JP2002083756A - 基板温調装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 搬入されてくるウエハなどの基板の温度に対
して、適正な処理時間で基板の温調を行う。 【解決手段】 基板の温調を行うための温調手段１と、
該温調手段１に含まれるプレート２の温度を計測する温
度計測手段としての温度センサ５と、計測した該プレー
ト２の温度に基いて基板としてのウエハ６の温度調整時
間を決定し、温度センサ５によるプレート２の温度計測
結果に基いてウエハ６の初期温度を推測し、ウエハ６を
プレート２上に載置してから一定時間後の該プレート２
の温度に基いて、一定時間後からの該ウエハ６の温度調
整時間を決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造システ
ムにおいて、ウエハなどの基板温度を対象として、ある
一定温度に温度管理を行う基板温調装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】一般に半導体製造システムでは、複数の
処理をウエハなどの基板に行うことにより半導体が製造
されており、各々の処理において、各々の処理に適する
温度に温度管理された状態で処理が行われている。しか
しながら、装置の処理温度はそれぞれの処理で異なるた
め、各々の処理装置および搬送中にウエハの温度を管理
する必要性が出てきている。

【０００３】特に半導体露光装置において、ウエハに不
均一な熱分布があると、ウエハに熱ひずみが発生し、い
くら投影光学系の解像力が良くても所望の線幅に露光で
きない、重ね合わせの精度が上がらないといった問題点
が出てくるので、ウエハの温度管理を行わなくてはいけ
ない。

【０００４】そこで、従来のウエハ温調の方法として、
搬入されてくるウエハの温度に対して、ウエハの温調時
間を設定し、ウエハを一定時間だけウエハ温調プレート
に載置することによりウエハの温度管理を行っている。

【０００５】また実際にウエハの温度をモニタし、ウエ
ハの温度がある一定の範囲内に入った段階でウエハの温
調を終了させ、ウエハの温度管理を行う方法もある。そ
れにより半導体ウエハの面内に生ずる温度差を低減させ
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の温調手段のように、基板をある一定の温調時間だけ
温調する方法では、ウエハの温度にばらつきが有り、ウ
エハの目標温度範囲よりも低い温度のウエハが搬入され
てくると、必要以上にウエハの温調を行ってしまい、必
要以上に基板を温調している時間だけ装置全体の処理速
度が低下してしまう。また、ウエハの目標温度範囲より
も高い温度のウエハが搬入されてくると、ウエハの温調
時間が足りずに、十分温調できていないウエハを処理し
てしまうので、装置として精度が出ないといった問題が
生じてしまう。

【０００７】また、ウエハの温度をモニタし、ウエハの
温度がある一定の温度範囲内に入った段階でウエハの温
調を終了させる方法では、ウエハの温度モニタを行う方
法が大変困難になってくる。接触式の温度センサでは、
ウエハ裏面をプレートと接触またはギャップ管理された
ウエハ温調ユニットの構成上、ウエハに温度センサを接
触させることは大変難しくなってくる。非接触式の温度
計では、ウエハの必要温度計測精度を得ることが難しく
なってくる。また基板温調ユニットをウエハの温度計に
設けることにより、装置自体の大きさも大きくなってし
まう。

【０００８】上記のような課題がでてきたため、本発明
の目的は、搬入されてくるウエハなどの基板の温度に対
して、適正な処理時間で基板の温調を行う基板温調装置
を提供することにある。つまり、本発明の目的は、基板
をある一定の温度に温度制御を行う基板温調装置におい
て、ある一定時間後における温調手段のプレートなどの
温度を計測し、この計測温度により基板の温調時間を決
めて温調を行い、処理速度および温調性能を向上させる
ことにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本出願に係る第１の発明は、基板の温調を行うため
の温調手段と、該温調手段の温度を計測する温度計測手
段とを備え、計測した該温調手段の温度に基いて前記基
板の温度調整時間を決定していくことを特徴とする基板
温調装置に関するものである。請求項２に記載の発明で
は、前記温度計測手段による前記温調手段の温度計測結
果に基いて前記基板の初期温度を推測することを特徴と
する。

【００１０】請求項３に記載の発明では、前記基板を前
記温調手段上に載置してから一定時間後の該温調手段の
温度に基いて、一定時間後からの該基板の温度調整時間
を決定していくことを特徴とする。

