KR20150132506A - 소형 배치 기판 핸들링 시스템을 위한 온도 제어 시스템 및 방법 - Google Patents
소형 배치 기판 핸들링 시스템을 위한 온도 제어 시스템 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150132506A KR20150132506A KR1020157029754A KR20157029754A KR20150132506A KR 20150132506 A KR20150132506 A KR 20150132506A KR 1020157029754 A KR1020157029754 A KR 1020157029754A KR 20157029754 A KR20157029754 A KR 20157029754A KR 20150132506 A KR20150132506 A KR 20150132506A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- substrates
- chamber
- carousel
- handling system
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
다양한 기판 처리 챔버들 내로 그리고 다양한 기판 처리 챔버들 밖으로 이송되는 기판들의 배치들을 가열 및/또는 냉각할 수 있는 기판 핸들링 시스템들의 실시예들이 제공된다. 또한, 다양한 다른 양태들로서 기판을 핸들링하는 방법들이 제공된다.
Description
관련 출원
[0001] 본 출원은 2013년 3월 15일에 출원하고 발명의 명칭이 "웨이퍼들의 소형 배치들을 위한 웨이퍼 핸들링 시스템들 및 방법들(WAFER HANDLING SYSTEMS AND METHODS FOR SMALL BATCHES OF WAFERS)"(대리인 문서 번호. 20667/L/FEG/SYNX)인 미국 가특허 출원 일련번호 제 61/800,595호를 우선권으로 청구하며, 이 미국 가특허 출원은 이로써 모든 목적들을 위해 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.
분야
[0002] 본 발명은 일반적으로 전자 장치 제조에 관한 것으로, 더 상세하게는 소형 배치 기판 핸들링 시스템들을 위한 온도 제어 시스템들 및 방법들에 관한 것이다.
[0003] 전자 장치 제조 프로세스 내에서, 기판 핸들링 시스템은 처리하기 기 위해(undergo processing) 기판을 다양한 챔버들 내로 그리고 챔버들 밖으로 이동시킬 수 있다. 일부 챔버들은 비교적 작은 개수의 기판들(예를 들면, 약 6개의 기판들)을 동시에 배치 처리(batch process)할 수 있다. 종래의 일부 기판 핸들링 시스템들은 기판들을 고수율로 제조 프로세스를 통하여 이송할 수 있지만, 단지 기판들을 한번에 하나씩만 이송할 수 있다. 이는 기판 생산을 느리게 할 수 있고, 이에 따라 제조 비용을 증가시킨다. 따라서, 개선된 기판 핸들링 시스템들 및 다양한 챔버들 내로 그리고 이 챔버들 밖으로의 기판들의 소형 배치(batch)들을 이송할 수 있는 방법들이 추구된다.
[0004] 본 발명의 실시예들의 일부 양태들에서, 기판 핸들링 시스템이 제공된다. 기판 핸들링 시스템은 복수의 기판들을 기판 처리 챔버 내로 또는 기판 처리 챔버 밖으로 이송하도록 구성된 로봇; 상기 로봇에 의한 이송을 위해 기판들을 위치 설정하도록 구성된 캐러셀; 및 상기 캐러셀 상의 기판들을 가열 또는 냉각하도록 구성된 온도 제어 시스템을 포함한다.
[0005] 다른 양태들에서, 기판 프로세스에서 기판들을 이송하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 복수의 기판들을 기판 처리 챔버 내로 또는 기판 처리 챔버 밖으로 이송하도록 구성된 로봇, 상기 로봇에 의한 이송을 위해 기판들을 위치 설정하도록 구성된 캐러셀, 및 상기 캐러셀 상의 기판들을 가열 또는 냉각하도록 구성된 온도 제어 시스템을 포함하는, 기판 핸들링 시스템을 제공하는 단계; 기판을 상기 캐러셀 상으로 로딩하는 단계; 상기 캐러셀 상의 기판들을 가열하는 단계; 및 상기 가열된 기판들을 상기 처리 챔버 내로 로딩하는 단계를 포함한다.
[0006] 또 다른 양태들에서, 기판 처리 시스템이 제공된다. 상기 기판 처리 시스템은 처리 챔버; 상기 처리 시스템에 커플링되고 복수의 기판들을 상기 기판 처리 챔버 내로 또는 상기 기판 처리 챔버 밖으로 이송하도록 구성된 로봇, 상기 로봇에 의한 이송을 위해 기판들을 위치 설정하도록 구성된 캐러셀, 및 상기 캐러셀 상의 기판들을 가열 또는 냉각하도록 구성된 온도 제어 시스템을 포함하는 기판 핸들링 시스템; 및 상기 기판 핸들링 시스템에 기판을 전달하고 상기 기판 핸들링 시템으로부터 기판들을 수용하도록 배치된(disposed) 팩토리 인터페이스를 포함한다.
