JP7350114B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7350114B2
JP7350114B2 JP2022032441A JP2022032441A JP7350114B2 JP 7350114 B2 JP7350114 B2 JP 7350114B2 JP 2022032441 A JP2022032441 A JP 2022032441A JP 2022032441 A JP2022032441 A JP 2022032441A JP 7350114 B2 JP7350114 B2 JP 7350114B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
section
substrate
horizontal direction
cooling
transport
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022032441A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023128234A (ja
Inventor
宗明 大宅
武 三ツ林
敬亮 森井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2022032441A priority Critical patent/JP7350114B2/ja
Priority to TW111144511A priority patent/TWI833460B/zh
Priority to KR1020230004623A priority patent/KR102627210B1/ko
Priority to CN202310219017.5A priority patent/CN116705678B/zh
Publication of JP2023128234A publication Critical patent/JP2023128234A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7350114B2 publication Critical patent/JP7350114B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3064Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the transport means or means for confining the different units, e.g. to avoid the overflow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、複数の基板を収容するカセットを載置する載置台と搬送装置とを有するインデクサ装置から搬入された基板を対象として、前処理、レジスト膜の形成、レジスト膜の減圧雰囲気による乾燥、加熱によるレジスト膜の乾燥、冷風の吹き付けによる冷却、露光装置への搬出、露光装置からの搬入、露光後のレジスト膜の現像液による現像、リンス液による現像液の洗い流し、リンス液の乾燥、加熱による現像後のレジスト膜の乾燥、および冷却等を順に行い、インデクサ装置によって基板が搬出される基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1等)。
前処理では、例えば、基板に対して、紫外光の照射による有機物の除去、洗浄液を用いた洗浄、ブロワー等による乾燥、加熱による乾燥、ヘキサメチルジシラン(HMDS)の吹き付けによる疎水化処理、および冷風の吹き付けによる冷却等が順に行われる。
露光装置への基板の搬出および露光装置からの基板の搬入は、例えば、インターフェース部の搬送装置によって実行される。
特開2019-220628号公報
ところで、現像後のレジスト膜の加熱による乾燥は、例えば、載置された基板の加熱によって実行され得る。また、現像後のレジスト膜の加熱後における基板の冷却は、例えば、コンベアによる搬送中の基板の冷却、あるいは基板が載置された棚状の部分の局所的な雰囲気の排気による基板の冷却等、によって実現され得る。
しかしながら、例えば、工場内で基板処理装置の設置が可能な領域に制限がある場合には、インターフェース部からインデクサ装置に向けて基板が搬出される領域に至るまで基板が移動する部分(復路部分ともいう)を構成する複数の構成要素を、直線状に並べることができない場合がある。このため、例えば、復路部分の長さの短縮等によって、基板処理装置の長さを短縮することが求められる場合がある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板処理装置の長さを短縮することができる技術を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、第1の態様に係る基板処理装置は、インデクサ装置から基板が搬入される領域から露光装置に向けて前記基板を搬出するインターフェース部に至るまで前記基板が移動する往路部分と、前記インターフェース部から前記インデクサ装置に向けて前記基板が搬出される領域に至るまで前記露光装置から前記インターフェース部に搬入された前記基板が移動する復路部分と、を備えている。前記往路部分は、前記基板に洗浄処理を施す洗浄部と、前記洗浄処理が施された前記基板上に塗膜を形成する成膜部と、を有する。前記復路部分は、それぞれ第1水平方向に沿って位置している第1部分および第2部分、を有する。前記第1部分は、前記塗膜に現像処理を施す現像部、を含む。前記第2部分は、前記現像処理後に加熱部で加熱された前記基板を冷却する冷却部、を含む。上方から平面透視した場合に、前記第1部分のうちの前記第1水平方向における一部を構成する第1領域と、前記第2部分のうちの前記第1水平方向における少なくとも一部を構成する第2領域と、が前記第1水平方向に直交する第2水平方向において並んでいる。前記復路部分は、前記加熱部と、該加熱部で加熱された前記基板を前記第1領域から前記第2領域へ搬送する第1搬送部と、を含む。
第2の態様に係る基板処理装置は、第1の態様に係る基板処理装置であって、前記第1部分において、前記現像部、前記第1搬送部および前記加熱部が前記第1水平方向において順に並んでおり、前記第1搬送部は、前記現像部から前記加熱部へ前記基板を搬送し、前記加熱部から前記冷却部へ前記基板を搬送する。
第3の態様に係る基板処理装置は、第1の態様に係る基板処理装置であって、前記第1部分は、前記現像部に対して上下方向に重なるように位置している中継部と、前記現像部から前記加熱部へ前記基板を搬送するとともに前記加熱部から前記中継部へ前記基板を搬送する第2搬送部と、を含み、前記第1搬送部は、前記中継部から前記冷却部へ前記基板を搬送する。
第4の態様に係る基板処理装置は、第3の態様に係る基板処理装置であって、前記中継部は、前記第1水平方向とは逆の第3水平方向に沿って前記基板を搬送する逆搬送コンベア、を含み、前記第1搬送部は、前記逆搬送コンベアのうちの前記第3水平方向側の部分から前記冷却部へ前記基板を搬送する。
第5の態様に係る基板処理装置は、第3または第4の態様に係る基板処理装置であって、前記第1部分において、前記現像部、前記第2搬送部および前記加熱部が前記第1水平方向において順に並んでいる。
第6の態様に係る基板処理装置は、第1から第5の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記冷却部は、前記基板を前記第1水平方向に沿って搬送しながら前記基板を冷却する冷却コンベア、を含む。
第7の態様に係る基板処理装置は、第1から第5の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記冷却部は、前記基板を一時的に収納した状態で排気を行うことで前記基板を冷却する冷却ユニット、を含む。
第8の態様に係る基板処理装置は、第1または第2の態様に係る基板処理装置であって、前記第1部分は、前記第1搬送部を含み、前記冷却部は、前記基板を前記第1水平方向に向けて搬送しながら前記基板を冷却する冷却コンベアを含むとともに、前記第1搬送部よりも前記第1水平方向とは逆の第3水平方向に延在しており、前記第1搬送部は、前記冷却部へ前記基板を搬送する際に、前記冷却部のうちの前記第1搬送部を基準として前記第2水平方向に位置している領域よりも前記第3水平方向にずれた領域へ前記基板を搬送する。
第9の態様に係る基板処理方法は、インデクサ装置から基板が搬入される領域から露光装置に向けて前記基板を搬出するインターフェース部に至るまで前記基板が移動する往路部分と、前記インターフェース部から前記インデクサ装置に向けて前記基板が搬出される領域に至るまで前記露光装置から前記インターフェース部に搬入された前記基板が移動する復路部分と、を備えている基板処理装置を用いた基板処理方法である。前記往路部分は、前記基板に洗浄処理を施す洗浄部と、前記洗浄処理が施された前記基板上に塗膜を形成する成膜部と、を有する。前記復路部分は、それぞれ第1水平方向に沿って位置している第1部分および第2部分、を有する。前記第1部分は、現像部、を含む。前記第2部分は、冷却部、を含む。上方から平面透視した場合に、前記第1部分のうちの前記第1水平方向における一部を構成する第1領域と、前記第2部分のうちの前記第1水平方向における少なくとも一部を構成する第2領域と、が前記第1水平方向に直交する第2水平方向において並んでいる。前記復路部分は、加熱部と、第1搬送部と、を含む。前記基板処理方法は、前記現像部によって、前記塗膜に現像処理を施す第1工程と、前記加熱部によって、前記第1工程において前記塗膜に前記現像処理が施された前記基板を加熱する第2工程と、前記第1搬送部によって、前記第2工程において加熱された前記基板を前記第1領域から前記第2領域へ搬送する第3工程と、前記冷却部によって、前記第3工程において前記第1領域から前記第2領域へ搬送された前記基板を冷却する第4工程と、を有する。
第1の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、復路部分の一部を並列に配置することで、復路部分の第1水平方向における長さを短縮することができる。これにより、例えば、基板処理装置の長さを短縮することができる。
第2の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板処理装置の形状の簡素化により、基板処理装置の設置が容易となり得る。
第3の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、第1部分では、第2搬送部によって中継部へ折り返されるように基板が搬送される。これにより、例えば、復路部分の一部を並列に配置することで、復路部分の第1水平方向における長さを短縮することができる。
第4の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、加熱後の基板を逆搬送コンベアで第1水平方向とは逆の第3水平方向に沿って基板を搬送した後に、第1搬送部によって冷却部へ基板を搬送する。これにより、例えば、第1部分に対して第2部分を第1水平方向とは逆の第3水平方向にずらすことで、復路部分の第1水平方向における長さを短縮することができる。
第5の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板処理装置の形状の簡素化により、基板処理装置の設置が容易となり得る。