【００１１】

【作用】本発明に係る基板温調装置は、基板の温調を行
う際、基板を温調手段に含まれるプレート等の上に載置
してからある一定時間後の該プレートの温度を計測し、
この時のプレートの温度により搬入されてきた基板の温
度を推測し、温調時間を決め、基板の温調を終了させ基
板の搬送を行うので、搬入されてくる基板の温度にばら
つきがあるとき、基板を一定時間温調する方法よりも確
実に温調した基板を装置内に搬入することができる。ま
た基板の温度モニタをなくすことができるので基板温調
ユニットの必要スペースを小さくすることができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態としては、ウ
エハをある一定の温度に温度管理を行う均熱層、ペルチ
ェ素子層、および放熱層からなる温調プレートにおい
て、３本ピン上に搬入されたウエハをプレート上に載置
してウエハの温調を行う時、プレートの温度をモニタ
し、一定時間後のプレートの温度からウエハの温調時間
を決定し、温調時間経過後に３本ピンを上昇させて、ウ
エハを搬出位置まで移動させることが好ましい。また、
本発明に係る基板温調装置は、温調手段および温度計測
手段が、原版のパターンを基板に露光する露光装置に設
けられていることを特徴としてもよい。

【００１３】

【実施例】［実施例１］以下、図面により本発明の実施
例を説明する。図１は、本発明の第１の実施例に係る基
板温調装置の側面図を示す。この実施例において、図１
に示すように、基板温調装置は、温調手段１を備えてい
て、搬入されてくる基板としてのウエハ６の温度管理を
該温調手段１により行っている。温調手段１は、三層構
造になっており、載置されるウエハ６に係合する一番上
の層としてプレート２、真ん中の層としてベルチェ３、
および一番下の層として放熱層４を備えて構成され、温
調プレート設置台１７上に設置されており、プレート２
の中に温度センサ５が埋め込まれている。

【００１４】また、基板温調装置は、温調手段１を貫通
している３本ピン７と、温調手段１の下方にあって該３
本ピン７を支持しているピン支持台８とを有しており、
３本ピン７を支持しているピン支持台８は、リニアガイ
ド１０でガイドされながらボールネジ９をモータ１１で
回転させることにより、３本ピンが矢印Ａで示すように
上下動し、３本ピンは上端がプレート２の上面に対し出
没自在に上下方向の位置調整可能になっている。

【００１５】そして、基板温調装置は、図示されていな
い基板搬送装置により３本ピン７上に、矢印Ｂの方向に
従って搬入されたウエハ６をこの３本ピン上下動駆動に
より、３本ピン７の上端が温調手段１のプレート２より
下方に位置するように下降させて、温調手段１のプレー
ト２上にウエハ６を載置し、また温調の終了したウエハ
６を温調手段１より下方に待機している３本ピン７を上
昇させることにより、前述の基板搬送装置の搬送位置ま
でウエハ６を運ぶことができる。

【００１６】この実施例では、３本ピン７を温調手段１
より下方に下降させ、温調手段１のプレート２の上にウ
エハ６を載置してウエハ６の温調を行っているが、３本
ピン７を温調手段１より下方に下降させず、微少な隙間
でウエハ６が温調手段１上に保持されるように、３本ピ
ン７を駆動させてウエハ６の温調を行ってもよい。

【００１７】温調手段１の温調の方法としては、ウエハ
６の温調を温調手段１が行っていないときは、プレート
２上の温度が一定な温度になるように、温度センサ５の
出力温度が設定温度になるように、ペルチェ層に組み込
まれていてペルチェ効果を有するペルチェ３に流す電流
値をＰＩＤ制御などによって制御を行う。ペルチェ３は
ペルチェ層に間隔を置き複数箇所にまばらに配置されて
いる。

【００１８】また、温調手段１は、ペルチェ３のプレー
ト２に接している反対側に放熱層４を設け、ペルチェ３
より下方に排出される熱が、放熱層４内に組み込まれて
いる放熱管１２内に流されている流体により、該温調手
段１の外部に排出される。また、温調手段１は、ペルチ
ェ層の上にプレート２を配置することによって、ペルチ
ェ３がペルチェ層に間隔を置きまばらに配置されたこと
による不均一な熱分布をなくすことができる。このこと
により温調手段１はペルチェ層に流す電流値を制御する
ことにより、プレート２の面上を一定の均一な温度に制
御することができる。

