JP2008177538A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】SiC基板にMOSゲート用トレンチを形成した後、ArまたはSiH4)/(Ar)雰囲気で1600℃以上1800℃以下の第一熱処理を行い、次に水素雰囲気で1400℃以上1500℃以下で第二熱処理を行う工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。
【選択図】 図1
Description
ところが、SiC基板の場合は、基板の物理的な硬度が高く、化学的にも安定な難エッチング材料であるので、量産的なトレンチ形成方法としては、Si半導体のトレンチ形成に通常用いられるRIE(Reactive Ion Ecthing)エッチング方法と異なり、基板に加速されたプラズマイオンを衝突させて表面を削るという物理的エッチング(ドライエッチング)によってトレンチ形成を行わざるを得ない。従って、RIE法によりトレンチが形成されるSi半導体に比べると、その形状制御が難しく、形状良くエッチングすることは容易とは言えない。たとえば、トレンチ底部の形状を、半導体デバイスの耐圧特性には好ましいU字型にすることやトレンチ側壁を高い平滑性にすることは物理的ドライエッチングだけでは困難なことが多い。この結果、このドライエッチング直後の約3μm幅のトレンチ形状には、図6に示す斜視方向からのトレンチ断面図に示すように、トレンチ2開口部3のエッジコーナー10が尖っていたり、トレンチ2の側壁11や底12に突起や表面凹凸のような形状不良が存在する。このような形状不良などがトレンチ2内にあると、その部分で電界集中が起こりやすく、絶縁耐圧が低くなりやすいということが問題となる。
他方、Si半導体装置の場合は、Si半導体基板にトレンチを形成後、水素アニール処理を行うことにより、トレンチ内でSi原子を表面拡散させて表面平滑化を得ることのできることが知られており、トレンチ内面形状および内表面性状の制御は充分可能である(特許文献3)。
さらに、SiC基板では原子の表面拡散よりも、高温の水素によるSiC表面のエッチング作用が活発であると共にその制御が難しいので、形状制御については高温水素処理の影響の方が大きいことも分かった。その結果、高温水素処理は、そのままではトレンチ形状が過剰に変化し過ぎる傾向があるので、トレンチの形状を改善する実用的な生産方法という意味では採用の難しいことが分かった。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、炭化珪素(SiC)基板にドライエッチングによりトレンチを形成する際に、容易にトレンチ内表面性状を平滑にすると共に、トレンチの開口部エッジコーナーおよび底部コーナーの形状を電界集中が低減されるような非尖角形状に改善できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することである。
また、本発明は、前記炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記第一および第二熱処理は雰囲気圧力30Torr(1Torr=133.322Pa)以上760Torr(1Torr=133.322Pa)以下の圧力下で行われる方法としてもよい。
また、本発明は、前記炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記第一熱処理と第二熱処理を同一処理炉内で連続する方法とすることが好ましい。
また、本発明は、前記炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記不活性ガスがAr、He、Neから選ばれるいずれかのガスまたはいずれかの混合ガスである製造方法とすることが好ましい。
以下、本発明にかかる半導体装置の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施例の記載に限定されるものではない。
SiC基板(またはエピタキシャルSiC膜付SiC基板)をよく洗浄した後、該基板上にSiO2膜をCVD(Chemical Vapor Deposition)法等により成膜する。このSiO2膜を成膜した基板を洗浄後、120℃−10分間オーブン炉中で乾燥させる。その後、フォトレジストとのなじみがよくなるように、SiO2膜表面にヘキサメチルジシラザン(OAP:東京応化(株)の商品名)蒸気などの雰囲気中に放置した後、フォトレジストをSiO2膜上に塗布する。
その後、オーブン炉中で100℃で10分間放置し、フォトレジストをソフトベークする。ベーク後、紫外線を用いた露光装置でトレンチパターンが形成されたマスクを用いて露光を行う。露光後に現像を行い、不要のフォトレジストを除去し、125℃−20分間ハードベークを行ってフォトレジストパターンを形成する。このときのフォトレジストの膜厚は約2.5μmである。フォトレジストの厚さはSiO2膜のドライエッチングの際に耐える厚さであれば問題ない。
このようにして形成されたトレンチの形成直後のSiC基板の断面を示すSEM写真からトレンチ断面形状をなぞって描いたトレンチ断面図を図6に示す。図6ではトレンチ2開口部3のエッジコーナー10がほぼ直角に尖っておりトレンチ2の底部12の表面性状も平滑ではなく、凹凸が形成されていることが分かる。この図6に示すトレンチ2を有するSiC基板1に、耐圧特性に及ぼす悪影響を低減させる目的でトレンチ内表面を整形する条件を検討するために、下記表1に示す種々の条件で、それぞれ熱処理を加えた。
図2(a)のトレンチ断面図から熱処理時の圧力雰囲気が1.5Torr(1Torr=133.322Pa)と低圧で熱処理した場合は、前記図6に示すトレンチ形成直後の形状に比べて、有効なトレンチ2形状の変化があまり見られない。図2(b)、(c)の各トレンチ断面図から、それぞれ80Torr(1Torr=133.322Pa)と大気圧の760Torr(1Torr=133.322Pa)で熱処理すると、トレンチ2開口部3のエッジコーナー10が丸くなり、トレンチ底12も平滑なU字型になり、トレンチ底部12の表面凹凸も格段に少なくなっているのがわかる。このように熱処理する際の減圧の程度は1.5Torr(1Torr=133.322Pa)よりは高いことが必要であり、前記80Torr(1Torr=133.322Pa)より低圧の30Torr(1Torr=133.322Pa)以上760Torr(1Torr=133.322Pa)以下が適当であることを別途見つけている。