[0007] 본 발명의 다른 피쳐들 및 양태들은 후술하는 예시적인 실시예들의 상세한 설명, 첨부된 청구범위, 및 첨부 도면들로부터 더 충분히 자명하게 될 것이다.
[0008] 도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 나란한 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 포함하는 예시적인 기판 처리 시스템을 예시하는 개략도이다.
[0009] 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 예시적인 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 예시하는 개략도이다.
[0010] 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 예시적인 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 예시하는 사시도이다.
[0011] 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼 내에 예시적인 기판 가열 시스템을 예시하는 절개 사시도이다.
[0012] 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 기판 냉각 시스템을 포함하는 예시적인 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 예시하는 개략도이다.
[0013] 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 위한 예시적인 기판 냉각판을 예시하는 개략도이다.
[0014] 도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 냉각 시스템 및 로드 록 기능을 포함하는 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 구비한 예시적인 기판 처리 시스템을 예시하는 개략도이다.
[0015] 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 가열 시스템 및 로드 록 기능을 포함하는 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 구비한 기판 처리 시스템을 예시하는 개략도이다.
[0016] 도 9는 도 8의 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼의 확대도이다.
[0017] 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 예시적인 방법을 설명하는 흐름도이다.
[0009] 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 예시적인 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 예시하는 개략도이다.
[0010] 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 예시적인 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 예시하는 사시도이다.
[0011] 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼 내에 예시적인 기판 가열 시스템을 예시하는 절개 사시도이다.
[0012] 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 기판 냉각 시스템을 포함하는 예시적인 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 예시하는 개략도이다.
[0013] 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 위한 예시적인 기판 냉각판을 예시하는 개략도이다.
[0014] 도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 냉각 시스템 및 로드 록 기능을 포함하는 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 구비한 예시적인 기판 처리 시스템을 예시하는 개략도이다.
[0015] 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 가열 시스템 및 로드 록 기능을 포함하는 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼을 구비한 기판 처리 시스템을 예시하는 개략도이다.
[0016] 도 9는 도 8의 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼의 확대도이다.
[0017] 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 예시적인 방법을 설명하는 흐름도이다.
[0018] 본 발명의 실시예들은 기판 핸들링 시스템들 내에 사용하기 위한 온도 제어 방법들 및 시스템들에 관한 것이다. 이러한 기판 핸들링 시스템들은 기판 처리 챔버 내로 또는 기판 처리 챔버 밖으로 또는 전자 장치 처리 시스템 내에 두 개 이상의 기판 처리 챔버들 사이에서 동시 처리를 위한 기판들의 소형 배치들(예를 들면, 5개 또는 6개의 기판들)을 이송하기 위해 구성된다. 기판 처리 챔버들은 기판들의 소형 배치들을 동시에 처리할 수 있다. 처리 챔버들로부터 기판 배치들의 효과적인 로딩 및 언로딩은 처리 챔버(들)에 근접하게 배치된 이송 챔버 내에 수용된 캐러셀 스타일 기판 핸들링 시스템을 사용하여 달성된다. 일부 실시예들에서 하우징 또는 챔버(예를 들면, 이송 챔버)는 기판 핸들링 시스템의 부분이 고려된다는 점에 주의하자.
[0019] 기판 핸들링 시스템들의 일부 실시예들은 기판들이 처리 챔버로 또는 처리 챔버로부터 이동되는 동안 이송 챔버 내의 기판들의 전-처리 예열 및/또는 후-처리 냉각을 포함한다. 또한, 일부 실시예들은 (a) 기판 온도 제어 시스템을 구비한 기판 핸들링 시스템들 및 (b) 기판 핸들링 시스템/이송 챔버와 팩토리 인터페이스 사이의 로드 록에 대한 요구를 제거하는 로드 록 기능들 모두를 제공한다.
