JP2008182279A - ハンダバンプの形成方法および電子部品の製造方法 - Google Patents
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 284
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 41
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002618 waking effect Effects 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3468—Applying molten solder
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
- H01L2224/11474—Multilayer masks
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2924/014—Solder alloys
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- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
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- H05K2203/0562—Details of resist
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Abstract
【解決手段】本発明の方法では、電極2が設けられた基板10の上に当該電極2を覆うようにレジスト層12を形成し、レジスト層12において電極2に対応する位置に電極2より径の大きな開口部11を形成し、開口部11が形成されたレジスト層12上にフィルム4を圧着し、電極2より大きな径を有して開口部11に連通する開口部40をフィルム4に形成し、レジスト層12の開口部11とフィルム4の開口部40とからなって電極2より大きな径を有し且つ電極2が露出する凹部にハンダ材料5を充填し、ハンダ材料5を溶融・固化させることにより、凹部内の電極2上にハンダバンプ5Aを設け、基板10およびレジスト層12がエッチング耐性を有するエッチング溶液を使用して行うエッチング処理によりフィルム4を除去する。
【選択図】図1
Description
、ハンダバンプ50の高さを一定以上の高さに形成することも難しいものとなっていた。なお、この従来の方法では、絶縁膜95の上にこれと同様な絶縁膜を更に重ねて形成することにより、絶縁膜全体の厚みを増大させようとしても、絶縁膜を形成するための液状の樹脂を塗布するときにその樹脂が凹部93’内に厚肉状に塗布されてしまい、この部分の樹脂を適切にエッチングすることは難しい。
形成される。このとき、上述の離隔距離が充分に確保されていると、ハンダは、凹部の内周壁から離れて電極中心位置上にて凝縮し、電極中心位置上である正確な位置にハンダバンプを形成することができ(即ち、電極中心位置上からのずれを充分に抑制することができ)、加えて、形成されるハンダバンプの形状やサイズについて高い均一性を達成することができる(即ち、凹部の内周壁にハンダが付着することに起因する、ハンダバンプの適正形状・適正サイズからの逸脱を回避することができる)。このように、本発明の第5の側面の方法は、位置精度よく且つ形状・サイズについて均一性の高いハンダバンプを形成するのに適しているのである。
同様なポジ型感光性のものを用いれば、図1(b)の仮想線に示すように、フィルム4への露光処理には、フォトレジスト層12’への露光処理に用いたフォトマスク3をそのまま用いることができる。したがって、フォトマスク3の兼用が図れて便利である。更には、凹部11の形成と窓部40とを同一のフォトマスクを用いて形成すれば、これら凹部11と窓部40とを正確に位置合わせすることもできる。
ハンダ5Cを充填させることができる。上記回路基板1をハンダ貯留槽19から引き上げて上記充填された溶融ハンダを自然冷却させれば、同図の仮想線に示すように、そのままハンダバンプ5Aを形成することが可能である。本実施形態では、ハンダを再度加熱して溶融させる必要はないばかりでなく、ハンダペーストを用いる場合のように、ハンダ成分以外の成分が揮発消失して、その分だけハンダバンプが痩せることもない。ただし、回路基板1をハンダ貯留槽19から引き上げた後に回路基板1の姿勢を早期に安定させない場
合には、ハンダバンプ5Aが電極2の偏った位置において固化する虞れがある。このような場合には、ハンダペーストを用いる場合のように、ハンダ成分以外の成分が揮発消失して、その分だけハンダバンプが痩せることもない。ただし、回路基板1をハンダ貯留槽19から引き上げた後に回路基板1の姿勢を早期に安定させない場合には、ハンダバンプ5Aが電極2の偏った位置において固化する虞れがある。このような場合には、回路基板1を水平状態に安定させてから上記ハンダバンプ5Aを再加熱し、その補正を行えばよい。
てフィルムに窓部を設ける場合には、フィルムとしては、感光性のものを用いる必要はなく、例えばポリイミドフィルムを用いればよい。
極上部以外がポリイミドで被覆された基板の表面に、厚みが50μmのアクリル樹脂系フィルムを載置し、炭酸ガスレーザを用いて電極上部に直径120μmの窓部を形成した。次いで、63%Sn−Pbのハンダを体積比で約50%含むハンダペーストを印刷法により上記窓部と凹部とに充填し、210℃で加熱溶融させた。その後、5%モノエタノールアミン溶液を用いて上記フィルムを除去した。
末(63%Sn−Pb)を用いた。また、このハンダ粉末を窓部に充填する前には、実施例2と同様にフラックスを2枚の感光性フィルムの窓部とフォトレジスト層の凹部との内面に若干量だけ塗布した。それ以外の条件は、実施例4と同一とした。
2 電極
3 フォトマスク
4 フィルム
5 ハンダペースト