表2に前記条件1から条件3までの条件で熱処理したものと未処理のもの(熱処理前のもの)を原子間力顕微鏡(以降AFMと略)とX線光電子分光(以降XPSと略)で分析した結果の測定値を示す。基板上部の表面粗さをAFMで分析し、Si/C組成をXPSで分析した。
この結果から、条件4から条件12までの条件では、熱処理時の雰囲気圧力は80Torr(1Torr=133.322Pa)一定とし、熱処理時の雰囲気ガス種(アルゴン(Ar)とシラン(SiH4)/アルゴン(Ar)と水素ガス)を変えた検討を行った。
表1の条件の中で、条件2と条件6と条件12の条件で熱処理したものについて、SEM断面写真をなぞって描いたトレンチの断面形状を図3に示し、AFM・XPS分析結果の測定値を表3にそれぞれ示す。図3(a)は条件2に、図3(b)は条件6に、図3(c)は条件12の場合にそれぞれ対応するトレンチ断面図である。
AFMで分析した基板表面粗さの測定値から、表面平滑性に及ぼす雰囲気ガスの影響については、表3から基板上部の表面粗さ(RMS)の値はH2<SiH4/Ar<Arの順に大きくなっており、H2の場合が最も平滑性がよいことを示している。次に、トレンチ形状変化を抑制する効果が高く、表面平滑性もH2熱処理の次に平坦なSiH4/Ar雰囲気における熱処理温度について検討した。
表1の条件の中で、条件4から条件7で熱処理したもののSEM写真をなぞって描いたトレンチ断面図を図4(a)、(b)、(c)、(d)に示す。また表4にAFM・XPS分析結果の測定値を示す。
前述の表3の条件12のH2熱処理は、1700℃では図3(c)に示すように、エッチングが激しくトレンチ幅が大きく広がったが、基板表面平滑性は優れていたので、熱処理温度を1700℃以下に下げた場合に過剰エッチングを抑えつつ形状も改善し、平滑性が高いものが得られないかについて、次に検討した。
表1の条件の中で、条件8から条件12で示すように、H2熱処理したもののSEM写真をなぞってトレンチ断面形状を描いたものを図5に示す。図5(a)〜(e)はそれぞれ条件8〜条件12の熱処理によるトレンチ断面形状に相当する。またAFM・XPS分析結果の測定値を表5に示す。
以上の検討結果からトレンチのエッジコーナーを丸め、トレンチ内壁の平滑性を有し、U字型形状にしやすいという観点からは1700℃から1800℃のSiH4/Ar熱処理が適しているが、基板表面荒れが起こりやすい。一方、H2熱処理は1600℃以上の熱処理ではトレンチ側壁のエッチングが過剰すぎて開口幅も広くなってしまい、また、開口部のエッジや底部のトレンチコーナーを丸める効果が小さく、トレンチ内壁の平滑性も不十分であるが、熱処理後の基板表面の凹凸はきわめて小さいという特徴がある。
図1(b)に特許請求の範囲の請求項1記載の発明にかかる2段階熱処理したもののSEM断面写真をなぞって描いたトレンチ断面図を示し、表6にAFMの結果を示す。図1(a)はトレンチ形成直後で、形状改善のための熱処理前のSEM断面写真をなぞって描いたトレンチ断面図である。
以上の実施例1の説明で、実験データを基に説明したように、炉内の圧力30Torr(1Torr=133.322Pa)から760Torr(1Torr=133.322Pa)においてArまたはSiH4/Ar雰囲気中で1600℃以上1800℃以下で第一の熱処理を行い、SiC基板1またはSiC膜に形成したトレンチ2の開口部エッジコーナー10と底部コーナーを丸め、トレンチ側壁11やトレンチ底部12の表面凹凸を平滑にしたのち、炉内で連続で1400℃以上1500℃以下のH2雰囲気に切り替え第二の熱処理を行い、SiC基板1表面、トレンチ内壁を更に平滑にすることにより、物理的に硬く、化学的に安定で難エッチング材料のSiC半導体を、トレンチエッジコーナー10の尖がりを丸め、トレンチ側壁11やトレンチ底12の表面凹凸を平滑にできるため、電界集中が起こらず、絶縁耐圧に優れたSiCを用いたパワー半導体を製造できる。
次に、前記表7のそれぞれのトレンチMOSFETについて、逆耐圧を比較した結果を表8に示す。
まず、前述のアニールを行い、トレンチ側壁の表面粗さを比較した。表面粗さは原子間力顕微鏡を用いて、トレンチ側壁の1μm□の領域の自乗表面粗さを測定した。結果を表9に示す。
次に、アニールを行った後の、表面構成元素の組成分析を行った。組成分析は、X線光電子分光測定を行い、ピークの種類と強度を調べた。我々は各サンプルにおいて検出されたピークの中で、シリコン酸化膜の存在比率を示す、酸素と結合しているシリコン原子(Si(SiO2))の組成比に着目し、アニール条件による比較を行った。結果を表10に示す。
次に、Alイオンを1×1015cm-2のドーズ量でイオン注入したサンプルに対して、アニールを行った後の、電気的な活性化率について比較した。活性化率を調べた結果を表11に示す。活性化率は、ホール効果測定で求められるキャリア密度をSIMS測定から測定されるAl原子密度で割って求めた。
次に、それぞれのアニールを行った後のトレンチの形状について比較した。アニール無しのサンプルでは、トレンチの角が尖っている。一方で、1700℃Arアニール、および1700℃Arアニール+1500℃H2アニールを行ったサンプルでは、アニール時の高温により、表面原子が移動してトレンチの角が丸くなっている。このトレンチの角が丸いことが、トレンチMOSFETにおいて、高耐圧が得られた要因の一つであると考えられる。なぜならば、トレンチの角が尖っていると、そこに電界が集中し、酸化膜の耐圧の低下を招くが、適度に丸まっていると電界の集中が起こらず、高い耐圧が得られるからである。
本発明によれば、Ar雰囲気でのアニール後にH2雰囲気でのアニールを行うことにより、トレンチMOSFETにおいて、高いチャネル移動度と逆耐圧を得ることができる。これにより、SiCの材料特性を生かした、低損失かつ高耐圧なスイッチング素子を得ることができる。
2 :トレンチ
3 :トレンチ開口部
4 :基板
5 :n型SiC層
6 :p型SiC層
7 :n型ソース領域
8 :p型ボディコンタクト領域
9 :シリコン酸化膜
10 :トレンチ開口部のエッジコーナー
11 :トレンチ側壁
12 :トレンチ底部
13 :サブトレンチ
14 :Al
15 :Alイオン注入領域
16 :ゲート絶縁膜
17 :ゲート
18 :層間絶縁膜
19 :ソース
20 :ドレイン。
Claims (4)