第6の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、冷却部を設けるためのコストが増大し難い。
第7の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、復路部分の第1水平方向における長さを短縮することができる。
第8の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、第1部分に対して第2部分を第1水平方向とは逆の第3水平方向にずらすことで、復路部分の第1水平方向における長さを短縮することができる。
第9の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、復路部分のうちの並列に配置された第1領域から第2領域に基板を搬送する構成を採用することで、復路部分の第1水平方向における長さを短縮することができる。これにより、例えば、基板処理装置の長さを短縮することができる。
図1は、基板処理装置の構成の一例を示す概略図である。 図2は、復路部分の一部の構成の一例を模式的に示す平面図である。 図3は、第1部分の一部の構成の一例を模式的に示す縦断面図である。 図4は、第2部分の一部の構成の一例を模式的に示す縦断面図である。 図5は、復路部分の一部の構成の一参考例を模式的に示す平面図である。 図6は、復路部分における基板についての処理および搬送の流れの一例を示す流れ図である。 図7は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図8は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図9は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図10は、第2部分の一部の構成の一例を模式的に示す縦断面図である。 図11は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図12は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図13は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図14は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図15は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図16は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図17は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図18は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図19は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図20は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図21は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図22は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図23は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図24は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図25は、復路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の各種実施形態について説明する。これらの実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、同様な構成および機能を有する部分には同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面においては、理解を容易にするために、必要に応じて各部の寸法および数が誇張または簡略化されて図示されている。各図においては、各要素の位置関係を説明するために、図2から図5および図7から図25には、右手系のXYZ直交座標系を付している。ここでは、X軸およびY軸が水平方向に延びており、Z軸が鉛直方向(上下方向)に延びているものとする。また、以下の説明では、矢印の先端が向く方を+(プラス)方向とし、その逆方向を-(マイナス)方向とする。ここでは、鉛直方向上向きが+Z方向であり、鉛直方向下向きが-Z方向である。
相対的または絶対的な位置関係を示す表現(例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」等)は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現(例えば「同一」「等しい」「均質」等)は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現(例えば、「四角形状」または「円筒形状」等)は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸および面取り等を有する形状も表すものとする。1つの構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「~の上」および「~の下」とは、特に断らない限り、2つの要素が接している場合のほか、2つの要素が離れている場合も含む場合がある。「特定方向に移動させる」とは、特に断らない限りにおいて、この特定方向と平行に移動させる場合のみならず、この特定方向の成分を持つ方向に移動させることを含む場合がある。
<1.第1実施形態>
<1-1.基板処理装置の概略的な構成>
図1は、基板処理装置1の構成の一例を示す概略図である。基板処理装置1は、例えば、インデクサ装置2から搬入される基板G1に対して、洗浄、塗膜の形成、露光装置3への搬出、露光装置3からの搬入、露光後の現像、現像後の加熱による乾燥および冷却を行う装置である。基板処理装置1における処理後の基板G1は、インデクサ装置2に搬入される。図1では、インデクサ装置2から基板G1が搬入される領域(被搬入領域ともいう)11iに位置している基板G1が実線で模式的に描かれており、基板処理装置1の他の領域に位置している基板G1が細い2点鎖線で模式的に描かれている。
基板G1には、例えば、平板状のガラス基板等が適用される。基板G1は、例えば、第1主面としての第1面(上面ともいう)と、この第1面とは逆の第2主面としての第2面(下面ともいう)と、を有する平板状の基板である。塗膜を形成するための処理液には、例えば、レジスト液またはポリイミド前駆体と溶媒とを含む液(PI液ともいう)等の塗布用の液(塗布液ともいう)が適用される。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸(ポリアミック酸)等が適用される。溶媒には、例えば、NMP(N-メチル-2-ピロリドン:N-Methyl-2-Pyrrolidone)が適用される。
基板処理装置1は、例えば、往路部分11と、インターフェース部12と、復路部分13とを有する。例えば、往路部分11は、インデクサ装置2から基板G1が搬入される領域(被搬入領域)11iを有し、被搬入領域11iからインターフェース部12に至るまで基板G1が移動する部分である。例えば、インターフェース部12は、露光装置3に向けて基板G1を搬出するとともに、露光装置3から基板G1を搬入する部分である。例えば、復路部分13は、インデクサ装置2に向けて基板G1が搬出される領域(被搬出領域ともいう)13oを有し、インターフェース部12から被搬出領域13oに至るまで、露光装置3からインターフェース部12に搬入された基板G1が移動する部分である。
インデクサ装置2は、例えば、複数の基板G1を収容するカセットが載置される載置台と、搬送機構と、を有する。搬送機構には、例えば、載置台上のカセットと往路部分11との間、および復路部分13と載置台上のカセットとの間において、基板G1の搬送を行う搬送ロボット等が適用される。
往路部分11は、例えば、洗浄部111および成膜部112を有する。往路部分11では、例えば、一処理部としての洗浄部111と成膜部112とが順に配置されている。洗浄部111は、基板G1に洗浄処理を施す部分である。成膜部112は、洗浄部111によって洗浄処理が施された基板G1上に塗膜を形成する部分である。成膜部112は、例えば、複数の処理部としての塗布部1121、減圧乾燥部1122および加熱乾燥部(プリベーク部ともいう)1123を含む。往路部分11の各処理部は、例えば、洗浄部111、塗布部1121、減圧乾燥部1122および加熱乾燥部1123の順に配置されている。基板G1は、例えば、搬送ロボットもしくはコンベア等の搬送機構によって、細い2点鎖線で描かれた矢印で示されるように、処理の進行に従って、各処理部へ、洗浄部111、塗布部1121、減圧乾燥部1122および加熱乾燥部1123の順に搬送される。
洗浄部111は、例えば、インデクサ装置2から搬入された基板G1に洗浄処理を施す。洗浄処理は、例えば、微細なパーティクルをはじめ、有機汚染、金属汚染、油脂および自然酸化膜等を除去する処理を含む。洗浄部111では、例えば、紫外光の照射による基板G1の表面に付着した有機物の除去、脱イオン水等の洗浄液の供給とブラシ等の洗浄部材とによる基板G1の表面の洗浄、ならびにブロワー等による基板G1の乾燥が行われる。ブロワー等による基板G1の乾燥は、例えば、エアナイフによる基板G1上からの洗浄液の除去等を含む。
塗布部1121は、例えば、洗浄部111で洗浄された後の基板G1の表面に処理液を塗布する。塗布部1121には、例えば、スリットコータが適用される。スリットコータは、例えば、処理液を吐出口から吐出するスリットノズルを、基板G1に対して相対的に移動させることで、基板G1上に処理液の塗布することができる。塗布部1121には、その他の塗布方式の塗布装置が適用されてもよい。
減圧乾燥部1122は、例えば、基板G1上に塗布された処理液を減圧によって乾燥させる処理(減圧乾燥処理ともいう)を行う。ここでは、例えば、基板G1の表面に塗布された処理液の溶媒が減圧によって気化(蒸発)させられることで、処理液が乾燥される。
加熱乾燥部1123は、例えば、減圧乾燥部1122で処理液が乾燥された基板G1を加熱し、基板G1の表面上で、処理液に含まれる成分を固化させる。これにより、基板G1上に処理液に係る膜としての塗膜が形成される。例えば、処理液がレジスト液である場合には、乾燥されたレジスト液の膜に熱処理が施されることで、塗膜としてのレジスト膜が形成される。例えば、処理液がPI液である場合には、乾燥されたPI液の膜に熱処理が施されることで、PI液に含まれるポリイミド前駆体のイミド化によって塗膜としてのポリイミド膜が形成される。加熱乾燥部1123は、例えば、単一の基板G1を加熱する枚葉方式の加熱処理部であってもよいし、複数の基板G1を一括して加熱するバッチ方式の加熱処理部であってもよい。ここで、例えば、減圧乾燥部1122における減圧乾燥処理のタクトタイムと、加熱乾燥部1123における加熱処理のタクトタイムと、が大きく相違しており、加熱乾燥部1123が枚葉方式の加熱処理部を有する場合が想定される。この場合には、加熱乾燥部1123は、例えば、並列して加熱処理を行う複数台の枚葉式の加熱処理部を有していてもよい。複数台の加熱処理部は、例えば、上下に積層された状態で配置される。