5A ハンダバンプ
6 半導体チップ
10 基板本体
11 凹部
12 表層部
12’ フォトレジスト層
Claims (4)
- 電極が設けられた基板の上に当該電極を覆うように第1のレジスト層を形成する工程と、
上記第1のレジスト層において上記電極に対応する位置に上記電極より径の大きな開口部を形成する工程と、
上記開口部が形成された上記第1のレジスト層上に、第2のレジスト層となるフィルムを圧着させる工程と、
上記電極より大きな径を有して上記開口部に連通する開口部を上記フィルムに形成する工程と、
上記第1のレジスト層の上記開口部と上記フィルムの上記開口部とからなって上記電極より大きな径を有し且つ上記電極が露出する凹部に、ハンダ材料を充填する工程と、
上記ハンダ材料を溶融させた後に固化させることにより、上記凹部内の電極上にハンダバンプを設ける工程と、
上記基板および上記第1のレジスト層がエッチング耐性を有するエッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含むハンダバンプの形成方法。 - 凹部にハンダ材料を充填する上記工程では、上記凹部にハンダペーストを充填する、請求項1に記載のハンダバンプの形成方法。
- 凹部にハンダ材料を充填する上記工程では、上記凹部にハンダ粉末を充填する、請求項1に記載のハンダバンプの形成方法。
- 電極が設けられた基板の上に当該電極を覆うように第1のレジスト層を形成する工程と、
上記第1のレジスト層において上記電極に対応する位置に上記電極より径の大きな開口部を形成する工程と、
上記開口部が形成された上記第1のレジスト層上に、第2のレジスト層となるフィルムを圧着させる工程と、
上記電極より大きな径を有して上記開口部に連通する開口部を上記フィルムに形成する工程と、
上記第1のレジスト層の上記開口部と上記フィルムの上記開口部とからなって上記電極より大きな径を有し且つ上記電極が露出する凹部に、ハンダ材料を充填する工程と、
上記ハンダ材料を溶融させた後に固化させることにより、上記凹部内の電極上にハンダバンプを設ける工程と、
上記基板および上記第1のレジスト層がエッチング耐性を有するエッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含む電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008110097A JP2008182279A (ja) | 1998-08-10 | 2008-04-21 | ハンダバンプの形成方法および電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22509298 | 1998-08-10 | ||
JP2008110097A JP2008182279A (ja) | 1998-08-10 | 2008-04-21 | ハンダバンプの形成方法および電子部品の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006062201A Division JP2006157060A (ja) | 1998-08-10 | 2006-03-08 | ハンダバンプの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008182279A true JP2008182279A (ja) | 2008-08-07 |
Family
ID=16823882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008110097A Pending JP2008182279A (ja) | 1998-08-10 | 2008-04-21 | ハンダバンプの形成方法および電子部品の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6461953B1 (ja) |
JP (1) | JP2008182279A (ja) |
TW (2) | TWI231735B (ja) |
WO (1) | WO2000010369A1 (ja) |
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- 1999-08-06 US US09/762,478 patent/US6461953B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-07 TW TW088113535A patent/TWI231735B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-08-07 TW TW093109230A patent/TWI246378B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2008-04-21 JP JP2008110097A patent/JP2008182279A/ja active Pending
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Publication number | Publication date |
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TWI231735B (en) | 2005-04-21 |
TW200417299A (en) | 2004-09-01 |
US6461953B1 (en) | 2002-10-08 |
TWI246378B (en) | 2005-12-21 |
WO2000010369A1 (fr) | 2000-02-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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