[0020] 본원에서 설명된 기판 핸들링 시스템 실시예들 중 일부는 더 작은 풋프린트를 가지며 또한 종래의 기판 핸들링 시스템들에 비해 기판 수율을 증가시킬 수 있다. 이러한 이익들은 상기 설계가 프로세스 챔버 로딩으로부터 로드 록의 작동을 커플링 해제하기 때문에 개선된 로드 록 활용을 통해 달성될 수 있다. 또한, 수율은 부가 시간을 요구하지 않는 이송 동안 기판 예열 및/또는 후-처리 냉각을 제공함으로써 개선될 수 있다(예를 들면, 가열 및/또는 냉각이 기판 이송과 병행하여 수행되기 때문에, 가열 및/또는 냉각이 "임계적 경로(critical path)" 시간 계산으로부터 제외된다). 또한, 일부 실시예들은 프로세스 챔버 내로의 유입 시간까지 연속적으로 예열을 인가함으로써 개선된 예열 제어를 제공할 수 있다. 본원에서 설명된 일부 실시예들은 원자 층 증착(ADL) 캐러셀들에 적용 가능하다.
[0021] 지금부터 도 1 및 도 2를 보면, 두 개의 나란한 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(102)들을 포함하는 기판 처리 시스템(100)의 예시적인 실시예가 도시된다. 예시적인 시스템(100)은 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(102)들에 의해 제공되는 두 개의 소형 배치 처리 챔버(104)들을 포함하며, 여기서 하나의 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(102)은 하나의 처리 챔버(104) 전용이다. 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(102)들은 각각 캐러셀 타입 기판 핸들링 시스템(108)을 수용하는 이송 챔버(106)를 포함한다. 도 2에서 더 명확하게 볼 수 있는 바와 같이, 기판 핸들링 시스템(108)은 기판을 핸들링하기 위한 엔드 이펙터(112)(예를 들면, 블레이드)를 지지하는 이송 로봇(110)(예를 들면, SCARA(선택적 컴플라이언스 관절 로봇 암; a selective compliance articulated robot arm)) 및 이송 로봇(110)을 이용하여 처리 챔버(104) 내로의 로딩 및 처리 챔버로부터의 언로딩을 위한 위치 내로 기판들을 회전시키기 위한 기판 캐러셀(114)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 선형 연장 축 로봇 암은 관절 로봇 암 대신 사용될 수 있다는 점에 주의하자. 기판 캐러셀(114)은 또한 팩토리 인터페이스(120) 내 팩토리 인터페이스 로봇(118)로 또는 팩터리 인터페이스 로봇(118)으로부터 로드 록(116)을 통과하기 위해 기판들을 위치 설정하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)은 또한 팩토리 인터페이스(120) 내에 냉각 스테이션(122)들을 포함할 수 있다.
[0022] 도 2는 도 1의 예시적인 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(102)들 중 하나의 확대도를 도시하고 도 3은 예시적인 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(102)들 중 하나의 사시도를 도시한다. 특별한 피쳐들을 더욱 명확하게 도시하기 위하여 이송 챔버(106)의 상부가 도 3으로부터 제거되는 점에 주의하자. 도 2에 도시된 바와 같이, 캐러셀(114)은 캐러셀(114)이 회전함에 따라 회전되는 다수의 기판 지지대(202)들(예를 들면, 5개, 6개, 또는 7개의 지지대들)을 포함할 수 있으며 기판 지지대(202)들 중 하나 또는 둘 이상의 지지대 상의 기판(302)들은 지지대(202)들이 가열 시스템(204)들에 근접하게 통과할 때마다 하나 또는 둘 이상의 정지형 가열 시스템(204)들에 의해 가열될 수 있다.
[0023] 일부 실시예들에서, 복사열 가열 시스템(radiant heating system)들은 예를 들면 처리 챔버(104)에 바로 근접한 위치들에서 기판 지지대(202)들 상의 기판(302) 바로 위 및/또는 아래에 배치될 수 있다. 적절한 복사열 기판 예열기의 일 예는 미저리주 세인트 루이스의 와트로 일렉트릭 매뉴팩처링 컴퍼니(Watlow Electric Manufacturing Company)로부터 상업적으로 입수 가능한 RAYMAX® 모델 패널 히터이다. 또한 와트로 일렉트릭 매뉴팩처링 컴퍼니로부터의 ULTAMIC® 어드밴스드 세라믹 히터(Advanced Ceramic heaters)들, 두꺼운 필름 전도 히터(Thick Film Conduction heater)들, 및 코일 및 케이블 히터(Coil & Cable heater)들과 같은 상이한 타입들(예를 들면, 전도 또는 대류)의 히터들을 포함하는 다른 실현 가능한 가열 시스템들이 사용될 수 있다. 예를 들면, 기판 캐러셀(114)은 기판 지지대(202)들 중 하나 또는 둘 이상의 기판 지지대 내에 매립형 저항 가열 요소들을 포함할 수 있고 이에 따라 캐러셀(114)이 회전함에 따라 가열 시스템이 이동한다. 따라서, 상기 시스템(100)은 처리 챔버(104)를 향하여 회전하는 지지대(202)들 내의 기판(302)들을 선택적으로 가열하도록 구성될 수 있고 처리 챔버(104)로부터 떨어져 회전하는 지지대(202)들의 기판(302)을 가열하지 않도록 구성될 수 있다.