- 炭化珪素半導体基板の一方の主面にトレンチ型MOSゲート構造を形成する際に、ドライエッチングによりトレンチ形成した後、アルゴンまたはシラン/不活性ガス雰囲気で1600℃以上1800℃以下の温度範囲の第一熱処理を行い、次に水素雰囲気で1400℃以上1500℃以下の第二熱処理を行う工程を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第一および第二熱処理は雰囲気圧力30×133.322Pa以上760×133.322Pa以下の圧力下で行われることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第一熱処理と第二熱処理を同一処理炉内で連続して行うことを特徴とする請求項2記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記不活性ガスがAr、He、Neから選ばれるいずれかのガスまたはいずれかの混合ガスであることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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US11/960,405 US7682991B2 (en) | 2006-12-21 | 2007-12-19 | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device |
DE102007062208.4A DE102007062208B4 (de) | 2006-12-21 | 2007-12-21 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen wie Graben-MOSFETs |
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
US (1) | US7682991B2 (ja) |
JP (1) | JP5509520B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009289987A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 炭化珪素半導体基板のトレンチ形成方法 |
JP2010157675A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-07-15 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 炭化珪素半導体素子の製造方法および炭化珪素半導体素子 |
JP2010258294A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
DE102012205879A1 (de) | 2011-04-28 | 2012-10-31 | Denso Corporation | Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung |
DE102012200236B3 (de) * | 2012-01-10 | 2013-02-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Strukturierung von Siliziumcarbid und SiC-Graben-MOSFET |
WO2013042327A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2013042333A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | パナソニック株式会社 | 炭化珪素半導体素子およびその製造方法 |
JP2013128050A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JP2014154725A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造装置 |
WO2017043607A1 (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 住友電気工業株式会社 | 縦型炭化珪素半導体装置のトレンチのアニール処理装置、縦型炭化珪素半導体装置の製造方法および縦型炭化珪素半導体装置 |
JP2017059567A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 株式会社アルバック | 熱処理炉及び半導体基板の製造方法 |
US9991119B2 (en) | 2014-03-24 | 2018-06-05 | Canon Anelva Corporation | Heat treatment method and heat treatment apparatus for semiconductor substrate |
JP2019102778A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置及び絶縁ゲート型半導体装置の評価方法 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8465799B2 (en) * | 2008-09-18 | 2013-06-18 | International Business Machines Corporation | Method for preparation of flat step-free silicon carbide surfaces |
JP2011060901A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US20110070746A1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-03-24 | Te-Yin Kao | Method of increasing operation speed and saturated current of semiconductor device and method of reducing site flatness and roughness of surface of semiconductor wafer |
JP2012004269A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造装置 |
