搬送手段であるウェハ搬送ハンド４３と、熱処理装置３３により加熱処理されたウェハＷを搬出するための第２の搬送手段であるウェハ搬送ハンド２９とを有する、
本実施例２の露光装置２７では、本実施例１のＰＥＢ処理を行う熱処理装置２４、ウェハ回収ハンド２５が削除されている。
また、露光装置２７には各処理部でのウェハＷの処理状況の情報を集めて露光処理終了時期を算出し、ＰＥＢ処理までの時間が一定かつ最短になるようにコータ・デベロッパへＰＥＢ処理の開始時間の指令を行うプロセス制御部４７を備える。
また、コータ・デベロッパ２６と露光装置２７の間ではウェハＷの処理状況等の各種情報をやり取りする通信手段５１を備える。
次に、図２を参照して、上述の本実施例２の露光装置を有する半導体製造システムにおいてのウェハＷの処理の流れを説明する。
パターンを露光するウェハＷがコータ・デベロッパ２６に搬入されると、コータ・デベロッパ２６のレジスト塗布部３０においてウェハＷにレジストが塗布される。
その後、加熱部３１においてウェハＷを加熱してプリベークし、冷却部３２でウェハＷを冷却する。
冷却されたウェハＷはインターフェース部２８を介して露光装置２７のインラインステーション３９（ＩＮ側）に搬入される。
露光装置２７のプロセス制御部４７では予め、露光するレイアウト等のプロセス情報からウェハＷの露光が終了し、搬出される時期を算出する。
ただし、算出結果は以降の露光処理が滞りなく行われた場合の時期、すなわちデフォルト値となる。
前記搬出時期を基にプロセス制御部４７ではＰＥＢ処理の開始時期を算出し、通信手段５１を介して、コータ・デベロッパ２６の制御部２６ａへ通知する。
搬入されたウェハＷはインラインステーション３９でウェハＷの温度が露光空間の温度と等しくなるように調節される。
パターンを露光するウェハＷがコータ・デベロッパ２６に搬入されると、コータ・デベロッパ２６のレジスト塗布部３０においてウェハＷにレジストが塗布される。
その後、加熱部３１においてウェハＷを加熱してプリベークし、冷却部３２でウェハＷを冷却する。
冷却されたウェハＷはインターフェース部２８を介して露光装置２７のインラインステーション３９（ＩＮ側）に搬入される。
露光装置２７のプロセス制御部４７では予め、露光するレイアウト等のプロセス情報からウェハＷの露光が終了し、搬出される時期を算出する。
ただし、算出結果は以降の露光処理が滞りなく行われた場合の時期、すなわちデフォルト値となる。
前記搬出時期を基にプロセス制御部４７ではＰＥＢ処理の開始時期を算出し、通信手段５１を介して、コータ・デベロッパ２６の制御部２６ａへ通知する。
搬入されたウェハＷはインラインステーション３９でウェハＷの温度が露光空間の温度と等しくなるように調節される。
次に、ウェハＷはウェハ搬送ハンド４３により、プリアライメント装置４２へ搬入され、ウェハＷの位置合わせが行われる。
プリアライメントされたウェハＷはウェハ供給ハンド４４により、ウェハステージ４１に搬入され、アライメント処理が行われた後、所望のパターンが露光される。
露光が終了したウェハＷはウェハ回収ハンド４６により、ウェハ回収ステーション４５に搬送される。
次に、ウェハＷはウェハ搬送ハンド４３により、インラインステーション３９（ＯＵＴ側）に搬送される。
上記のウェハＷの搬入から露光終了までの処理中にリトライ処理が発生した場合、初めにコータ・デベロッパ２６へ通知したＰＥＢ処理の開始時期では処理が行えない場合がある。
よって、露光装置２７の各処理部では、リトライ処理が行われる際にプロセス処理部４７へその旨を通知し、プロセス制御部４７では受け取った通知を基に再度、ＰＥＢ処理の開始時期を算出し、コータ・デベロッパ２６へ通知する。
露光装置２７では、ＰＥＢ処理の開始時期の再計算、及びコータ・デベロッパ２６への通知を繰り返すことにより最適なＰＥＢ処理の開始時期の管理を行う。
プリアライメントされたウェハＷはウェハ供給ハンド４４により、ウェハステージ４１に搬入され、アライメント処理が行われた後、所望のパターンが露光される。
露光が終了したウェハＷはウェハ回収ハンド４６により、ウェハ回収ステーション４５に搬送される。
次に、ウェハＷはウェハ搬送ハンド４３により、インラインステーション３９（ＯＵＴ側）に搬送される。
上記のウェハＷの搬入から露光終了までの処理中にリトライ処理が発生した場合、初めにコータ・デベロッパ２６へ通知したＰＥＢ処理の開始時期では処理が行えない場合がある。