ここで、往路部分11は、例えば、洗浄部111と成膜部112との間に、デハイドベーク部が存在していてもよい。デハイドベーク部は、例えば、基板G1を加熱し、洗浄部111において基板G1に付着した洗浄液を気化させることで、基板G1を乾燥させる。この場合には、デハイドベーク部と成膜部112との間に、ヘキサメチルジシラン(HMDS)の吹き付けによる疎水化処理、および冷風の吹き付けによる冷却を行う処理部が存在していてもよい。この場合には、例えば、成膜部112は、洗浄部111で洗浄処理が施された後に、デハイドベーク部での加熱による乾燥、疎水化処理および冷却が施された基板G1上に塗膜を形成する。
インターフェース部12は、例えば、往路部分11から露光装置3に向けて基板G1を搬送する。インターフェース部12は、例えば、往路部分11と露光装置3との間に位置している。基板G1は、例えば、インターフェース部12が有する搬送ロボットもしくはコンベア等の搬送機構によって、細い2点鎖線で描かれた矢印で示されるように、往路部分11から露光装置3に向けて搬送される。例えば、往路部分11の加熱乾燥部1123から露光装置3に向けて基板G1が搬送される。また、インターフェース部12は、例えば、露光装置3から復路部分13に向けて基板G1を搬送する。インターフェース部12は、例えば、露光装置3と復路部分13との間に位置している。基板G1は、例えば、インターフェース部12が有する搬送ロボット等の搬送機構によって、細い2点鎖線で描かれた矢印で示されるように、露光装置3から復路部分13に向けて搬送される。例えば、露光装置3から復路部分13の現像部131に向けて基板G1が搬送される。
露光装置3は、例えば、往路部分11において基板G1上に形成された塗膜に対して、露光処理を行う。具体的には、露光装置3は、例えば、回路パターンが描画されたマスクを通して遠紫外線等の特定の波長の光を照射し、塗膜にパターンを転写する。露光装置3は、例えば、周辺露光部およびタイトラーを含んでいてもよい。周辺露光部は、基板G1上の塗膜の外周部を除去するための露光処理を行う部分である。タイトラー部は、例えば、基板G1に所定の情報を書き込む部分である。
復路部分13は、例えば、複数の処理部として、現像部131、加熱部(ポストベーク部ともいう)132および冷却部133を有する。復路部分13の各処理部は、例えば、現像部131、加熱部132および冷却部133の順に配置されている。基板G1は、例えば、搬送ロボットもしくは搬送コンベア等の搬送機構によって、細い2点鎖線で描かれた矢印で示されるように、処理の進行に従って、各処理部へ現像部131、加熱部132および冷却部133の順に搬送される。ここで、例えば、露光装置3が周辺露光部およびタイトラー部を含まず、復路部分13が、インターフェース部12と現像部131との間に位置している周縁露光部およびタイトラー部を有していてもよい。
現像部131は、例えば、往路部分11で基板G1上に形成された塗膜に現像処理を施す。現像処理は、例えば、塗膜を現像する処理、現像液を洗い流す処理、および基板G1を乾燥させる処理を含む。現像部131では、例えば、露光装置3でパターンが露光された基板G1上の塗膜を現像液に浸す処理、基板G1上の現像液を脱イオン水等の洗浄液で洗い流す処理、ならびにブロワー等によって基板G1を乾燥させる処理が行われる。ブロワー等による基板G1の乾燥は、例えば、エアナイフによる基板G1上からの洗浄液の除去等を含む。
加熱部132は、例えば、基板G1を加熱する。加熱部132では、例えば、現像部131において現像処理が施された基板G1を加熱して、現像部131において基板G1に付着した洗浄液を気化させることで、基板G1を乾燥させる。
冷却部133は、例えば、加熱部132で加熱された基板G1を冷却する。冷却部133には、例えば、コンベアによって基板G1を搬送しながら基板G1を冷却する構成、あるいは基板G1を一時的に収納した状態で排気を行うことで基板G1を冷却する構成等が適用される。冷却部133で冷却された基板G1は、例えば、インデクサ装置2の搬送機構によって復路部分13から基板処理装置1の外部へ搬出される。
基板処理装置1の各部の動作は、例えば、制御装置14によって制御される。制御装置14は、例えば、コンピュータと同様な構成を有しており、制御部141と記憶部142とを有する。制御部141は、例えば、中央処理装置(CPU:Central Processing Unit)と、RAM(Random access memory)等の揮発性のメモリと、を含む。記憶部142は、例えば、ハードディスクドライブ等の不揮発性の記憶媒体を含む。制御装置14は、例えば、制御部141によって記憶部142に記憶されたプログラムを読み出して実行することで、基板処理装置1の各部の動作を制御することができる。制御装置14は、例えば、基板処理装置1の外に設けられていてもよいし、基板処理装置1内に含まれていてもよい。
<1-2.復路部分の構成>
図2は、復路部分13の一部の構成の一例を模式的に示す平面図である。図2では、往路部分11の外縁が細い2点鎖線で模式的に示されている。また、図2では、被搬出領域13oに位置している基板G1が実線で模式的に描かれており、復路部分13のうちのその他の領域に位置している基板G1が細い2点鎖線で模式的に描かれている。また、図2では、基板G1が移動する経路が細い1点鎖線で描かれた矢印で示されている。また、図2では、基板G1が回転される様子が2点鎖線で描かれた弧状の矢印で示されている。
図2で示されるように、復路部分13は、第1部分13aおよび第2部分13bを有する。第1部分13aおよび第2部分13bは、それぞれ第1水平方向としての-X方向に沿って位置している。
図3は、第1部分13aの一部の構成の一例を模式的に示す縦断面図である。図3では、現像部131のうち、加熱部132側の端部付近に位置している搬送機構の一例としてのコンベアの一部が、簡易的に記載されており、現像部131の他の構成については記載が省略されている。また、図3では、各部に位置している基板G1が細い2点鎖線で模式的に描かれている。また、図3では、現像部131において基板G1が移動する経路が細い1点鎖線で描かれた矢印で示されている。
図4は、第2部分13bの一部の構成の一例を模式的に示す縦断面図である。図4では、被搬出領域13oに位置している基板G1が実線で模式的に描かれており、冷却部133のうちの被搬出領域13oとは逆側の端部付近に位置している基板G1が細い2点鎖線で模式的に描かれている。また、図4では、冷却部133において基板G1が移動する経路が細い1点鎖線で描かれた矢印で示されている。
図5は、復路部分13の一部の構成の一参考例を模式的に示す平面図である。図5では、図2と同様に、往路部分11の外縁が細い2点鎖線で模式的に示されている。また、図5では、現像部131の途中に位置している基板G1が実線で模式的に描かれており、復路部分13のうちのその他の領域に位置している基板G1が細い2点鎖線で模式的に描かれている。また、図5では、図2と同様に、基板G1が移動する経路が細い1点鎖線で描かれた矢印で示されており、基板G1が回転される様子が2点鎖線で描かれた弧状の矢印で示されている。
図2および図3で示されるように、第1部分13aは、現像部131を含む。第1実施形態では、第1部分13aは、現像部131、第1搬送部134および加熱部132を含む。図2および図4で示されるように、第2部分13bは、冷却部133を含む。
図2で示されるように、上方から平面透視した場合に、第1部分13aのうちの第1水平方向としての-X方向における一部を構成する領域(第1領域ともいう)P1と、第2部分13bのうちの第1水平方向としての-X方向における少なくとも一部を構成する領域(第2領域ともいう)P2と、が第1水平方向に直交する第2水平方向としての-Y方向において並んでいる。復路部分13は、第1搬送部134を有する。第1搬送部134は、例えば、加熱部132で加熱された基板G1を第1領域P1から第2領域P2へ搬送することができる。第1実施形態では、例えば、復路部分13の一部が並列に配列されている。換言すれば、例えば、水平面に沿って、復路部分13が第1搬送部134を起点にしてZ字状に折り曲げられている。これにより、図5で示されるように、復路部分13において、現像部131と第1搬送部134と冷却部133とが、第1水平方向としての-X方向において直線状に並んでいる構成と比較して、復路部分13の第1水平方向としての-X方向における長さが短縮される。よって、例えば、基板処理装置1の長さを短縮することができる。
第1実施形態では、第1部分13aにおいて、現像部131、第1搬送部134および加熱部132が第1水平方向としての-X方向において順に並んでいる。換言すれば、第1水平方向としての-X方向において、第1搬送部134は、現像部131と加熱部132との間に位置している。図2の例では、第1領域P1の往路部分11側のエリア(内側エリアともいう)A1に第2領域P2が位置している。換言すれば、第1領域P1と往路部分11との間に、第2領域P2が位置している。第1領域P1は、第1搬送部134および加熱部132を含み、第2領域P2は、冷却部133のうちの第1水平方向とは逆の第3水平方向としての+X方向の側に位置している部分を含む。
現像部131は、例えば、第1水平方向としての-X方向に沿って位置している。現像部131では、例えば、インターフェース部12側から搬入された基板G1が、第1水平方向としての-X方向に沿って順次に移動されつつ、基板G1上の塗膜に現像処理が施される。ここで、例えば、復路部分13が、インターフェース部12と現像部131との間に位置している周縁露光部およびタイトラー部を有する場合には、周縁露光部と、タイトラー部と、現像部131と、が第1水平方向としての-X方向に沿って並んでいる。この場合には、例えば、第1部分13aは、周縁露光部およびタイトラー部を含む。ここで、例えば、第1水平方向としての-X方向において、周縁露光部、タイトラー部および現像部131がこの記載の順に並んでいてもよいし、タイトラー部、周縁露光部および現像部131がこの記載の順に並んでいてもよい。
第1実施形態では、第1搬送部134は、例えば、現像部131から加熱部132へ基板G1を搬送し、加熱部132から冷却部133へ基板G1を搬送することができる。これにより、例えば、第1部分13aでは、第1搬送部134によって加熱部132で折り返されるように基板G1が搬送される。具体的には、例えば、第1搬送部134によって、第1水平方向としての-X方向に向けて加熱部132へ基板G1が搬入され、第3水平方向としての+X方向に向けて加熱部132から基板G1が搬出される。
第1搬送部134には、例えば、搬送用のロボット(搬送ロボットともいう)が適用される。搬送ロボットには、例えば、ハンド部、アーム機構、回転機構、および昇降機構を有する構造が適用される。ハンド部は、上下面が水平方向に沿った姿勢(水平姿勢ともいう)の基板G1を支持もしくは保持することが可能な部分である。アーム機構は、ハンド部が取り付けられており、水平方向に伸縮することでハンド部を水平方向に進退させることが可能な機構である。回転機構は、アーム機構を鉛直方向に沿った回転軸を中心として回転させることが可能な機構である。昇降機構は、ハンド部およびアーム機構とともに回転機構を昇降させることが可能な機構である。図3では、搬送ロボットにおける昇降機構によって、ハンド部およびアーム機構とともに回転機構が昇降する方向が、2点鎖線の細線で描かれた矢印で示されている。ここでは、例えば、現像部131のうちの加熱部132側の端部付近における搬送機構、および冷却部133のうちの現像部131側の端部付近における搬送機構において、搬送ロボットのハンド部が基板G1の下方に挿入可能な溝もしくはスリット等の空間が設けられている態様が採用され得る。