JP5659882B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2015-01-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9018101B2 (en) | 2011-03-17 | 2015-04-28 | Georgia Tech Research Corporation | Patterned graphene structures on silicon carbide |
US8932913B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8916868B2 (en) * | 2011-04-22 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8878288B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8809854B2 (en) * | 2011-04-22 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8847233B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film |
US8563389B2 (en) * | 2011-05-18 | 2013-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuit having silicon resistor and method of forming the same |
US9171907B2 (en) | 2011-09-27 | 2015-10-27 | Georgia Tech Research Corporation | Graphene transistor |
CN103187269B (zh) * | 2011-12-30 | 2016-02-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶体管的形成方法 |
JP2014007310A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 |
US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
JP6178106B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2017-08-09 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP5649152B1 (ja) * | 2013-04-30 | 2015-01-07 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
US9577073B2 (en) | 2014-12-11 | 2017-02-21 | Infineon Technologies Ag | Method of forming a silicon-carbide device with a shielded gate |
TWI570838B (zh) * | 2015-11-12 | 2017-02-11 | 財團法人工業技術研究院 | 碳化矽基板上的溝槽結構以及其製作方法 |
JP2018082114A (ja) | 2016-11-18 | 2018-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN109817713B (zh) * | 2017-11-22 | 2022-04-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
US10157773B1 (en) * | 2017-11-28 | 2018-12-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure having layer with re-entrant profile and method of forming the same |
US10749001B2 (en) | 2017-12-06 | 2020-08-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of evaluating insulated-gate semiconductor device |
JP7280154B2 (ja) * | 2019-09-18 | 2023-05-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006660A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005142549A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005150398A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体の表面処理方法 |
JP2005328013A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005328014A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4981551A (en) * | 1987-11-03 | 1991-01-01 | North Carolina State University | Dry etching of silicon carbide |
DE69223534T2 (de) * | 1991-03-22 | 1998-07-09 | Shimadzu Corp | Trockenätzverfahren und Anwendung davon |
US5129991A (en) * | 1991-04-30 | 1992-07-14 | Micron Technology, Inc. | Photoelectron-induced selective etch process |
US5571374A (en) * | 1995-10-02 | 1996-11-05 | Motorola | Method of etching silicon carbide |