【００１９】温調手段１のウエハ６の温調方法として
は、以下の通りである。図示されていない基板搬送装置
により３本ピン７上に搬入されたウエハ６を、３本ピン
７を下降させることにより、温調手段１のプレート２上
に載置を行う。この時ウエハ６をプレート２に面接触さ
せてもよいが、プレート２上に微少なピンを配置してウ
エハ６とプレート２の間に微少なギャップが生じるよう
にしてもよいし、またはプレート２上にプロキシミティ
ボールを設けて、該プロキシミティボールによりウエハ
６を支持して、ウエハ６とプレート２の間に微少なギャ
ップが生じるようにしてもよい。

【００２０】ウエハ６がプレート２上に載置されること
により、ウエハ６の熱量Ｑは徐々にプレート２に伝わり
プレート２の温度を上昇させ、プレート２の温度上昇に
伴うプレート２の中に埋め込まれた温度センサ５の温度
上昇に対して温度センサ５の温度が一定になるようにペ
ルチェ３に流す電流値をＰＩＤ制御して、ペルチェ３が
プレート２の熱を奪っていくことにより、プレート２ご
とウエハ６の温度を目標温度に収束させていく。

【００２１】その時のウエハ６およびプレート２の温度
変化は図２に示すグラフのようになっていく。このグラ
フは横軸が時間、縦軸が温度となっており、横軸のｔ＝
０のところが温調手段１のプレート２の上にウエハ６を
載置した瞬間となっている。縦軸のＴ０がウエハの目標
温度およびプレート２のウエハ載置瞬間の初期温度とな
っており、搬入されてきたウエハ６の温度をＴｗ１とす
る。ウエハ６がプレート２に載置された後、ウエハ６の
熱がプレート２に徐々に移り、ｔ＝ｔ１秒後にプレート
２の温度が最高温度Ｔｐまで上り、プレート２の温度と
ウエハ６の温度は徐々に下がっていく。ウエハ６の温度
が目標温度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ度以内になるまでの経過時
間ｔ＝ｔｍ秒より長くプレート２上に載置すれば、ウエ
ハ６の温調を終了することができる。

【００２２】このようなプレート２の温度変化は、ウエ
ハ６の初期温度Ｔｗ１、プレート２の初期温度Ｔ０、ウ
エハ６とプレート２間の熱伝達、プレート２の下面から
のペルチェ３の吸熱などにより一意に決まってくる。す
なわちウエハ６をプレート２上に載置してからｔａ秒後
のプレート２の温度Ｔｐａを計測することにより、プレ
ート２の温度変化が一意に推測され、プレート２の温度
変化のグラフにより、ウエハ６の温度Ｔｗ１を推測する
ことができ、ウエハ６が目標温度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ度以
内になるまでの時間ｔｍを決定することができる。

【００２３】ウエハ６の温度Ｔｗ１’（＜Ｔｗ１）がウ
エハ６上に載置されたその時のウエハ６およびプレート
２の温度変化は図３に示すようになっていて、ウエハ６
の温度がＴｗ１のときと同様なことが言える。ウエハ６
の載置時間ｔ＝０のとき、ウエハ温度＝Ｔｗ１’および
プレート温度＝Ｔ０となっている。ウエハ６がプレート
２に載置されて後、ウエハ６の熱がプレート２に徐々に
移り、ｔ＝ｔ１’秒後にプレート２の温度が最高温度Ｔ
Ｐ’まで上り、プレート２の温度とウエハ６の温度は徐
々に下がっていく。ウエハ６の温度が目標温度範囲Ｔ０
±Ｔｗｍ度以内になるまでの時間はウエハ６の温度がＴ
ｗ１度であるときよりも短く、ｔ＝ｔｍ’秒後に目標温
度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ度以内になる。

【００２４】このようなプレート２の温度変化は、前述
と同様にウエハ６の初期温度、プレート２の初期温度、
ウエハ６とプレート２間の熱伝達、プレート２の下面か
らのペルチェ３の吸熱などによりに決定されてくるの
で、ウエハ６が載置されてからｔａ秒後のプレート２の
温度Ｔｐａ’を計測することにより、プレート２の温度
変化が一意に推測され、プレート２の温度変化のグラフ
により、ウエハ６の温度Ｔｗ１’を推測することがで
き、ウエハ６が目標温度範囲Ｔ０±Ｔｗｍ度以内になる
までの時間ｔｍ’を決定することができる。このこと
は、ウエハ６の温度Ｔｗ１がプレート２の初期温度Ｔ０
より低い場合も同じようなことが言え、ウエハをプレー
ト上に載置してから経過した時間ｔａ秒後のプレート２
の温度を計測することにより、ウエハ６の温調時間を一
意に決定することができる。