加熱部132は、例えば、加熱ユニット132hを有する。図3の例では、加熱部132は、上下方向に積み重ねられた複数の加熱ユニット132hを有する。加熱ユニット132hには、プレート式の加熱ユニットが適用される。プレート式の加熱ユニットでは、例えば、プレート上に基板G1が載置された状態で、プレートが加熱されることで基板G1が加熱される。例えば、第1搬送部134の搬送ロボットは、各加熱ユニット132hに対して、基板G1の搬入および搬出を行うことができる。
図3の例では、加熱部132が3つの加熱ユニット132hを有しているが、これに限られない。加熱部132が、1つ、または2つの加熱ユニット132hを有していてもよいし、4つ以上の加熱ユニット132hを有していてもよい。例えば、加熱部132が2つ以上の加熱ユニット132hを有する場合には、2つ以上の加熱ユニット132hが上下方向に積み重ねられていれば、工場内で基板処理装置1の設置が可能な領域に制限があっても、基板処理装置1の設置が容易となり得る。
冷却部133は、例えば、第1水平方向としての-X方向に沿って位置している。冷却部133では、例えば、第3水平方向としての+X方向の端部付近に、第1搬送部134によって水平姿勢の基板G1が搬入される。冷却部133は、例えば、基板G1を第1水平方向としての-X方向に沿って搬送しながら基板G1を冷却するコンベア(冷却コンベアともいう)133cを有する。冷却コンベア133cは、第1水平方向としての-X方向に沿って並んだ複数のローラーを駆動機構(不図示)によって回転させることで、水平姿勢の基板G1を第1水平方向としての-X方向に沿って移動させる。冷却コンベア133cによって搬送される基板G1は、例えば、空冷等によって冷却される。例えば、基板処理装置1の上部に清浄空気の下降気流を発生させるファンフィルタユニット(FFU)10が配置されている場合には、冷却コンベア133cによって搬送される基板G1は、FFU10によって生じた気流によって冷却され得る。冷却部133が、基板G1を冷却する冷却コンベア133cを有する構成では、例えば、冷却部133を設けるためのコストが増大し難い。
第1実施形態では、例えば、基板G1は、第1搬送部134の回転機構によって水平姿勢で回転された後に冷却部133に搬入される。換言すれば、例えば、第1搬送部134は、回転機構によって水平姿勢の基板G1を回転して冷却部133に搬入する。ここでは、基板G1の水平面に沿った回転角度は、例えば、約90度等の第1所定角度とされる。この場合には、冷却部133は、例えば、上下方向に沿った仮想的な回転軸(仮想回転軸ともいう)Ax1を中心として水平姿勢の基板G1を回転させる回転ユニット133tを有していてもよい。図3の例では、冷却部133は、現像部131側の端部付近において回転ユニット133tを有する。
回転ユニット133tには、例えば、冷却コンベア133cのうちの複数の連続して並んだ2つ以上のローラーにおけるY方向の中央付近の開口部において、ターンテーブルT1と、このターンテーブルT1を昇降させる昇降機構とを有する構成が適用され得る。ターンテーブルT1には、例えば、テーブル部、軸部、および回転駆動部を有する構造が適用される。テーブル部は、例えば、上面に立設された複数のピン上において水平姿勢の基板G1を下方から支持することが可能な部分である。軸部は、例えば、テーブル部が固定された上端部を有し、仮想回転軸Ax1に沿って上下方向に延びている柱状または棒状の部分である。回転駆動部は、例えば、仮想回転軸Ax1を中心として軸部を回転させるモーター等の駆動部である。昇降機構には、例えば、回転駆動部を上下方向に昇降させるシリンダー等の機構が適用される。上記構成を有する回転ユニット133tは、例えば、冷却コンベア133c上のうちのターンテーブルT1の上方に基板G1が位置している状態で、昇降機構によってターンテーブルT1を上昇させることでテーブル部によって水平姿勢の基板G1を下方から持ち上げ、回転駆動部によって仮想回転軸Ax1を中心としてテーブル部を約90度等の第2所定角度回転させた後に、昇降機構によってターンテーブルT1を下降させることで冷却コンベア133c上に基板G1を載置する。これにより、水平姿勢の基板G1の向きが水平面に沿って回転され得る。
例えば、基板G1の上下の主面が対向する2つの第1辺と対向する2つの第2辺とを有する長方形状である場合を想定する。この場合には、例えば、基板G1は、第1部分13aの現像部131において第1辺に沿った方向に搬送され、第1搬送部134によって上方から見て反時計回りに約90度回転されて冷却部133に搬入される。ここで、基板G1が、回転ユニット133tによって上方から見て時計回りに約90度回転される。これにより、基板G1は、第2部分13bの冷却部133においても第1辺に沿った方向に搬送され得る。ここでは、例えば、第1辺が基板G1の主面の長辺であり且つ第2辺が基板G1の主面の短辺である場合と、第1辺が基板G1の主面の短辺であり且つ第2辺が基板G1の主面の長辺である場合とが考えられる。これらの場合には、例えば、回転ユニット133tは、第1搬送部134によって水平面に沿って回転された基板G1の向きを、元の向きに戻すことができる。
ここでは、例えば、冷却部133は、第1水平方向としての-X方向における何れの位置において回転ユニット133tを有していてもよい。
<1-3.復路部分における基板処理および搬送動作の流れ>
図6は、復路部分13における基板G1についての処理および搬送の流れの一例を示す流れ図である。図6では、1枚の基板G1についての処理および搬送に着目した流れ図が示されている。復路部分13における基板G1についての処理および搬送は、例えば、制御部141によって復路部分13の各部の動作が制御されることで実現され得る。ここで、例えば、復路部分13における基板G1についての処理および搬送を行う方法は、基板処理装置1を用いた基板処理方法の少なくとも一部を構成する。
第1実施形態では、復路部分13において、図6で示されるステップS1からステップS5の工程が順に行われる。
ステップS1の工程(第1工程ともいう)では、現像部131によって、基板G1上の塗膜に現像処理を施す。
ステップS2の工程では、第1搬送部134によって、現像部131から加熱部132へ基板G1を搬送する。
ステップS3の工程(第2工程ともいう)では、加熱部132によって、ステップS1の第1工程において塗膜に現像処理が施された基板G1を加熱する。
ステップS4の工程(第3工程ともいう)では、第1搬送部134によって、ステップS3の第2工程において加熱された基板G1を第1領域P1から第2領域P2へ搬送する。第1実施形態では、例えば、第1搬送部134によって、加熱部132から冷却部133へ基板G1を搬送する。
ステップS5の工程(第4工程ともいう)では、冷却部133によって、ステップS4の第3工程において第1領域P1から第2領域P2へ搬送された基板G1を冷却する。第1実施形態では、例えば、冷却部133によって、第1搬送部134によって冷却部133に搬入された基板G1を冷却する。冷却部133では、例えば、回転ユニット133tによって、第1搬送部134によって水平面に沿って回転された基板G1の向きを、元の向きに戻すとともに、冷却コンベア133cによって水平姿勢の基板G1を第1水平方向としての-X方向に沿って搬送しながら基板G1を冷却する。
このように、例えば、復路部分13のうちの並列に配置された第1領域P1から第2領域P2へ基板G1を搬送する構成を採用することで、復路部分13の第1水平方向としての-X方向における長さを短縮することができる。その結果、例えば、基板処理装置1の長さを短縮することができる。
<1-4.第1実施形態のまとめ>
以上のように、第1実施形態に係る基板処理装置1では、例えば、復路部分13の一部が並列に配列されている。換言すれば、例えば、水平面に沿って、復路部分13が第1搬送部134を起点にしてZ字状に折り曲げられている。これにより、例えば、復路部分13の第1水平方向としての-X方向における長さが短縮され得る。したがって、例えば、基板処理装置1の長さを短縮することができる。また、例えば、工場内で基板処理装置1の設置が可能な領域に制限があり、第1水平方向としての-X方向における露光装置3とインデクサ装置2との間隔を拡げることが難しい場合であっても、基板処理装置1が配置しやすくなる。
また、第1実施形態に係る基板処理装置1を用いた基板処理方法では、例えば、復路部分13のうちの並列に配置された第1領域P1から第2領域P2へ基板G1を搬送する。これにより、例えば、復路部分13の第1水平方向としての-X方向における長さを短縮することができる。したがって、例えば、基板処理装置1の長さを短縮することができる。
<2.変形例>
本発明は上述の第1実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。
図7から図25は、それぞれ復路部分13の一部の構成の変形例を模式的に示す図である。具体的には、図7から図9および図11から図25は、それぞれ復路部分13の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。図10は、第2部分13bの一部の構成の一例を模式的に示す縦断面図である。
図7から図9および図11から図25のそれぞれでは、図2と同様に、被搬出領域13oに位置している基板G1が実線で模式的に描かれており、復路部分13のうちのその他の領域に位置している基板G1が細い2点鎖線で模式的に描かれている。また、図7から図9および図11から図25のそれぞれでは、図2と同様に、基板G1が移動する経路が細い1点鎖線で描かれた矢印で示されている。また、図7から図9および図11から図25のそれぞれでは、図2と同様に、基板G1が回転される様子が2点鎖線で描かれた弧状の矢印で示されている。図10では、被搬出領域13oに位置している基板G1の一例が実線で模式的に描かれており、その他の場所に位置している基板G1の各例が細い2点鎖線で模式的に描かれている。
<2-1.第1の変形例>
上記第1実施形態において、例えば、図7で示されるように、加熱部132は、第1搬送部134の往路部分11とは逆側のエリアに位置していてもよい。換言すれば、加熱部132は、第1領域P1の往路部分11とは逆側のエリア(外側エリアともいう)A2に位置していてもよい。この場合には、例えば、第1部分13aは、現像部131および第1搬送部134を含み、第1領域P1は、第1搬送部134を含み、第2領域P2は、冷却部133のうちの第3水平方向としての+X方向の側に位置している部分を含む。この場合でも、例えば、復路部分13の一部が並列に配列されている。換言すれば、例えば、水平面に沿って、復路部分13が第1搬送部134を起点にして折り曲げられている。これにより、例えば、復路部分13の第1水平方向としての-X方向における長さが短縮され得る。よって、例えば、基板処理装置1の長さを短縮することができる。ここで、例えば、上記第1実施形態のように、加熱部132が第1部分13aに含まれていれば、基板処理装置1の形状が簡素化され、基板処理装置1の設置が容易となり得る。
<2-2.第2の変形例>