[0024] 시스템(100)의 구성은 히터들의 위치 및 사용에서 상당한 가요성을 제공한다. 종래에는, 예열이 로드 록(116)에서 수행되었다. 이는 기판(302)을 처리 챔버(104)로 옮기는 프로세스에 시간이 부가되었다. 본 발명의 실시예들은 로드 록 기능 및 예열을 커플링 해제하고 예열이 임계적 경로 타임라인(timeline)을 벗어나 수행되는 것을 허용한다. 상기 구성은 또한 예를 들면 상이한 적용 분야들을 위한 현장에서 더 적은 히터들의 사용 및 히터들의 부가 또는 제거를 허용한다. 또한, 상기 시스템(100)은 가열 시스템(204)이 프로세스 챔버(104)의 전방에 바로 위치될 수 있기 때문에 프로세스 챔버(104) 내로 로딩되기 전 마지막 순간 까지 기판(302)이 가열되는 것을 허용함으로써 개선된 기판 온도 제어를 제공한다. 이는 예열 위치로부터 프로세스 챔버(104)까지의 온도 변화를 최소화한다.
[0025]
도 4는 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(102) 내에 예시적인 기판 가열 시스템(204)을 예시하는 절개 사시도이다. 도시된 특별한 예의 가열 시스템(204)의 실시예는 도 3에 표시된 바와 같이 캐러셀(114)의 기판 지지대(202) 위에 그리고 처리 챔버(104)에 근접하게 위치 설정된다. 몇몇 실시예들에서, 사용하는 복사열 가열 시스템(204) 및 적외선 또는 다른 파장의 전구가 열원(402)로서 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 열원(402) 아래 배치되는 반사기(404)들은 처리 챔버(104)를 향하는 도중에 가열 시스템(204) 아래 위치 설정된 기판(302)에 직접 복사열을 지향 및 집중시키기 위해 사용될 수 있다.
[0026] 도 5는 본 발명의 대안적인 실시예에 따른 기판 냉각 시스템(502)을 포함하는 예시적인 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(500)을 예시하는 개략도이다. 기판 냉각 시스템(502)은 캐러셀(504)의 냉각판(506)들 중 하나의 냉각판 상에 놓이는 기판(302)으로부터 열을 인출하도록 히트 싱크(heat sink)들과 같이 작용하는 하나 또는 둘 이상의 냉각판(506)들을 지지하는 회전 가능한 캐러셀(504)을 포함한다. 엔드 이펙터(112)를 사용하는 이송 로봇(110)은 기판들이 처리 챔버(104)로부터 언로딩된 후 냉각판(506)들 상에 기판(302)들을 배치하도록 가동된다. 캐러셀(504)은 이어서 다른 처리 챔버(104') 내로 또는 팩토리 인터페이스로 이어지는 로드 록(116) 내로 로딩되도록 냉각 기판(302)들을 적절한 위치로 회전시킬 수 있다.
[0027] 도 6은 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(500)에서 사용하기 위해 캐러셀(504) 상에 장착된 기판의 냉각판(506)들의 세트를 포함하는 예시적인 냉각 시스템(502)의 세부를 도시한다. 냉각판(506)들 각각은 기판(302)들이 냉각판(506)들 상에 배치되고 냉각판(506)들로부터 제거될 때 엔드 이펙터(112)의 피쳐들을 수용하도록 노치(602)들 및 홈(604)들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 냉각판(506)들은 알루미늄, 알루미늄 내로 포팅되거나(potted) 스웨이징된(swaged) 구리 배관을 구비한 알루미늄, 니켈 도금 알루미늄, 스테인리스 강 또는 비교적 높은 열 전도도를 가지는 다른 재료들로 제조될 수 있다. 일부 실시예들에서, 판들은 열을 제거하는 것을 추가로 돕기 위해 액체 냉매(예를 들면, 물)을 유동시키기 위한 채널들을 포함할 수 있다.