【００２５】このようにプレート２上にウエハ６を載置
してから一定時間後のプレート２の温度を計測すること
により、ウエハ６の温度を推測することができるので、
最適ウエハ６の温調時間をウエハ毎に決定することがで
き、ウエハ６の処理効率を最大限に上げることができ、
また、確実にウエハ６の温調を行うことができる。

【００２６】この実施例では、ペルチェ方式による冷却
方法を提案したが、プレート２とウエハ６を面接触、ま
たはピン接触、またはプロキシミティボールによるギャ
ップ管理、またはプレート２とウエハ６を微小ギャップ
による近接などにより、ウエハ６の熱をプレート２に伝
えて、プレート２ごとウエハ６の温調を行う方法、例え
ばプレート２内に冷却水を流す方法などでもよい。

【００２７】また、本実施例では、温度センサ５として
プレート制御用の温度センサを用いていたが、プレート
制御用の温度センサとは別に専用の温度センサを設けて
もよい。専用の温度センサをプレート２内の熱的不感帯
に設けることにより、より大きくプレート２の温度変化
を計測することができるので、より正確にウエハ６の温
調を行うことができる。

【００２８】［実施例２］図４は、本発明に係る基板温
調装置が設けられている露光装置を用いた第２の実施例
としての半導体製造システムを示す模式図である。同図
において、１３はウエハを搭載しＸ、Ｙ、Ｚ、θおよび
チルト方向に駆動するウエハステージ、１９はウエハの
プリアライメントを行うプリアライメント部である。

【００２９】３０はウエハにレジストを塗布するコータ
と露光後のウエハを現像するディベロッパを有するコー
ト・ディベロップ装置（以下ＣＤＳと表す）、３１は露
光装置である。露光装置３１は図示しない原版のパター
ンをウエハに露光する。また、３２および３３はインラ
インポート部（３２は第１のポート部、３３は第２のポ
ート部）、２８および２９は手動搬入搬出ポート部であ
り、どのポート部にもロードロック機能を備えている。
ここで、ロードロック機構は、例えば露光装置にウエハ
を搬入する際または露光装置内のウエハを搬出する際
に、ポート部の内部空間を外部と遮断し、ポート部の内
部の雰囲気を露光装置の内部雰囲気とほぼ同様の状態に
するための機構を有する。この場合、ウエハの搬送は、
ポート部の内部空間を外部空間と遮断するため扉を閉
じ、外部と遮断されたポート部の内部雰囲気を露光装置
の内部雰囲気と同様の状態にした後、ポート部と露光装
置との間の扉を開き、ウエハの搬送を行う。なお、ポー
ト部は、ポート部のロードロック機構として、ポート部
の内部空間を外部と遮断する遮断機構（例えば扉）と、
ポート部に内部気体を排気する排気機構（例えばポン
プ）と、ポート部に露光装置の内部雰囲気と同様の気体
を供給する供給機構とを備えている。そのため、インラ
インポート部３２、３３は、インタフェース部３０ｂ，
３０ｃとの間に設けられた扉と、露光装置３１との間に
設けられた扉と、インラインポート部内の気体を排出す
る排気ポンプと、露光装置３１の内部雰囲気と同様の気
体を内部に供給するためにＮ₂ガス供給機構とを有す
る。また、手動搬入搬出ポート部２８、２９は、外部と
の間に設けられた扉と、露光装置３１との間に設けられ
た扉と、手動搬入搬出ポート部２８、２９内の気体を排
出する排気ポンプと、露光装置３１の内部雰囲気と同様
の気体を内部に供給するためにＮ₂ガス供給機構とを有
する。プリアライメント部１９においてはウエハの伸縮
による測定不良を予防するため、所定温度のウエハに対
してプリアライメントを行う。３４は、プリアライメン
トの前にウエハを上記所定温度に調節するための本発明
に係る基板温調装置である。

【００３０】本実施例では、ＣＤＳ３０から露光装置３
１へのウエハの受け渡しを行う第１のインラインポート
部３２に、ウエハの温度制御機構としての加熱部（加熱
器）３２ａおよび冷却部（冷却器）３２ｂが設けられて
おり、露光装置３１からＣＤＳ３０へのウエハの受け渡
しを行う第２のインラインポート部３３に、ウエハの加
熱部３３ａが設けられている。したがって、ＣＤＳ３０
には、レジスト塗布部３０ａ、インタフェース部３０
ｂ，３０ｃ、高温加熱（ポスト・エクスポージャ・ベー
ク、以下ＰＥＢと称する）後の冷却部３０ｄ、現像部３
０ｅおよび現像後の加熱部３０ｆ、冷却部３０ｇが設け
られている。