上記第1実施形態および上記第1の変形例において、例えば、図8等で示されるように、加熱部132によって加熱された基板G1が、第1部分13aにおける中継部136を介して、第1領域P1から第2領域P2へ搬送されてもよい。ここでは、例えば、図8で示されるように、第1部分13aが、現像部131に対して上下方向に重なるように位置している中継部136と、現像部131から加熱部132へ基板G1を搬送するとともに加熱部132から中継部136へ基板G1を搬送する第2搬送部135と、を含み、第1搬送部134が、中継部136から冷却部133Aへ基板G1を搬送してもよい。これにより、例えば、第1部分13aでは、第2搬送部135によって中継部136へ折り返されるように基板G1が搬送される。これにより、例えば、復路部分13の一部を並列に配置することで、復路部分13の第1水平方向としての-X方向における長さを短縮することができる。
図8の例では、第1部分13aにおいて、現像部131、第2搬送部135および加熱部132が第1水平方向としての-X方向において順に並んでいる。換言すれば、第1水平方向としての-X方向において、第2搬送部135は、現像部131と加熱部132との間に位置している。これにより、例えば、第1部分13aでは、第2搬送部135によって加熱部132で折り返されるように基板G1が搬送される。このように、例えば、加熱部132が第1部分13aに含まれていれば、基板処理装置1の形状が簡素化され、基板処理装置1の設置が容易となり得る。
また、図8の例では、現像部131のうちの第2搬送部135側の端部付近の上に、中継部136が位置している。中継部136は、基板G1を一時的に支持または保持することができる。第2部分13bにおいて、第1搬送部134および冷却部133Aが第1水平方向としての-X方向において順に並んでいる。第1領域P1は、現像部131のうちの第2搬送部135側の端部付近の部分、中継部136、第2搬送部135、および加熱部132を含み、第2領域P2は、第1搬送部134、および冷却部133Aのうちの第3水平方向としての+X方向の側に位置している部分を含む。第1搬送部134は、中継部136の往路部分11側のエリアに位置している。第2搬送部135には、例えば、第1搬送部134と同様な搬送ロボットが適用され得る。中継部136には、例えば、上述したターンテーブルT1と同様な構成が適用される。冷却部133Aは、例えば、上記の冷却部133がベースとされて、回転ユニット133tが除かれた構成を有する。
この構成を有する復路部分13では、次の基板G1の処理および搬送が行われる。現像部131によって基板G1上の塗膜に現像処理を施す。次に、第2搬送部135によって現像部131から加熱部132へ基板G1を搬送する。次に、加熱部132によって現像部131で塗膜に現像処理が施された基板G1を加熱する。次に、第2搬送部135によって加熱部132から中継部136へ基板G1を搬送する。次に、中継部136によって水平姿勢の基板G1を水平面に沿って回転させる。ここでは、例えば、基板G1の向きが約90度回転される。次に、第1搬送部134によって加熱部132で加熱された基板G1を第1領域P1から第2領域P2へ搬送する。ここでは、例えば、第1搬送部134によって中継部136から冷却部133Aへ基板G1を搬送する。このとき、基板G1は、第1搬送部134の回転機構によって水平姿勢で約90度回転された後に、冷却部133Aに搬入される。これにより、第1搬送部134は、中継部136によって水平面に沿って回転された基板G1の向きを元の向きに戻す。次に、冷却部133Aによって、第1搬送部134によって第1領域P1から第2領域P2へ搬送された基板G1を冷却する。ここでは、例えば、冷却部133Aによって、第1搬送部134によって冷却部133Aに搬入された基板G1を冷却する。冷却部133Aでは、例えば、冷却コンベア133cによって水平姿勢の基板G1を第1水平方向としての-X方向に沿って搬送しながら基板G1を冷却する。
ここで、例えば、中継部136に、基板G1を単に一時的に支持または保持する構成を適用し、冷却部133Aを、回転ユニット133tを有する冷却部133に変更してもよい。この場合には、中継部136には、例えば、バッファ部が適用される。バッファ部は、例えば、基板G1が一時的に収納される構成を有する。バッファ部は、例えば、基板G1をそれぞれ載置可能な複数の部分(載置部分ともいう)を有する。載置部分では、例えば、立設された複数のピン上に基板G1が水平姿勢で載置される。バッファ部は、1つの載置部分を有する1段の構造を有していてもよいし、2つ以上の載置部分が上下に並んでいる多段の棚状の構造を有していてもよい。
ここで、例えば、中継部136は、現像部131の上において現像部131に重なるように位置していてもよいし、現像部131の下において現像部131に重なるように位置していてもよい。換言すれば、中継部136は、現像部131に対して上下方向に重なるように位置していてもよい。
ここで、例えば、加熱部132は、第2搬送部135の往路部分11とは逆側のエリアに位置していてもよい。換言すれば、加熱部132は、第1領域P1の往路部分11とは逆側のエリア(外側エリア)A2に位置していてもよい。この場合には、例えば、第1部分13aは、現像部131、第2搬送部135および中継部136を含み、第1領域P1は、第2搬送部135および中継部136を含み、第2領域P2は、第1搬送部134、および冷却部133のうちの第3水平方向としての+X方向の側に位置している部分を含む。
<2-3.第3の変形例>
上記第2の変形例において、例えば、図9および図10等で示されるように、冷却部133Aが、基板G1を一時的に収納した状態で排気を行うことで基板G1を冷却する冷却ユニット133uを有する冷却部133Bに変更されてもよい。これにより、例えば、復路部分13の長さが短縮され得る。よって、例えば、工場内で基板処理装置1の設置が可能な領域に制限があり、第1水平方向としての-X方向における露光装置3とインデクサ装置2との間隔を拡げることが難しい場合であっても、基板処理装置1が配置しやすくなる。図9の例では、第1領域P1は、現像部131のうちの第2搬送部135側の端部付近の部分、中継部136および第2搬送部135を含み、第2領域P2は、第1搬送部134および冷却部133Bを含む。
図10の例では、冷却部133Bは、上下方向に積み重ねられた複数の冷却ユニット133uを有する。冷却ユニット133uには、例えば、基板G1を載置することが可能な載置部と、載置部の周囲の雰囲気を局所的に排出する排気部と、を有するユニットが適用される。載置部には、例えば、立設された複数のピン上に水平姿勢の基板G1を載置することが可能な構成が適用される。冷却ユニット133uでは、例えば、載置部の上に基板G1が載置された状態で、排気部によって基板G1の周囲の雰囲気が局所的に排出されることで基板G1が冷却される。例えば、第1搬送部134の搬送ロボットは、各冷却ユニット133uに対して、基板G1の搬入を行うことができる。各冷却ユニット133uからの基板G1の搬出は、例えば、インデクサ装置2の搬送機構によって行われ得る。
図10の例では、冷却部133Bが3つの冷却ユニット133uを有しているが、これに限られない。冷却部133Bが、1つ、または2つの冷却ユニット133uを有していてもよいし、4つ以上の冷却ユニット133uを有していてもよい。例えば、冷却部133Bが2つ以上の冷却ユニット133uを有する場合には、2つ以上の冷却ユニット133uが上下方向に積み重ねられていれば、工場内で基板処理装置1の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置1の設置が容易となり得る。
<2-4.第4の変形例>
上記第1実施形態、上記第1の変形例および上記第2の変形例において、例えば、図11等で示されるように、冷却部133,133Aとインデクサ装置2との間に、第1水平方向としての-X方向に沿って位置している第3搬送部137を配置してもよい。第3搬送部137は、例えば、冷却部133,133Aから搬入される基板G1をインデクサ装置2側へ搬送することができる。換言すれば、第3搬送部137は、例えば、基板G1を第1水平方向としての-X方向に搬送することができる。ここでは、例えば、往路部分11の長さとの関係で、冷却部133,133Aとインデクサ装置2との間に隙間が生じる場合には、その隙間に第3搬送部137を配置することで、復路部分13の長さを調整することができる。
第3搬送部137には、例えば、コンベア等の搬送機構が適用される。コンベアは、第1水平方向としての-X方向に沿って並んだ複数のローラーを駆動機構(不図示)によって回転させることで、水平姿勢の基板G1を第1水平方向としての-X方向に沿って移動させる。
図11には、上記第1実施形態に係る図2の構成をベースとして、冷却部133とインデクサ装置2との間に、第3搬送部137を配置した一例が示されている。図11の例では、第3搬送部137は、第1水平方向としての-X方向に沿って位置しており、第2部分13bに含まれている。ここで、例えば、第3搬送部137は、第2部分13bに含まれることなく基板処理装置1に含まれていない別装置であってもよい。
<2-5.第5の変形例>
上記第3の変形例において、例えば、図12等で示されるように、第1搬送部134の第3水平方向としての+X方向の側に冷却部133Bを配置し、第1搬送部134の第1水平方向としての-X方向の側に第3搬送部137を配置してもよい。換言すれば、第2部分13bにおいて、冷却部133B、第1搬送部134、および第3搬送部137が第1水平方向としての-X方向において順に並んでいてもよい。図12の例では、第1領域P1は、現像部131のうちの第2搬送部135側の部分、中継部136および第2搬送部135を含み、第2領域P2は、冷却部133B、第1搬送部134および第3搬送部137を含む。
ここで、例えば、加熱部132は、第2搬送部135の往路部分11とは逆側のエリアに位置していてもよい。換言すれば、加熱部132は、第1領域P1の往路部分11とは逆側のエリア(外側エリア)A2に位置していてもよい。この場合には、例えば、第1部分13aは、現像部131、第2搬送部135および中継部136を含み、第1領域P1は、現像部131のうちの第2搬送部135側の部分、第2搬送部135および中継部136を含み、第2領域P2は、第1搬送部134、冷却部133B、および第3搬送部137のうちの第3水平方向としての+X方向の側に位置している部分を含む。
この構成を有する復路部分13では、第1搬送部134によって加熱部132で加熱された基板G1を第1領域P1から第2領域P2へ搬送する際に、第1搬送部134によって中継部136から冷却部133Bへ基板G1を搬送する。このとき、基板G1は、第1搬送部134の回転機構によって水平姿勢で約90度回転された後に、冷却部133Bに搬入される。これにより、第1搬送部134は、中継部136によって水平面に沿って回転された基板G1の向きを元の向きに戻す。その後、冷却部133Bによって、第1搬送部134によって第1領域P1から第2領域P2へ搬送された基板G1を冷却する。ここでは、例えば、冷却部133Bによって、第1搬送部134によって冷却部133Bに搬入された基板G1を冷却する。そして、第1搬送部134によって冷却部133Bから第3搬送部137へ基板G1を搬送する。
ここで、例えば、第3搬送部137は、第2部分13bに含まれていてもよいし、第2部分13bに含まれることなく基板処理装置1に含まれていない別装置であってもよい。
<2-6.第6の変形例>