[0028] 또한, 지지 캐러셀(504)은 또한 기판(302)로부터 열을 취출하는 것을 돕도록 유사한 재료들로 제조될 수 있다. 냉각판들의 크기들 및 질량은 기판(302)들과의 표면 접촉을 최대화하고 지지된 기판의 온도를 원하는 시간 기간 내에 원하는 타겟 온도로 감소시키기 위한 충분한 열 소산/흡수를 제공하도록 선택될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 부가 히트 싱크들은 냉각판(506)들 및/또는 캐러셀(504)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 냉각판(506)들 및/또는 캐러셀(504)에 커플링된 능동 냉각 시스템들(예를 들면, 순환식 수냉 시스템들)은 냉각을 추가로 강화하기 위해 사용될 수 있다.
[0029] 도 7은 대안적이고 예시적인 기판 처리 시스템(700)을 예시하는 개략도이다. 이러한 예시적인 시스템(700)은 기판 냉각 시스템(704) 및 로드 록 기능(706)을 구비한 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(702)을 포함하며 상기 로드 록 기능은 (예를 들면, 슬릿 밸브들을 사용하여) 플랫폼(702)을 밀봉하고 플랫폼(702) 내에 진공을 제공한다. 즉, 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(702)의 이송 챔버(708)는 처리 챔버(710) 내 그리고 처리 챔버 밖으로 기판들을 이송하도록 가동되는 것에 부가하여 로드 록으로서 기능하도록 구성된다. 팩토리 인터페이스(712)와 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(702)의 이송 챔버(708) 사이에 별개의 로드 록이 없음에 주의하자. 도시된 예시적인 시스템(700)에서, 팩토리 인터페이스(712) 내의 기판 가열 스테이션(714)은 기판들이 이송 챔버(708)에 들어가기 전에 기판을 예열하기 위해 사용될 수 있으며 냉각 시스템(704)은 기판들이 처리 챔버(710)로부터 제거된 후 기판들을 냉각하기 위해 사용될 수 있다.
[0030] 도 7의 예시적인 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(702)이 또한 관절 로봇 암 대신 선형 연장 축 로봇 암(716)을 포함한다. 로딩을 위해 기판들을 위치 설정하기 위한 캐러셀의 사용은 관절 로봇 암에 대해 낮은 프로파일을 가지는 선형 연장 축 로봇 암(716)의 사용을 허용한다. 이는 더 짧은 펌프-다운 시간 및 이에 따른 더 높은 수율을 갖는 더 작은 용적의 로드 록과 이송 챔버(708) 조합체의 사용을 허용한다.
[0031] 도 7에 유사하게, 도 8은 냉각 시스템(704) 대신 로드 록 기능(804)을 구비한 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(802)을 포함하는 기판 처리 시스템(800)을 도시하며, 본 실시예는 기판 가열 시스템(806)을 포함한다. 도 9는 도 8의 기판 취급 캐러셀 스타일 플랫폼(802)의 확대도를 제공한다. 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼(802)의 이송 챔버(808)의 크기가 챔버(808)의 내부 크기들을 최소화하기 위해 감소된다는 점에 주의하자. 이는 이송 챔버(808)가 로드 록 기능을 수행하고 있을 때 이송 챔버(808) 내의 공기 압력을 펌프 다운하기 위해 요구된 시간의 양을 감소시킨다. 감소된 펌프 다운 시간은 더 높은 수율을 초래한다. 도시된 예시적인 시스템(800)에서, 팩토리 인터페이스(812) 내의 기판 냉각 스테이션(814)은 기판들이 이송 챔버(808)로부터 배출된 후 기판을 냉각하기 위해 사용될 수 있고 가열 시스템(806)은 기판들이 처리 챔버(810) 내로 로딩되기 전에 기판들을 예열하기 위해 사용될 수 있다는 점에 주의하자.
[0032] 본 발명의 실시예들은 기판들을 처리 챔버로 그리고 처리 챔버로부터 이송하는 동안 기판들의 온도를 제어하기 위한 방법들을 제공한다. 도 10은 기판 프로세스에서 기판들을 이송하는 예시적인 방법(1000)을 도시한다. 상기 방법(1000)은 기판 처리 챔버 내로 또는 기판 처리 챔버 밖으로 기판들을 이송하도록 구성된 로봇, 상기 로봇에 의한 이송을 위해 기판들을 위치 설정하도록 구성된 캐러셀, 및 캐러셀 상의 기판들을 가열 또는 냉각하도록 구성된 온도 제어 시스템을 포함하는 기판 핸들링 시스템을 제공하는 단계(1002)를 포함한다. 다음으로, 기판들은 캐러셀 상으로 로딩된다(1004). 캐러셀 상에 로딩된 기판들은 이어서 예열된다(1006). 마지막으로, 가열된 기판들은 처리 챔버 내로 로딩된다(1008).