【００３１】プリベークのための加熱部および冷却部並
びにＰＥＢの冷却部は、インラインポート部３２、３３
に設けられているため、ＣＤＳ３０には必要ない。ま
た、基板温調装置３４は、本実施例では冷却部３２ｂで
一応の温度調節が完了しているため、ウエハの温度の微
調節を行う機能のみを有している。

【００３２】本実施例では、完全にドライ環境でＰＥＢ
を行うとレジストの解像性能に悪影響がでる場合がある
ので、ＰＥＢ時の環境雰囲気制御とウエハの搬送時の露
光装置３１の筐体内の雰囲気を劣化させないために、Ｐ
ＥＢを行う加熱部３３ａに湿度調整機能を設けておくこ
とが望ましい。

【００３３】次に、本実施例のインラインポート部３２
内部の構造を図５を用いて詳細に説明する。図５は、図
４のインラインポート部３２のＡＡ’断面模式図であ
る。同図において、４２は搬送するウエハである。４３
は不活性気体であるＮ₂をインラインポート部に供給す
るための供給管、４４はインラインポート部内を真空ま
たは減圧雰囲気にするための排気管である。４５ａはイ
ンラインポート部のＣＤＳ３０側に設けられた扉、４５
ｂはインラインポート部の露光装置３１側に設けられた
扉であって、これらの扉が閉じているとき、インライン
ポート部は密閉される。４６はウエハ４２を冷却するた
めのクーリングプレート、４７はペルチェ素子である。
４８はウエハ４２を加熱するためのホットプレート、４
９はヒータである。５０はポート部３２内でウエハ４２
を搬送するためのウエハハンドである。

【００３４】本実施例の製造システムでは、レジスト塗
布部においてレジストを塗布されたウエハ４２がインタ
フェース３０ｂから露光装置３１に搬入されるときは、
インラインポート部３２の露光装置３１側の扉４５ｂは
閉じており、ウエハ４２がホットプレート４８上に搬入
されると、インラインポート部３２のＣＤＳ３０側の扉
４５ａも閉じられる。次に、排気管４４からの排気ポン
プによる吸気により内部が減圧されて真空雰囲気とされ
る。このインラインポート部の内部を減圧する間に、ヒ
ータ４９によりホットプレート４８が加熱され、ウエハ
４２のプリベークが行われる。ウエハ４２のプリベーク
が終了したら、ウエハハンド５０によりウエハ４２をク
ーリングプレート４６上に移動させる。そして、ペルチ
ェ素子４７によりクーリングプレート４６上のウエハ４
２を冷却する。また、インラインポート部の内部雰囲気
が所望の真空雰囲気となったら供給管４３からＮ₂ガス
を供給して、インラインポート部の内部雰囲気を露光装
置３１の内部と同じＮ₂雰囲気にする。ウエハ４２の冷
却が完了しインラインポート部３２内が所定のＮ₂雰囲
気に達したら、インラインポート部の露光装置３１側の
扉４５ｂが開放され、ウエハ４２は露光装置３１の搬送
ハンドによって基板温調装置３４へ運ばれる。

【００３５】基板温調装置３４に搬送されたウエハ４２
は、温度を微調整され、プリアライメント部１９でプリ
アライメントが行われる。そして、ウエハ４２のアライ
メントおよび露光が終了したら今度は、第２のインライ
ンポート部３３に搬送され、この中の加熱部３３ａでＰ
ＥＢを行う。

【００３６】第２のインラインポート部３３には、前述
の第１のインラインポート部３２とほぼ同様に、インラ
インポート部を密閉するために露光装置側に設けられた
扉（不図示）と、ＣＤＳ３０側に設けられた扉が設けら
れている。

【００３７】第２のインラインポート部３３では、ウエ
ハ４２が搬入される前にポート内の減圧およびパージが
完了している必要があるので、露光装置３１から第２の
インラインポート部３３にウエハ４２を搬入した後は、
インタフェース部３０ｃにウエハを搬送するまで第１の
インラインポート部３２の場合ほど長時間の待機を必要
としない。したがって、第２のインラインポート部３３
には、冷却部を設けずに、加熱部３３ａのみを設けるこ
ととしている。

【００３８】なお、本発明の構成は、上記の構成に限ら
れるものではない。例えば、インタフェース部３０ｂ
が、ロードロック機構を備えていても良い。また、第１
のインラインポート部３２の加熱部と冷却部を分離して
構成しても良い。また、本実施例では、第２のインライ
ンポート部３３は加熱部３３ａのみしか備えていない
が、冷却部３０ｄを第２のインラインポート部３３に設
けても良い。

【００３９】また、上記の説明では、第１のインライン
ポート部３２の加熱部３２がウエハを加熱する間にイン
ラインポート部３２の内部雰囲気を排気し、冷却部３２
ｂがウエハを冷却する間にＮ₂を供給してインラインポ
ート部３２の内部を露光装置３１の内部雰囲気に近づけ
ていた。しかし、本発明は、これに限られるものではな
い。例えば、ウエハを加熱する時間がかかる場合、また
はＮ₂の供給時間がかかる場合、インラインポート部３
２への排気後のＮ₂の供給を、ウエハの加熱中に行って
も良い。同様に、ウエハを冷却する時間がかかる場合、
またはインラインポート部の排気に時間がかかる場合、
ウエハの冷却中にもインラインポート部の排気を続けて
いても良い。いずれの場合においても、少なくともウエ
ハの加熱処理が終了する前にインラインポート部の内部
雰囲気の排気を開始していることが望ましく、少なくと
もインラインポート部の露光装置側の扉が開く前（すな
わち、インラインポート部へのガス供給が終了する前）
にウエハの冷却処理が終了していることが望ましい。

【００４０】本実施例によれば、処理速度および温調性
能を向上させ、しかも露光装置にウエハを搬入・搬出す
る時の装置内部の雰囲気劣化を防ぐことができる。ま
た、本実施例によれば、ウエハにレジストを塗布した
後、従来と比較して早い段階で、ウエハのおかれる雰囲
気が制御されるので、レジストの劣化に起因する像性能
の劣化を低減することができる。また、本実施例によれ
ば、雰囲気が制御されている場所で露光したウエハのＰ
ＥＢが行われるため、レジストの劣化に起因する像性能
の劣化を低減することができる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハ等の基板を温調手段のプレート等の上に載置して
から一定時間後の該プレートの温度を計測し、その温度
により温調時間を決定していくので、基板の温度ばらつ
きが有っても効率的に確実に該基板の温調を行うことが
でき、装置全体の処理能力を向上させることができ、温
調された基板を用いることにより、より精度の高い基板
の処理を行うことができる。また、基板の温度モニタを
なくすことができるので、基板温調ユニットをスペース
的に小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係る基板温調装置を示す
側面図である。

【図２】 本発明の実施例に係る基板温調装置による温
度Ｔｗ１度のウエハがプレート上に載置されたときのウ
エハとプレートの温度変化をグラフとして表した図であ
る。

【図３】 本発明の実施例に係る基板温調装置のプレー
ト上に温度Ｔｗ１’度のウエハが載置されたときのウエ
ハとプレートの温度変化をグラフとして表した図であ
る。

【図４】 本発明に係る基板温調装置が設けられている
露光装置を用いた第２の実施例としての半導体製造シス
テムを示す模式図である。

【図５】 図４のインラインポート部のＡＡ’断面模式
図である。

【符号の説明】

１：温調手段、２：プレート、３：ぺルチェ、４：放熱
層、５：温度センサ、６：ウエハ、７：３本ピン、８：
ピン支持台、９：ボールネジ、１０：リニアガイド、１
１：モータ、１２：放熱管。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の温調を行うための温調手段と、該
   温調手段の温度を計測する温度計測手段とを備え、計測
   した該温調手段の温度に基いて前記基板の温度調整時間
   を決定していくことを特徴とする基板温調装置。
2. 【請求項２】 前記温度計測手段による前記温調手段の
   温度計測結果に基いて前記基板の初期温度を推測するこ
   とを特徴とする請求項１に記載の基板温調装置。
3. 【請求項３】 前記基板を前記温調手段上に載置してか
   ら一定時間後の該温調手段の温度に基いて、一定時間後
   からの該基板の温度調整時間を決定していくことを特徴
   とする請求項１または２に記載の基板温調装置。
4. 【請求項４】 前記温調手段および温度計測手段が、原
   版のパターンを基板に露光する露光装置に設けられてい
   ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基
   板温調装置。