上記第1実施形態、上記第1の変形例および上記第4の変形例において、例えば、図13等で示されるように、冷却部133が、第1搬送部134よりも第3水平方向としての+X方向に延在しており、第1搬送部134が、冷却部133へ基板G1を搬送する際に、冷却部133のうちの第1搬送部134を基準として第1水平方向に直交する第2水平方向としての-Y方向に位置している領域よりも第3水平方向としての+X方向にずれた領域へ基板G1を搬送してもよい。この場合には、例えば、第1領域P1は、現像部131のうちの第1搬送部134側の端部付近も含む。ここでは、例えば、第1部分13aに対して第2部分13bを第3水平方向としての+X方向にずらすことで、復路部分13の長さが短縮され得る。よって、例えば、基板処理装置1の長さを短縮することができる。
この構成を有する復路部分13では、第1搬送部134によって加熱部132で加熱された基板G1を第1領域P1から第2領域P2へ搬送する際に、第1搬送部134によって第1水平方向としての-X方向に対して斜め後方に戻るように基板G1を搬送する。このとき、基板G1は、第1搬送部134の回転機構によって、水平姿勢で第1水平方向としての-X方向に対して傾いた方向を向いた状態となる。例えば、基板G1の上下の主面が対向する2つの第1辺と対向する2つの第2辺とを有する長方形状である場合には、現像部131で第1辺に沿った第1水平方向としての-X方向に沿って搬送された基板G1が、第1辺の延在方向が第1水平方向としての-X方向に対して90度以外の角度で交差した状態で、冷却部133に搬入される。冷却部133では、例えば、回転ユニット133tによって水平姿勢の基板G1を回転することで、基板G1の向きを元に戻すことができる。例えば、回転ユニット133tによって、第1辺の延在方向が第1水平方向としての-X方向に沿った状態となるように水平姿勢の基板G1を回転することができる。
<2-7.第7の変形例>
上記第1実施形態および上記第1から第6の変形例において、例えば、図14および図15等で示されるように、復路部分13のうちのインデクサ装置2に隣接する箇所に基板G1を載置する載置部138を配置してもよい。この場合には、載置部138に載置された基板G1は、例えば、インデクサ装置2の搬送機構によって基板処理装置1から搬出され得る。載置部138は、例えば、載置ユニットを有する。載置ユニットは、例えば、基板G1が一時的に載置可能な構成を有する。載置ユニットでは、例えば、立設された複数のピン上に基板G1が水平姿勢で載置される。載置部138は、1つの載置ユニットを有する1段の構造を有していてもよいし、2つ以上の載置ユニットが上下に並んでいる多段の構造を有していてもよい。
ここでは、図14で示されるように、復路部分13が、冷却コンベア133cを含む冷却部133,133Aを有する場合には、復路部分13が、冷却部133,133Aと載置部138との間に配置されており且つ冷却部133,133Aから載置部138へ基板G1を搬送する第4搬送部139を有する態様が考えられる。第4搬送部139には、例えば、第1搬送部134と同様な搬送ロボットが適用され得る。
図14には、上記第6の変形例に係る図13の構成をベースとして、冷却部133とインデクサ装置2との間に、第4搬送部139および載置部138を配置した一例が示されている。図14の例では、第2部分13bにおいて、冷却部133、第4搬送部139および載置部138が第1水平方向としての-X方向において順に並んでいる。ここでは、例えば、冷却部133で冷却された基板G1は、第4搬送部139によって冷却部133から載置部138へ搬送される。このとき、基板G1は、載置部138に載置される。ここで、例えば、第4搬送部139および載置部138は、図14で示されるように第2部分13bに含まれていてもよいし、第2部分13bに含まれることなく基板処理装置1の外部の装置および構成であってもよい。
図15には、上記第5の変形例に係る図12の構成をベースとして、第3搬送部137の代わりに載置部138を配置した一例が示されている。図15の例では、第2部分13bにおいて、冷却部133B、第1搬送部134および載置部138が第1水平方向としての-X方向において順に並んでいる。また、第1領域P1は、現像部131のうちの第2搬送部135側の部分、中継部136および第2搬送部135を含み、第2領域P2は、冷却部133B、第1搬送部134および載置部138を含む。ここでは、例えば、冷却部133Bで冷却された基板G1は、第1搬送部134によって冷却部133Bから載置部138へ搬送される。このとき、基板G1は、載置部138に載置される。ここで、例えば、載置部138は、図15で示されるように第2部分13bに含まれていてもよいし、第2部分13bに含まれることなく基板処理装置1の外部の構成であってもよい。
<2-8.第8の変形例>
上記第1実施形態および上記第1から第6の変形例において、例えば、図16および図17等で示されるように、冷却部133,133A,133Bとインデクサ装置2との間に、検査装置4等の他の機能を有する装置が位置していてもよい。検査装置4は、例えば、カメラ等の光学的な部材を用いて基板G1の検査を行うための装置である。この場合には、例えば、インデクサ装置2の搬送機構によって検査装置4からインデクサ装置2へ基板G1搬出され得る。
図16には、上記第6の変形例に係る図13の構成をベースとして、冷却部133とインデクサ装置2との間に検査装置4を配置した一例が示されている。ここでは、例えば、検査装置4が有する搬送ロボット等の搬送機構によって冷却部133から検査装置4内へ基板G1が搬送され得る。
図17には、上記第3変形例に係る図9の構成をベースとして、冷却部133Bとインデクサ装置2との間に検査装置4を配置した一例が示されている。ここでは、例えば、検査装置4が有する搬送ロボット等の搬送機構によって冷却部133Bから検査装置4内へ基板G1が搬送され得る。
<2-9.第9の変形例>
上記第2から第5の変形例、上記第7の変形例および上記第8の変形例において、例えば、図18から図25等で示されるように、復路部分13に含まれた中継部136が、第3水平方向としての+X方向に沿って基板G1を搬送するコンベア(逆搬送コンベアともいう)136cを含む中継部136Aに変更され、第1搬送部134は、逆搬送コンベア136cのうちの第3水平方向としての+X方向側の部分から冷却部133,133A,133Bへ基板G1を搬送してもよい。この場合には、例えば、加熱部132によって加熱後の基板G1を逆搬送コンベア136cで第3水平方向としての+X方向に基板G1を搬送した後に、第1搬送部134によって冷却部133,133A,133Bへ基板G1を搬送する。これにより、例えば、第1部分13aに対して第2部分13bを第3水平方向としての+X方向にずらすことができる。その結果、例えば、復路部分13の第1水平方向としての-X方向における長さが短縮され得る。また、例えば、工場内で基板処理装置1の設置が可能な領域に制限があり、第1水平方向としての-X方向における露光装置3とインデクサ装置2との間隔を拡げることが難しい場合であっても、基板処理装置1を配置しやすくなる。
図18には、上記第2の変形例に係る図8の構成をベースとして、中継部136を中継部136Aに変更し、第1部分13aに対して第2部分13bを第3水平方向としての+X方向にずらした一例が示されている。
中継部136Aは、例えば、逆搬送コンベア136cおよび回転ユニット136tを含む。逆搬送コンベア136cは、第3水平方向としての+X方向に沿って並んだ複数のローラーを駆動機構(不図示)によって回転させることで、水平姿勢の基板G1を第3水平方向としての+X方向に移動させる。回転ユニット136tは、上述した回転ユニット133tと同様に、上下方向に沿った仮想的な回転軸(仮想回転軸)を中心として水平姿勢の基板G1を回転させる構成を有する。図18の例では、中継部136Aは、第2搬送部135とは逆側の端部付近に回転ユニット136tを有する。
回転ユニット136tには、例えば、逆搬送コンベア136cのうちの複数の連続して並んだ2つ以上のローラーにおけるY方向の中央付近の開口部において、ターンテーブルと、このターンテーブルを昇降させる昇降機構とを有する構成が適用され得る。ターンテーブルには、例えば、テーブル部、軸部、および回転駆動部を有する構造が適用される。テーブル部は、例えば、上面に立設された複数のピン上において水平姿勢の基板G1を下方から支持することが可能な部分である。軸部は、例えば、テーブル部が固定された上端部を有し、仮想回転軸に沿って上下方向に延びている柱状または棒状の部分である。回転駆動部は、例えば、仮想回転軸を中心として軸部を回転させるモーター等の駆動部である。昇降機構には、例えば、回転駆動部を上下方向に昇降させるシリンダー等の機構が適用される。上記構成を有する回転ユニット136tは、例えば、逆搬送コンベア136c上のうちのターンテーブルの上方に基板G1が位置している状態で、昇降機構によってターンテーブルを上昇させることでテーブル部によって水平姿勢の基板G1を下方から持ち上げ、回転駆動部によって仮想回転軸を中心としてテーブル部を約90度等の第3所定角度回転させる。これにより、水平姿勢の基板G1の向きが水平面に沿って回転され得る。その後、例えば、昇降機構によってターンテーブルを下降させることで逆搬送コンベア136c上に基板G1を載置してもよいし、ターンテーブルを下降させることなく、テーブル部によって下方から持ち上げられている基板G1を、第1搬送部134によって冷却部133Aへ搬送してもよい。
また、図18の例では、第1領域P1は、現像部131のうちの第2搬送部135側の部分、第2搬送部135、加熱部132および中継部136Aを含み、第2領域P2は、第1搬送部134および冷却部133Aを含む。
図18の例の構成を有する復路部分13では、次のように加熱部132から冷却部133Aへ基板G1が搬送される。まず、第2搬送部135によって加熱部132から中継部136Aへ基板G1を搬送する。次に、中継部136Aにおいて、逆搬送コンベア136cによって水平姿勢の基板G1を第3水平方向としての+X方向に沿って搬送するとともに、回転ユニット136tによって水平姿勢の基板G1を水平面に沿って回転させる。ここでは、例えば、基板G1の向きが約90度回転される。次に、第1搬送部134によって加熱部132で加熱された基板G1を第1領域P1から第2領域P2へ搬送する。ここでは、例えば、第1搬送部134によって中継部136Aのうちの第3水平方向としての+X方向側の部分から冷却部133Aへ基板G1を搬送する。このとき、基板G1は、第1搬送部134の回転機構によって水平姿勢で約90度回転された後に、冷却部133Aに搬入される。これにより、第1搬送部134は、中継部136Aによって水平面に沿って回転された基板G1の向きを元の向きに戻す。
図19には、上記第3の変形例に係る図9の構成をベースとして、中継部136を中継部136Aに置換し、第1部分13aに対して第2部分13bを第3水平方向としての+X方向にずらした一例が示されている。図19の例では、第1領域P1は、現像部131のうちの第2搬送部135側の部分および中継部136Aを含み、第2領域P2は、第1搬送部134および冷却部133Bを含む。
図19の例の構成を有する復路部分13では、次のように加熱部132から冷却部133Bへ基板G1が搬送される。まず、第2搬送部135によって加熱部132から中継部136Aへ基板G1を搬送する。次に、中継部136Aにおいて、逆搬送コンベア136cによって水平姿勢の基板G1を第3水平方向としての+X方向に沿って搬送するとともに、回転ユニット136tによって水平姿勢の基板G1を水平面に沿って回転させる。ここでは、例えば、基板G1の向きが約90度回転される。次に、第1搬送部134によって加熱部132で加熱された基板G1を第1領域P1から第2領域P2へ搬送する。ここでは、例えば、第1搬送部134によって中継部136Aのうちの第3水平方向としての+X方向側の部分から冷却部133Bへ基板G1を搬送する。このとき、基板G1は、第1搬送部134の回転機構によって水平姿勢で約90度回転された後に、冷却部133Bに搬入される。これにより、第1搬送部134は、中継部136Aによって水平面に沿って回転された基板G1の向きを元の向きに戻す。