[0033] 일부 실시예들에서, 예열은 로드 록에서 또는 팩토리 인터페이스에서 수행될 수 있으며, 후냉은 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼에서 수행될 수 있다. 대안적인 실시예들에서, 예열은 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼에서 수행될 수 있고 후냉은 로드 록에서 또는 팩토리 인터페이스에서 수행될 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 예열은 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼 내에서 기판 지지대들의 제 1 서브세트 상에서 수행될 수 있고, 후냉은 기판 핸들링 캐러셀 스타일 플랫폼 내의 기판 지지대들의 제 2 서브세트 상에서 수행될 수 있다.
[0034] 따라서, 본 발명이 본 발명의 예시적인 실시예들과 관련하여 개시되었지만, 다른 실시예들이 아래 청구범위에 의해 규정된 바와 같이, 본 발명의 범위 내에 있을 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
Claims (15)
- 기판 핸들링 시스템으로서,
복수의 기판들을 기판 처리 챔버 내로 또는 기판 처리 챔버 밖으로 이송하도록 구성된 로봇;
상기 로봇에 의한 이송을 위해 상기 기판들을 위치 설정하도록 구성된 캐러셀; 및
상기 캐러셀 상의 기판들을 가열 또는 냉각하도록 구성된 온도 제어 시스템을 포함하는,
기판 핸들링 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판 핸들링 시스템을 둘러싸는 챔버를 더 포함하는,
기판 핸들링 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 캐러셀은 복수의 기판 지지대들을 포함하고 상기 온도 제어 시스템은 하나 이상의 기판 지지대 및 처리 챔버에 근접하게 배치되는,
기판 핸들링 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 캐러셀은 상기 기판으로부터 열을 취출하도록 구성된 냉각판을 포함하는,
기판 핸들링 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 온도 제어 시스템은 하나 이상의 기판 지지대 및 처리 챔버에 근접하게 배치된 복사열 히터를 포함하는,
기판 핸들링 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판 핸들링 시스템을 둘러싸는 챔버를 더 포함하고 상기 챔버 내에 로드 록 기능을 제공하는,
기판 핸들링 시스템. - 제 6 항에 있어서,
상기 챔버는 상기 챔버의 내부 용적을 최소화하도록 구성되는,
기판 핸들링 시스템. - 기판 프로세스에서 기판들을 이송하는 방법으로서,
복수의 기판들을 기판 처리 챔버 내로 또는 기판 처리 챔버 밖으로 이송하도록 구성된 로봇, 상기 로봇에 의한 이송을 위해 상기 기판들을 위치 설정하도록 구성된 캐러셀, 및 상기 캐러셀 상의 기판들을 가열 또는 냉각하도록 구성된 온도 제어 시스템을 포함하는 기판 핸들링 시스템을 제공하는 단계;
상기 캐러셀 상으로 기판들을 로딩하는 단계;
상기 캐러셀 상의 기판들을 가열하는 단계; 및
상기 가열된 기판들을 상기 처리 챔버 내로 로딩하는 단계를 포함하는,
기판 프로세스에서 기판들을 이송하는 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 기판 핸들링 시스템을 둘러싸는 챔버를 제공하는 단계를 더 포함하는,
기판 프로세스에서 기판들을 이송하는 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 기판 핸들링 시스템을 제공하는 단계는 복수의 기판 지지대들을 포함하는 캐러셀을 제공하는 단계 및 하나 이상의 기판 지지대 및 상기 처리 챔버에 근접하게 상기 온도 제어 시스템을 배치하는 단계를 포함하는,
기판 프로세스에서 기판들을 이송하는 방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 기판 핸들링 시스템을 제공하는 단계는 상기 기판으로부터 열을 취출하도록 구성된 냉각판을 포함하는 캐러셀을 제공하는 단계를 포함하는,
기판 프로세스에서 기판들을 이송하는 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 기판 핸들링 시스템을 제공하는 단계는 상기 캐러셀 상의 기판 지지대 및 상기 처리 챔버에 근접하게 배치되는 복사열 히터(radiant heater)를 가지는 온도 제어 시스템을 제공하는 단계를 포함하는,
기판 프로세스에서 기판들을 이송하는 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 기판 핸들링 시스템을 둘러싸는 챔버를 제공하는 단계 및 상기 챔버 내에서 로드 록 기능을 수행하는 단계를 더 포함하는,
기판 프로세스에서 기판들을 이송하는 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 챔버는 상기 챔버의 내부 용적을 최소화하도록 구성되는,
기판 프로세스에서 기판들을 이송하는 방법. - 기판 처리 시스템으로서,
처리 챔버;
상기 처리 챔버에 커플링되고 복수의 기판들을 처리 챔버 내로 또는 처리 챔버 밖으로 이송하도록 구성된 로봇, 상기 로봇에 의한 이송을 위해 상기 기판들을 위치 설정하도록 구성된 캐러셀, 및 상기 캐러셀 상의 기판들을 가열 또는 냉각하도록 구성된 온도 제어 시스템을 포함하는 기판 핸들링 시스템;
기판들을 상기 기판 핸들링 시스템으로 전달하고 기판을 상기 기판 핸들링 시스템으로부터 기판을 수용하도록 배치되는 팩토리 인터페이스를 포함하고,
상기 기판 핸들링 시스템 내의 캐러셀은 복수의 기판 지지대들을 포함하고 상기 온도 제어 시스템은 하나 이상의 기판 지지대 및 처리 챔버에 근접하게 배치되고,
상기 기판 핸들링 시스템은 상기 챔버 내에 로드 록 기능을 제공하도록 구성된 기판 핸들링 시스템을 둘러싸는 챔버를 더 포함하고, 상기 챔버는 상기 챔버의 내부 용적을 최소화하도록 구성되는,
기판 처리 시스템.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361800595P | 2013-03-15 | 2013-03-15 | |
US61/800,595 | 2013-03-15 | ||
PCT/US2014/028453 WO2014144162A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-03-14 | Temperature control systems and methods for small batch substrate handling systems |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150132506A true KR20150132506A (ko) | 2015-11-25 |
Family
ID=51527660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157029754A KR20150132506A (ko) | 2013-03-15 | 2014-03-14 | 소형 배치 기판 핸들링 시스템을 위한 온도 제어 시스템 및 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140271057A1 (ko) |
