JP2007332012A - 半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一の基板1に第一の窒化物半導体膜2を形成し、第一の窒化物半導体膜2の上に第一の窒化物半導体膜2よりも融点の高い第二の窒化物半導体膜3を形成する。次に、第二の窒化物半導体膜3の表面にキャリアー基板4を貼り合わせ、張り合わせられた第一の基板1、第一の窒化物半導体膜2、第二の窒化物半導体膜3及びキャリアー基板4を含むウェハを、第一の窒化物半導体膜2の融点より高く、かつ第二の窒化物半導体膜3の融点より低い温度で加熱処理して第一の窒化物半導体膜2を融解し、第一の基板1を除去する。更に、キャリアー基板4上に張り合わされた第二の窒化物半導体膜3の表面に第二の基板6を張り合わせ、キャリアー基板4を除去する。
【選択図】図1
Description
第一の欠点は、サファイアが絶縁体であることである。サファイアは絶縁体である為、サファイア基板上に形成した窒化物半導体で、LEDやバイポーラトランジスタを作製するには、電極を全て表面側に配置しなければならないという制限が付く。すると、ウェハの表面積のかなりの部分が電極で覆われることになるため、例えばLEDでは発光面積が実質的に減ってしまい、効率が悪くなる。また、複数回のエッチング処理が必要になることから、デバイス製造工程も複雑になり、製造コストが高くなる。
本発明に係る半導体ウェハの製造方法の第1の態様は、第一の基板に第一の窒化物半導体膜を形成する工程と、前記第一の窒化物半導体膜の上に前記第一の窒化物半導体膜よりも融点の高い第二の窒化物半導体膜を形成する工程と、前記第二の窒化物半導体膜の表面にキャリアー基板を貼り合わせる工程と、張り合わせられた前記第一の基板、前記第一の窒化物半導体膜、前記第二の窒化物半導体膜及び前記キャリアー基板を含むウェハを、前記第一の窒化物半導体膜の融点より高く、かつ前記第二の窒化物半導体膜の融点より低い温度で加熱処理して前記第一の窒化物半導体膜を融解する工程と、前記第一の基板を除去する工程と、前記キャリアー基板上に張り合わされた前記第二の窒化物半導体膜の表面に第二の基板を張り合わせる工程と、前記キャリアー基板を除去する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハの製造方法である。
この実施形態の半導体ウェハの製造方法では、まず、第一の基板上に、有機金属気相成長(MOVPE)装置などを用いて、第一の窒化物半導体膜と、この第一の窒化物半導体膜よりも融点の高い第二の窒化物半導体膜とを順次形成する。第一の基板は、窒化物半導体膜の成長に適したサファイア、シリコン又は酸化亜鉛などを用いるのが好ましい。また、第一の窒化物半導体膜には、GaxIn(1−x)N (0≦x≦1)が、第二の窒化物半導体膜には、AlyGazIn(1−y−z)N (0≦y≦1、0≦z≦1、0≦y+z≦1)が好ましい。なお、第一の窒化物半導体膜及び第一の基板は、後工程での第一の窒化物半導体膜の融解によって除去されるので、第一の基板とGaxIn(1−x)N などの第一の窒化物半導体膜との間に、低温成長AlN膜や低温成長GaN膜などを形成するようにしても良い。
第一の窒化物半導体膜を融解する加熱温度は、加熱処理雰囲気(常圧又は減圧、流すガス種など)、第一の窒化物半導体膜の材料(GaxIn(1−x)N のGa組成xなど)、第二の窒化物半導体膜の材料(AlyGazIn(1−y−z)N のAl組成yなど)によって変化するが、例えば、第一の窒化物半導体膜がGaN、第二の窒化物半導体膜がAlNであって、減圧水素雰囲気で加熱処理する場合、GaNは800〜900℃から分解を始め、一方、AlNは1400℃でも分解せず、おそらく1500℃以下の処理温度でも十分に薄膜形態を保てる。従って、第一の窒化物半導体膜を融解処理する温度範囲は、800℃〜1500℃の範囲が好ましい。
しかし、本実施形態の製造方法によれば、窒化物半導体膜(第二の窒化物半導体膜)が貼り付けられる第二の基板は、直接的にエピタキシャル成長に用いられる訳ではない。この為、第二の基板は上記の必要条件を満たす必要が全く無い。それゆえ、本実施形態によれば、導電性に優れる、熱伝導率に優れる、或いは安価に入手可能であるなど有利な条件を有する材料を選択し、これを第二の基板として用いることができ、性能の良い安価なデバイスが作製可能となる。
ここで、重ね合わせられたウェハを、治具(図示せず)を用いて上下から強く挟み付けて保持し、この挟み付けられた状態のウェハをアニール炉(図示せず)に導入する。そして、アニール炉を水素雰囲気にし、アニール温度を1100℃として上記ウェハを30分間加熱処理する。
次いで、処理温度が1000℃前後になった段階で、窒化ガリウム層2の窒化ガリウムが融解し分解を開始する。窒化ガリウムが分解すると、窒素成分は気体となって散逸し、ガリウム5のみが単体の液体となってドロップレット(小滴)形状で残留する。ガリウム5の融点は約30℃であるため、熱処理後にアニール炉を降温させても、ガリウム5は殆ど液体のまま残留する。
2 窒化ガリウム層(第一の窒化物半導体膜)
3 窒化アルミニウム層(第二の窒化物半導体膜)
4 石英基板(キャリアー基板)
5 液体ガリウムのドロップレット
6 多結晶炭化ケイ素基板(第二の基板)
7 窒化物半導体多層膜からなるデバイス活性層
8 ソース電極
9 ゲート電極
10 ドレイン電極
11 n型電極
12 p型電極
Claims (7)
- 第一の基板に第一の窒化物半導体膜を形成する工程と、
前記第一の窒化物半導体膜の上に前記第一の窒化物半導体膜よりも融点の高い第二の窒化物半導体膜を形成する工程と、
前記第二の窒化物半導体膜の表面にキャリアー基板を貼り合わせる工程と、
張り合わせられた前記第一の基板、前記第一の窒化物半導体膜、前記第二の窒化物半導体膜及び前記キャリアー基板を含むウェハを、前記第一の窒化物半導体膜の融点より高く、かつ前記第二の窒化物半導体膜の融点より低い温度で加熱処理して前記第一の窒化物半導体膜を融解する工程と、
前記第一の基板を除去する工程と、
前記キャリアー基板上に張り合わされた前記第二の窒化物半導体膜の表面に第二の基板を張り合わせる工程と、
前記キャリアー基板を除去する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハの製造方法。 - 請求項1に記載の半導体ウェハの製造方法において、前記第一の基板は、サファイア、シリコン又は酸化亜鉛からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
- 請求項1又は2に記載の半導体ウェハの製造方法において、前記第一の窒化物半導体膜は、GaxIn(1−x)N (0≦x≦1)からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体ウェハの製造方法において、前記第二の窒化物半導体膜は、AlyGazIn(1−y−z)N (0≦y≦1、0≦z≦1、0≦y+z≦1)からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体ウェハの製造方法において、前記第二の基板は、多結晶炭化ケイ素、シリコン、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物又はニッケルからなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体ウェハの製造方法において、前記第一の窒化物半導体膜を融解する加熱温度が、800℃〜1500℃の範囲であることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の半導体ウェハの製造方法において、前記キャリアー基板が除去されて露出した前記第二の窒化物半導体膜の表面が、III族面であることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
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