図20には、図18の構成をベースとして、上記第4の変形例に係る図11と同様に、冷却部133Aとインデクサ装置2との間に、第3搬送部137を配置した一例が示されている。第3搬送部137は、例えば、冷却部133Aから搬入される基板G1をインデクサ装置2側へ搬送することができる。第3搬送部137は、例えば、基板G1を第1水平方向としての-X方向に搬送することができる。ここでは、例えば、往路部分11の長さとの関係で、冷却部133Aとインデクサ装置2との間に隙間が生じる場合には、その隙間に第3搬送部137を配置することで、復路部分13の長さを調整することができる。
図21には、上記第5の変形例に係る図12の構成をベースとして、中継部136を中継部136Aに変更し、第1部分13aに対して第2部分13bを第3水平方向としての+X方向にずらした一例が示されている。図21の例では、第1領域P1は、現像部131のうちの第2搬送部135側の部分、第2搬送部135および中継部136Aを含み、第2領域P2は、第1搬送部134、冷却部133Bおよび第3搬送部137を含む。
図21の例の構成を有する復路部分13では、次のように加熱部132から冷却部133Bへ基板G1が搬送される。まず、第2搬送部135によって加熱部132から中継部136Aへ基板G1を搬送する。次に、中継部136Aにおいて、逆搬送コンベア136cによって水平姿勢の基板G1を第3水平方向としての+X方向に沿って搬送するとともに、回転ユニット136tによって水平姿勢の基板G1を水平面に沿って回転させる。ここでは、例えば、基板G1の向きが約90度回転される。次に、第1搬送部134によって加熱部132で加熱された基板G1を第1領域P1から第2領域P2へ搬送する。ここでは、例えば、第1搬送部134によって中継部136Aのうちの第3水平方向としての+X方向側の部分から冷却部133Bへ基板G1を搬送する。このとき、基板G1は、第1搬送部134の回転機構によって水平姿勢で約90度回転された後に、冷却部133Bに搬入される。これにより、第1搬送部134は、中継部136Aによって水平面に沿って回転された基板G1の向きを元の向きに戻す。
図22には、図18の構成をベースとして、上記第7の変形例に係る図14と同様に、冷却部133Aとインデクサ装置2との間に、第4搬送部139および載置部138を配置した一例が示されている。図22の例では、第2部分13bにおいて、第1搬送部134、冷却部133A、第4搬送部139および載置部138が第1水平方向としての-X方向において順に並んでいる。ここでは、例えば、冷却部133Aで冷却された基板G1は、第4搬送部139によって冷却部133から載置部138へ搬送される。このとき、基板G1は、載置部138に載置される。ここで、例えば、第4搬送部139および載置部138は、図22で示されるように第2部分13bに含まれていてもよいし、第2部分13bに含まれることなく基板処理装置1の外部の装置および構成であってもよい。
図23には、上記第7の変形例に係る図15の構成をベースとして、中継部136を中継部136Aに変更し、第1部分13aに対して第2部分13bを第3水平方向としての+X方向にずらした一例が示されている。図23の例では、第1領域P1は、現像部131のうちの第2搬送部135側の部分および中継部136Aを含み、第2領域P2は、第1搬送部134、冷却部133Bおよび載置部138を含む。ここで、例えば、載置部138は、図23で示されるように第2部分13bおよび第2領域P2に含まれていてもよいし、第2部分13bおよび第2領域P2に含まれることなく基板処理装置1の外部の構成であってもよい。図23の例の構成を有する復路部分13では、図21の例の構成を有する復路部分13と同様にして、加熱部132から冷却部133Bへ基板G1が搬送される。
図24には、図18の構成をベースとして、上記第8の変形例に係る図16と同様に、冷却部133Aとインデクサ装置2との間に検査装置4を配置した一例が示されている。図24の例では、例えば、検査装置4が有する搬送ロボット等の搬送機構によって冷却部133Aから検査装置4内へ基板G1が搬送され、インデクサ装置2の搬送機構によって検査装置4からインデクサ装置2へ基板G1搬出され得る。
図25には、上記第8の変形例に係る図17の構成をベースとして、中継部136を中継部136Aに変更し、第1部分13aに対して第2部分13bを第3水平方向としての+X方向にずらした一例が示されている。図25の例では、第1領域P1は、現像部131のうちの第2搬送部135側の部分および中継部136Aを含み、第2領域P2は、第1搬送部134および冷却部133Bを含む。図25の例の構成を有する復路部分13では、図19の例の構成を有する復路部分13と同様にして、加熱部132から冷却部133Bへ基板G1が搬送される。
第9の変形例では、例えば、中継部136Aは、第3水平方向としての+X方向における何れの位置において回転ユニット136tを有していてもよい。
第9の変形例では、例えば、第1搬送部134が、基板G1の搬送方向が相互に異なる複数のコンベアを順に並べた構成を有する態様も考えられる。この場合には、例えば、第1搬送部134は、第1部分13aから第2部分13bにかけて位置していてもよい。換言すれば、例えば、第1搬送部134は、第1領域P1から第2領域P2にかけて位置していてもよい。ここで、例えば、中継部136Aにおいて基板G1が移動する経路(第1パスラインともいう)の高さと、冷却部133,133A,133Bにおいて基板G1が位置する高さとが異なる場合には、第1搬送部134は、複数のコンベアの少なくとも一部を昇降させる昇降機構を有していてもよい。
<2-10.その他>
上記第1実施形態および上記各変形例において、例えば、復路部分13は、第1水平方向としての-X方向に沿って位置しており且つ水平面に対して垂直である仮想的な鉛直面としてのXZ平面を基準として面対称の構成に変更されてもよい。換言すれば、例えば、第1部分13aにおける第1領域P1の往路部分11とは逆側の外側エリアA2に第2領域P2が位置していてもよい。
上記第1実施形態および上記各変形例において、例えば、処理対象としての基板G1としてのガラス基板には、例えば、液晶表示装置用ガラス基板、有機EL(Electro Luminescence)表示用ガラス基板、PDP用ガラス基板またはフォトマスク用ガラス基板等が適用される。また、処理対象の基板G1として、例えば、ガラス基板とは異なる、半導体ウエハ、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板または太陽電池用基板等の他の精密電子装置用の基板が採用されてもよい。
上記第1実施形態および上記各変形例において、例えば、基板処理装置1は、インデクサ装置2を含んでいてもよいし、露光装置3を含んでいてもよい。
なお、上記第1実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
1 基板処理装置
11 往路部分
111 洗浄部
112 成膜部
12 インターフェース部
13 復路部分
13a 第1部分
13b 第2部分
131 現像部
132 加熱部
133,133A,133B 冷却部
133c 冷却コンベア
133t,136t 回転ユニット
133u 冷却ユニット
134 第1搬送部
135 第2搬送部
136,136A 中継部
136c 逆搬送コンベア
137 第3搬送部
138 載置部
139 第4搬送部
2 インデクサ装置
3 露光装置
G1 基板
P1 第1領域
P2 第2領域

Claims (9)

  1. インデクサ装置から基板が搬入される領域から露光装置に向けて前記基板を搬出するインターフェース部に至るまで前記基板が移動する往路部分と、前記インターフェース部から前記インデクサ装置に向けて前記基板が搬出される領域に至るまで前記露光装置から前記インターフェース部に搬入された前記基板が移動する復路部分と、を備えている基板処理装置であって、
    前記往路部分は、前記基板に洗浄処理を施す洗浄部と、前記洗浄処理が施された前記基板上に塗膜を形成する成膜部と、を有し、
    前記復路部分は、それぞれ第1水平方向に沿って位置している第1部分および第2部分、を有し、
    前記第1部分は、前記塗膜に現像処理を施す現像部、を含み、
    前記第2部分は、前記現像処理後に加熱部で加熱された前記基板を冷却する冷却部、を含み、
    上方から平面透視した場合に、前記第1部分のうちの前記第1水平方向における一部を構成する第1領域と、前記第2部分のうちの前記第1水平方向における少なくとも一部を構成する第2領域と、が前記第1水平方向に直交する第2水平方向において並んでおり、
    前記復路部分は、前記加熱部と、該加熱部で加熱された前記基板を前記第1領域から前記第2領域へ搬送する第1搬送部と、を含む、基板処理装置。
  2. 請求項1に記載の基板処理装置であって、
    前記第1部分において、前記現像部、前記第1搬送部および前記加熱部が前記第1水平方向において順に並んでおり、
    前記第1搬送部は、前記現像部から前記加熱部へ前記基板を搬送し、前記加熱部から前記冷却部へ前記基板を搬送する、基板処理装置。
  3. 請求項1に記載の基板処理装置であって、
    前記第1部分は、前記現像部に対して上下方向に重なるように位置している中継部と、前記現像部から前記加熱部へ前記基板を搬送するとともに前記加熱部から前記中継部へ前記基板を搬送する第2搬送部と、を含み、
    前記第1搬送部は、前記中継部から前記冷却部へ前記基板を搬送する、基板処理装置。
  4. 請求項3に記載の基板処理装置であって、
    前記中継部は、前記第1水平方向とは逆の第3水平方向に沿って前記基板を搬送する逆搬送コンベア、を含み、
    前記第1搬送部は、前記逆搬送コンベアのうちの前記第3水平方向側の部分から前記冷却部へ前記基板を搬送する、基板処理装置。
  5. 請求項3または請求項4に記載の基板処理装置であって、
    前記第1部分において、前記現像部、前記第2搬送部および前記加熱部が前記第1水平方向において順に並んでいる、基板処理装置。
  6. 請求項1から請求項5の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記冷却部は、前記基板を前記第1水平方向に沿って搬送しながら前記基板を冷却する冷却コンベア、を含む、基板処理装置。
  7. 請求項1から請求項5の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記冷却部は、前記基板を一時的に収納した状態で排気を行うことで前記基板を冷却する冷却ユニット、を含む、基板処理装置。
  8. 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
    前記第1部分は、前記第1搬送部を含み、
    前記冷却部は、前記基板を前記第1水平方向に向けて搬送しながら前記基板を冷却する冷却コンベアを含むとともに、前記第1搬送部よりも前記第1水平方向とは逆の第3水平方向に延在しており、