US6406982B2 (en) * | 2000-06-05 | 2002-06-18 | Denso Corporation | Method of improving epitaxially-filled trench by smoothing trench prior to filling |
JP3985537B2 (ja) | 2002-01-31 | 2007-10-03 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20050106794A1 (en) * | 2002-03-26 | 2005-05-19 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP2004111747A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体基板の処理方法及び半導体素子 |
SE527205C2 (sv) * | 2004-04-14 | 2006-01-17 | Denso Corp | Förfarande för tillverkning av halvledaranordning med kanal i halvledarsubstrat av kiselkarbid |
-
2007
- 2007-11-13 JP JP2007294194A patent/JP5509520B2/ja active Active
- 2007-12-19 US US11/960,405 patent/US7682991B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006660A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005142549A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005150398A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体の表面処理方法 |
JP2005328013A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005328014A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009289987A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 炭化珪素半導体基板のトレンチ形成方法 |
JP2010157675A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-07-15 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 炭化珪素半導体素子の製造方法および炭化珪素半導体素子 |
US8648353B2 (en) | 2008-12-01 | 2014-02-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device |
JP2010258294A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
DE102012205879A1 (de) | 2011-04-28 | 2012-10-31 | Denso Corporation | Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung |
WO2013042327A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US9018699B2 (en) | 2011-09-22 | 2015-04-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor element and method for fabricating the same |
JP2013069854A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置 |
JP5209152B1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-06-12 | パナソニック株式会社 | 炭化珪素半導体素子およびその製造方法 |
WO2013042333A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | パナソニック株式会社 | 炭化珪素半導体素子およびその製造方法 |
JP2013128050A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
DE102012200236B3 (de) * | 2012-01-10 | 2013-02-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Strukturierung von Siliziumcarbid und SiC-Graben-MOSFET |
JP2014154725A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造装置 |
US9991119B2 (en) | 2014-03-24 | 2018-06-05 | Canon Anelva Corporation | Heat treatment method and heat treatment apparatus for semiconductor substrate |
WO2017043607A1 (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 住友電気工業株式会社 | 縦型炭化珪素半導体装置のトレンチのアニール処理装置、縦型炭化珪素半導体装置の製造方法および縦型炭化珪素半導体装置 |
JPWO2017043607A1 (ja) * | 2015-09-09 | 2018-06-28 | 住友電気工業株式会社 | 縦型炭化珪素半導体装置のトレンチのアニール処理装置、縦型炭化珪素半導体装置の製造方法および縦型炭化珪素半導体装置 |
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