よって、露光装置２７の各処理部では、リトライ処理が行われる際にプロセス処理部４７へその旨を通知し、プロセス制御部４７では受け取った通知を基に再度、ＰＥＢ処理の開始時期を算出し、コータ・デベロッパ２６へ通知する。
露光装置２７では、ＰＥＢ処理の開始時期の再計算、及びコータ・デベロッパ２６への通知を繰り返すことにより最適なＰＥＢ処理の開始時期の管理を行う。
前述の処理は主に１枚目のウェハの処理について説明したが、２枚目以降の処理について、以下説明する。
１枚目のウェハがウェハ搬送ハンド４３によりプリアライメント装置４２へ搬入されると同ウェハ搬送ハンド４３がインラインステーション（ＩＮ側）からウェハを受け取り、再度プリアライメント装置の前へ移動する。
このとき、１枚目のウェハのプリアライメント終了より２枚目のウェハが移動する方が早いので、２枚目のウェハはΔｔ１[ｓｅｃ]待機することになる。
次に、１枚目のウェハがウェハステージ４１へ搬入され、２枚目のウェハのプリアライメントが行われる。
ここでも１枚目のウェハの露光処理終了よりも２枚目のウェハのプリアライメント終了が早いので、２枚目のウェハはウェハ供給ハンド４４上でΔt２[sec]待機することになる。
１枚目のウェハがウェハ搬送ハンド４３によりプリアライメント装置４２へ搬入されると同ウェハ搬送ハンド４３がインラインステーション（ＩＮ側）からウェハを受け取り、再度プリアライメント装置の前へ移動する。
このとき、１枚目のウェハのプリアライメント終了より２枚目のウェハが移動する方が早いので、２枚目のウェハはΔｔ１[ｓｅｃ]待機することになる。
次に、１枚目のウェハがウェハステージ４１へ搬入され、２枚目のウェハのプリアライメントが行われる。
ここでも１枚目のウェハの露光処理終了よりも２枚目のウェハのプリアライメント終了が早いので、２枚目のウェハはウェハ供給ハンド４４上でΔt２[sec]待機することになる。
１枚目のウェハの露光処理が終了し、ウェハ回収ハンド４６により搬出されると、２枚目のウェハはウェハステージ４１へ搬入され露光処理が開始される。
よって、２枚目のウェハの露光終了時期はＤｅｆａｕｌｔ値から(Δｔ１＋Δｔ２)[ｓｅｃ]遅延する。
さらに、１枚目のウェハが露光処理等でリトライ処理を行った場合には待機時間が延び(Δt１'＋Δt２')[sec]となる。
さらに、２枚目のウェハのいずれかの処理中にリトライ処理が行われた場合には露光終了時間の遅延は(Δｔ１‘＋Δｔ２’＋Δｔ３)[ｓｅｃ]となる。
露光装置のプロセス制御部４７はこの遅延を考慮して再度ＰＥＢ処理開始時期を算出し、コータ・デベロッパ２６の制御部へ通知する。
同様に、３枚目以降のＮ枚目のウェハは各処理部での待機時間の和ΔＴ１とＮ枚目のウェハのリトライ処理による遅延ΔＴ２を基に随時、ＰＥＢ処理の開始時期の更新を行う。
よって、２枚目のウェハの露光終了時期はＤｅｆａｕｌｔ値から(Δｔ１＋Δｔ２)[ｓｅｃ]遅延する。
さらに、１枚目のウェハが露光処理等でリトライ処理を行った場合には待機時間が延び(Δt１'＋Δt２')[sec]となる。
さらに、２枚目のウェハのいずれかの処理中にリトライ処理が行われた場合には露光終了時間の遅延は(Δｔ１‘＋Δｔ２’＋Δｔ３)[ｓｅｃ]となる。
露光装置のプロセス制御部４７はこの遅延を考慮して再度ＰＥＢ処理開始時期を算出し、コータ・デベロッパ２６の制御部へ通知する。
同様に、３枚目以降のＮ枚目のウェハは各処理部での待機時間の和ΔＴ１とＮ枚目のウェハのリトライ処理による遅延ΔＴ２を基に随時、ＰＥＢ処理の開始時期の更新を行う。
なお、各処理部での待機時間はプロセス制御部により各処理の開始時期を管理する等により求められる。
各処理部でのリトライ処理による遅延は各処理部からプロセス制御部４７へリトライ処理が行われたことを通信手段５１により通知し、プロセス制御部４７が、予め処理遅延時間データ等を保持し、それを参照することにより求める。
露光装置２７よりインターフェース部２８へ搬出されたウェハはコータ・デベロッパ２６のウェハ搬送ハンド２９により熱処理装置３３に搬送され、ここでＰＥＢ処理のために再度、加熱された後に冷却される。
この際、コータ・デベロッパ２６のウェハ搬送ハンド２９は露光装置２７より通知されたＰＥＢ処理の開始時期に従いインターフェース部２８からウェハＷを受け取り、熱処理装置３３へウェハＷを搬送する。
ここで、図２の実施例２の露光装置を有する半導体製造システムではコータ・デベロッパ２６に搬送ハンドは１つ設けられるが、インターフェース部２８から熱処理装置３３へ搬送する専用の図示されない第３の搬送手段である搬送ハンドを設けても良い。
この場合には、現像処理等のＰＥＢ処理以外と並列処理し、コータ・デベロッパ２６側のスループットの低下を防ぐ。
ＰＥＢ処理後、ウェハＷは現像部３４にて現像処理が行われ、加熱処理部３５、冷却処理部３６を経てコータ・デベロッパ２６から搬出される。
各処理部でのリトライ処理による遅延は各処理部からプロセス制御部４７へリトライ処理が行われたことを通信手段５１により通知し、プロセス制御部４７が、予め処理遅延時間データ等を保持し、それを参照することにより求める。
露光装置２７よりインターフェース部２８へ搬出されたウェハはコータ・デベロッパ２６のウェハ搬送ハンド２９により熱処理装置３３に搬送され、ここでＰＥＢ処理のために再度、加熱された後に冷却される。
この際、コータ・デベロッパ２６のウェハ搬送ハンド２９は露光装置２７より通知されたＰＥＢ処理の開始時期に従いインターフェース部２８からウェハＷを受け取り、熱処理装置３３へウェハＷを搬送する。
ここで、図２の実施例２の露光装置を有する半導体製造システムではコータ・デベロッパ２６に搬送ハンドは１つ設けられるが、インターフェース部２８から熱処理装置３３へ搬送する専用の図示されない第３の搬送手段である搬送ハンドを設けても良い。
この場合には、現像処理等のＰＥＢ処理以外と並列処理し、コータ・デベロッパ２６側のスループットの低下を防ぐ。
ＰＥＢ処理後、ウェハＷは現像部３４にて現像処理が行われ、加熱処理部３５、冷却処理部３６を経てコータ・デベロッパ２６から搬出される。
以上のように、本実施例２の露光装置２側でＰＥＢ処理の開始時期を管理することにより、露光終了からＰＥＢ処理までの時間を一定、かつ最短にし、現像後のパターンの像性能劣化およびパターン線幅のばらつきを防止する。
ただし、露光の終了時期はアライメント等のリトライ処理により露光処理中に変化するため、これらの処理が行われた場合には、再度、ＰＥＢ処理の開始時期を算出し、通知する必要がある。
ただし、露光の終了時期はアライメント等のリトライ処理により露光処理中に変化するため、これらの処理が行われた場合には、再度、ＰＥＢ処理の開始時期を算出し、通知する必要がある。
次に、図３及び図４を参照して、上述の露光装置を用いたデバイス製造方法の実施例を説明する。
図３は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップＳ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップＳ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップＳ６（検査）では、ステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。
図３は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップＳ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップＳ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップＳ６（検査）では、ステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。
図４は、ステップ４の上はプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップＳ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップＳ１３（電極形成）では、ウェハに電極を形成する。
ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップＳ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップＳ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップＳ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
ステップＳ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップＳ１３（電極形成）では、ウェハに電極を形成する。
ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップＳ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップＳ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップＳ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
１, ２６ コータ・デベロッパ ２, ２７ 露光装置
３, ２８ インターフェース部 ４, ２９ ウェハ搬送ハンド
５, ３０ レジスト塗布部 ６, ９, ３１, ３５ 加熱部
７, １０, ３２, ３６ 冷却部 ８, ３４ 現像部
１１ ウェハ搬送ハンド
１２ ウェハインステーション １３ ウェハアウトステーション
１４, １５, ３８ ウェハ搬送ハンド
１６ インラインインステーション １７, ４０ 手動搬入搬出ポート部
１８, ４１ ウェハステージ １９, ４２ プリアライメント装置
２０, ４３ 露光装置のウェハ搬送ハンド
２１, ４４ ウェハ供給ハンド ２２, ４５ ウェハ回収ステーション
２３, ４６ ウェハ回収ハンド ２４、３３ 熱処理装置
２５ ウェハ回収ハンド２
３７ ウェハステーション ３９ インラインステーション
４７ プロセス制御部
３, ２８ インターフェース部 ４, ２９ ウェハ搬送ハンド
５, ３０ レジスト塗布部 ６, ９, ３１, ３５ 加熱部
７, １０, ３２, ３６ 冷却部 ８, ３４ 現像部
１１ ウェハ搬送ハンド
１２ ウェハインステーション １３ ウェハアウトステーション
１４, １５, ３８ ウェハ搬送ハンド
１６ インラインインステーション １７, ４０ 手動搬入搬出ポート部
１８, ４１ ウェハステージ １９, ４２ プリアライメント装置
２０, ４３ 露光装置のウェハ搬送ハンド
２１, ４４ ウェハ供給ハンド ２２, ４５ ウェハ回収ステーション
２３, ４６ ウェハ回収ハンド ２４、３３ 熱処理装置
２５ ウェハ回収ハンド２
３７ ウェハステーション ３９ インラインステーション
４７ プロセス制御部
Claims (8)
- ウェハに対するレジストの塗布および前記ウェハに塗布されたレジストの現像を行う塗布現像装置との間で前記ウェハの受け渡しを行い、前記ウェハに塗布されたレジストを露光する露光装置であって、
前記ウェハの露光が終了する第１の時刻に基づき、前記ウェハの露光後かつ前記レジストの現像前に前記塗布現像装置において行われる加熱処理を開始させるべき第２の時刻を算出し、
前記第２の時刻の情報を前記塗布現像装置に送信する、
ことを特徴とする露光装置。 - ショットレイアウトの情報に基づいて前記第１の時刻を算出する、
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 前記ウェハの露光のための各処理の開始時刻の情報に基づいて前記第１の時刻を算出する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。 - ウェハに対するレジストの塗布および前記ウェハに塗布されたレジストの現像を行う塗布現像装置との間で前記ウェハの受け渡しを行うインターフェース部を有し、前記ウェハに塗布されたレジストを露光する露光装置であって、
前記ウェハの露光後かつ前記レジストの現像前の前記ウェハに塗布されたレジストを加熱処理する熱処置部を有する、
ことを特徴とする露光装置。 - 前記熱処置部は、前記ウェハに塗布されたレジストを、加熱処理した後に冷却する、
ことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。 - 前記熱処置部は、ロードロック機構を有する、
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の露光装置。 -
前記塗布現像装置との間で前記ウェハの受け渡しを行うためのインターフェース部を有し、
前記インターフェース部は、露光前のウェハを搬入するための第１の搬送手段と、前記熱処理部により加熱処理されたウェハを搬出するための第２の搬送手段とを有する、
ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の露光装置。 - 請求項１乃至７のいずれかに記載の露光装置を用いてウェハを露光する工程と、
該露光されたウェハを現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (1)
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