JP (1) | JP6377717B2 (ko) |
KR (1) | KR20150132506A (ko) |
CN (2) | CN110265321A (ko) |
TW (1) | TWI672760B (ko) |
WO (1) | WO2014144162A1 (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101686032B1 (ko) * | 2013-03-28 | 2016-12-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
WO2017177398A1 (en) | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for exhaust cooling |
US10119191B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-11-06 | Applied Materials, Inc. | High flow gas diffuser assemblies, systems, and methods |
US10684159B2 (en) | 2016-06-27 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow |
JP6670713B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2020-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
US10361099B2 (en) | 2017-06-23 | 2019-07-23 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods of gap calibration via direct component contact in electronic device manufacturing systems |
CN109378287A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-22 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 半导体封装装置 |
US11107709B2 (en) | 2019-01-30 | 2021-08-31 | Applied Materials, Inc. | Temperature-controllable process chambers, electronic device processing systems, and manufacturing methods |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4987856A (en) * | 1989-05-22 | 1991-01-29 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | High throughput multi station processor for multiple single wafers |
US5855465A (en) * | 1996-04-16 | 1999-01-05 | Gasonics International | Semiconductor wafer processing carousel |
US5914493A (en) * | 1997-02-21 | 1999-06-22 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam exposure apparatus and methods with substrate-temperature control |
US5951770A (en) * | 1997-06-04 | 1999-09-14 | Applied Materials, Inc. | Carousel wafer transfer system |
US6431807B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-08-13 | Novellus Systems, Inc. | Wafer processing architecture including single-wafer load lock with cooling unit |
US6137303A (en) * | 1998-12-14 | 2000-10-24 | Sony Corporation | Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing |
TW552306B (en) * | 1999-03-26 | 2003-09-11 | Anelva Corp | Method of removing accumulated films from the surfaces of substrate holders in film deposition apparatus, and film deposition apparatus |
KR20000077145A (ko) * | 1999-05-03 | 2000-12-26 | 조셉 제이. 스위니 | 화학 기계적 평탄화 방법 |
US6860965B1 (en) * | 2000-06-23 | 2005-03-01 | Novellus Systems, Inc. | High throughput architecture for semiconductor processing |
JP4937459B2 (ja) * | 2001-04-06 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | クラスタツールおよび搬送制御方法 |
US7316966B2 (en) * | 2001-09-21 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method for transferring substrates in a load lock chamber |
US7153542B2 (en) * | 2002-08-06 | 2006-12-26 | Tegal Corporation | Assembly line processing method |
US20060156979A1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-07-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus using a batch processing chamber |
US20070196011A1 (en) * | 2004-11-22 | 2007-08-23 | Cox Damon K | Integrated vacuum metrology for cluster tool |
TW200715448A (en) * | 2005-07-25 | 2007-04-16 | Canon Anelva Corp | Vacuum processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system |
KR101153118B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2012-06-07 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 |
