JP2008034866A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板51と、拡散領域54Aと、その上に形成された層間絶縁膜55と、層間絶縁膜55に形成され、拡散領域54Aに通じるホール57A及び57Bと、ホール57A及び57B内に形成され、拡散領域54Aと電気的に接続された下部電極59と、下部電極59上に形成された強誘電体膜60と、強誘電体膜60上に形成された上部電極61とを有し、下部電極59、強誘電体膜60及び上部電極60でそれぞれ強誘電体キャパシタが構成されている。
【選択図】 図10
Description
"High-Density Chain Ferro electric Random Access Memory (CFRAM)", VLSI Circuit Symposium 1997 p83-84 "A Sub-40ns Random-Access Chain FRAM Architecture with 7ns Cell-Plate-Line Drive", ISSCC Tech. Digest Papers, pp.102-103, Feb 1999
Claims (5)
- シリコン半導体基板と、
前記基板の表面領域に形成された第1の拡散領域と、
前記基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に互いに離間して形成され、前記第1の拡散領域に通じる第1及び第2の開口部と、
前記第1の開口部内に形成され、前記第1の拡散領域と電気的に接続された第1の電極と、
前記第2の開口部内に形成され、前記第1の拡散領域と電気的に接続された第2の電極と、
前記第1の電極上に形成された第1の強誘電体膜と、
前記第2の電極上に形成された第2の強誘電体膜と、
前記第1の強誘電体膜上に形成された第3の電極と、
前記第2の強誘電体膜上に形成された第4の電極とを具備し、
前記第1の電極、第1の強誘電体膜及び第3の電極で第1の強誘電体キャパシタが構成され、前記第2の電極、第2の強誘電体膜及び第4の電極で第2の強誘電体キャパシタが構成されることを特徴とする半導体装置。 - 前記基板の表面領域に前記第1の拡散領域とは離間して形成された第2の拡散領域と、
前記層間絶縁膜に形成され、前記第2の拡散領域に通じる第3の開口部と、
前記第3の開口部を埋めるように形成された配線と
をさらに具備したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1及び第2の開口部の開口径が実質的に同等であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1または第2の開口部の開口径が前記第3の開口部の開口径以上であることを特徴とする請求項2または3記載の半導体装置。
- 前記層間絶縁膜中に形成された2層以上の配線層からなる多層配線をさらに具備したことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の半導体装置。
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-
2007
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