    前記第1搬送部は、前記冷却部へ前記基板を搬送する際に、前記冷却部のうちの前記第1搬送部を基準として前記第2水平方向に位置している領域よりも前記第3水平方向にずれた領域へ前記基板を搬送する、基板処理装置。
  9. インデクサ装置から基板が搬入される領域から露光装置に向けて前記基板を搬出するインターフェース部に至るまで前記基板が移動する往路部分と、前記インターフェース部から前記インデクサ装置に向けて前記基板が搬出される領域に至るまで前記露光装置から前記インターフェース部に搬入された前記基板が移動する復路部分と、を備えている基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
    前記往路部分は、前記基板に洗浄処理を施す洗浄部と、前記洗浄処理が施された前記基板上に塗膜を形成する成膜部と、を有し、
    前記復路部分は、それぞれ第1水平方向に沿って位置している第1部分および第2部分、を有し、
    前記第1部分は、現像部、を含み、
    前記第2部分は、冷却部、を含み、
    上方から平面透視した場合に、前記第1部分のうちの前記第1水平方向における一部を構成する第1領域と、前記第2部分のうちの前記第1水平方向における少なくとも一部を構成する第2領域と、が前記第1水平方向に直交する第2水平方向において並んでおり、
    前記復路部分は、加熱部と、第1搬送部と、を含み、
    前記現像部によって、前記塗膜に現像処理を施す第1工程と、
    前記加熱部によって、前記第1工程において前記塗膜に前記現像処理が施された前記基板を加熱する第2工程と、
    前記第1搬送部によって、前記第2工程において加熱された前記基板を前記第1領域から前記第2領域へ搬送する第3工程と、
    前記冷却部によって、前記第3工程において前記第1領域から前記第2領域へ搬送された前記基板を冷却する第4工程と、を有する、基板処理方法。
JP2022032441A 2022-03-03 2022-03-03 基板処理装置および基板処理方法 Active JP7350114B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022032441A JP7350114B2 (ja) 2022-03-03 2022-03-03 基板処理装置および基板処理方法
TW111144511A TWI833460B (zh) 2022-03-03 2022-11-22 基板處理裝置及基板處理方法
KR1020230004623A KR102627210B1 (ko) 2022-03-03 2023-01-12 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN202310219017.5A CN116705678B (zh) 2022-03-03 2023-03-01 基板处理装置以及基板处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022032441A JP7350114B2 (ja) 2022-03-03 2022-03-03 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023128234A JP2023128234A (ja) 2023-09-14
JP7350114B2 true JP7350114B2 (ja) 2023-09-25

Family

ID=87832876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022032441A Active JP7350114B2 (ja) 2022-03-03 2022-03-03 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7350114B2 (ja)
KR (1) KR102627210B1 (ja)
CN (1) CN116705678B (ja)
TW (1) TWI833460B (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340846A (ja) 2005-06-17 2005-12-08 Yoshitake Ito 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2007324562A (ja) 2006-06-05 2007-12-13 Lg Phillips Lcd Co Ltd フォト装置及び方法
JP2020107747A (ja) 2018-12-27 2020-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3338343B2 (ja) * 1992-12-21 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3595760B2 (ja) * 2000-07-19 2004-12-02 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置および基板洗浄装置
TW533460B (en) * 2001-03-09 2003-05-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
JP4286596B2 (ja) * 2003-07-01 2009-07-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP4542984B2 (ja) * 2005-11-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP2008300578A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP4954162B2 (ja) * 2008-08-29 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP6407629B2 (ja) * 2014-08-29 2018-10-17 株式会社Screenホールディングス 搬送装置および基板処理装置
JP7097759B2 (ja) 2018-06-22 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7232593B2 (ja) * 2018-08-30 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7232596B2 (ja) * 2018-08-30 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7186605B2 (ja) * 2018-12-27 2022-12-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7247743B2 (ja) * 2019-05-20 2023-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6994489B2 (ja) * 2019-10-02 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP7414664B2 (ja) * 2020-08-12 2024-01-16 東京エレクトロン株式会社 温度測定ユニット、熱処理装置及び温度測定方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340846A (ja) 2005-06-17 2005-12-08 Yoshitake Ito 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2007324562A (ja) 2006-06-05 2007-12-13 Lg Phillips Lcd Co Ltd フォト装置及び方法
JP2020107747A (ja) 2018-12-27 2020-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230130525A (ko) 2023-09-12
TW202336822A (zh) 2023-09-16
CN116705678A (zh) 2023-09-05
CN116705678B (zh) 2024-01-30
JP2023128234A (ja) 2023-09-14
KR102627210B1 (ko) 2024-01-19
TWI833460B (zh) 2024-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4955976B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
JP4124400B2 (ja) 基板処理装置
JP4954162B2 (ja) 処理システム
JP5050018B2 (ja) 塗布現像装置及び塗布現像方法
JP4040025B2 (ja) 塗布膜形成装置
JP4969138B2 (ja) 基板処理装置
JP2007158032A (ja) 基板搬送方法及び基板搬送装置
JP3868223B2 (ja) 搬送装置
JP3774283B2 (ja) 処理システム
JP5578675B2 (ja) レジストパターン形成装置
JP3649048B2 (ja) レジスト塗布・現像装置、ならびにそれに用いる基板加熱処理装置および基板搬送装置
JP5004611B2 (ja) 基板処理装置
JP2008288447A (ja) 基板処理装置
JP4757924B2 (ja) 基板処理装置
JP7350114B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20080196658A1 (en) Substrate processing apparatus including a substrate reversing region
JPH10275766A (ja) 基板処理装置
JP7405884B2 (ja) 基板処理装置
KR102686260B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3629437B2 (ja) 処理装置
TWI797325B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6407629B2 (ja) 搬送装置および基板処理装置
JP7405889B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3629434B2 (ja) 処理装置
JP2003031640A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220922

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230905

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230912

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7350114

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150