CN101341574B (zh) * | 2005-12-20 | 2012-11-28 | 应用材料公司 | 用于半导体设备制造装备的延伸主机设计 |
US8168050B2 (en) * | 2006-07-05 | 2012-05-01 | Momentive Performance Materials Inc. | Electrode pattern for resistance heating element and wafer processing apparatus |
JP2008135440A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2008300578A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US20090029502A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing |
US20090194026A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Burrows Brian H | Processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices |
US8089055B2 (en) * | 2008-02-05 | 2012-01-03 | Adam Alexander Brailove | Ion beam processing apparatus |
JP5280964B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体 |
US20100155993A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-06-24 | Thermal Technology Llc | High Throughput System and Methods of Spark Plasma Sintering |
US8110511B2 (en) * | 2009-01-03 | 2012-02-07 | Archers Inc. | Methods and systems of transferring a substrate to minimize heat loss |
JP5444961B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
CN102714171A (zh) * | 2010-01-22 | 2012-10-03 | 应用材料公司 | 具有基板冷却的传送机械手 |
US20110245957A1 (en) * | 2010-04-06 | 2011-10-06 | Applied Materials, Inc. | Advanced platform for processing crystalline silicon solar cells |
US20120222620A1 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-06 | Applied Materials, Inc. | Atomic Layer Deposition Carousel with Continuous Rotation and Methods of Use |
-
2014
- 2014-03-14 KR KR1020157029754A patent/KR20150132506A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-03-14 WO PCT/US2014/028453 patent/WO2014144162A1/en active Application Filing
- 2014-03-14 JP JP2016502793A patent/JP6377717B2/ja active Active
- 2014-03-14 TW TW103109724A patent/TWI672760B/zh active
- 2014-03-14 CN CN201910375542.XA patent/CN110265321A/zh active Pending
- 2014-03-14 US US14/212,665 patent/US20140271057A1/en not_active Abandoned
- 2014-03-14 CN CN201480017765.4A patent/CN105103283B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016517635A (ja) | 2016-06-16 |
TWI672760B (zh) | 2019-09-21 |
US20140271057A1 (en) | 2014-09-18 |
CN105103283A (zh) | 2015-11-25 |
CN110265321A (zh) | 2019-09-20 |
WO2014144162A1 (en) | 2014-09-18 |
CN105103283B (zh) | 2019-05-31 |
JP6377717B2 (ja) | 2018-08-22 |
TW201448097A (zh) | 2014-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20150132506A (ko) | 소형 배치 기판 핸들링 시스템을 위한 온도 제어 시스템 및 방법 | |
US11315806B2 (en) | Batch heating and cooling chamber or loadlock | |
US20200279763A1 (en) | Buffer Chamber Wafer Heating Mechanism And Supporting Robots | |
TWI624897B (zh) | 多位置批次負載鎖定裝置與系統,以及包括該裝置與系統的方法 | |
US20080006617A1 (en) | Thermal wafer processor | |
US7527497B2 (en) | Heat treating apparatus, heat treating method, and storage medium | |
US6499777B1 (en) | End-effector with integrated cooling mechanism | |
US6018616A (en) | Thermal cycling module and process using radiant heat | |
JP2016506588A (ja) | ディスク処理システムのためのヒータアセンブリ | |
JP2008103707A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US8383429B2 (en) | Method and apparatus for thermal treatment of semiconductor workpieces | |
JP2929260B2 (ja) | 塗布膜形成方法及びその装置 | |
CN105441876B (zh) | 一种薄膜沉积设备 | |
CN117238815B (zh) | 一种晶圆预热冷却装置及传片方法 | |
JP3447974B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2020076122A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
KR20060062049A (ko) | 스퍼터링 장치 및 그 냉각 방법 | |
JPH0414733A (ja) | 表面処理装置 | |
JPH0267725A (ja) | 半導体装置のシリサイド化コンタクト形成用熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |